JPH03233523A - 高速応答性赤外線ターゲット、及び光軸合わせ試験システム - Google Patents
高速応答性赤外線ターゲット、及び光軸合わせ試験システムInfo
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- JPH03233523A JPH03233523A JP2226416A JP22641690A JPH03233523A JP H03233523 A JPH03233523 A JP H03233523A JP 2226416 A JP2226416 A JP 2226416A JP 22641690 A JP22641690 A JP 22641690A JP H03233523 A JPH03233523 A JP H03233523A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F41—WEAPONS
- F41J—TARGETS; TARGET RANGES; BULLET CATCHERS
- F41J2/00—Reflecting targets, e.g. radar-reflector targets; Active targets transmitting electromagnetic or acoustic waves
- F41J2/02—Active targets transmitting infrared radiation
-
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S3/00—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic, or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received
- G01S3/78—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic, or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received using electromagnetic waves other than radio waves
- G01S3/781—Details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2/00—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
- G02F2/02—Frequency-changing of light, e.g. by quantum counters
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、熱探査検出器のような検出器に用いられ、赤
外線(IR)を放射するIRターゲットとして役立つ装
置に関し、特に赤外空間強度変化を有するダイ六ミック
1Ril像が生成されるダイナミックIRターゲットに
関する。
外線(IR)を放射するIRターゲットとして役立つ装
置に関し、特に赤外空間強度変化を有するダイ六ミック
1Ril像が生成されるダイナミックIRターゲットに
関する。
(従来の技術、及び発明が解決しようとする課題)
IRターゲットは波長λ□の入射光を波長λ2の光に変
換し、少なくとも一つの波長は赤外線帯域である。最近
、IRターゲットはミサイル追跡装置の試験や、熱画像
受信器(FLIR:Forward Lookin
g InfraredReceiversk)又は
カメラのような装置に用いられている。FLIRは、各
IR検出器及び画像光学器具における、水銀カドニュー
ム・テルル化合物の焦点平面アレイのような検出装置を
含む。FLIRはミサイル探査システムの構成部分とし
て用いることができ、FLIRは又、他の用途に用いる
こともできる。現在用いられているミサイル追跡装置は
、可視光又は近赤外波長帯域で動作する。遠赤外波長帯
域で動作するFLIRも現在存在する。本質的にFLI
Rは、検出した画像を表示する観察スクリーンを有する
熱ビデオカメラである。
換し、少なくとも一つの波長は赤外線帯域である。最近
、IRターゲットはミサイル追跡装置の試験や、熱画像
受信器(FLIR:Forward Lookin
g InfraredReceiversk)又は
カメラのような装置に用いられている。FLIRは、各
IR検出器及び画像光学器具における、水銀カドニュー
ム・テルル化合物の焦点平面アレイのような検出装置を
含む。FLIRはミサイル探査システムの構成部分とし
て用いることができ、FLIRは又、他の用途に用いる
こともできる。現在用いられているミサイル追跡装置は
、可視光又は近赤外波長帯域で動作する。遠赤外波長帯
域で動作するFLIRも現在存在する。本質的にFLI
Rは、検出した画像を表示する観察スクリーンを有する
熱ビデオカメラである。
従来のIRターゲットは、レーザーFLIR周波数変換
装置に通常用いられるBLYセルである。 ダイナミッ
ク画像シミュレーションに用いる赤外線変換に関する受
動的視界。
装置に通常用いられるBLYセルである。 ダイナミッ
ク画像シミュレーションに用いる赤外線変換に関する受
動的視界。
じPa5sive Visible t。
Infrared Transducerfor
Dynamic ImageSimulation
Vincent T。
Dynamic ImageSimulation
Vincent T。
Bly、5PIE Proceedings。
Vol、226.1980年 4月)を参照願いたい。
BLYセルは、一般に可視光画像が照射され、対応する
赤外画像を発生するゴールドブラック(goldbla
ck)のような材料の非常に薄い部材によって構成され
る。入射光エネルギは吸収され、熱エネルギ(IR)に
変換される。しかしBLYセルは高速応答性、又は所望
のダイナミックレンジを有せず、ハイパワーレベルを扱
うことができず、高温では焼結する傾向があり、部材が
薄いために(及び背部の基板が無いために)非常に壊れ
やすい。
赤外画像を発生するゴールドブラック(goldbla
ck)のような材料の非常に薄い部材によって構成され
る。入射光エネルギは吸収され、熱エネルギ(IR)に
変換される。しかしBLYセルは高速応答性、又は所望
のダイナミックレンジを有せず、ハイパワーレベルを扱
うことができず、高温では焼結する傾向があり、部材が
薄いために(及び背部の基板が無いために)非常に壊れ
やすい。
液晶光バルブがダイナミックIRシステムに用いられた
。そのバルブにおいて、液晶の背部にはフォトセルアレ
イ(photocellarray)が設けられた。光
が入射した液晶部分には、その入射した光の量に対応し
て電圧が発生する。液晶を照らすソース(source
)からの偏光したIR放射は、液晶を通過し、IRの偏
光面は、液晶に印加された電圧に対応して回転する。液
晶を通過し、アレイ背部のIRミラーから反射したIR
の経路には交差偏向器が設けられる。このようにして(
偏光された)IR両画像形成される。しかしこのような
システムは非常に高価であり、分解能、周波数帯域、及
び応答時間に関して、十分な性能を示さない。
。そのバルブにおいて、液晶の背部にはフォトセルアレ
イ(photocellarray)が設けられた。光
が入射した液晶部分には、その入射した光の量に対応し
て電圧が発生する。液晶を照らすソース(source
)からの偏光したIR放射は、液晶を通過し、IRの偏
光面は、液晶に印加された電圧に対応して回転する。液
晶を通過し、アレイ背部のIRミラーから反射したIR
の経路には交差偏向器が設けられる。このようにして(
偏光された)IR両画像形成される。しかしこのような
システムは非常に高価であり、分解能、周波数帯域、及
び応答時間に関して、十分な性能を示さない。
ウェルスバッハ(Welsbach)ターゲットもレー
ザ・FLIR周波数変換に用いられた。
ザ・FLIR周波数変換に用いられた。
ウエルスバッハターゲットはウェルスバッハ材料の薄い
層、選択的熱放出器を具備する。ウエルスバッハターゲ
ットは、リフレッシュの時間に制限があり、物理的に非
常に壊れやすい。そのターゲットは、装置の熱慣性(t
he rma 1inertia)が画像を十分高速
に変化させるぐらいに小さくなるように十分薄く、しか
も試験環境の中で利用できる程の構造的強度をもたせて
製作することができない。ウエルスバッハターゲットの
例は、この発明の譲渡人と同一の譲渡人に譲渡された、
米国特許、特許No。
層、選択的熱放出器を具備する。ウエルスバッハターゲ
ットは、リフレッシュの時間に制限があり、物理的に非
常に壊れやすい。そのターゲットは、装置の熱慣性(t
he rma 1inertia)が画像を十分高速
に変化させるぐらいに小さくなるように十分薄く、しか
も試験環境の中で利用できる程の構造的強度をもたせて
製作することができない。ウエルスバッハターゲットの
例は、この発明の譲渡人と同一の譲渡人に譲渡された、
米国特許、特許No。
4.755,673に開示されている。
従ってこの発明の目的は、設計パラメータに依存する比
較的高速な応答性を有し、優れた空間分解能、及び適切
なダイナミックレンジを有する、比較的低価格のIRタ
ーゲットを提供することである。
較的高速な応答性を有し、優れた空間分解能、及び適切
なダイナミックレンジを有する、比較的低価格のIRタ
ーゲットを提供することである。
更にこの発明の目的は、近IRから遠、IR周波数、遠
IRから近IR,IRから可視光周波数、及び可視光か
らIR放射への変換に用いられる改善されたIRターゲ
ットを提供することである。
IRから近IR,IRから可視光周波数、及び可視光か
らIR放射への変換に用いられる改善されたIRターゲ
ットを提供することである。
(課題を解決するための手段と作用)
第1波長の入射光を第2波長の光に変換し、少なくとも
一つの波長は赤外線領域である高速赤外線ターゲットが
開示される。好適実施例において、ターゲットは金属の
ような熱伝導材料を有する基板を具備する。断熱ターゲ
ット材料層が基板の表面に提供される。断熱材料の厚さ
と熱伝導率、及び基板の熱伝導率は、ターゲットの応答
時間を決定する。適切なターゲット材料にはゴールドブ
ラック及びウェルスバッハ材料が含まれる。結果的赤外
線ターゲットは、適度な高分解能、高出力を有し、耐久
性があり、広周波数帯域にわたって動作する。
一つの波長は赤外線領域である高速赤外線ターゲットが
開示される。好適実施例において、ターゲットは金属の
ような熱伝導材料を有する基板を具備する。断熱ターゲ
ット材料層が基板の表面に提供される。断熱材料の厚さ
と熱伝導率、及び基板の熱伝導率は、ターゲットの応答
時間を決定する。適切なターゲット材料にはゴールドブ
ラック及びウェルスバッハ材料が含まれる。結果的赤外
線ターゲットは、適度な高分解能、高出力を有し、耐久
性があり、広周波数帯域にわたって動作する。
高速赤外ターゲットは、レーザ・FLIR調整試験シス
テム、及びFLIR/ミサイル探査試験システムを含む
応用に用いることができる。
テム、及びFLIR/ミサイル探査試験システムを含む
応用に用いることができる。
本発明のこれら特徴や他の利点は、添付図面を参照する
実施例の詳細な説明により更に明確となる。
実施例の詳細な説明により更に明確となる。
(実施例)
好適実施例において、IRターゲットは、熱伝導基板に
設けられ、小さい比熱を有する断熱性ターゲット(低熱
伝導率)を具備する。このようなターゲットが第1図に
ターゲット10として示され、断熱層15が熱伝導性基
板20に設けられる。
設けられ、小さい比熱を有する断熱性ターゲット(低熱
伝導率)を具備する。このようなターゲットが第1図に
ターゲット10として示され、断熱層15が熱伝導性基
板20に設けられる。
層15に適する材料は、ゴールドブラック、ウェルスバ
ッハ材料、及びセリウム(cerium)がドープ(d
o p e)された重金属酸化物を含む。
ッハ材料、及びセリウム(cerium)がドープ(d
o p e)された重金属酸化物を含む。
ゴールドブラックは多穴性の金であり、光の波長程度の
吸収孔を有するために黒色に見える。ウエルスバソハ材
料は選択的放熱材料の一種であり、その特徴は米国特許
、No、4,755,673に説明されており、その全
ての内容は参照としてこの明細書に導入される。選択的
放熱材料は、例えば″選択的放熱器を用いた光の発生’
(”Generating lightwith
5elective thermalradiato
rs Ph1llipsTechnical Re
view、E。
吸収孔を有するために黒色に見える。ウエルスバソハ材
料は選択的放熱材料の一種であり、その特徴は米国特許
、No、4,755,673に説明されており、その全
ての内容は参照としてこの明細書に導入される。選択的
放熱材料は、例えば″選択的放熱器を用いた光の発生’
(”Generating lightwith
5elective thermalradiato
rs Ph1llipsTechnical Re
view、E。
Kauer、Volume26.no、2゜pp、33
−47.1965)において説明されている。選択的放
熱器は、波長に強く依存する熱放射機能を有する。特に
このような材料は、目的の赤外波長において、高い放射
性と吸収性を有し、可視光範囲において高い放射性と吸
収性を有し、中間波長において少ない放出性を有する。
−47.1965)において説明されている。選択的放
熱器は、波長に強く依存する熱放射機能を有する。特に
このような材料は、目的の赤外波長において、高い放射
性と吸収性を有し、可視光範囲において高い放射性と吸
収性を有し、中間波長において少ない放出性を有する。
この特徴は理想的な選択的放熱器に関する、米国特許、
No、4,755,673の第1図に示される。
No、4,755,673の第1図に示される。
選択的放熱器は通常、耐火性金属酸化物と材料の放射機
能を形成するために選択される凝縮物の混合物より構成
される。目的の赤外領域において高い吸収束を有し、可
視光において小さい放出性を有する基本材料、例えばジ
ルコニウム(ziuconium)又はトリウム (t ho r i um)酸化物は、可視光周波数領
域において高い放出性を有し、他の領域において少ない
放射性を有する例えばセリウム酸化物が微小量ドープさ
れる。米国特許、No。
能を形成するために選択される凝縮物の混合物より構成
される。目的の赤外領域において高い吸収束を有し、可
視光において小さい放出性を有する基本材料、例えばジ
ルコニウム(ziuconium)又はトリウム (t ho r i um)酸化物は、可視光周波数領
域において高い放出性を有し、他の領域において少ない
放射性を有する例えばセリウム酸化物が微小量ドープさ
れる。米国特許、No。
4.755,673の第2図においては、トリウム酸化
物/セリウム酸化物の混合物内のセリウム酸化物の凝縮
物(ThO□−CeO2)の可視光領域におけるスペク
トル放射性の依存性が説明されている。このような材料
は、米国特許、No。
物/セリウム酸化物の混合物内のセリウム酸化物の凝縮
物(ThO□−CeO2)の可視光領域におけるスペク
トル放射性の依存性が説明されている。このような材料
は、米国特許、No。
4.755,673、コラム8.44〜66行に示され
るように、入射した可視光エネルギを赤外線エネルギに
変換するのに用いることができる。
るように、入射した可視光エネルギを赤外線エネルギに
変換するのに用いることができる。
基板半導体(hosts)と不純物を適切に選択するこ
とによって、選択的放熱器を用いるこの発明の選択的放
射ターゲットは、目的の特定IR及び可視光波長の特定
の応用に最適なターゲットにすることができる。
とによって、選択的放熱器を用いるこの発明の選択的放
射ターゲットは、目的の特定IR及び可視光波長の特定
の応用に最適なターゲットにすることができる。
その材料に関する比熱だけでなく、比較的小さい熱伝導
率を有する材料の熱伝導率の例が表Iに示される。(塗
料も適切なターゲット材料であるが、その塗料成分に依
存する広い領域が存在するので、表Iには示されていな
い。) 表I ゴールドブラック 3 x 10−6
0.001ノルコニウム酸化物
、004 0.8Bト リ ウ
ム酸化物 、037
0.62ウエルスバフ八 7
X to−’ o、ott層20に用いら
れ、比較的大きな熱伝導率を有する適切な材料としては
、アルミニューム、金、銅、銀、及びダイアモンドがあ
る。層20が厚く製作されるほど、ターゲットの応答時
間は遅くなり、その効率は薄い層のターゲットより良い
。このような比較的大きな熱伝導率を有する材料の例が
表!■に示される。
率を有する材料の熱伝導率の例が表Iに示される。(塗
料も適切なターゲット材料であるが、その塗料成分に依
存する広い領域が存在するので、表Iには示されていな
い。) 表I ゴールドブラック 3 x 10−6
0.001ノルコニウム酸化物
、004 0.8Bト リ ウ
ム酸化物 、037
0.62ウエルスバフ八 7
X to−’ o、ott層20に用いら
れ、比較的大きな熱伝導率を有する適切な材料としては
、アルミニューム、金、銅、銀、及びダイアモンドがあ
る。層20が厚く製作されるほど、ターゲットの応答時
間は遅くなり、その効率は薄い層のターゲットより良い
。このような比較的大きな熱伝導率を有する材料の例が
表!■に示される。
アルミニューム 0.559(373°K)金
0.750(373” K)銅
0.939(373@ K)銀
1.01 (373” K)
ダイアモンド 1.58 (273°K)動作に関
して、光の波長λ□は第1図に示されるように、層15
の表面16において方向付けられる。入射する放射波は
吸収され、熱エネルギに変換される。入射光は例えばレ
ーザ又は他の可視光源からの可視光である。
0.750(373” K)銅
0.939(373@ K)銀
1.01 (373” K)
ダイアモンド 1.58 (273°K)動作に関
して、光の波長λ□は第1図に示されるように、層15
の表面16において方向付けられる。入射する放射波は
吸収され、熱エネルギに変換される。入射光は例えばレ
ーザ又は他の可視光源からの可視光である。
層15の深さは代表的に10−’mから10−’mの範
囲である。層15の深さが浅いと分解能が低下するがリ
フレッシユレー)(refreshyrate)は早め
られ、一方、深さが深いと空間の完全な状態が維持され
る。深さが深すぎると伝導体の効果がなくなり、ターゲ
ットを容認できないほどに低速化する。
囲である。層15の深さが浅いと分解能が低下するがリ
フレッシユレー)(refreshyrate)は早め
られ、一方、深さが深いと空間の完全な状態が維持され
る。深さが深すぎると伝導体の効果がなくなり、ターゲ
ットを容認できないほどに低速化する。
高速リフレッシュ(> 6Q HZ )を有するそのよ
うなターゲットの利点は、広い動作周波数帯域を有する
ばかりでなく、(ゴールドブラックのような小さい比熱
材料を用いて)高分解能に関する適性を有しくウエルス
バッハ処理された比熱の小さい材料を用いて)、高出力
、高い温度容量、及び耐久性を有することである。
うなターゲットの利点は、広い動作周波数帯域を有する
ばかりでなく、(ゴールドブラックのような小さい比熱
材料を用いて)高分解能に関する適性を有しくウエルス
バッハ処理された比熱の小さい材料を用いて)、高出力
、高い温度容量、及び耐久性を有することである。
高速IRターゲットを製作するのに適した技術が多く存
在する。フィルム処理技術には、スラリー(slurr
y)処理・プラズマ放射・スパッタリング(sputt
ering)、イオン処理、真空蒸着、ベーキング(b
aking)及び加圧、電子ビーム処理、及び化学噴霧
処理(chemical vapor deposition)があるが、それらに限られるも
のではない。これらの技術の内、プラズマ放射、スパッ
タリング、及びスラリ処理技術が、高速IRターゲット
の製作に現在量も適していると考えられる。
在する。フィルム処理技術には、スラリー(slurr
y)処理・プラズマ放射・スパッタリング(sputt
ering)、イオン処理、真空蒸着、ベーキング(b
aking)及び加圧、電子ビーム処理、及び化学噴霧
処理(chemical vapor deposition)があるが、それらに限られるも
のではない。これらの技術の内、プラズマ放射、スパッ
タリング、及びスラリ処理技術が、高速IRターゲット
の製作に現在量も適していると考えられる。
プラズマ放射技術によって、非常に堅く耐久性のある厚
いフィルムを製作することができる。しかし適用される
温度が非常に高いために、セラミックのような材料のみ
を使用することができる。
いフィルムを製作することができる。しかし適用される
温度が非常に高いために、セラミックのような材料のみ
を使用することができる。
従って、ウェルスバッハ材料がプラズマ放射技術によっ
て処理される。
て処理される。
スラリー処理は、本質的にペインティング(paint
ing)の一種である。この方法で、ペースト(pas
te)即ち浮遊物材料は、溶剤中の浮遊物内のフィルム
に適切な材料によって構成され、基板の表面に供給され
る。溶剤が気化するとき、浮遊物材料及び結合剤は、基
板表面に付着する。スラリーを表面に供給する多くの方
法があり、スピンニング(spinning)、ペイン
ティング(painting)、ラミナ流(lamin
ar flowing)などが含まれる。これら全て
の方法は、使用される材料及び処理パラメータに依存し
て、フィルム製作について異なる品質レベルを提供する
。
ing)の一種である。この方法で、ペースト(pas
te)即ち浮遊物材料は、溶剤中の浮遊物内のフィルム
に適切な材料によって構成され、基板の表面に供給され
る。溶剤が気化するとき、浮遊物材料及び結合剤は、基
板表面に付着する。スラリーを表面に供給する多くの方
法があり、スピンニング(spinning)、ペイン
ティング(painting)、ラミナ流(lamin
ar flowing)などが含まれる。これら全て
の方法は、使用される材料及び処理パラメータに依存し
て、フィルム製作について異なる品質レベルを提供する
。
スパッタリングは方向流イオン打ち込み処理である。ス
パッタリングは異なる耐久性の優れた品質のフィルムを
製作することができる。
パッタリングは異なる耐久性の優れた品質のフィルムを
製作することができる。
フィルム処理法は、文書により広範囲に説明されている
。例えば、材料研究協会公報(Materials
Re5earchSociety Bulletin
)Vol、XI I I、No、11 and 1
2.1988年 11月; プラズマ噴出処理“じPl
asma 5pray Deposition ProcessesH,He
rmanx材料研究協会公報 Vo 1゜XI I 1
%No、12、1988年 12月、及び:゛スパッタ
処理方法(SputterDeposition P
rocesses)’材料研究協会公報 Vo 1.X
I I I、No。
。例えば、材料研究協会公報(Materials
Re5earchSociety Bulletin
)Vol、XI I I、No、11 and 1
2.1988年 11月; プラズマ噴出処理“じPl
asma 5pray Deposition ProcessesH,He
rmanx材料研究協会公報 Vo 1゜XI I 1
%No、12、1988年 12月、及び:゛スパッタ
処理方法(SputterDeposition P
rocesses)’材料研究協会公報 Vo 1.X
I I I、No。
12 1988年 12月 を参照。
例えば、スラリー処理技術を用いた高速IRターゲット
が製作され、基板上のフィルムを処理した。アルミニュ
ームが基板20に使用された幾つかのターゲットが製造
された。それらのターゲットは1764インチから17
4インチの範囲で、均一な厚みの基板を有するターゲッ
トであった。
が製作され、基板上のフィルムを処理した。アルミニュ
ームが基板20に使用された幾つかのターゲットが製造
された。それらのターゲットは1764インチから17
4インチの範囲で、均一な厚みの基板を有するターゲッ
トであった。
その基板は商業的に入手できる平面黒色エポキシ塗装(
flat black epoxypaint)に
よりスプレィ塗装され(各々1から2コート)、及び乾
燥され、優れたターゲットを得るためには10−6から
10−3メータの厚みが要求されたが、10−5から1
0−4メータの範囲の総合コーティング厚みを有した。
flat black epoxypaint)に
よりスプレィ塗装され(各々1から2コート)、及び乾
燥され、優れたターゲットを得るためには10−6から
10−3メータの厚みが要求されたが、10−5から1
0−4メータの範囲の総合コーティング厚みを有した。
可視光の縁領域レーザパルスφエネルギをターゲットに
照射することによって、8〜12ミクロン領域の放射応
答速度の上昇が得られる。
照射することによって、8〜12ミクロン領域の放射応
答速度の上昇が得られる。
基本的効果の論理的考察
熱遷移式が第1式に示される。
二こで、D−(K/Cp)、及びKSepは各々熱伝導
率及び比熱である。
率及び比熱である。
第1図によれば、境界条件は、
y−0:(金属は完全な熱伝導体であると仮定する)
T (x、 y−0,t) −0(2)y −L、
(エネルギ流動の保存) 1 y−t。
(エネルギ流動の保存) 1 y−t。
T (x、 y、 t)
−T (y)e杓3″l−に″)と仮定して、熱方程式
%式%) ) (4) ここで、α”111に2+J−0入射光束(Sl)に関
する波動に類似する依存性を仮定すると、y−t、での
放射束を解くと、 F (y−L) =4g$T、 ’ T(x、y−L、t)これらの式は
代表的材料について、室温(T。
%式%) ) (4) ここで、α”111に2+J−0入射光束(Sl)に関
する波動に類似する依存性を仮定すると、y−t、での
放射束を解くと、 F (y−L) =4g$T、 ’ T(x、y−L、t)これらの式は
代表的材料について、室温(T。
−300°K)におけるパーセンテージ効率(%E)に
関して解くことができる。二酸化トリウム(thori
a)に関して、代表的パラメータの値は、K=0.03
7 (c a 1/cm”Ksec)、Cm−Cp=0
.62 (cal/Cm ’ ” K ) s及びL−
0,1cm(絶縁層15の厚み)に対して、D=0.0
6 (cm2/5ec): ウエルスバッハ材料に関して、代表的パラメータはに一
7X10−’(cal/cm” Ksec)。
関して解くことができる。二酸化トリウム(thori
a)に関して、代表的パラメータの値は、K=0.03
7 (c a 1/cm”Ksec)、Cm−Cp=0
.62 (cal/Cm ’ ” K ) s及びL−
0,1cm(絶縁層15の厚み)に対して、D=0.0
6 (cm2/5ec): ウエルスバッハ材料に関して、代表的パラメータはに一
7X10−’(cal/cm” Ksec)。
CmmCp−0,011(cal/cm” K)、及び
L−0,1cm(絶縁層15の厚み)に対して、D−6
,4X10−’(cm2/5ec):ウエルスバッハ材
料に関して、背部とターゲットの間の見掛上のΔT−5
”Kを発生する必要のある投射束S6はS、−3,7ワ
ツト/ c m 2である。ΔT−5@には殆どのFL
IR装置を試験するのに十分な値であ′る。この光強度
密度、3.7ワツト/ c m 2は、レーザ又は白熱
光源のような標準的手段によって容易に達成できる値で
ある。
L−0,1cm(絶縁層15の厚み)に対して、D−6
,4X10−’(cm2/5ec):ウエルスバッハ材
料に関して、背部とターゲットの間の見掛上のΔT−5
”Kを発生する必要のある投射束S6はS、−3,7ワ
ツト/ c m 2である。ΔT−5@には殆どのFL
IR装置を試験するのに十分な値であ′る。この光強度
密度、3.7ワツト/ c m 2は、レーザ又は白熱
光源のような標準的手段によって容易に達成できる値で
ある。
第2図はこの発明による高速IRツタ−ットを用いる、
レーザーFLIR光軸合わせ(alignment)試
験システム50を示す略図である。レーザ55は占有周
波数即ち周波数帯域λ1のレーザビームを発生し、この
ビームはコリメート(collimating) ミ
ラー60に入射する。例えばこのレーザ55は、IR波
長帯域(例えば1.06ミクロン)近傍のレーザ光を発
生する。ミラー60は、第1図に関して説明された原則
に従って構成される高速IRターゲット10′上にレー
ザビームを集光する。ターゲット10′はコリメートミ
ラー60の焦点に位置する。ターゲット10′は幾らか
の入射光ビームを吸収し、吸収したエネルギの一部を、
周波数λ2の任意の方向の放射エネルギに変換する。放
出された放射は、コリメートミラー60によってFLI
Rセンサに方向付けられる。
レーザーFLIR光軸合わせ(alignment)試
験システム50を示す略図である。レーザ55は占有周
波数即ち周波数帯域λ1のレーザビームを発生し、この
ビームはコリメート(collimating) ミ
ラー60に入射する。例えばこのレーザ55は、IR波
長帯域(例えば1.06ミクロン)近傍のレーザ光を発
生する。ミラー60は、第1図に関して説明された原則
に従って構成される高速IRターゲット10′上にレー
ザビームを集光する。ターゲット10′はコリメートミ
ラー60の焦点に位置する。ターゲット10′は幾らか
の入射光ビームを吸収し、吸収したエネルギの一部を、
周波数λ2の任意の方向の放射エネルギに変換する。放
出された放射は、コリメートミラー60によってFLI
Rセンサに方向付けられる。
レーザ・FLIR光軸合わせに間する試験において、そ
の目的はレーザ・ボアサイト(laser bore
sight)56がFLIRボアサイト66に対して完
全に平行であるか検証することである。FLIRボアサ
イト66はFLIR装置が指示する方向である。コリメ
ートミラー60の焦点にターゲットを位置させることに
よって、ミラーに入射しミラーの光軸に平行な全ての光
はターゲットに集光する。又、ターゲットから放出する
全ての光は、ミラーによって平行になった後、ミラーの
光軸に平行な方向に方向付けられる。従って、レーザビ
ームの像がFLIRスクリーンの中心に現れた場合、レ
ーザ55のボアサイト56とFLIRボアサイト66は
整列しており、他の場合は整列していない。
の目的はレーザ・ボアサイト(laser bore
sight)56がFLIRボアサイト66に対して完
全に平行であるか検証することである。FLIRボアサ
イト66はFLIR装置が指示する方向である。コリメ
ートミラー60の焦点にターゲットを位置させることに
よって、ミラーに入射しミラーの光軸に平行な全ての光
はターゲットに集光する。又、ターゲットから放出する
全ての光は、ミラーによって平行になった後、ミラーの
光軸に平行な方向に方向付けられる。従って、レーザビ
ームの像がFLIRスクリーンの中心に現れた場合、レ
ーザ55のボアサイト56とFLIRボアサイト66は
整列しており、他の場合は整列していない。
第3図は、この発明による高速IRターゲット10′′
を用いるFLIRまたはミサイル探査装置を試験するた
めの試験装置100を示す略図である。白熱電球のよう
な可視光源105は占有波長、即ち波長帯域λ、の光を
発生する。要素110は、ミサイル像を定義するする透
明領域と、それを取り巻く不透明な領域により構成され
る。
を用いるFLIRまたはミサイル探査装置を試験するた
めの試験装置100を示す略図である。白熱電球のよう
な可視光源105は占有波長、即ち波長帯域λ、の光を
発生する。要素110は、ミサイル像を定義するする透
明領域と、それを取り巻く不透明な領域により構成され
る。
要素112は、ターゲット10″にミサイルの像を結ぶ
画像レンズである。従って、高速IRターゲットに照射
した可視光は、ターゲット10″の表面にミサイルの形
をした像を定義する。入射した可視光エネルギはターゲ
ット10′′によって吸収され、吸収されたエネルギの
幾らかは赤外波長λ2の放射に変換される。その放射は
ミサイルの形をした像を定義し、それによってミサイル
の赤外放射痕跡をシミュレート(s imu la t
i ng)する。この像は、投射された見える像の動
きに対応して、規定の時間を越えて変化、即ち移動する
ダイナミックな像である。ダイミックに変化する像を発
生するために、高強度光源を使用した動画投影機を用い
ることができる。赤外線放射はコリメートレンズ114
によって平行になり、FLIR追跡装置、又はミサイル
探査装置115に方向付けられる。
画像レンズである。従って、高速IRターゲットに照射
した可視光は、ターゲット10″の表面にミサイルの形
をした像を定義する。入射した可視光エネルギはターゲ
ット10′′によって吸収され、吸収されたエネルギの
幾らかは赤外波長λ2の放射に変換される。その放射は
ミサイルの形をした像を定義し、それによってミサイル
の赤外放射痕跡をシミュレート(s imu la t
i ng)する。この像は、投射された見える像の動
きに対応して、規定の時間を越えて変化、即ち移動する
ダイナミックな像である。ダイミックに変化する像を発
生するために、高強度光源を使用した動画投影機を用い
ることができる。赤外線放射はコリメートレンズ114
によって平行になり、FLIR追跡装置、又はミサイル
探査装置115に方向付けられる。
光軸からずれたミサイル像がFLIR追跡装置、又はミ
サイル探査装置に存在するとき、装置によって電気信号
が発生し、ミサイルと考えられる像がどの程度光軸から
ずれているかを示す。この値をミサイル像の実際の光軸
からのずれと比較することによって、その装置を試験及
び校正することができる。
サイル探査装置に存在するとき、装置によって電気信号
が発生し、ミサイルと考えられる像がどの程度光軸から
ずれているかを示す。この値をミサイル像の実際の光軸
からのずれと比較することによって、その装置を試験及
び校正することができる。
(発明の効果)
改善されたIRターゲットが、近IRから遠IR1遠I
Rから近IR1IRから可視光、及び可視光からIR放
射への変換に関して開示された。
Rから近IR1IRから可視光、及び可視光からIR放
射への変換に関して開示された。
この発明の効果は以下の項目を含む。
(a)ターゲットによって放出された情報の高速リフレ
ッシュは、金属基板を介して多すぎる熱を素早く取り除
くことによって達成することができ、前記基板の応答時
間は絶縁材料の厚み及び熱伝導率、及び基板の熱伝導率
によって決定される。
ッシュは、金属基板を介して多すぎる熱を素早く取り除
くことによって達成することができ、前記基板の応答時
間は絶縁材料の厚み及び熱伝導率、及び基板の熱伝導率
によって決定される。
(b)金属背部を設けることによって、更に耐久性のあ
るIRターゲットが提供される(他の多くのターゲット
には背部がなく、もろく、壊れやすい)。
るIRターゲットが提供される(他の多くのターゲット
には背部がなく、もろく、壊れやすい)。
(C)高速な熱化による吸収された放射の大エネルギに
耐えることができるIRターゲットが提供される。
耐えることができるIRターゲットが提供される。
以上説明された実施例は、この発明の原則に従う特定の
実施例である。当業者はこの発明の範囲を越えずに、他
の構成が容易に考えられるものである。
実施例である。当業者はこの発明の範囲を越えずに、他
の構成が容易に考えられるものである。
第1図はこの発明によるIRターゲットの略断面図、第
2図はレーザによる範囲検出器及び探査装置の調整検査
に用いられ、第1図に示されるIRターゲットを実施す
る試験システムの略図、第3図はFLIR追跡装置、又
はミサイル探査装置の試験に用いられ、第1図に示され
るIRターゲットを実施する試験システムの略図である
。 10・・・!Rターゲット、15・・・断熱性ターゲッ
ト材料、20・・・基板、50・・・光軸合わせ試験シ
ステム、55・・・レーザ、60・・・コリメートレン
ズ、65・・・FLIR,100・・・探査装置試験シ
ステム、105・・・可視光源、112・・・画像レン
ズ。
2図はレーザによる範囲検出器及び探査装置の調整検査
に用いられ、第1図に示されるIRターゲットを実施す
る試験システムの略図、第3図はFLIR追跡装置、又
はミサイル探査装置の試験に用いられ、第1図に示され
るIRターゲットを実施する試験システムの略図である
。 10・・・!Rターゲット、15・・・断熱性ターゲッ
ト材料、20・・・基板、50・・・光軸合わせ試験シ
ステム、55・・・レーザ、60・・・コリメートレン
ズ、65・・・FLIR,100・・・探査装置試験シ
ステム、105・・・可視光源、112・・・画像レン
ズ。
Claims (16)
- (1)波長λ_1の入射光を波長λ_2の放射に変換す
る高速応答性赤外線ターゲットであって、少なくとも前
記波長の一つは赤外線領域の波長であり、 熱伝導性材料の基板と、及び 前記基板の表面に設けられる断熱性のターゲット材料層
と、 を具備することを特徴とする赤外線ターゲット。 - (2)前記熱伝導性基板は金属を有することを特徴とす
る請求項1記載の赤外線ターゲット。 - (3)前記断熱性ターゲット材料は比熱の小さい材料で
あることを特徴とする請求項1記載の赤外線ターゲット
。 - (4)前記ターゲット材料は、ゴールドブラックを含む
ことを特徴とする請求項3記載の赤外線ターゲット。 - (5)前記ターゲット材料は、目的の赤外線領域におい
て高い吸収性を有し、可視光領域において小さい放出性
を有する基板材料と、可視光領域において高い放出性を
有し、その他の領域において低い放出性を有する不純物
材料を更に具備し、前記選択的熱放出器は中間波長領域
において小さい放出性を有することを特徴とする請求項
1記載の赤外線ターゲット。 - (6)前記基板材料は、ジルコニウム酸化物とトリウム
酸化物の中から選択され、前記不純物材料はセリウム酸
化物を含むことを特徴とする請求項5記載の赤外線ター
ゲット。 - (7)第1光軸に沿ってレーザビームを発生するレーザ
装置と、 第2光軸に沿って光軸が調整され、実質的に前記第1光
軸に光軸が調整されるFLIRセンサと、及び 前記FLIRセンサの光軸合わせをレーザを用いて試験
する手段であって、前記手段は、熱伝導性材料による基
板と前記基板のプレーナ表面に設けられる断熱ターゲッ
ト材料を具備するIRターゲットと;凹面を有し、前記
レーザビームと、前記レーザビームを遮る前記ターゲッ
トに関して設けられ、前記レーザビームを前記ターゲッ
ト材料に反射させるコリメートミラーであって、前記I
Rターゲットによって放出された対応するIR放射を、
実質的に前記第2光軸に沿って前記FLIRセンサに反
射するように構成されるコリメートミラーと、 を具備することを特徴とするレーザ・FLIR光軸合わ
せ試験システム。 - (8)前記熱導電性材料は金属を具備することを特徴と
する請求項7記載の試験システム。 - (9)前記断熱性ターゲット材料は、小さい比熱を有す
ることを特徴とする請求項7記載の試験システム。 - (10)前記ターゲット材料は、目的の赤外線領域にお
いて高い吸収性を有し、可視光領域において小さい放出
性を有する基板材料と、可視光領域において高い放出性
を有し、その他の領域において低い放出性を有する不純
物材料を更に具備し、前記選択的熱放出器は中間波長領
域において小さい放出性を有することを特徴とする請求
項7記載の試験システム。 - (11)熱伝導性材料の基板と、前記基板のプレーナ(
planar)表面に設けられる断熱性ターゲット材料
層と、及び 所望の可視光像を前記ターゲット材料に照射する可視光
発生器と、 を具備することを特徴とする赤外線(IR)センサ試験
システム。 - (12)前記可視光発生器は、可視光源と、前記光源と
前記ターゲットの間に配置され、前記所望の像の形に形
成される透明領域と前記透明領域を囲む不透明領域を有
する像を定義するための要素を具備することを特徴とす
る請求項11記載のセンサ試験システム。 - (13)前記熱伝導性材料は金属を含むことを特徴とす
る請求項11記載のセンサ試験システム。 - (14)前記断熱性ターゲット材料は小さな比熱の材料
であることを更に特徴とする請求項11記載センサ試験
システム。 - (15)前記ターゲット材料は、目的の赤外線領域にお
いて高い吸収性を有し、可視光領域において小さい放出
性を有する基板材料と、可視光領域において高い放出性
を有し、その他の領域において低い放出性を有する不純
物材料を有する選択的熱放出器を更に具備し、前記選択
的熱放出器は中間波長領域において小さい放出性を有す
ることを特徴とする請求項14記載の試験システム。 - (16)前記基板材料は、ジルコニウム酸化物とトリウ
ム酸化物の中から選択され、前記不純物材料はセリウム
酸化物を含むことを特徴とする請求項15記載の試験シ
ステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39913889A | 1989-08-28 | 1989-08-28 | |
US399,138 | 1989-08-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03233523A true JPH03233523A (ja) | 1991-10-17 |
JP2716253B2 JP2716253B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=23578309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2226416A Expired - Lifetime JP2716253B2 (ja) | 1989-08-28 | 1990-08-28 | 高速応答性赤外線ターゲット、及び光軸合わせ試験システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP0415241A3 (ja) |
JP (1) | JP2716253B2 (ja) |
CA (1) | CA2020454A1 (ja) |
IL (1) | IL94954A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0015108D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Central Research Lab Ltd | Apparatus and method for producing pulsed mid infra-red radiation |
CN104215132A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-12-17 | 北京盘庚瑞桓微电子技术有限公司 | 新型热辐射靶标 |
CN106781430B (zh) * | 2016-11-15 | 2020-11-20 | 北京空间机电研究所 | 一种高灵敏度红外遥感器性能测试装置 |
CN113959272B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-04-11 | 昆明凯航光电科技有限公司 | 一种近红外激光波长转换靶板 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4755673A (en) * | 1984-10-24 | 1988-07-05 | Hughes Aircraft Company | Selective thermal radiators |
Family Cites Families (4)
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