JPH03226638A - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 85
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体圧力センサに関するものである。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a semiconductor pressure sensor.
半導体圧力センサにおいて、ステムとガラス台座とを気
密接合する際の応力緩和のために、例えば、実開昭６０
−４９４４０号公報には、ガラス台座とステムの間に金
属製クツション部材を介在する構造を採用している。つ
まり、ガラス台座と金属製クツション部材との間をガラ
スにて接合するとともに金属製クツション部材と金属製
ステムとの間を半田にて接合している。In semiconductor pressure sensors, for stress relief when airtightly joining the stem and the glass pedestal, for example,
JP-A-49440 employs a structure in which a metal cushion member is interposed between the glass pedestal and the stem. That is, the glass pedestal and the metal cushion member are joined together with glass, and the metal cushion member and the metal stem are joined together with solder.
ところが、このような構造を採用すると、ステムと金属
製クツションとの間、及び、金属製クツションとガラス
台座との間にガラスや半田等の接合材を配設する必要が
ありコストアップを招いてしまっていた。However, if such a structure is adopted, it is necessary to provide a bonding material such as glass or solder between the stem and the metal cushion and between the metal cushion and the glass pedestal, which increases costs. It was put away.
この発明の目的は、安価に、かつ、確実にステム上にガ
ラス台座を接合することができる半導体圧力センサを提
供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor in which a glass pedestal can be joined onto a stem at low cost and reliably.
この発明は、ハウジングと、センサ取付部を有するステ
ムにてチップ収納室を形成し、このチップ収納室におけ
るステムの凹部内にガラス台座を気密接合するとともに
当該ガラス台座上に半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有
する半導体チップを気密接合し、ステムの圧力導入孔及
びガラス台座の圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力を
測定するようにした半導体圧力センサにおいて、熱膨張
係数か前記カラス台座とステムとの中間の低融点ガラス
にてガラス台座の外周部とステムの凹部内壁とを接合す
るとともに、ステムの凹部内における低融点ガラスの配
置箇所での当該凹部の外径を前記ハウシンクの外径より
小さくした半導体圧力センサをその要旨としたものであ
る。In this invention, a chip storage chamber is formed by a housing and a stem having a sensor mounting part, a glass pedestal is hermetically joined to a recess of the stem in this chip storage chamber, and a diaphragm with a semiconductor strain gauge is mounted on the glass pedestal. In a semiconductor pressure sensor, the pressure of a medium to be measured is measured through a pressure introduction hole in a stem and a pressure introduction hole in a glass pedestal. Semiconductor pressure that joins the outer peripheral part of the glass pedestal and the inner wall of the concave part of the stem with low melting point glass, and makes the outer diameter of the concave part at the location where the low melting point glass is arranged in the concave part of the stem smaller than the outer diameter of the house sink. The gist of this paper is sensors.
カラス台座とステムとの接合の際に、熱膨張係数かカラ
ス台座とステムとの中間の低融点ガラスにてカラス台座
の外周部とステムの凹部内壁とを接合することにより、
応力分布か均等になり、ガラス台座又はガラス接合部に
クラックがはいることが抑制される。又、ガラス台座と
ステムとの接合の際に、ステムの凹部内における低融点
ガラスの配置箇所での凹部の外径をハウジングの外径よ
り小さくしたことにより、温度変化によるステムの内径
方向への圧縮力が小さくなりガラス台座又はガラス接合
部にクラックがはいることが抑制される。つまり、従来
装置（実開昭６０−４９４４０号公報の装置）ではステ
ムの外径かハウシングの外径と同径又はそれ以上であっ
たので、ステムの内径方向に大きな圧縮力が働くが、本
発明ではそのようなことが回避される。When joining the crow pedestal and the stem, by joining the outer periphery of the crow pedestal and the inner wall of the concave part of the stem using glass with a thermal expansion coefficient or a low melting point between the crow pedestal and the stem.
The stress distribution becomes even, and cracks in the glass pedestal or glass joint are suppressed. In addition, when joining the glass pedestal and the stem, by making the outer diameter of the recess at the location where the low melting point glass is placed in the recess of the stem smaller than the outer diameter of the housing, it is possible to prevent temperature changes from occurring in the direction of the inner diameter of the stem. The compressive force is reduced, and the occurrence of cracks in the glass pedestal or the glass joint is suppressed. In other words, in the conventional device (device disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 60-49440), the outer diameter of the stem was the same as or larger than the outer diameter of the housing, so a large compressive force was applied in the direction of the inner diameter of the stem. The invention avoids such a situation.
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明する。An embodiment embodying the present invention will be described below with reference to the drawings.
本実施例の半導体圧力センサは、車両用冷房装置におけ
るエバポレータの出口での冷媒圧力を測定するためのセ
ンサである。第１図には本実施例の半導体圧力センサの
断面を示す。The semiconductor pressure sensor of this embodiment is a sensor for measuring refrigerant pressure at the outlet of an evaporator in a vehicle cooling system. FIG. 1 shows a cross section of the semiconductor pressure sensor of this embodiment.
鉄製のハウシンク１は筒状をなし、その外径はＤＩとな
っている。さらに、ハウジング１の外周面には締め付は
用の二面幅２を有している。又、ハウジング１の底面に
はステム取付穴３か形成されている。ステム４は径の大
きな径大部５と、径が小さくその外周にセンサ取付部と
してのネジ部６ａを有する径小部６とからなっている。The iron house sink 1 has a cylindrical shape, and its outer diameter is DI. Further, the outer peripheral surface of the housing 1 has a width across flats 2 for tightening. Further, a stem mounting hole 3 is formed in the bottom surface of the housing 1. The stem 4 is composed of a large-diameter portion 5 having a large diameter and a small-diameter portion 6 having a small diameter and having a threaded portion 6a as a sensor attachment portion on its outer periphery.
さらに、ステム４の径大部５にはハウジング１のステム
取付穴３の内径寸法とほぼ同径の段差部７が形成されて
いる。そして、ステム４の段差部７がハウジングｌのス
テム取付穴３内に挿入され、両者は溶接により固定され
ている。又、ステム４の径小部６のネジ部６ａが冷媒配
管材１０に螺入され、センサが冷媒配管材１０に取り付
けられている。Further, the large diameter portion 5 of the stem 4 is formed with a stepped portion 7 having approximately the same diameter as the inner diameter of the stem attachment hole 3 of the housing 1. Then, the stepped portion 7 of the stem 4 is inserted into the stem attachment hole 3 of the housing l, and both are fixed by welding. Further, the threaded portion 6a of the small diameter portion 6 of the stem 4 is screwed into the refrigerant piping material 10, and the sensor is attached to the refrigerant piping material 10.
ステム４の上面中央部には突起部８か形成されるととも
に、この突起部８の中央部には凹部９が形成されている
。凹部９の底面はその径方向において段差部７か位置し
、段差部７の外径Ｄ２はハウシング］の外径Ｄ１より小
さくなっている。このステム４にはＦｅ−Ｎｉ系合金（
商品名、４２アロイ）又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（商
品名コバール）か使用され、熱膨張係数は６．７Ｘ１０
−’／’Ｃである。A projection 8 is formed at the center of the upper surface of the stem 4, and a recess 9 is formed at the center of the projection 8. A stepped portion 7 is located on the bottom surface of the recess 9 in its radial direction, and the outer diameter D2 of the stepped portion 7 is smaller than the outer diameter D1 of the housing. This stem 4 has a Fe-Ni alloy (
42 alloy (trade name) or Fe-Ni-Co alloy (trade name Kovar) is used, and the coefficient of thermal expansion is 6.7X10.
-'/'C.
ステム４の凹部９内にはガラス台座１１の外周部が低融
点ガラス１２により気密接合されている。The outer periphery of a glass pedestal 11 is hermetically sealed in the recess 9 of the stem 4 with a low melting point glass 12.
このガラス台座１１にはホウ珪酸ガラス（商品名；パイ
レックスガラス）が使用され、熱膨張係数は３． ２
Ｘ Ｉ ０−６１０Ｃである。又、低融点ガラス１２は
熱膨張係数がガラス台座１１とステム４との中間の４．
１ ｘ １０−’／℃である。This glass pedestal 11 is made of borosilicate glass (product name: Pyrex glass), and has a coefficient of thermal expansion of 3. 2
X I 0-610C. Further, the low melting point glass 12 has a coefficient of thermal expansion of 4.0, which is between that of the glass pedestal 11 and the stem 4.
1 x 10-'/°C.
ガラス台座１１の上には半導体チップ１３が陽極接合法
にて気密接合され、その半導体チップ１３にはダイヤフ
ラムが形成されるとともに、ダイヤフラムには半導体歪
ゲージが配置されている。A semiconductor chip 13 is hermetically sealed onto the glass pedestal 11 by anodic bonding, a diaphragm is formed on the semiconductor chip 13, and a semiconductor strain gauge is arranged on the diaphragm.
そして、ステム４の圧力導入孔１４とガラス台座１１の
圧力導入孔１５を介して冷媒圧力がダイヤフラムに印加
されるようになっている。The refrigerant pressure is applied to the diaphragm through the pressure introduction hole 14 of the stem 4 and the pressure introduction hole 15 of the glass pedestal 11.
又、ステム４の突起部８の上面には回路基板１６が接合
されている。この基板１６には増幅回路が形成され、同
回路は半導体歪ゲージとボンディングワイヤ１７にて電
気的に接続されている。そして、増幅回路にて半導体歪
ゲージからの信号が増幅される。Further, a circuit board 16 is bonded to the upper surface of the protrusion 8 of the stem 4. An amplifier circuit is formed on this substrate 16, and the circuit is electrically connected to a semiconductor strain gauge by a bonding wire 17. Then, the signal from the semiconductor strain gauge is amplified by the amplifier circuit.
ハウジングｌの上面開口部には鉄板よりなる電磁波侵入
防止用のシールドプレート１８が圧入されている。さら
に、シールドプレート１８の上方には樹脂よりなるター
ミナルハウジング１９がハウジング１の巻き締め部２０
にてかしめ固定されている。このターミナルハウジング
１９とシールドプレート１８との間にはシール用Ｏリン
グ２１が介在されている。このＯリング２１はシールド
プレート１８の斜状部１８ａとハウジング１内壁とター
ミナルハウジング１９の底面に当接して三角シールを形
成している。A shield plate 18 made of an iron plate for preventing electromagnetic waves from entering is press-fitted into the upper opening of the housing l. Further, above the shield plate 18, a terminal housing 19 made of resin is attached to the winding portion 20 of the housing 1.
It is fixed by caulking. A sealing O-ring 21 is interposed between the terminal housing 19 and the shield plate 18. This O-ring 21 contacts the oblique portion 18a of the shield plate 18, the inner wall of the housing 1, and the bottom surface of the terminal housing 19 to form a triangular seal.
シールドプレート１８とターミナルハウジング１９との
間にはターミナルピン２２を支持するピン支持部材２３
がＯリング２４を介して圧入されている。又、シールド
プレー）１８には貫通コンデンサ２５を介してリードピ
ン２６か支持され、リードピン２６の一端か回路基板１
６に接続されるとともに、リードピン２６の他端はター
ミナルピン２２と溶接にて接続されている。A pin support member 23 that supports the terminal pin 22 is provided between the shield plate 18 and the terminal housing 19.
is press-fitted through an O-ring 24. Also, a lead pin 26 is supported on the shield plate 18 via a feedthrough capacitor 25, and one end of the lead pin 26 is connected to the circuit board 1.
6, and the other end of the lead pin 26 is connected to the terminal pin 22 by welding.
本実施例では、ハウジング１とステム４とシールドプレ
ート１８にて囲まれた空間をチップ収納室Ｒとしている
。In this embodiment, a space surrounded by the housing 1, stem 4, and shield plate 18 is defined as a chip storage chamber R.
次に、このように構成した半導体圧力センサの作用を説
明する。Next, the operation of the semiconductor pressure sensor configured as described above will be explained.
まず、ステム４へのガラス台座１１の取り付けの際には
、半導体チップ１３を接合したガラス台座１１をステム
４の凹部９内に配置した後、ガラス台座１１の外周部に
低融点ガラス材を配置する。First, when attaching the glass pedestal 11 to the stem 4, the glass pedestal 11 with the semiconductor chip 13 bonded thereto is placed in the recess 9 of the stem 4, and then a low melting point glass material is placed on the outer periphery of the glass pedestal 11. do.
そして、この低融点ガラス材を溶融させてステム４とガ
ラス台座１１とを気密した状態で接合させる。この低融
点ガラス１２の冷却の際に、ステム４の内径方向に圧縮
力Ｆが働く。Then, this low melting point glass material is melted to join the stem 4 and the glass pedestal 11 in an airtight state. When this low melting point glass 12 is cooled, a compressive force F acts in the inner diameter direction of the stem 4.
しかしながら、熱膨張係数がガラス台座１１とステム４
との中間の低融点ガラス１２にてガラス台座１１とステ
ム４とを接合することにより、応力分布か均等になり、
カラス台座１１又はガラス接合部にクラックかはいるこ
とが抑制される。又、低融点カラス１２の冷却の際に、
ステム４の凹部９内における低融点ガラス１２の配置箇
所での凹部９の外径Ｄ２をハウジング１の外径Ｄ１より
小さくしたことにより、冷却によるステム４の内径方向
への圧縮力Ｆを小さくしてガラス台座１１又はガラス接
合部にクラックがはいることが抑制される。つまり、従
来装置（実開昭６０−４９４４０号公報の装置）ではス
テム４の外径がハウジングの外径と同径又はそれ以上で
あったので、ステム４の内径方向に大きな圧縮力Ｆが働
くが、本実施例ではそのようなことが回避される。However, the thermal expansion coefficient of the glass pedestal 11 and stem 4
By joining the glass pedestal 11 and the stem 4 with the low melting point glass 12 between the two, the stress distribution becomes even,
Cracks are suppressed from forming in the glass pedestal 11 or the glass joint. Moreover, when cooling the low melting point crow 12,
By making the outer diameter D2 of the recess 9 of the stem 4 at the location where the low melting point glass 12 is arranged smaller than the outer diameter D1 of the housing 1, the compressive force F in the inner diameter direction of the stem 4 due to cooling can be reduced. This suppresses the occurrence of cracks in the glass pedestal 11 or the glass joint. In other words, in the conventional device (device disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 60-49440), the outer diameter of the stem 4 was the same as or larger than the outer diameter of the housing, so a large compressive force F acts in the direction of the inner diameter of the stem 4. However, in this embodiment, such a problem is avoided.
そして、測定の際には、冷房装置の駆動により冷媒配管
材１０内には高圧（３０ｋｇｆ ／ ｃｎｆ）の冷媒が
通過する。この冷媒圧力がステム４の圧力導入孔１４と
ガラス台座１１の圧力導入孔１５を通し半導体チップ１
３のダイヤフラムに伝搬し、半導体歪ゲージのピエゾ抵
抗効果により抵抗値が変化する。この抵抗変化が電気信
号に変換され、この信号が回路基板１６の増幅回路にて
増幅され、リードピン２６、ターミナルピン２２を経由
してセンサの外部に取り出される。During measurement, a high-pressure (30 kgf/cnf) refrigerant passes through the refrigerant piping material 10 by driving the cooling device. This refrigerant pressure passes through the pressure introduction hole 14 of the stem 4 and the pressure introduction hole 15 of the glass pedestal 11 to the semiconductor chip 1.
It propagates to the diaphragm No. 3, and the resistance value changes due to the piezoresistance effect of the semiconductor strain gauge. This resistance change is converted into an electrical signal, this signal is amplified by the amplifier circuit of the circuit board 16, and is taken out to the outside of the sensor via the lead pin 26 and the terminal pin 22.
このように本実施例によれば、熱膨張係数がガラス台座
１１とステム４との中間の低融点ガラス１２にてガラス
台座１１の外周部とステム４の凹部９内壁とを接合する
とともに、ステム４の凹部９内における低融点ガラス１
２の配置箇所での凹部９の外径Ｄ２をハウジングｌの外
径Ｄｉより小さくした。よって、ガラス台座１１とステ
ム４との接合の際に、熱膨張係数がガラス台座１１とス
テム４との中間の低融点ガラス１２にてガラス台座１１
の外周部とステム４の凹部９内壁とを接合することによ
り、応力分布が均等になり、ガラス台座１１又はガラス
接合部にクラックがはいることが抑制できる。又、ガラ
ス台座１１とステム４との接合の際に、ステム４の凹部
９内における低融点ガラス１２の配置箇所での凹部９の
外径Ｄ２をハウジングｌの外径Ｄ１より小さくしたこと
により、温度変化によるステム４の内径方向への圧縮力
を小さくしてガラス台座１１又はガラス接合部にクラッ
クがはいることが抑制できる。As described above, according to this embodiment, the outer circumferential portion of the glass pedestal 11 and the inner wall of the recess 9 of the stem 4 are joined to each other by the low melting point glass 12 whose coefficient of thermal expansion is intermediate between that of the glass pedestal 11 and the stem 4. Low melting point glass 1 in recess 9 of 4
The outer diameter D2 of the recess 9 at the location No. 2 is made smaller than the outer diameter Di of the housing l. Therefore, when joining the glass pedestal 11 and the stem 4, the glass pedestal 11 is made of low melting point glass 12 whose coefficient of thermal expansion is intermediate between that of the glass pedestal 11 and the stem 4.
By joining the outer periphery of the stem 4 to the inner wall of the recess 9 of the stem 4, the stress distribution becomes uniform, and cracks can be suppressed in the glass pedestal 11 or the glass joint. Moreover, when joining the glass pedestal 11 and the stem 4, by making the outer diameter D2 of the recess 9 at the location where the low melting point glass 12 is arranged in the recess 9 of the stem 4 smaller than the outer diameter D1 of the housing l, By reducing the compressive force in the inner diameter direction of the stem 4 due to temperature changes, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the glass pedestal 11 or the glass joint.
その結果、従来装置のように金属製クッション部材を使
用することなく、直接ステム４上にガラス台座１１を接
合でき、安価に、かつ、確実に行うことができる。As a result, the glass pedestal 11 can be directly bonded onto the stem 4 without using a metal cushion member unlike the conventional device, and this can be done inexpensively and reliably.
又、ステム４のネジ部６ａが冷媒配管材１０に螺入され
るので、高圧（３０ｋｇｆ ／ｃｎｆ）の冷媒圧力が測
定できる。つまり、つなぎ部分がないので確実に気密を
保つことができる。Furthermore, since the threaded portion 6a of the stem 4 is screwed into the refrigerant piping material 10, high refrigerant pressure (30 kgf/cnf) can be measured. In other words, since there are no joints, airtightness can be maintained reliably.
さらに、硬く高価な４２７０イやコバールを使用するス
テム４は、外径を小さくし、四部９の深さを浅くするこ
とにより切削加工によらず冷鍛加工にて製造でき、コス
トダウンを図ることかできる。Furthermore, the stem 4, which uses hard and expensive 4270I or Kovar, can be manufactured by cold forging instead of cutting by reducing the outer diameter and shallowing the depth of the four parts 9, thereby reducing costs. I can do it.
さらには、高圧の冷媒が印加される接合箇所は、半導体
チップ１３とガラス台座１１との接合部と、ステム４と
ガラス台座１１のガラス接合部の２箇所であり、これら
の接合部は接着材やゴム等のノール材を使用していない
ので、空気、油、フロン等に侵されることがなく、各種
の被測定媒体の圧力測定を行うことができる。Furthermore, there are two joints to which high-pressure refrigerant is applied: the joint between the semiconductor chip 13 and the glass pedestal 11, and the glass joint between the stem 4 and the glass pedestal 11. Since it does not use nord materials such as rubber or rubber, it is not attacked by air, oil, fluorocarbons, etc., and can measure the pressure of various measured media.
尚、この発明は上記実施例に限定されるものてはなく、
例えば、第２図に示すように、ステム４の凹部９の回り
に凹部９の底面と同じかそれ以上の深さを有する環状溝
２７を形成してもよい。このようにすることにより、ス
テム４の凹部９内における低融点ガラス１２の配置箇所
での凹部９の外径Ｄ３を第１図の外径Ｄ２よりさらに小
さくできる。その結果、ステム４とガラス台座１１とを
低融点ガラス１２によりガラス封止する際に発生するガ
ラス台座１１への応力をさらに緩和することができるこ
ととなる。尚、第２図においては半導体チップ１３に増
幅回路を形成するとともに、リードピン２６を絶縁材（
ナイロン等）よりなるリードピン支持部材２８にて支持
し、さらに、リートピン２６にはイグニッションノイズ
等を除去するコンデンサ２９を設けている。Note that this invention is not limited to the above embodiments,
For example, as shown in FIG. 2, an annular groove 27 having a depth equal to or greater than the bottom surface of the recess 9 may be formed around the recess 9 of the stem 4. By doing so, the outer diameter D3 of the recess 9 at the location where the low melting point glass 12 is arranged in the recess 9 of the stem 4 can be made smaller than the outer diameter D2 in FIG. As a result, the stress on the glass pedestal 11 that occurs when the stem 4 and the glass pedestal 11 are sealed with the low melting point glass 12 can be further alleviated. In addition, in FIG. 2, an amplifier circuit is formed on the semiconductor chip 13, and the lead pins 26 are covered with an insulating material (
The lead pin 26 is supported by a lead pin support member 28 made of (eg, nylon), and the lead pin 26 is further provided with a capacitor 29 for removing ignition noise and the like.
以上詳述したようにこの発明によれば、安価に、かつ、
確実にステム上にガラス台座を接合することかできる優
れた効果を発揮する。As described in detail above, according to the present invention, it is possible to inexpensively and
The glass pedestal can be reliably joined to the stem, providing an excellent effect.
第１図は実施例の半導体圧力センサの断面図、第２図は
開側の半導体圧力センサの断面図である。
１はハウジング、４はステム、６ａはケース取付部とし
てのネジ部、９は凹部、１１はガラス台座、１２は低融
点ガラス、１３は半導体チップ、１４は圧力導入孔、１
５は圧力導入孔、Ｄｌはハウジングの外径、Ｄ２は凹部
の外径、Ｒはチップ収納室。FIG. 1 is a sectional view of the semiconductor pressure sensor of the embodiment, and FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor pressure sensor on the open side. 1 is a housing, 4 is a stem, 6a is a screw part as a case attachment part, 9 is a recessed part, 11 is a glass pedestal, 12 is a low melting point glass, 13 is a semiconductor chip, 14 is a pressure introduction hole, 1
5 is the pressure introduction hole, Dl is the outer diameter of the housing, D2 is the outer diameter of the recess, and R is the chip storage chamber.
Claims (1)
ップ収納室を形成し、このチップ収納室におけるステム
の凹部内にガラス台座を気密接合するとともに当該ガラ
ス台座上に半導体歪ゲージ付ダイヤフラムを有する半導
体チップを気密接合し、ステムの圧力導入孔及びガラス
台座の圧力導入孔を通じて被測定媒体の圧力を測定する
ようにした半導体圧力センサにおいて、 熱膨張係数が前記ガラス台座とステムとの中間の低融点
ガラスにてガラス台座の外周部とステムの凹部内壁とを
接合するとともに、ステムの凹部内における低融点ガラ
スの配置箇所での当該凹部の外径を前記ハウジングの外
径より小さくしたことを特徴とする半導体圧力センサ。[Claims] 1. A chip storage chamber is formed by a housing and a stem having a sensor mounting portion, and a glass pedestal is hermetically sealed in the recess of the stem in this chip storage chamber, and a semiconductor strainer is placed on the glass pedestal. A semiconductor pressure sensor in which a semiconductor chip having a diaphragm with a gauge is hermetically sealed and the pressure of a medium to be measured is measured through a pressure introduction hole in a stem and a pressure introduction hole in a glass pedestal, wherein the thermal expansion coefficient is the same as that between the glass pedestal and the stem. The outer periphery of the glass pedestal and the inner wall of the recess of the stem are joined with a low melting point glass intermediate between A semiconductor pressure sensor characterized by its small size.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251290A JPH03226638A (en) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2251290A JPH03226638A (en) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | Semiconductor pressure sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03226638A true JPH03226638A (en) | 1991-10-07 |
Family
ID=12084817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2251290A Pending JPH03226638A (en) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | Semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03226638A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
| JP2014098685A (en) * | 2012-06-11 | 2014-05-29 | Saginomiya Seisakusho Inc | Pressure sensor and method of manufacturing pressure sensor |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2251290A patent/JPH03226638A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
| US5900554A (en) * | 1995-07-28 | 1999-05-04 | Nippendenso Co., Ltd. | Pressure sensor |
| JP2014098685A (en) * | 2012-06-11 | 2014-05-29 | Saginomiya Seisakusho Inc | Pressure sensor and method of manufacturing pressure sensor |
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