JPH03248474A - Semiconductor pressure sensor and it's manufacture - Google Patents
Semiconductor pressure sensor and it's manufactureInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、大気圧等を測定する半導体圧力センサおよ
びその製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor pressure sensor for measuring atmospheric pressure, etc., and a method for manufacturing the same.
第１３図は従来の半導体圧力センサの概略構造を示す断
面図である。同図において、（１）はシリコン基板、（
６）はシリコン基板（１）上に形成されたシリコン酸化
膜、（５）はシリコン酸化膜（６）をマスクとして上記
シリコン基板（１）中に不純物を拡散して形成された拡
散抵抗である。拡散抵抗（５）は例えば４個形成され、
各拡散抵抗は基板（１）中でブリッジ回路を構成するよ
うに相互に接続されている。（７）は各々拡散抵抗（５
）に接触して形成された金属電極、（８）はシリコン酸
化膜（６）および金属電極（７）を覆って形成された保
護ガラスコートである。シリコン基板（１）の裏面には
ダイヤフラム・エツチング用のマスクとして作用するシ
リコン窒化！！（２）が形成され、該シリコン窒化膜（
２）をマスクとしてシリコン基板（１）を裏面からエツ
チングすることにより、ダイヤフラム（４）が形成され
る。（３）はダイヤプラム（４）の形成時にシリコン窒
化膜（２）のマスク作用により残った基部である。FIG. 13 is a sectional view showing the schematic structure of a conventional semiconductor pressure sensor. In the figure, (1) is a silicon substrate, (
6) is a silicon oxide film formed on the silicon substrate (1), and (5) is a diffused resistor formed by diffusing impurities into the silicon substrate (1) using the silicon oxide film (6) as a mask. . For example, four diffused resistors (5) are formed,
The diffused resistors are interconnected in the substrate (1) to form a bridge circuit. (7) is the diffusion resistance (5
), and (8) is a protective glass coat formed to cover the silicon oxide film (6) and the metal electrode (7). Silicon nitride on the back side of the silicon substrate (1) acts as a mask for diaphragm etching! ! (2) is formed, and the silicon nitride film (
A diaphragm (4) is formed by etching the silicon substrate (1) from the back surface using 2) as a mask. (3) is the base left by the masking effect of the silicon nitride film (2) during the formation of the diaphragm (4).
上記の半導体圧力センサにおいて、ダイヤプラム（４）
の上下に加わる圧力差により、該ダイヤプラム（４）か
変形すると、それに伴って拡散抵抗（５）は歪みを受け
、その抵抗値か変化する。拡散抵抗（５）の抵抗値の変
化から、上記圧力差あるいはダイヤプラム（４）にかか
る圧力を電気信号として検出することがてきる。In the above semiconductor pressure sensor, the diaphragm (4)
When the diaphragm (4) is deformed due to the pressure difference applied above and below, the diffused resistor (5) is distorted accordingly, and its resistance value changes. From the change in the resistance value of the diffusion resistor (5), the pressure difference or the pressure applied to the diaphragm (4) can be detected as an electrical signal.
第１３図の半導体圧力センサは次のようにして製造され
る。The semiconductor pressure sensor shown in FIG. 13 is manufactured as follows.
第９図に示すシリコン基板（１）の表面に第１０図に示
すように所定のパターンのシリコン酸化膜（５）を形成
する。A silicon oxide film (5) having a predetermined pattern is formed on the surface of the silicon substrate (1) shown in FIG. 9 as shown in FIG. 10.
次に、第１１図に示すようにシリコン酸化膜（６）をマ
スクとしてシリコン基板（１）に不純物をドープして拡
散抵抗（５）を例えば４個形成する。Next, as shown in FIG. 11, using the silicon oxide film (6) as a mask, the silicon substrate (1) is doped with impurities to form, for example, four diffused resistors (5).
次に、第１２図に示すように各拡散抵抗（５）に接触す
る金属電極（７）を形成し、該金属電極（７）およびシ
リコン酸化膜（５）全体を保護用のガラスコート（８）
で覆う０次に、ダイヤフラム（４）の変形時に拡散抵抗
（５）が効果的に歪を受けるように。Next, as shown in FIG. 12, a metal electrode (7) is formed in contact with each diffused resistor (5), and the metal electrode (7) and the entire silicon oxide film (5) are coated with a protective glass coat (8). )
Cover with zero order, so that the diffused resistor (5) is effectively strained during the deformation of the diaphragm (4).
これらの拡散抵抗の位置とダイヤプラム（４）の形成位
置とが整合するようにダイヤプラム・エツチング用のマ
スクとして作用するシリコン窒化膜（２）を形成する。A silicon nitride film (2) serving as a mask for diaphragm etching is formed so that the positions of these diffused resistors and the formation position of the diaphragm (4) are aligned.
次に、シリコン窒化Ｍ（２）をマスクとしてシリコン基
体（１）を裏面からエツチングして、第１３図に示すよ
うな所定の厚みのダイヤフラム（４）を形成する。Next, the silicon substrate (1) is etched from the back surface using the silicon nitride M (2) as a mask to form a diaphragm (4) of a predetermined thickness as shown in FIG.
（発明か解決しようとする課題）
上述のような従来の半導体圧力センサの製造方法ては、
シリコン基板（１）の表面に所定のパターンに拡散抵抗
（５）を形成した後、シリコン基板（１）つまりウェハ
の厚みを測定し、その測定値によって目標のダイヤフラ
ム厚になるように、エツチングレイトより求めたエツチ
ング時間を制御していた。(Problem to be solved by the invention) The conventional method for manufacturing a semiconductor pressure sensor as described above is as follows.
After forming a diffused resistor (5) in a predetermined pattern on the surface of the silicon substrate (1), measure the thickness of the silicon substrate (1), that is, the wafer, and adjust the etching rate so that the target diaphragm thickness is obtained based on the measured value. The etching time was controlled more precisely.
ところが、シリコン基板（１）の厚みのばらつき、エツ
チングレイトのウェハ面内てのばらつき、各ウェハ毎の
エツチングレイトのばらつき等のために、エツチング時
間を正確に制御しても、一定厚のダイヤプラムを得るこ
とがてきないという問題があった。また、バッチ処理か
困難であるといる問題があった。However, due to variations in the thickness of the silicon substrate (1), variations in the etching rate within the wafer plane, variations in the etching rate for each wafer, etc., even if the etching time is precisely controlled, a diaphragm with a constant thickness cannot be produced. The problem was that it was not possible to obtain the Another problem was that batch processing was difficult.
この発明は、上記のような従来の問題点を解消し、一定
厚のダイヤフラムをバッチ処理で簡単に製造することが
できる半導体圧力センサおよびその製造方法を得ること
を目的としだものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a semiconductor pressure sensor and a method for manufacturing the same, which can easily manufacture a diaphragm of a constant thickness by batch processing.
この発明による半導体圧力センサは、シリコン基板の表
面に形成されたエツチングストップ層上にエピタキシャ
ル成長により形成された所望の厚みをもったエピタキシ
ャル成長層と、該エピタキシャル成長層の表面にブリッ
ジ回路を構成するように形成された拡散抵抗と、上記シ
リコン基板の少なくとも上記拡散抵抗の形成位置と対向
する部分を含む領域をその裏面から上記エツチングスト
ップ層に至るまてエツチングすることにより形成された
上記エピタキシャル成長層の厚みをもったダイヤプラム
とを具備している。The semiconductor pressure sensor according to the present invention includes an epitaxial growth layer having a desired thickness formed by epitaxial growth on an etching stop layer formed on the surface of a silicon substrate, and a bridge circuit formed on the surface of the epitaxial growth layer. and the thickness of the epitaxially grown layer formed by etching a region of the silicon substrate including at least a portion facing the formation position of the diffused resistor from its back surface to the etching stop layer. It is equipped with a diaphragm.
この発明による半導体圧力センサは、シリコン基板の表
面にエツチングストップ層を形成する工程と、該エツチ
ングストップ層上に所望の厚みのエピタキシャル成長層
を形成する工程と、該エピタキシャル成長層の表面にブ
リッジ回路を構成するように拡散抵抗を形成する工程と
、上記シリコン基板の少くとも上記拡散抵抗の形成位置
と対向する部分を含む領域をその裏面から上記エツチン
グストップ層に至るまでエツチングして、上記エピタキ
シャル成長層の厚みをもったダイヤフラムを形成する工
程とを含んでいる。The semiconductor pressure sensor according to the present invention includes a step of forming an etching stop layer on the surface of a silicon substrate, a step of forming an epitaxial growth layer of a desired thickness on the etching stop layer, and a bridge circuit formed on the surface of the epitaxial growth layer. and etching a region of the silicon substrate including at least a portion facing the formation position of the diffused resistor from the back surface thereof to the etching stop layer to increase the thickness of the epitaxially grown layer. forming a diaphragm with a
（作 用）
この発明においては、シリコン基板の一部をその裏面か
らエツチングするとき、シリコン基板が完全にエツチン
グされて除去され、エツチングストップか露出すると、
エツチングレイトは急激に低下する。この現象を利用す
ると、ダイヤプラムの厚みをエピタキシャル成長層の厚
みて正確に規定することかてきるから、上記ダイヤフラ
ムの厚みはエピタキシャル成長層の厚みを制御すること
により、所定値に設定され、上記基板の厚み、エツチン
グレイトにばらつきがあっても、正確な厚みをもったダ
イヤプラムを形成することかできる。(Function) In this invention, when a part of the silicon substrate is etched from its back surface, when the silicon substrate is completely etched and removed and the etching stop is exposed,
The etching rate drops rapidly. By utilizing this phenomenon, the thickness of the diaphragm can be accurately defined by the thickness of the epitaxially grown layer, so the thickness of the diaphragm can be set to a predetermined value by controlling the thickness of the epitaxially grown layer, and the thickness of the diaphragm can be set to a predetermined value by controlling the thickness of the epitaxially grown layer. Even if there are variations in thickness and etching rate, it is possible to form a diaphragm with accurate thickness.
（実 施 例）
以下、この発明を図示の実施例によって詳細に説明する
。第１図はこの発明の半導体圧力センサの一実施例の断
面図て、（１）はシリコン基板、（２）はシリコン窒化
膜で、シリコン基板（１）を裏面からエツチングしてダ
イヤプラム（４）を形成するときにマスクとして作用す
る。（９）はシリコン基板（１）上に一定の間隔て形成
されたシリコン酸化膜からなるエツチングストップ層、
（１０）は該エツチングストップ層（９）上に形成され
たシリコン・エピタキシャル成長層、（６）はエピタキ
シャル成長層（１０）の表面に所定のパターンで形成さ
れたシリコン酸化膜、（５）はシリコン酸化Ｈ（６）を
マスクとして上記エピタキシャル成長層（１ｏ）中に形
成された拡散抵抗である。第１３図に示す従来の半導体
圧力センサと同様に、拡散抵抗（５）は例えば４個形成
され、これらの拡散抵抗（５）はエピタキシャル成長層
（１０）中でブリッジ回路を構成するように相互に接続
されている。（７）は各々拡散抵抗に接触して設けられ
た金属電極、（８）はシリコン酸化膜（６）および金属
電極（７）を覆って形成された保護用ガラスコートであ
る。(Embodiments) The present invention will be described in detail below with reference to illustrated embodiments. FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention, in which (1) is a silicon substrate, (2) is a silicon nitride film, and a diaphragm (4) is formed by etching the silicon substrate (1) from the back side. ) acts as a mask when forming. (9) is an etching stop layer made of a silicon oxide film formed at regular intervals on the silicon substrate (1);
(10) is a silicon epitaxial growth layer formed on the etching stop layer (9), (6) is a silicon oxide film formed in a predetermined pattern on the surface of the epitaxial growth layer (10), and (5) is a silicon oxide film. This is a diffused resistor formed in the epitaxial growth layer (1o) using H(6) as a mask. Similar to the conventional semiconductor pressure sensor shown in FIG. 13, for example, four diffused resistors (5) are formed, and these diffused resistors (5) are interconnected in the epitaxial growth layer (10) to form a bridge circuit. It is connected. (7) is a metal electrode provided in contact with each diffused resistor, and (8) is a protective glass coat formed to cover the silicon oxide film (6) and the metal electrode (7).
この発明の半導体圧力センサも従来の半導体圧力センサ
と同様に、ダイヤフラム（４）の上下に加わる圧力差に
より該ダイヤフラム（４）が変形すると、それに伴って
拡散抵抗（５）は歪を受け、その抵抗値が変化する。拡
散抵抗（５）の抵抗値の変化から、上記圧力差あるいは
ダイヤフラム（４）にかかる圧力の大きさを電気信号と
して検出することかできる。Similarly to the conventional semiconductor pressure sensor, the semiconductor pressure sensor of the present invention is also similar to the conventional semiconductor pressure sensor. Resistance value changes. From the change in the resistance value of the diffusion resistor (5), the pressure difference or the magnitude of the pressure applied to the diaphragm (4) can be detected as an electrical signal.
次に、第１図に示すこの発明の半導体圧力センサの製造
方法を第２図乃至第６図を参照して説明する。Next, a method for manufacturing the semiconductor pressure sensor of the present invention shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIGS. 2 to 6.
第２図に示すシリコン基板（１）の表面に第３図に示す
ようにある間隔てＳｉＯ□のシリコン酸化膜（９）を形
成する。シリコン酸化膜（９）の間隔は、該シリコン酸
化膜（９）上に形成されるエピタキシャル成長層か鏡面
状態に達するのに必要な厚み、後の工程でシリコン基板
（１）をその裏面からエツチングするときに、上記シリ
コン酸化膜か有効にエツチングストップ層として働き、
エツチングがエピタキシャル成長層（１０）中に深く進
行するのを防止すること等を考慮して決定される。−例
として、各シリコン酸化膜（９）の長さは１０斗１〜６
０ｇｍ、間隔は２０ ｐ−重Ｎ９０ ｇ ｍ程度、−例
として長さか２０ｇｍ、間隔か６０終鳳に設定される。Silicon oxide films (9) of SiO□ are formed on the surface of the silicon substrate (1) shown in FIG. 2 at certain intervals as shown in FIG. The distance between the silicon oxide films (9) is the thickness necessary for the epitaxial growth layer formed on the silicon oxide film (9) to reach a mirror-like state, and the silicon substrate (1) is etched from the back surface in a later process. Sometimes, the silicon oxide film effectively acts as an etching stop layer,
It is determined in consideration of preventing etching from progressing deeply into the epitaxial growth layer (10). - As an example, the length of each silicon oxide film (9) is 10 to 6
0gm, the spacing is about 20p, the weight is about 90gm, the length is set to 20gm, and the spacing is set to 60mm.
次に、第４図に示すように、１０００℃〜１２００℃の
温度範囲で、５ｉＨａＣＵ２の水素還元法を用いてシリ
コン酸化膜（９）の相互間から一種の選択成長を利用し
てエピタキシャル成長層（ｌＯ）を形成する。この場合
、シリコン酸化膜（９）の相互間のシリコン基板上にシ
リコンのエピタキシャル成長がはじまり、次にエピタキ
シャル成長層がシリコン酸化膜（９）上を横方向に成長
し？ ５ｏｌ（Ｓｉ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）構成
を形成し、最終的に第４図に示すような鏡面状態のエピ
タキシャル成長層（１０）を形成する。エピタキシャル
成長層（１０）が鏡面状態になるのに要する上記エピタ
キシャル成長層（１０）の厚みは、シリコン酸化膜（９
）の厚み、長さ、相互間隔により決定される。エピタキ
シャル成長層（１ｏ）が鏡面に達してからは成長時間で
エピタキシャル成長層（１０）全体の厚みを正確に所定
厚になるように制御することができる。Next, as shown in FIG. 4, an epitaxial growth layer (9) is formed using a kind of selective growth between the silicon oxide films (9) using the hydrogen reduction method of 5iHaCU2 in a temperature range of 1000°C to 1200°C. form lO). In this case, epitaxial growth of silicon begins on the silicon substrate between the silicon oxide films (9), and then an epitaxial growth layer grows laterally on the silicon oxide film (9). A 5ol (Si on In5ulator) structure is formed, and finally an epitaxially grown layer (10) in a mirror state as shown in FIG. 4 is formed. The thickness of the epitaxial growth layer (10) required for the epitaxial growth layer (10) to become mirror-like is the thickness of the silicon oxide film (9
) is determined by the thickness, length, and mutual spacing. After the epitaxially grown layer (1o) reaches a mirror surface, the thickness of the entire epitaxially grown layer (10) can be controlled accurately by controlling the growth time to a predetermined thickness.
次に、第５図に示すように、エピタキシャル成長層（１
０）の表面に所定のパターンのシリコン酸化ＩＩ（５）
を形成し、このシリコン酸化膜（６）をマスクとして上
記エピタキシャル成長層（１０）に不純物を拡散して拡
散抵抗（５）を形成する。拡散抵抗（５）は例えば４ｇ
Ｉ形成され、エピタキシャル成長層（１０）中でブリッ
ジ回路を構成するように相互に接続されている。Next, as shown in FIG.
Silicon oxide II (5) with a predetermined pattern on the surface of 0)
is formed, and using this silicon oxide film (6) as a mask, impurities are diffused into the epitaxial growth layer (10) to form a diffused resistor (5). For example, the diffusion resistance (5) is 4g.
I are formed and interconnected to form a bridge circuit in the epitaxially grown layer (10).
次に、第６図に示すように、各拡散抵抗（５）に接触す
る金属電極（７）を形成し、該金属電極（７）およびシ
リコン酸化１１（６）を覆って保護用ガラスコート（８
）を形成する。また、シリコン基板（１）の裏面に上記
拡散抵抗（５）の形成位置と整合して第ｆｉｌｌのダイ
ヤフラム（４）が形成されるようにダイヤフラム・エツ
チング用マスクとなるシリコン窒化ＩＮ （２）を形成
する。Next, as shown in FIG. 6, a metal electrode (7) is formed in contact with each diffused resistor (5), and a protective glass coat ( 8
) to form. In addition, silicon nitride IN (2), which serves as a mask for diaphragm etching, is deposited on the back surface of the silicon substrate (1) so that the diaphragm (4) of the th fill is formed in alignment with the formation position of the diffused resistor (5). Form.
次に、シリコン窒化＃ （２）をマスクとしてシリコン
基板（１）をエツチングする。シリコン基板一定の角度
で進行する。エツチングがシリコン酸化膜（９）に達す
ると、シリコン基板（１）に比してエツチングレイトか
急激に低下するため、 ＄ＩＩＩＪに示すようにシリコ
ン基板（１）に均一な厚みのダイヤフラム（４）が形成
される。なお、工・ンチングがシリコン酸化Ｈ（９）に
達したとき、工・ンチングはシリコン酸化膜（９）相互
間のエピタキシャル層（１０）中に上記の一定角度で若
干進行するが、これがダイヤプラム（４）の作用に悪影
響を与えることはない。Next, the silicon substrate (1) is etched using the silicon nitride # (2) as a mask. The silicon substrate advances at a constant angle. When the etching reaches the silicon oxide film (9), the etching rate rapidly decreases compared to the silicon substrate (1), so a diaphragm (4) of uniform thickness is placed on the silicon substrate (1) as shown in $IIIJ. is formed. Note that when the etching/nching reaches the silicon oxide H (9), the etching/nching slightly progresses at the above-mentioned constant angle into the epitaxial layer (10) between the silicon oxide films (9), but this is the diaphragm. (4) will not be adversely affected.
第１図の実施例では、エツチングによりダイヤフラム（
４）を形成した後、シリコン酸化膜（９）を残している
が、＄７図に示すように、ダイヤフラム（４）の部分の
シリコン酸化１１１（９）を取除いてもよい、また、第
１図の実施例ではシリコン酸化膜を細かく分けて配置し
たが、第８図に示すように、ダイヤフラム（４）が形成
される部分全面を覆うシリコン酸化！！ （１９）を形
成し、ダイヤフラム形成後、このシリコン酸化１！ （
１９）の露出部分を除去してもよい。In the embodiment shown in FIG. 1, the diaphragm (
After forming 4), the silicon oxide film (9) is left; however, as shown in Figure 7, the silicon oxide film 111 (9) on the diaphragm (4) may be removed. In the embodiment shown in FIG. 1, the silicon oxide film is arranged in small pieces, but as shown in FIG. ! (19) and after forming the diaphragm, this silicon oxidation 1! (
The exposed portion of 19) may be removed.
〔発明の効果）
以上のように、この発明によれば、ダイヤフラム形成時
のエツチング深さはエピタキシャル成長層の下のエツチ
ングストップ層により規定されるの
から、ダイヤフライ厚みは上記エピタキシャル成長層の
厚みを制御することにより極めて正確に規定される。よ
って、この発明によれば均一で正確な厚みのダイヤフラ
イをもった半導体圧力センサをバッチ処理によって簡単
に製造することかできる。なお、この発明の方法は、シ
リコンの薄膜を形成する異方性エツチングすべてに適用
することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the etching depth during diaphragm formation is determined by the etching stop layer under the epitaxial growth layer, the diaphragm thickness can control the thickness of the epitaxial growth layer. It is defined very precisely by Therefore, according to the present invention, a semiconductor pressure sensor having a diamond fly having a uniform and accurate thickness can be easily manufactured by batch processing. Note that the method of the present invention can be applied to all anisotropic etching methods for forming silicon thin films.
第１図はこの発明によって製造された半導体圧力センサ
の第１の実施例の概略断面図、第２図乃至第６図は第１
図の半導体圧力センサを製造する各工程を示す概略断面
図、第７図はこの発明によって製造された半導体圧力セ
ンサの第２の実施例の概略断面図、第８図はこの発明に
よって製造された半導体圧力センサの第３の実施例のダ
イヤフラム形成時にエツチングストップ層でエツチング
が停止した状態を示す概略断面図、第９図乃至第１３図
は従来の半導体圧力センサを製造するときの各工程を示
す概略断面図である。
（１）・・・・
シリコン基板、
（４）・・・・
ダイヤフラ
ム、
（５）・・・・
拡散抵抗、
（６）・・・・
エツチングスト
ツブ層。FIG. 1 is a schematic sectional view of a first embodiment of a semiconductor pressure sensor manufactured according to the present invention, and FIGS.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of the semiconductor pressure sensor manufactured according to the present invention; FIG. A schematic cross-sectional view showing a state in which etching is stopped at the etching stop layer during the formation of a diaphragm of a third embodiment of a semiconductor pressure sensor, and FIGS. 9 to 13 show each process in manufacturing a conventional semiconductor pressure sensor. It is a schematic sectional view. (1)... Silicon substrate, (4)... Diaphragm, (5)... Diffused resistor, (6)... Etching stop layer.
Claims (2)
ップ層上にエピタキシャル成長により形成さた所望の厚
みをもったエピタキシャル成長層と、該エピタキシャル
成長層の表面にブリッジ回路を構成するように形成され
た拡散抵抗と、上記シリコン基板の少なくとも上記拡散
抵抗の形成位置と対向する部分を含む領域をその裏面か
ら上記エッチングストップ層に至るまでエッチングする
ことにより形成された上記エピタキシャル成長層の厚み
をもったダイヤフラムとからなる半導体圧力センサ。(1) An epitaxial growth layer having a desired thickness formed by epitaxial growth on an etching stop layer formed on the surface of a silicon substrate, and a diffused resistor formed on the surface of the epitaxial growth layer to constitute a bridge circuit. , a diaphragm having the thickness of the epitaxial growth layer formed by etching a region of the silicon substrate including at least a portion facing the formation position of the diffused resistor from its back surface to the etching stop layer; pressure sensor.
成する工程と、該エッチングストップ層上に所望の厚み
のエピタキシャル成長層を形成する工程と、該エピタキ
シャル成長層の表面にブリッジ回路を構成するように拡
散抵抗を形成する工程と、上記シリコン基板の少なくと
も上記拡散抵抗の形成位置と対向する部分を含む領域を
その裏面から上記エッチング層に至るまでエッチングし
て、上記エピタキシャル成長層の厚みをもったダイヤフ
ラムを形成する工程とを含む半導体圧力センサの製造方
法。(2) A step of forming an etching stop layer on the surface of the silicon substrate, a step of forming an epitaxial growth layer of a desired thickness on the etching stop layer, and a step of forming a diffused resistor on the surface of the epitaxial growth layer to form a bridge circuit. and etching a region of the silicon substrate including at least a portion facing the formation position of the diffused resistor from its back surface to the etching layer to form a diaphragm having the thickness of the epitaxial growth layer. A method for manufacturing a semiconductor pressure sensor, comprising the steps of:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046268A JPH03248474A (en) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Semiconductor pressure sensor and it's manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2046268A JPH03248474A (en) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Semiconductor pressure sensor and it's manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248474A true JPH03248474A (en) | 1991-11-06 |
Family
ID=12742478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046268A Pending JPH03248474A (en) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Semiconductor pressure sensor and it's manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248474A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034754A1 (en) | 1998-12-09 | 2000-06-15 | Yamatake Corporation | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2046268A patent/JPH03248474A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034754A1 (en) | 1998-12-09 | 2000-06-15 | Yamatake Corporation | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
| EP1055920A1 (en) * | 1998-12-09 | 2000-11-29 | Yamatake Corporation | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
| US6619133B1 (en) | 1998-12-09 | 2003-09-16 | Yamatake Corporation | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
| EP1055920A4 (en) * | 1998-12-09 | 2007-07-25 | Yamatake Corp | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
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