JPH03252541A - 液晶セルの不純物イオン検査方法 - Google Patents
液晶セルの不純物イオン検査方法Info
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- JPH03252541A JPH03252541A JP2049422A JP4942290A JPH03252541A JP H03252541 A JPH03252541 A JP H03252541A JP 2049422 A JP2049422 A JP 2049422A JP 4942290 A JP4942290 A JP 4942290A JP H03252541 A JPH03252541 A JP H03252541A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本1明は、液晶セルの基板上に形成された配向膜の表面
に存在しているイオン性不純物を検査する、液晶セルの
不純物イオン検査方法に関するものである。
に存在しているイオン性不純物を検査する、液晶セルの
不純物イオン検査方法に関するものである。
液晶セルは、一対の透明基板間に液晶を封入したもので
、前記一対の基板の対向面にはそれぞれ表示用の透明電
極が形成されており、その上には配向膜が形成されてい
る。
、前記一対の基板の対向面にはそれぞれ表示用の透明電
極が形成されており、その上には配向膜が形成されてい
る。
ところで、この液晶セルは、その基板上に形成された配
向膜の表面に種々のイオン性不純物が存在しているため
、このイオン性不純物が基板間に封入された液晶中に溶
出して、表示特性および信頼性に悪影響を及ぼすという
問題をもっている。
向膜の表面に種々のイオン性不純物が存在しているため
、このイオン性不純物が基板間に封入された液晶中に溶
出して、表示特性および信頼性に悪影響を及ぼすという
問題をもっている。
これは、液晶の比抵抗が液晶中の不純物イオンの濃度に
よって左右されるためであり、液晶中に不純物イオンが
あると、液晶層の比抵抗が下がって電流が流れやすくな
るから、印加電圧に対する液晶の動作特性が低下し、て
液晶表示素子の表示特性が悪くなるし、また、液晶層に
電流が流れることは液晶の劣化につながるために、信頼
性も悪くなる。
よって左右されるためであり、液晶中に不純物イオンが
あると、液晶層の比抵抗が下がって電流が流れやすくな
るから、印加電圧に対する液晶の動作特性が低下し、て
液晶表示素子の表示特性が悪くなるし、また、液晶層に
電流が流れることは液晶の劣化につながるために、信頼
性も悪くなる。
したがって、前記配向膜の表面に存在しているイオン性
不純物の種類および量を知ることは、液晶セルの表示特
性および信頼性を改善する上で重要であり、配向膜表面
にどのようなイオン性不純物がどの程度存在しているか
が分かれば、これらイオン性不純物が入り込まないよう
に配向膜の形成プロセスおよび形成条件を選んで、表示
特性および信頼性の高い液晶セルを得ることができる。
不純物の種類および量を知ることは、液晶セルの表示特
性および信頼性を改善する上で重要であり、配向膜表面
にどのようなイオン性不純物がどの程度存在しているか
が分かれば、これらイオン性不純物が入り込まないよう
に配向膜の形成プロセスおよび形成条件を選んで、表示
特性および信頼性の高い液晶セルを得ることができる。
この配向膜表面の不純物を検査する方法としては、従来
、電子プローブあるいはイオンプローブを用いて配向膜
表面の元素分析を行なう検査方法と、光子プローブを用
いて化学的構造を分析する方法(例えばフーリエ変換赤
外吸収スペクトル法)とが知られている。
、電子プローブあるいはイオンプローブを用いて配向膜
表面の元素分析を行なう検査方法と、光子プローブを用
いて化学的構造を分析する方法(例えばフーリエ変換赤
外吸収スペクトル法)とが知られている。
しかしながら、上記電子プローブあるいはイオンプロー
ブを用いる検査方法は、測定される元素が配向膜表面の
種々の不純物の総和に応じた値であるため、不純物の有
無は分かるが、液晶の信頼性を直接左右する微量のイオ
ン性不純物の種類およびその量は検査できず、したがっ
て、配向膜表面にどのようなイオン性不純物がどの程度
存在しているかを知ることはできなかった。
ブを用いる検査方法は、測定される元素が配向膜表面の
種々の不純物の総和に応じた値であるため、不純物の有
無は分かるが、液晶の信頼性を直接左右する微量のイオ
ン性不純物の種類およびその量は検査できず、したがっ
て、配向膜表面にどのようなイオン性不純物がどの程度
存在しているかを知ることはできなかった。
一方、光子プローブを用いる検査方法例えばフーリエ変
換赤外吸収スペクトル法による検査方法は、有機官能基
の種類によって吸収波長域が異なるため、原理的には不
純物の種類およびその量をある程度判別することができ
るが、微量なイオン性不純物はほとんど検出できなかっ
た。
換赤外吸収スペクトル法による検査方法は、有機官能基
の種類によって吸収波長域が異なるため、原理的には不
純物の種類およびその量をある程度判別することができ
るが、微量なイオン性不純物はほとんど検出できなかっ
た。
本発明は上記のような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、配向膜表面のイオン
性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類および量
を知ることができる、液晶セルのイオン性不純物検査方
法を提供することにある。
あって、その目的とするところは、配向膜表面のイオン
性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類および量
を知ることができる、液晶セルのイオン性不純物検査方
法を提供することにある。
本発明は、液晶セルの基板上の配向膜表面に溶媒を滴下
して配向膜表面の付着物を前記溶媒に溶出させるととも
にこの滴下溶媒を回収する工程と、回収物に純水を混入
し、これに超音波を印加して液中のイオン性不純物を水
相に移す工程と、イオン性不純物を水相に移した液中の
固形異物を除去した後、この液中のイオン性不純物をイ
オンクロマトグラフ分析によりイオン分析する工程とか
らなることを特徴とするものである。
して配向膜表面の付着物を前記溶媒に溶出させるととも
にこの滴下溶媒を回収する工程と、回収物に純水を混入
し、これに超音波を印加して液中のイオン性不純物を水
相に移す工程と、イオン性不純物を水相に移した液中の
固形異物を除去した後、この液中のイオン性不純物をイ
オンクロマトグラフ分析によりイオン分析する工程とか
らなることを特徴とするものである。
すなわち、本発明は、配向膜表面の付着物を溶媒に溶出
させてこの溶媒とともに回収し、回収物に純水を混入し
た液中のイオン性不純物を水相に移して、このイオン性
不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオン分析す
るものであり、この検査方法によれば、配向膜表面のイ
オン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類およ
び量を知ることができる。
させてこの溶媒とともに回収し、回収物に純水を混入し
た液中のイオン性不純物を水相に移して、このイオン性
不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオン分析す
るものであり、この検査方法によれば、配向膜表面のイ
オン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類およ
び量を知ることができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図および第2図は本発明の第1の実施例を示したも
ので、第1図はイオン性不純物の検査工程図、第2図は
検査手順図である。
ので、第1図はイオン性不純物の検査工程図、第2図は
検査手順図である。
この実施例は、液晶セルの組立て前に、配向膜表面のイ
オン性不純物を検査する方法であり、イオン性不純物の
検査は、ガラスからなる透明基板1面に透明電極2を形
成しその上にポリイミド樹脂からなる配向膜3を形成す
るとともにこの配向膜3の表面をラビング処理して液晶
セル用の基板を完成した後に、次のような手順で行なう
。
オン性不純物を検査する方法であり、イオン性不純物の
検査は、ガラスからなる透明基板1面に透明電極2を形
成しその上にポリイミド樹脂からなる配向膜3を形成す
るとともにこの配向膜3の表面をラビング処理して液晶
セル用の基板を完成した後に、次のような手順で行なう
。
まず、上記完成した基板1を洗浄し、配向膜3の表面に
付着しているゴミ等を除去する(第2図の工程Al)。
付着しているゴミ等を除去する(第2図の工程Al)。
次に、第1図(a)に示すように、基板1を一定面積、
例えば10cmX10cmの大きさに切断する(第2図
の工程A2)。
例えば10cmX10cmの大きさに切断する(第2図
の工程A2)。
次に、第1図(b)に示すように、切取った基板1を傾
けて図示しない支持具に支持させ、その上端側から配向
膜3の表面に、配向膜表面のイオン性不純物を溶出させ
る不純物抽出溶媒10を一定量(例えば10■g)滴下
する(第2図の工程A3) 。
けて図示しない支持具に支持させ、その上端側から配向
膜3の表面に、配向膜表面のイオン性不純物を溶出させ
る不純物抽出溶媒10を一定量(例えば10■g)滴下
する(第2図の工程A3) 。
この不純物抽出溶媒10としては、プロトン溶媒(純水
、アルコール、グリコール、フェノール等)と、双極子
モーメントの大きな極性非プロトン溶媒(アセトン、ア
セトニトリル、DMF等)との混合溶媒が適しているが
、この実施例では、純水と、双極子モーメントが2.5
以上、誘電率が15以上のアセトン[(CHi )2
Co1とを調製したものを用いており、また純水に対す
るアセトンの混合比(体積比)は、溶媒10による配向
膜3のダメージを防ぐために50vo1%以下にしてい
る。さらに、溶媒自体が不純物を含んでいると、イオン
性不純物の微量分析が難しくなることがあるため、この
実施例では、純水として、導電度が0.5μS/C■以
下で、かつポアサイズ0.22μ■のフィルタで粒状物
質を除去した高純度のものを用い、アセトンとして、電
子工業用で最純(E P)以上の高純度のものを用いて
いる。また、溶媒の調製用容器や後述する回収容器等は
、ポリエチレンまたはポリテトラフロロエチレン製の容
器をよく洗浄して用いる。
、アルコール、グリコール、フェノール等)と、双極子
モーメントの大きな極性非プロトン溶媒(アセトン、ア
セトニトリル、DMF等)との混合溶媒が適しているが
、この実施例では、純水と、双極子モーメントが2.5
以上、誘電率が15以上のアセトン[(CHi )2
Co1とを調製したものを用いており、また純水に対す
るアセトンの混合比(体積比)は、溶媒10による配向
膜3のダメージを防ぐために50vo1%以下にしてい
る。さらに、溶媒自体が不純物を含んでいると、イオン
性不純物の微量分析が難しくなることがあるため、この
実施例では、純水として、導電度が0.5μS/C■以
下で、かつポアサイズ0.22μ■のフィルタで粒状物
質を除去した高純度のものを用い、アセトンとして、電
子工業用で最純(E P)以上の高純度のものを用いて
いる。また、溶媒の調製用容器や後述する回収容器等は
、ポリエチレンまたはポリテトラフロロエチレン製の容
器をよく洗浄して用いる。
このように配向膜3の表面に溶媒10を滴下すると、こ
の溶媒10は配向膜3の表面全体に流れ広がって配向膜
表面を流下し、その過程で、配向膜表面の各種イオン性
不純物が溶媒10中に溶出するとともに、基板1の切断
時に配向膜表面に付着したガラス粉等の固形異物も溶媒
10とともに洗い流される。なおこの場合、溶媒10が
配向膜3の表面に触れるために、配向膜3のポリイミド
樹脂も溶媒10中に溶出するが、その量は極めて微量で
あり、したがって配向膜3の表面がダメージを受けて配
向性を失うことは少ない。
の溶媒10は配向膜3の表面全体に流れ広がって配向膜
表面を流下し、その過程で、配向膜表面の各種イオン性
不純物が溶媒10中に溶出するとともに、基板1の切断
時に配向膜表面に付着したガラス粉等の固形異物も溶媒
10とともに洗い流される。なおこの場合、溶媒10が
配向膜3の表面に触れるために、配向膜3のポリイミド
樹脂も溶媒10中に溶出するが、その量は極めて微量で
あり、したがって配向膜3の表面がダメージを受けて配
向性を失うことは少ない。
そして、配向膜3の表面を流下して配向膜表面の付着物
を溶出させた滴下溶媒10は、第1図(b)に示すよう
に基板1の下端から流れ落ちて回収容器11に回収され
る(第2図の工程A4)。
を溶出させた滴下溶媒10は、第1図(b)に示すよう
に基板1の下端から流れ落ちて回収容器11に回収され
る(第2図の工程A4)。
次に、第1図(c)に示すように、回収容器11に回収
した回収液(配向膜表面の付着物を溶出させた溶媒)1
0aを別の容器12にl11g採取しく第2図の工程A
5)、この採取した回収液10aに、これと同l1(C
an)の高純度の純水13を加えて混合する(第2図の
工程A6)。
した回収液(配向膜表面の付着物を溶出させた溶媒)1
0aを別の容器12にl11g採取しく第2図の工程A
5)、この採取した回収液10aに、これと同l1(C
an)の高純度の純水13を加えて混合する(第2図の
工程A6)。
次に、上記回収液10aと純水13との混合液に超音波
を印加して第1図(d)に示すように攪拌し、この混合
液中のイオン性不純物を水相に移す(第2図の工程A7
)。
を印加して第1図(d)に示すように攪拌し、この混合
液中のイオン性不純物を水相に移す(第2図の工程A7
)。
次に、イオン性不純物を水相に移した上記混合液を遠心
分離機により遠心分離して固形異物(ガラス粉等)を除
去しく第2図の工程A8)、さらにこの液をポアサイズ
0.45μ−のディスポーサブルフィルタに通して、微
細な固形異物も除去(第2図の工程A9)した後、第1
図(e)に示すように、この液をマイクロシリンジ14
によりイオンクロマトグラフ分析器15に一定量(例え
μ ば20/jり注入して(第2図の工程Al0)、イオン
クロマトグラフ分析によるイオン分析を行なう(第2図
の工程A11)。
分離機により遠心分離して固形異物(ガラス粉等)を除
去しく第2図の工程A8)、さらにこの液をポアサイズ
0.45μ−のディスポーサブルフィルタに通して、微
細な固形異物も除去(第2図の工程A9)した後、第1
図(e)に示すように、この液をマイクロシリンジ14
によりイオンクロマトグラフ分析器15に一定量(例え
μ ば20/jり注入して(第2図の工程Al0)、イオン
クロマトグラフ分析によるイオン分析を行なう(第2図
の工程A11)。
このイオンクロマトグラフ分析器15によるイオン分析
は、検出しようとする各種不純物イオンの混合標準溶液
(例えば陰イオンの分析の場合は、F−、Cj! −、
NO2−、Br −、N03SO4−、CN−等の混合
溶液、陽イオンの分析の場合は、Ll ”、Na”、N
H4、に+等の混合溶液)を用い、この標準溶液につい
てイオンクロマトグラフィを行なって、得られたピーク
の保持時間およびピーク量を求め、同様に注入液のイオ
ンクロマトグラフィを行なって、そのピーク保持時間お
よびピーク量を標準溶液のそれと比較することにより、
注入液中の各種不純物イオンを定性および定量する方法
で行なう。なお、上記のイオンクロマトグラフ分析器1
5の検出器としては、電気導電度検出器または電気化学
検出器を用いる。
は、検出しようとする各種不純物イオンの混合標準溶液
(例えば陰イオンの分析の場合は、F−、Cj! −、
NO2−、Br −、N03SO4−、CN−等の混合
溶液、陽イオンの分析の場合は、Ll ”、Na”、N
H4、に+等の混合溶液)を用い、この標準溶液につい
てイオンクロマトグラフィを行なって、得られたピーク
の保持時間およびピーク量を求め、同様に注入液のイオ
ンクロマトグラフィを行なって、そのピーク保持時間お
よびピーク量を標準溶液のそれと比較することにより、
注入液中の各種不純物イオンを定性および定量する方法
で行なう。なお、上記のイオンクロマトグラフ分析器1
5の検出器としては、電気導電度検出器または電気化学
検出器を用いる。
下記の[表1a]および[表1b]は、このような方法
で陰イオンと陽イオンを検出した結果を示したもので、
表において、×はイオン非検出(イオン無し)、Δ、O
はイオン検出(イオン有り)を示している。なお、△は
電気導電度検出器を用いた検出方法では定量不能な極く
微量(検出精度の限界より少ない量)のイオン検出、○
はこの検出方法で定量可能なイオン検出(微量検出)を
示している。
で陰イオンと陽イオンを検出した結果を示したもので、
表において、×はイオン非検出(イオン無し)、Δ、O
はイオン検出(イオン有り)を示している。なお、△は
電気導電度検出器を用いた検出方法では定量不能な極く
微量(検出精度の限界より少ない量)のイオン検出、○
はこの検出方法で定量可能なイオン検出(微量検出)を
示している。
[表1al
[表1b]
なお、[表1a]および[表1b]において、CN−は
電気化学検出器を用いた検出結果であり、他は電気導電
度検出器を用いた検出結果である。
電気化学検出器を用いた検出結果であり、他は電気導電
度検出器を用いた検出結果である。
この[表1alおよび[表1b]の検査結果は、配向膜
3の表面にあるイオン性不純物が、F−C1l −、N
Os −,5Oa−の4種類の陰イオン不純物と、Na
”、NH4、に+の3種類の陽イオン不純物であり、他
の陰イオン不純物(No□−、Br −、CN−)およ
び陽イオン不純物(Ll ” )は配向膜表面に存在し
ていないことを示しており、また検出されたイオン性不
純物のうち、F−So、−およびNH4、に+は定量で
きない程度の極く微量な量であることを示している。な
お、上記検査においてNOlが検出されたのは、空気の
混入によるものと考えられる。
3の表面にあるイオン性不純物が、F−C1l −、N
Os −,5Oa−の4種類の陰イオン不純物と、Na
”、NH4、に+の3種類の陽イオン不純物であり、他
の陰イオン不純物(No□−、Br −、CN−)およ
び陽イオン不純物(Ll ” )は配向膜表面に存在し
ていないことを示しており、また検出されたイオン性不
純物のうち、F−So、−およびNH4、に+は定量で
きない程度の極く微量な量であることを示している。な
お、上記検査においてNOlが検出されたのは、空気の
混入によるものと考えられる。
また、下記の[表2]は、検出されたイオン性不純物の
うち、定量可能なCI−とNa+の検査液(回収液10
aと純水13との混合液)中の濃度を示している。
うち、定量可能なCI−とNa+の検査液(回収液10
aと純水13との混合液)中の濃度を示している。
[表2]
なお、この[表2]のイオン性不純物の濃度は、液晶セ
ルを構成する一対の基板の配向膜表面のイオン性不純物
をそれぞれ上記検査方法により同一条件で検査したとき
の、基板2枚分の濃度である。
ルを構成する一対の基板の配向膜表面のイオン性不純物
をそれぞれ上記検査方法により同一条件で検査したとき
の、基板2枚分の濃度である。
すなわち、上記実施例の不純物イオン検査方法は、配向
膜表面の付着物を溶媒10に溶出させてこの溶媒10と
ともに回収し、この回収液10aに純水13を混入した
混合液中のイオン性不純物を水相に移して、このイオン
性不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオン分析
するものであり、この検査方法によれば、配向膜表面の
イオン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類お
よび量を知ることができる。したがって、配向膜表面に
どのようなイオン性不純物がどの程度存在しているかを
知ることができるから、これらイオン性不純物が入り込
まないように配向膜3の形成プロセスおよび形成条件を
選ぶことにより、表示特性および信頼性の高い液晶セル
を得ることができる。
膜表面の付着物を溶媒10に溶出させてこの溶媒10と
ともに回収し、この回収液10aに純水13を混入した
混合液中のイオン性不純物を水相に移して、このイオン
性不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオン分析
するものであり、この検査方法によれば、配向膜表面の
イオン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種類お
よび量を知ることができる。したがって、配向膜表面に
どのようなイオン性不純物がどの程度存在しているかを
知ることができるから、これらイオン性不純物が入り込
まないように配向膜3の形成プロセスおよび形成条件を
選ぶことにより、表示特性および信頼性の高い液晶セル
を得ることができる。
なお、上記実施例の検査方法は、液晶セルの組立て前に
配向膜表面のイオン性不純物を検査する方法であるが、
本発明のイオン性不純物検査方法は、一対の基板間に液
晶を封入した完成セルに対しても適用することができる
。
配向膜表面のイオン性不純物を検査する方法であるが、
本発明のイオン性不純物検査方法は、一対の基板間に液
晶を封入した完成セルに対しても適用することができる
。
すなわち、第3図および第4図は本発明の第2の実施例
を示したもので、第3図はイオン性不純物の検査工程図
、第4図は検査手順図である。
を示したもので、第3図はイオン性不純物の検査工程図
、第4図は検査手順図である。
この実施例は、第1図(a)に示した基板1と、透明電
極5とポリイミド樹脂からなる配向膜6を形成するとと
もに配向膜6の表面をラビング処理したもう1枚の基板
4とを枠状のル材7を介して接着し、この一対の基板1
.4間に液晶8を封入して液晶セルを完成した後に、側
基板1.4の配向膜3,6の表面のイオン性不純物を検
査する方法であり、イオン性不純物の検査は次のような
手順で行なう。
極5とポリイミド樹脂からなる配向膜6を形成するとと
もに配向膜6の表面をラビング処理したもう1枚の基板
4とを枠状のル材7を介して接着し、この一対の基板1
.4間に液晶8を封入して液晶セルを完成した後に、側
基板1.4の配向膜3,6の表面のイオン性不純物を検
査する方法であり、イオン性不純物の検査は次のような
手順で行なう。
まず、第3図(a)に示すように、完成した液晶セルを
一定面積、例えば10cmX10c■の大きさに切断し
く第4図の工程B1)、切取ったセル部分の側基板1,
4を分離する(第4図の工程B2)。このように側基板
1.4を分離すると、セル内の液晶8も、側基板1.4
の配向膜3.6の表面にそれぞれ付着して側基板1.4
に分けられる。
一定面積、例えば10cmX10c■の大きさに切断し
く第4図の工程B1)、切取ったセル部分の側基板1,
4を分離する(第4図の工程B2)。このように側基板
1.4を分離すると、セル内の液晶8も、側基板1.4
の配向膜3.6の表面にそれぞれ付着して側基板1.4
に分けられる。
次に、第3図(b)に示すように、上記側基板1.4を
それぞれ傾けて図示しない支持具に支持させ、側基板1
.4の上端側からそれぞれの配向膜3,6の表面に、配
向膜表面のイオン性不純物を溶出させる不純物抽出溶媒
20を一定量(例えば10mII)滴下する(第4図の
工程B3)。
それぞれ傾けて図示しない支持具に支持させ、側基板1
.4の上端側からそれぞれの配向膜3,6の表面に、配
向膜表面のイオン性不純物を溶出させる不純物抽出溶媒
20を一定量(例えば10mII)滴下する(第4図の
工程B3)。
この不純物抽出溶媒20としては、アセトン。
アセトニトリル、DMF等が適しているが、この実施例
では、双極子モーメントが2.5以上、誘電率が15以
上の高純度のアセトン[(CH3)2COIを用いてい
る。
では、双極子モーメントが2.5以上、誘電率が15以
上の高純度のアセトン[(CH3)2COIを用いてい
る。
このように側基板1,4の配向膜3,6の表面に溶媒2
0を滴下すると、この溶媒20は配向膜3.6の表面全
体に流れ広がって配向膜表面を流下し、配向膜3,6上
の液晶8が溶媒20で洗い流されるとともに、配向膜表
面の各種イオン性不純物が溶媒20中に溶出し、また配
向膜表面に分散しているギャップ材等の固形異物も溶媒
20とともに洗い流される。
0を滴下すると、この溶媒20は配向膜3.6の表面全
体に流れ広がって配向膜表面を流下し、配向膜3,6上
の液晶8が溶媒20で洗い流されるとともに、配向膜表
面の各種イオン性不純物が溶媒20中に溶出し、また配
向膜表面に分散しているギャップ材等の固形異物も溶媒
20とともに洗い流される。
そして、配向膜3,6の表面を流下して配向膜表面の付
着物を溶出させた滴下溶媒20は、第3図(b)に示す
ように側基板1,4の下端から流れ落ち、この溶媒20
に溶解した液晶8とともに1つの回収容器21に回収さ
れる(第4図の工程B4)。
着物を溶出させた滴下溶媒20は、第3図(b)に示す
ように側基板1,4の下端から流れ落ち、この溶媒20
に溶解した液晶8とともに1つの回収容器21に回収さ
れる(第4図の工程B4)。
次に、回収容器21に回収した回収液(配向膜表面の付
着物を溶出させた溶媒と液晶)20aを加熱して溶媒(
アセトン)20を蒸発させ(第4図の工程B5)、第3
図(c)に示すように、回収液20aから分離した残液
8aを回収容器21内に残す。なお、この回収容器21
内の残液8aは、主成分である液晶8中に、配向膜表面
から溶媒20に溶出したイオン性不純物等の付着物およ
び液晶8中のイオン性不純物(配向膜表面から液晶中に
溶出したものを含む)が混入した液である。
着物を溶出させた溶媒と液晶)20aを加熱して溶媒(
アセトン)20を蒸発させ(第4図の工程B5)、第3
図(c)に示すように、回収液20aから分離した残液
8aを回収容器21内に残す。なお、この回収容器21
内の残液8aは、主成分である液晶8中に、配向膜表面
から溶媒20に溶出したイオン性不純物等の付着物およ
び液晶8中のイオン性不純物(配向膜表面から液晶中に
溶出したものを含む)が混入した液である。
次に、第3図(C)の状態で回収容器21内の残液8a
を精秤して液晶8の重量を求める(第4図の工程B6)
。なお、回収容器21内の残液8aは、液晶8が主成分
で、イオン性不純物等が微少量混入したものであるから
、残液8aの重量を液晶8の重量と見なすことができる
。
を精秤して液晶8の重量を求める(第4図の工程B6)
。なお、回収容器21内の残液8aは、液晶8が主成分
で、イオン性不純物等が微少量混入したものであるから
、残液8aの重量を液晶8の重量と見なすことができる
。
次に、第3図(d)に示すように、上記回収容器21内
の液晶8を主成分とする残液8aに、高純度のアセトン
22(配向膜表面に滴下5した不純物抽出溶媒20と同
じアセトンを用いる)と高純度の純水23とを同量ずつ
(例えば1 mlずつ)加えて混合する(第4図の工
程B7)。
の液晶8を主成分とする残液8aに、高純度のアセトン
22(配向膜表面に滴下5した不純物抽出溶媒20と同
じアセトンを用いる)と高純度の純水23とを同量ずつ
(例えば1 mlずつ)加えて混合する(第4図の工
程B7)。
次に、上記残液8aとアセトン22と純水23との混合
液に超音波を印加して第3図(e)に示すように攪拌し
、この液10a中のイオン性不純物を水相に移す(第4
図の工程B8)。
液に超音波を印加して第3図(e)に示すように攪拌し
、この液10a中のイオン性不純物を水相に移す(第4
図の工程B8)。
次に、イオン性不純物を水相に移した上記混合液を遠心
分離機により遠心分離して固形異物(ガラス粉等)を除
去しく第4図の工程B9)、さらにこの液をポアサイズ
0.45μ−のデイスポーサブルフィルタに通して、微
細な固形異物も除去(第4図の工程BIO)した後、第
3図(f)に示すように、この液をマイクロシリンジ2
4によりイオンクロマトグラフ分析器25に一定量(例
えば20ag)注入して(第4図の工程B11)、イオ
ンクロマトグラフ分析によるイオン分析を行なう(第4
図の工程B12)。
分離機により遠心分離して固形異物(ガラス粉等)を除
去しく第4図の工程B9)、さらにこの液をポアサイズ
0.45μ−のデイスポーサブルフィルタに通して、微
細な固形異物も除去(第4図の工程BIO)した後、第
3図(f)に示すように、この液をマイクロシリンジ2
4によりイオンクロマトグラフ分析器25に一定量(例
えば20ag)注入して(第4図の工程B11)、イオ
ンクロマトグラフ分析によるイオン分析を行なう(第4
図の工程B12)。
なお、上記イオンクロマトグラフ分析器25は前記第1
の実施例で使用した分析器15と同じものであり、この
イオンクロマトグラフ分析器25によるイオン分析は、
第1の実施例と同様に、検出しようとする各種不純物イ
オンの混合標準溶液を用いて、注入液中の各種不純物イ
オンを定性および定量する方法で行なう。
の実施例で使用した分析器15と同じものであり、この
イオンクロマトグラフ分析器25によるイオン分析は、
第1の実施例と同様に、検出しようとする各種不純物イ
オンの混合標準溶液を用いて、注入液中の各種不純物イ
オンを定性および定量する方法で行なう。
下記の[表3a]および[表3b]は、上記方法で陰イ
オンと陽イオンを検出した結果を示したもので、表にお
いて、×はイオン非検出(イオン無し)、△、O1◎は
イオン検出(イオン有り)を示している。なお、Δは電
気導電度検出器を用いた検出方法では定量不能な極く微
量(検出精度の限界より少ない量)のイオン検出、O2
0はこの検出方法で定量可能なイオン検出を示しており
、Oは微量検出、◎は顕著な検出を示している。
オンと陽イオンを検出した結果を示したもので、表にお
いて、×はイオン非検出(イオン無し)、△、O1◎は
イオン検出(イオン有り)を示している。なお、Δは電
気導電度検出器を用いた検出方法では定量不能な極く微
量(検出精度の限界より少ない量)のイオン検出、O2
0はこの検出方法で定量可能なイオン検出を示しており
、Oは微量検出、◎は顕著な検出を示している。
[表3b]
なお、[表3a]および[表3blにおいて、CN−以
外は電気導電度検出器を用いた検出結果、CN−は電気
化学検出器を用いた検出結果であり、CN−の検出結果
△は、極く微量のイオンを検出したことを示している。
外は電気導電度検出器を用いた検出結果、CN−は電気
化学検出器を用いた検出結果であり、CN−の検出結果
△は、極く微量のイオンを検出したことを示している。
この[表3a]および[表3b]の検査結果は、配向膜
3,6の表面のイオン性不純物および液晶8中のイオン
性不純物が、F−+ CD −、Br5Q4−、CN−
の5種類の陰イオン不純物と、Na+ NH4、に+
の3種類の陽イオン不純物であり、他の陰イオン不純物
(No□NO3−)および陽イオン不純物(Li”)は
配向膜表面および液晶中に存在していないことを示して
おり、また検出されたイオン性不純物のうち、F−CN
−およびNH4+は極く微量な量であることを示してい
る。このようにして、種々の液晶セルを検査したところ
、イオン性不純物のうちCN−の含有濃度が高いセルは
信頼性が悪く、信頼性の良い液晶セルではCN−はほと
んど検出されなかった。
3,6の表面のイオン性不純物および液晶8中のイオン
性不純物が、F−+ CD −、Br5Q4−、CN−
の5種類の陰イオン不純物と、Na+ NH4、に+
の3種類の陽イオン不純物であり、他の陰イオン不純物
(No□NO3−)および陽イオン不純物(Li”)は
配向膜表面および液晶中に存在していないことを示して
おり、また検出されたイオン性不純物のうち、F−CN
−およびNH4+は極く微量な量であることを示してい
る。このようにして、種々の液晶セルを検査したところ
、イオン性不純物のうちCN−の含有濃度が高いセルは
信頼性が悪く、信頼性の良い液晶セルではCN−はほと
んど検出されなかった。
また、下記の[表4]は、検出されたイオン性不純物の
うち、定量可能なCI−とNa+ 、に+の液晶セル中
での濃度を示したもので、この[表4]の濃度は、イオ
ン分析器25に注入した検査液(液晶8を主成分とする
残液8aとアセトン22と純水23との混合液)中の濃
度を、第4図のB6の工程で精秤した重量の液晶8中の
濃度に換算した値である。
うち、定量可能なCI−とNa+ 、に+の液晶セル中
での濃度を示したもので、この[表4]の濃度は、イオ
ン分析器25に注入した検査液(液晶8を主成分とする
残液8aとアセトン22と純水23との混合液)中の濃
度を、第4図のB6の工程で精秤した重量の液晶8中の
濃度に換算した値である。
[表4]
すなわち、上記第2の実施例の不純物イオン検査方法は
、液晶8を封入した完成セルを個々の基板1.4に分離
し、この両基板1.4の配向膜3゜6の表面の付着物お
よび液晶8を溶媒20に溶出させてこの溶媒20ととも
に回収し、この回収物にアセトン22と純水23とを混
入した混合液中のイオン性不純物を水相に移して、この
イオン性不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオ
ン分析するものであり、この検査方法によれば、配向膜
表面のイオン性不純物だけでなく、液晶8中のイオン性
不純物もほとんど漏れなく抽出してその種類および量を
知ることができる。したがって、この第2の実施例によ
れば、液晶セル内のどのようなイオン性不純物がどの程
度存在しているがを知ることができるから、これらイオ
ン性不純物が入り込まないように両基板1.4の配向膜
3,6の形成プロセスおよび形成条件を選ぶとともに、
液晶材料の精製および調合もイオン性不純物が入り込ま
ないようなプロセスとすることにより、表示特性および
信頼性のより高い液晶セルを得ることができる。
、液晶8を封入した完成セルを個々の基板1.4に分離
し、この両基板1.4の配向膜3゜6の表面の付着物お
よび液晶8を溶媒20に溶出させてこの溶媒20ととも
に回収し、この回収物にアセトン22と純水23とを混
入した混合液中のイオン性不純物を水相に移して、この
イオン性不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオ
ン分析するものであり、この検査方法によれば、配向膜
表面のイオン性不純物だけでなく、液晶8中のイオン性
不純物もほとんど漏れなく抽出してその種類および量を
知ることができる。したがって、この第2の実施例によ
れば、液晶セル内のどのようなイオン性不純物がどの程
度存在しているがを知ることができるから、これらイオ
ン性不純物が入り込まないように両基板1.4の配向膜
3,6の形成プロセスおよび形成条件を選ぶとともに、
液晶材料の精製および調合もイオン性不純物が入り込ま
ないようなプロセスとすることにより、表示特性および
信頼性のより高い液晶セルを得ることができる。
なお、上記第1および第2の実施例では、液晶セルの基
板を一定面積に切取ってその配向膜表面の付着物を溶媒
により抽出しているが、この付着物の抽出は、基板を切
断せずにその全面の配向膜について行なってもよい。こ
の場合、完成した液晶セルの不純物検査は、シール材7
から基板1゜4を剥がして両基板1.4を分離すればよ
い。
板を一定面積に切取ってその配向膜表面の付着物を溶媒
により抽出しているが、この付着物の抽出は、基板を切
断せずにその全面の配向膜について行なってもよい。こ
の場合、完成した液晶セルの不純物検査は、シール材7
から基板1゜4を剥がして両基板1.4を分離すればよ
い。
本発明の液晶セルのイオン性不純物検査方法は、配向膜
表面の付着物を溶媒に溶出させてこの溶媒とともに回収
し、回収物に純水を混入した液中のイオン性不純物を水
相に移して、このイオン性不純物をイオンクロマトグラ
フ分析によりイオン分析するものであるから、配向膜表
面のイオン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種
類および量を知ることができる。
表面の付着物を溶媒に溶出させてこの溶媒とともに回収
し、回収物に純水を混入した液中のイオン性不純物を水
相に移して、このイオン性不純物をイオンクロマトグラ
フ分析によりイオン分析するものであるから、配向膜表
面のイオン性不純物をほとんど漏れなく抽出してその種
類および量を知ることができる。
第1図および第2図は本発明の第1の実施例を示すイオ
ン性不純物の検査工程図および検査手順図、第3図およ
び第4図は本発明の第2の実施例を示すイオン性不純物
の検査工程図および検査手順図である。 1.4・・・基板、2,5・・・電極、3.6・・・配
向膜、8・・・液晶、10.20・・・溶媒、lQa、
20a・・・回収液、 13゜ ・・・純水、 2・・・アセ 15゜ 25・・・イオン分析器。
ン性不純物の検査工程図および検査手順図、第3図およ
び第4図は本発明の第2の実施例を示すイオン性不純物
の検査工程図および検査手順図である。 1.4・・・基板、2,5・・・電極、3.6・・・配
向膜、8・・・液晶、10.20・・・溶媒、lQa、
20a・・・回収液、 13゜ ・・・純水、 2・・・アセ 15゜ 25・・・イオン分析器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 液晶セルの基板上に形成された配向膜の表面に存在して
いるイオン性不純物を検査する方法において、 前記基板上の配向膜表面に溶媒を滴下して配向膜表面の
付着物を前記溶媒に溶出させるとともにこの滴下溶媒を
回収する工程と、 回収物に純水を混入し、これに超音波を印加して液中の
イオン性不純物を水相に移す工程と、イオン性不純物を
水相に移した液中の固形異物を除去した後、この液中の
イオン性不純物をイオンクロマトグラフ分析によりイオ
ン分析する工程と、 からなることを特徴とする液晶セルの不純物イオン検査
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2049422A JPH03252541A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 液晶セルの不純物イオン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2049422A JPH03252541A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 液晶セルの不純物イオン検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252541A true JPH03252541A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12830645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2049422A Pending JPH03252541A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 液晶セルの不純物イオン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03252541A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5914607A (en) * | 1996-04-12 | 1999-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and methods for analyzing a sample solution, including first and second ion detectors |
CN100456086C (zh) * | 2006-04-28 | 2009-01-28 | 友达光电股份有限公司 | 液晶离子密度测量方法 |
WO2010081193A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | Cavitus Pty Ltd | Mass transfer |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049422A patent/JPH03252541A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5914607A (en) * | 1996-04-12 | 1999-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and methods for analyzing a sample solution, including first and second ion detectors |
CN100456086C (zh) * | 2006-04-28 | 2009-01-28 | 友达光电股份有限公司 | 液晶离子密度测量方法 |
WO2010081193A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | Cavitus Pty Ltd | Mass transfer |
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