JPH03221524A - Fluorine-containing polyamic acid-based resin and fluorine-containing polyimide - Google Patents

Fluorine-containing polyamic acid-based resin and fluorine-containing polyimide

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JPH03221524A
JPH03221524A JP1649190A JP1649190A JPH03221524A JP H03221524 A JPH03221524 A JP H03221524A JP 1649190 A JP1649190 A JP 1649190A JP 1649190 A JP1649190 A JP 1649190A JP H03221524 A JPH03221524 A JP H03221524A
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Japan
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fluorine
polyamic acid
formula
polyimide
bis
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JP1649190A
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Japanese (ja)
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Michiharu Yamamoto
道治 山本
Tadashi Nishikimi
錦見 端
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a fluorine-containing polyamic acid-based resin, having specific recurring units, capable of providing fluorine-containing polyimide-based resins with specified recurring units by curing, having low hygroscopicity and dielectric constant, excellent in heat resistance and suitable as insulating films. CONSTITUTION:A fluorine-containing polyamic acid-based resin, obtained by dissolving a fluorine-containing bifunctional diamine, e.g. 2,2-bis[4-(4- aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane and a tetracarboxylic acid (derivative) such as a fluorine-containing pyromellitic acid (derivative) in a solvent such as N-methylpyrrolidone and carrying out reaction at ambient temperature overnight, having recurring units expressed by formula I (R1 and R2 are H or alkyl; R3 is bifunctional group having fluorine atom and 1-4 benzene rings; n is 2-10), capable of providing fluorine-containing polyimide resins expressed by formula II by curing and having preferably 0.3-2.0dl/g intrinsic viscosity.

Description

【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 本発明は、特定の含フツ素ポリアミド酸系樹脂及びこれ
を硬化させた含フツ素ポリイミドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial Application Field The present invention relates to a specific fluorine-containing polyamic acid resin and a fluorine-containing polyimide obtained by curing the resin.

(b)従来の技術 従来から、イミド構造を有するポリイミド樹脂は、ミス
絶縁性、耐熱性、成形品の寸法安定性に優れるなどの特
徴を有するために電子・電電産室界等で幅広く利用され
ている。
(b) Conventional technology Polyimide resins having an imide structure have been widely used in the electronics and electronics industries due to their excellent properties such as insulation properties, heat resistance, and dimensional stability of molded products. ing.

しかしながら、通常のポリイミドはこの上うに優れてい
る半面、耐温性が低いという欠点があった。
However, while ordinary polyimide is superior to this, it has the disadvantage of low temperature resistance.

即ち、よく知られているピロメリット酸二無水物と4,
4゛−ジアミノジ7ヱニルエーテルから得られるポリイ
ミドでは飽和吸湿率が2.0〜2゜5%(25℃、相対
湿度80%)程度であり、ポリエステルの飽和吸湿率が
同条件で0.4〜0.6%程度であるのに比べてかなり
高く、この為温度や湿度の変化に伴ってポリイミド成形
品に寸法変化が生じるのであり、その結果、半導体の多
層配線及び回路基板など各種のエレクトロニクスの絶縁
膜としてのミス特性が低下する。
That is, the well-known pyromellitic dianhydride and 4,
Polyimide obtained from 4'-diaminodi7enyl ether has a saturated moisture absorption rate of about 2.0 to 2.5% (25°C, relative humidity 80%), and a polyester has a saturated moisture absorption rate of 0.4 to 0 under the same conditions. .6%, and this causes dimensional changes in polyimide molded products due to changes in temperature and humidity.As a result, the insulation of various electronics such as multilayer wiring of semiconductors and circuit boards The miss characteristics as a film deteriorate.

又、このように飽和吸湿率が高いと、実用的にはLSI
などの配線材であるアルミニウムや銅の腐食、断線、は
んだ付やボンディング工程での急加熱時の絶縁膜のふく
れ、或いはPN4’1合部においてはリーク電流の増加
などの問題として現れる。
In addition, when the saturated moisture absorption rate is as high as this, it is difficult for LSI
This appears as problems such as corrosion of the wiring materials such as aluminum and copper, disconnection, swelling of the insulating film during rapid heating during soldering and bonding processes, and an increase in leakage current at the PN4'1 joint.

更に、7レキシプルプリント回路基板の用途においては
ラミネート時やはんだ時に水分の蒸発によるボイドが発
生しやすく、これを防ぐためにラミネートやはんだの前
にポリイミド成形品を予備乾燥する必要があり、回路基
板の製造工程を複雑にしているなどの問題がある。
Furthermore, when using 7lexiple printed circuit boards, voids are likely to occur due to moisture evaporation during lamination and soldering, and to prevent this, it is necessary to pre-dry the polyimide molded product before laminating or soldering. There are problems such as complicating the manufacturing process.

ところで、電子機器、特にコンピューターなどに用いら
れるプリント配線基板及びプリプレグ用シートなどは、
信号伝播の高速化の要求から、低誘電率の基板が必要と
されている。その為、これらの樹脂材料であるポリアミ
ド酸P、樹脂を硬化して得られるポリイミドも低誘電性
が必要となる。
By the way, printed wiring boards and prepreg sheets used in electronic devices, especially computers, etc.
Due to the demand for faster signal propagation, a substrate with a low dielectric constant is required. Therefore, these resin materials, polyamic acid P, and polyimide obtained by curing the resin must also have low dielectric properties.

そこで、最近では、ポリイミドの合成材料であるテトラ
カルボン酸又はその無水物及びジアミンのどちらか一方
式いは両方共に77素原子が導入された77素系化合物
を用いて、含フツ素ポリアミド酸、1%樹脂及び含フツ
素ポリイミド樹脂を合成する検討がなされている。
Therefore, recently, fluorine-containing polyamic acid, fluorine-containing polyamic acid, Studies have been made to synthesize 1% resin and fluorine-containing polyimide resin.

即ち、*開昭60−104129 号公N+:開示され
ている上うに、下記−数式 %式%( (式中、Y1及vY2は同−又は異なり、キレン基、各
Xは同−又は異なり、アルキル基、7ツ素化アルキル基
又はハロゲン、R゛は水素又はアルキル基、そしてRは
ジアミンからその2個のアミノ基を除いた残基を示し、
■は0〜3、nはθ〜4の数を示す、) で表わされる繰返し単位を含有することを特徴とするポ
リアミド酸系誘導体及びこれを硬化して得られるポリイ
ミドが提案されている。
That is, *KOKAI Publication No. 60-104129 N+: As disclosed above, the following - formula % formula % ((wherein, Y1 and vY2 are the same or different, a kylene group, each X is the same or different, an alkyl group, a 7-substituted alkyl group or a halogen, R' is hydrogen or an alkyl group, and R is a residue obtained by removing the two amino groups from a diamine,
Polyamic acid derivatives and polyimides obtained by curing the same have been proposed, which are characterized by containing a repeating unit represented by the formula (2) is 0 to 3, and n is a number of θ to 4.

又、第38回(198941−)高分子学会年次大会予
稿集、第38頁においては、下記−数式(■)す)で衰
わされる繰返し単位構造を高分子鎖中に含む事を特徴と
するポリアミド酸系誘導体及びこれを硬化して得られる
ポリイミドを提案している。
In addition, in the proceedings of the 38th (198941-) Annual Conference of the Society of Polymer Science and Technology, page 38, a polymer chain is characterized by containing a repeating unit structure that is attenuated by the following formula (■). We have proposed polyamic acid derivatives and polyimides obtained by curing them.

(c)発明が解決しようとする課題 特開昭60−104129号公報に示されているポリア
ミド酸誘導体及びこれを硬化して得られるポリイミドは
分子主鎖中に C−0− 1 基を有するが、このエステル基は加熱、硬化の際に加水
分解を受けやすく、不安定で、しかも耐熱性が充分であ
るとはいえないのである。
(c) Problems to be Solved by the Invention The polyamic acid derivative disclosed in JP-A-60-104129 and the polyimide obtained by curing the same have a C-0-1 group in the main chain of the molecule. This ester group is susceptible to hydrolysis during heating and curing, is unstable, and cannot be said to have sufficient heat resistance.

又、該フッ素含有ポリアミド!!誘導体を加熱硬化して
得られるフッ素含有ポリイミドは誘電率が2.7程度と
高く、信号伝播の高速化の要請に応えることができない
のである。
Also, the fluorine-containing polyamide! ! Fluorine-containing polyimide obtained by heating and curing a dielectric has a high dielectric constant of about 2.7, and cannot meet the demand for faster signal propagation.

一方、上述の高分子学会年次大会予稿集、第38真に開
示されている含フツ素含有ポリイミドは誘電率が2.6
程度であるが、プリント基板の高帯度化などに伴い、よ
り低い誘電率をもつ樹脂の開発が要求されている。
On the other hand, the fluorine-containing polyimide disclosed in the above-mentioned Proceedings of the Society of Polymer Science and Technology, No. 38, has a dielectric constant of 2.6.
However, as printed circuit boards become more flexible, there is a demand for the development of resins with lower dielectric constants.

本発明は、上記技術的課題に置み完成されたものであり
、飽和吸湿率が槓めて低く、つまり低吸湿性で、且つ耐
熱性が優れる上、低誘電率でエレクトロニクスにおける
各種の絶縁膜の用途に有用、且つ新規な含フツ素ポリア
ミド酸系樹脂及び含フツ素ポリイミドを提供することを
目的とする。
The present invention has been completed in view of the above-mentioned technical problems, and has an extremely low saturation moisture absorption rate, that is, low moisture absorption, excellent heat resistance, and has a low dielectric constant, making it suitable for various insulating films used in electronics. An object of the present invention is to provide a novel fluorine-containing polyamic acid resin and a fluorine-containing polyimide that are useful for the following applications.

(d) 11題を解決するための手段 上記の目的を達成するため、本発明の含フツ素ポリアミ
ド酸系樹脂及び含フツ素ポリイミドは、各々下記の一般
式(1)〜(1’V)で表わされる繰返し単位を主体と
する構造を有するものである6即ち、本願請求項1の含
フツ素ポリアミド酸系樹脂は、下記−数式(I) 互いに同じであっても異なっていてもよく、更にR1は
フッ素原子を有し、迂っベンゼン環を1〜4個有する2
価の有機基である。またnは2〜10の数を示す。) で表される繰返し重付を含むことを特徴とするものであ
る。
(d) Means for Solving Problem 11 In order to achieve the above object, the fluorine-containing polyamic acid resin and the fluorine-containing polyimide of the present invention have the following general formulas (1) to (1'V), respectively. 6, that is, the fluorine-containing polyamic acid resin of claim 1 of the present application, which has a structure mainly composed of repeating units represented by the following formula (I), which may be the same or different from each other, Furthermore, R1 has a fluorine atom and 2 having 1 to 4 benzene rings in a circular manner.
It is a valent organic group. Further, n represents a number from 2 to 10. ) is characterized by including repeated weighting expressed as .

本all!求項2の含フツ素ポリイ ドは下記一般 式(TI) (式中、R1はフッ素原子を有し、且つベンゼン環を1
〜4個有する2価の有機基である。またnは2〜10の
数を示す、) で表わされる繰返し単位を含むことを特徴とするもので
ある。
All books! The fluorine-containing polyide of claim 2 has the following general formula (TI) (wherein R1 has a fluorine atom and one benzene ring
It is a divalent organic group having ~4 pieces. Further, it is characterized in that it contains a repeating unit represented by the following (n represents a number from 2 to 10).

本m請求項3の含7ツ素ポリアミド酸P、樹脂は下記−
数式(III) 互いに同じであっても異なっていてもよく、更に R3はフッ素原子を有し、且つベンゼン環を1〜4個有
する2価の有情基である。p及びqは2〜10の数を示
し、 互いに同じであっても異なってい でもよい。) で表わされる繰返し単位を含むことを特徴とするもので
ある。
The heptad-containing polyamic acid P and resin of claim 3 are as follows-
Formula (III) may be the same or different, and R3 is a divalent valent group having a fluorine atom and 1 to 4 benzene rings. p and q represent numbers from 2 to 10, and may be the same or different from each other. ) is characterized by containing a repeating unit represented by

本願請求項4の含フツ素ポリイミドは、下記−数式(■
) を1〜4個有する2価の有機基である。またp及びqは
2〜10の数を示し、互いに同じであっても異なってい
てもよい。) で表わされる繰返し単位を含むことを特徴とするもので
ある。
The fluorine-containing polyimide of claim 4 of the present application is prepared by the following formula (■
) is a divalent organic group having 1 to 4 . Furthermore, p and q represent numbers from 2 to 10, and may be the same or different. ) is characterized by containing a repeating unit represented by

つまり本発明の含フツ素ポリイミド及びその前駆体であ
る含フツ素ポリアミド酸基樹脂は、その原料であるノア
ミンに77素原子、そしてもう一つの原料であるテトラ
カルボン酸並びにその誘導体の芳香環にnが2〜10の
バーフルオロアルキル基を導入し、それらを反応させる
ことによって得られる。
In other words, the fluorine-containing polyimide of the present invention and its precursor, the fluorine-containing polyamic acid group resin, have 77 atoms in noamine, which is its raw material, and in the aromatic ring of tetracarboxylic acid, which is another raw material, and its derivatives. It can be obtained by introducing a barfluoroalkyl group in which n is 2 to 10 and reacting them.

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本ms求項1の含フツ素ポリアミド酸基樹脂において、
そのIt造原料の1種である77素原子を含有し、且つ
芳香環を含むジアミンの具体例としては以下のものが挙
げられる。
In the fluorine-containing polyamic acid group resin of this ms requirement 1,
Specific examples of the diamine containing 77 elementary atoms and an aromatic ring, which is one of the It-forming raw materials, include the following.

即ち、2.2−ビス(4−(4−7ミノ7エ/キシ)フ
ェニル1ヘキサフルオロプロパン、2.2−ビス[3−
(3−7ミノー4−ヒドロキシ)フェニル1ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[4−7ミノフエニル]へ
キサフルオロプロパン、2.2−ビス[3−アミノ−4
−メチルフェニル]へキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(4−(3−7ミ/フエノキシ)フェニル]へキサ
フルオロプロパン、1.3−ビス(2−(4−アミノベ
ンジルオキシ)へキサフルオロイソプロピル1ベンゼン
、1.4−ビス[2−(4−7ミノベンノルオキシ)へ
キサフルオロイソプロピル1ベンゼン、2.2−ビスF
4−(4−アミ/−3−トリプルオロメチルフェノキシ
)フェニルjヘキサフルオロブaパン、1f3−ノ7ミ
/ −2,4,5,6−チトラブルオロベンゼン、パー
フルオロベンツジン、1,3−ジアミ/−4゜6−ビス
(1,1,11−トリヒドロキシ−パーフルオロウンデ
シルオキシ)ベンゼン、1,3−ジアミ/−4,6−ビ
ス(2,2,2−)リフルオロエトキシ)ベンゼン等で
ある。
That is, 2.2-bis(4-(4-7mino7e/xy)phenyl 1hexafluoropropane, 2.2-bis[3-
(3-7minor-4-hydroxy)phenyl-1hexafluoropropane, 2,2-bis[4-7minophenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[3-amino-4
-methylphenyl]hexafluoropropane, 2,2-
Bis(4-(3-7mi/phenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 1,3-bis(2-(4-aminobenzyloxy)hexafluoroisopropyl 1benzene, 1,4-bis[2-( 4-7minobennoroxy)hexafluoroisopropyl 1benzene, 2,2-bisF
4-(4-ami/-3-triple-omethylphenoxy)phenylj hexafluorobutapan, 1f3-no7mi/-2,4,5,6-thiolatrourobenzene, perfluorobenzudine, 1, 3-diami/-4゜6-bis(1,1,11-trihydroxy-perfluoroundecyloxy)benzene, 1,3-diami/-4,6-bis(2,2,2-)lifluoro ethoxy)benzene, etc.

これらの中で特に望ましい例として、2,2−ビス[4
−(4−7ミノフエノキシ)フェニル]へキサフルオロ
プC1ハ”/及V2.2−1:’ス(4−7ミ/フエニ
ル)へキサフルオロプロパン等が挙げられる。
Among these, a particularly desirable example is 2,2-bis[4
Examples include -(4-7minophenoxy)phenyl]hexafluoropropane C1/ and V2.2-1:'s(4-7min/phenyl)hexafluoropropane.

また、本発明の他方の原料の1種である酸成分としては
、−数式(V)に示されるような構造を有している事を
特徴とする含フツ素ピロメリット酸誘導体である。
The acid component, which is one of the other raw materials of the present invention, is a fluorine-containing pyromellitic acid derivative characterized by having a structure as shown in formula (V).

(式中、nは2〜10の数を示す。) 尚、ここでいう含フツ素ピロメリット酸誘導体とは酸無
水物、酸ハライド、エステル及び11離酸などをいう。
(In the formula, n represents a number from 2 to 10.) Note that the fluorine-containing pyromellitic acid derivative herein refers to acid anhydrides, acid halides, esters, 11 free acids, and the like.

このように、芳香魂に直接−CnF 2n*+(n= 
2〜10)基を導入すると、雪くべきことに誘電率が著
しく低下するのであり、±た飽和吸湿率も極度に低下す
る上、優れた電気絶縁膜が得られるのであり、しかも化
学的安定性が至極向上するのである。
In this way, -CnF 2n*+ (n=
2-10) The introduction of groups significantly lowers the dielectric constant and the saturated moisture absorption rate, and provides an excellent electrical insulating film with chemical stability. This will greatly improve your sexuality.

本発明の含フツ素ポリアミド酸系樹脂の製造の際に用い
られる溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン(以
下、NMPと略記する)、ジメチルアセトアミド(DM
Ac)、ジメチルホルムアミド(DM F )、ジメチ
ルスルホキシド(DMSO)、スルホランなどの極性溶
媒、更に、テトラヒドロ7ラン、ブチロラクトン、シク
ロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、ジアセ
トンアルコールなどの汎用溶剤が挙げられるのであり、
これらは単独或いは2以上の混合物が用いられる。
The solvents used in the production of the fluorine-containing polyamic acid resin of the present invention include N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP), dimethylacetamide (DM
Ac), dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, and other polar solvents, as well as general-purpose solvents such as tetrahydro-7-lane, butyrolactone, cyclohexanone, acetone, methyl ethyl ketone, and diacetone alcohol.
These may be used alone or in a mixture of two or more.

I−リ一 今ヲ1.J畳ゼII 7セレーハ浦のV辻と
しては、上述の含フッ素二官能のジアミンと上述のテト
ラカルボン酸或いはその誘導体とを当モル量混合し、こ
れらにN−メチルピロリドン(以下NMPと略記する)
、ジメチルアセトアミド(DMAe)、ジメチルホルム
アミド(D M F )などの溶剤を加えて溶解し、室
温下−複反応させる事により得られる。
I-Liichi Now 1. J Tatami Ze II 7 Selehaura V Tsuji is prepared by mixing the above-mentioned fluorine-containing bifunctional diamine and the above-mentioned tetracarboxylic acid or its derivative in equimolar amounts, and adding N-methylpyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP) to these. )
, dimethylacetamide (DMAe), dimethylformamide (DM F ), or the like is added and dissolved, and the mixture is subjected to a multiple reaction at room temperature.

かくして得られた含フツ素ポリアミド酸系樹脂の溶液と
してはその極限粘度(NMP溶液、温度30℃の一定条
件で測定)が0.3〜2.O,/d1のものが好ましく
、極限粘度が0.3g/d1未満では生成したフィルム
の可撓性が乏しいので望ましくなく、一方、2.0g/
d1を超えるとフィルム状にキャストする事が困難であ
るので望ましくない。従って、これらの観点より極限粘
度が0゜5〜1.5g/diの範囲のものが特に望まし
い。
The solution of the fluorine-containing polyamic acid resin thus obtained has an intrinsic viscosity (NMP solution, measured under constant conditions at a temperature of 30°C) of 0.3 to 2. O,/d1 is preferable; if the intrinsic viscosity is less than 0.3 g/d1, the resulting film will have poor flexibility, which is undesirable;
If it exceeds d1, it is difficult to cast into a film, which is not desirable. Therefore, from these points of view, it is particularly desirable to have an intrinsic viscosity in the range of 0.5 to 1.5 g/di.

ここにおいて、極限粘度とは次の式で計W−されるもの
であり、式中の粘度は毛細血管粘度計により測定された
ものである。
Here, the intrinsic viscosity is calculated by the following formula, and the viscosity in the formula is measured by a capillary viscometer.

このようにして得られた含フツ素ポリアミド酸系樹脂は
後述する含フツ素ポリイミドの中間体として極めて有用
である。
The fluorine-containing polyamic acid resin thus obtained is extremely useful as an intermediate for the fluorine-containing polyimide described below.

次に、本1IilI!求項2の含フツ素ポリイミドにつ
いて説明する。
Next, book 1IilI! The fluorine-containing polyimide of claim 2 will be explained.

この含フツ素ポリイミドは、請求項1の含フツ素ポリア
ミド酸系樹脂を加熱或いは化学的にイミド化しで得られ
るものであり、分子中に下記−数式(TI)で表される
繰返し単位を含むものである。
This fluorine-containing polyimide is obtained by heating or chemically imidizing the fluorine-containing polyamic acid resin of claim 1, and contains a repeating unit represented by the following formula (TI) in the molecule. It is something that

即ち、この含フツ素ポリイミドは、下記−数式(1) ン環を1〜4個有する2価の有機基である。That is, this fluorine-containing polyimide has the following formula (1) It is a divalent organic group having 1 to 4 rings.

また、 nは2〜10の数を示す、) で表わされる繰返し単体を含むことを特徴とするもので
ある。
Further, it is characterized in that it includes a repeating simplex represented by n is a number from 2 to 10.

ところで、請求項1の含フツ素ポリアミド酸系樹脂を加
熱或いは化学的にイミド化するための条件としては、こ
の含フツ素ポリアミド酸系樹脂を50〜400℃の温度
で1〜40時間加熱することに上って脱溶媒と脱水閉環
を促進すればよいのである。
By the way, the conditions for heating or chemically imidizing the fluorine-containing polyamic acid resin according to claim 1 include heating the fluorine-containing polyamic acid resin at a temperature of 50 to 400°C for 1 to 40 hours. In particular, it is sufficient to promote desolvation and dehydration and ring closure.

また、生成する含フツ素ポリイミドが溶媒に可溶である
場合は、次のようにして製造できる。
Furthermore, if the fluorine-containing polyimide to be produced is soluble in a solvent, it can be produced as follows.

即ち、含フツ素ポリアミド酸系樹脂溶液にキシレン或い
はトルエンを加えて、溶液を110〜200℃で1〜4
0時間加熱する事によって得られる。この時、縮合して
得られる水はキシレン或いはトルエンと共に系外へ留出
される。
That is, xylene or toluene is added to a fluorine-containing polyamic acid resin solution, and the solution is heated at 110 to 200°C for 1 to 4
Obtained by heating for 0 hours. At this time, water obtained by condensation is distilled out of the system together with xylene or toluene.

この場合、含フッ素ポリアミドWl系樹脂溶液から含フ
ツ素ポリイミドを形成する際における有機溶媒の除去及
びイミド化のための加熱工程は真空下(減圧下)又は不
活性がス雰囲ス下で行ってもよい。更に、短時闇であれ
ば温度400℃前後まで最終的に加熱することに上り、
得られる含フツ素ポリイミドの特性を向上させることが
できる。
In this case, the heating step for removing the organic solvent and imidization when forming the fluorine-containing polyimide from the fluorine-containing polyamide Wl-based resin solution is performed under vacuum (under reduced pressure) or under an inert gas atmosphere. You can. Furthermore, if it is dark for a short period of time, it will eventually heat up to around 400 degrees Celsius,
The properties of the resulting fluorine-containing polyimide can be improved.

或いは、含フツ素ポリアミド酸基樹脂溶液に無水酢酸と
ビリノンを加えて、溶液を室温で攪拌することによって
も得られるのである。
Alternatively, it can also be obtained by adding acetic anhydride and birinone to a fluorine-containing polyamic acid group resin solution and stirring the solution at room temperature.

この場合、含フツ素ポリイミドは、反応後の溶液を水中
に加え、でてきた固形物を濾取し、乾燥する事によって
得ることができる。
In this case, the fluorine-containing polyimide can be obtained by adding the solution after the reaction to water, filtering the resulting solid matter, and drying it.

かくして、特に低誘電率で、はり低飽和含水率の絶縁膜
が得られるのであり、しかも該絶縁膜は化学的に安定で
ある上、ミス特性及び寸法安定性のいずれも優れるので
ある。
In this way, an insulating film with a particularly low dielectric constant and low saturated water content can be obtained, and the insulating film is not only chemically stable but also excellent in both error characteristics and dimensional stability.

本*m求項3の含フツ素ポリアミド酸M樹脂について詳
細に説明する。
The fluorine-containing polyamic acid M resin of Item 3 will be explained in detail.

即ち、この含フツ素ポリアミド酸基樹脂は下記−数式(
Tel) 式中、R1及びR7は水素又はアルキル基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよく、更にR1はフッ
素原子を有し、且つベンゼン環を1〜4@有する2価の
有機基である。p及びqは2〜10の数を示し、互いに
同じであっても異なっていても上い。) で表わされる繰返し単位を含むことを特徴とするもので
ある。
That is, this fluorine-containing polyamic acid group resin has the following formula (
Tel) In the formula, R1 and R7 are hydrogen or an alkyl group, which may be the same or different from each other, and R1 is a divalent organic compound having a fluorine atom and 1 to 4 benzene rings. It is the basis. p and q represent numbers from 2 to 10, and may be the same or different. ) is characterized by containing a repeating unit represented by

以下、本発明の詳細な説明する。The present invention will be explained in detail below.

本願請求項3の含771ポリアミド酸基樹脂において、
その製造原料の1種である77素原子を含有し且つ芳香
環を含むジアミンの具体例としては以下のものが挙げら
れる。
In the 771 polyamide acid group resin of claim 3 of the present application,
Specific examples of the diamine containing 77 elementary atoms and an aromatic ring, which is one of the raw materials for its production, include the following.

即ち、例えば2.2−ビス[4−(4−7ミノ7エ/キ
シ)フェニル1ヘキサフルオロプロパン、2゜2−ビス
(3−(3−7ミノー4−ヒドロキシ)7エ二ル1ヘキ
サフルオロプロパン、2.2−ビス[4−7ミ/フエニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2゜2−ビス[3−アミ
7−4−メチルフェニル1ヘキサフルオロプロパン、2
.2−ビス[4−(3−7ミノ7エ7キシ)フェニル1
ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(2−(4−7
ミノベンジルオキシ)へキサフルオロイソプロピル1ベ
ンゼン、1゜4−ビス[2−(4−アミ/ベンジルオキ
シ)へキサフルオロイソプロピル1ベンゼン、2.2−
ビス[4−(4−アミ/−3−)リフルオロメチルフェ
ノキシ〉フェニル1ヘキサフルオロプロパン、1゜3−
ノアミ/ −2,4,5,6−チトラフルオロベンゼン
、パーフルオロベンツシン、1,3−ジアミノ−4,6
−ビス(1,1,11−トリヒドロキシ−パーフルオロ
ウンデシルオキシ)ベンゼン、1゜3−ジアミノ−4,
6−ビス(2,2,2−)リフルオロエトキシ)ベンゼ
ン等である。
That is, for example, 2.2-bis[4-(4-7mino-7e/xy)phenyl-1hexafluoropropane, 2°2-bis(3-(3-7mino-4-hydroxy)7enyl-1hexafluoropropane, Fluoropropane, 2.2-bis[4-7mi/phenyl]hexafluoropropane, 2゜2-bis[3-ami7-4-methylphenyl 1hexafluoropropane, 2
.. 2-bis[4-(3-7mino7ethoxy)phenyl 1
Hexafluoropropane, 1,3-bis(2-(4-7
minobenzyloxy)hexafluoroisopropyl 1benzene, 1゜4-bis[2-(4-amino/benzyloxy)hexafluoroisopropyl 1benzene, 2.2-
Bis[4-(4-ami/-3-)lifluoromethylphenoxy>phenyl 1 hexafluoropropane, 1゜3-
Noami/-2,4,5,6-titrafluorobenzene, perfluorobenzucine, 1,3-diamino-4,6
-bis(1,1,11-trihydroxy-perfluoroundecyloxy)benzene, 1°3-diamino-4,
6-bis(2,2,2-)lifluoroethoxy)benzene and the like.

これらの中で特に、優れた誘電特性を有するなどの理由
より、特に望ましい例としては、2.2−ビス[4−(
4−アミノフェノキシ)フェニル1ヘキサフルオロプロ
パン及び2,2−ビス(4−7ミノフエニル)へキサフ
ルオロプロパン等が挙げられる。
Among these, 2.2-bis[4-(
Examples include 4-aminophenoxy)phenyl-1hexafluoropropane and 2,2-bis(4-7minophenyl)hexafluoropropane.

また、本発明の他方の原料の1種である酸成分としては
、−数式(Vr)に示されるような構造を有している事
を特徴とする含フツ素ピロメリット酸誘導体である。
The acid component, which is one of the other raw materials of the present invention, is a fluorine-containing pyromellitic acid derivative characterized by having a structure as shown in formula (Vr).

(式中、p及びqは2〜10の数を示す。)尚、ここで
いう含フツ素ピロメリット酸誘導体とは酸無水物、酸ハ
ライド、エステル及び11離酸などをいう。
(In the formula, p and q represent numbers from 2 to 10.) Note that the fluorine-containing pyromellitic acid derivative herein refers to acid anhydrides, acid halides, esters, and 11 free acids.

このように芳香環に直接、パーフルオロアルキル基を導
入すると誘電率が着しく低下するのであり、また吸湿率
も極度に低下する上、優れた電気絶縁膜が得られるので
あり、しかも化学的安定性の至極向上するのである。
When a perfluoroalkyl group is directly introduced into an aromatic ring in this way, the dielectric constant and moisture absorption rate are drastically reduced, and an excellent electrical insulating film can be obtained, which is also chemically stable. It will greatly improve your sexuality.

このようにして得られた含フツ素ポリアミド酸系樹脂は
後述する本*1*求項4の一般式(■)で示される含フ
ツ素ポリイミドの中間体として挿めて有用である7 次に、本m網求項4の含フツ素ポリイミドについて詳細
に説明する。
The fluorine-containing polyamic acid resin thus obtained is useful as an intermediate for the fluorine-containing polyimide represented by the general formula (■) in Book *1*Claim 4, which will be described later. , the fluorine-containing polyimide of the present m-network requirement 4 will be explained in detail.

この含フツ素ポリイミドは、本願1Ill!5FC項3
の含フツ素ポリアミド酸系樹脂を加熱、イミド化して得
られるものであり、分子中に下記−数式(W)で表され
る繰返し単位を有するものである。
This fluorine-containing polyimide is used in the present application 1Ill! 5FC Section 3
It is obtained by heating and imidizing a fluorine-containing polyamic acid resin, and has a repeating unit represented by the following formula (W) in the molecule.

即ち、この含フツ素ポリイミドは、下記−数式() を1〜4@有する2価の有機基である。またp及びqは
2〜10の数を示し、互いに同じであっても異なってい
てもよい、) で表わされる繰返し単体を含むことを特徴とするもので
ある。
That is, this fluorine-containing polyimide is a divalent organic group having the following formula () from 1 to 4@. Further, p and q represent numbers from 2 to 10, and may be the same or different from each other.

ところで、このイミド化の条件としては、本願III求
項2の場合と同様である。
By the way, the conditions for this imidization are the same as in the case of claim 2 of the present application III.

かくして、特に低誘電率で、且つ低飽和吸湿率の絶縁膜
が得られるのであり、しかも該絶#&膜は化学的に安定
であり、また電気特性及び寸法安定性のいずれも優れる
のである。
In this way, an insulating film with a particularly low dielectric constant and low saturated moisture absorption rate can be obtained, and the insulating film is chemically stable and has excellent electrical properties and dimensional stability.

(e)゛作用 本発明の請求項1及び2において、誘電率が者しく低下
する上、飽和吸水率も極度に低下し、しかも優れた電気
絶縁膜が得られる理由は明確ではないが、本発明におい
ては一般式(1)及び−数式(ff)に示されるように
、分子主鎖の骨格に一般式(V)で示す繰返し単位が導
入されている。
(e) Effect In claims 1 and 2 of the present invention, it is not clear why the dielectric constant is markedly lowered, the saturated water absorption rate is also extremely lowered, and an excellent electrical insulating film is obtained. In the invention, as shown in the general formula (1) and -numerical formula (ff), a repeating unit shown in the general formula (V) is introduced into the backbone of the molecular main chain.

(nは2〜10の数を示す。) このように、芳香環に直接−Cn F tnや、(n=
2〜10)基を導入することにより、77素含量率が増
加すると共にフッ素原子による撥水性が増加し、この為
、飽和吸湿率が低下するのであり、また分子中の77素
原子の比率が増加して誘電率が低下するものと解される
に のように分子中にトリフルオロメチル基ではなくパーフ
ルオロアルキル基が直接芳香環に結合されていることに
より、分子中のフッ素原子の比率が増加して誘電率が著
しく低下したものと解される。
(n indicates a number from 2 to 10.) In this way, -Cn F tn or (n=
By introducing groups 2 to 10), the 77 element content rate increases and the water repellency due to fluorine atoms increases, and therefore the saturated moisture absorption rate decreases, and the ratio of 77 element atoms in the molecule increases. The ratio of fluorine atoms in the molecule increases because the perfluoroalkyl group is directly bonded to the aromatic ring instead of the trifluoromethyl group in the molecule, which is understood to decrease the dielectric constant. It is understood that this increases the dielectric constant and significantly lowers the dielectric constant.

また、本発明の請求項3及び4において優れた開時性が
られる理由も明確ではないが、本発明においては特に−
数式(m)及び−数式(W、)に示されるように、分子
主鎖の骨格に一般式(Vl)で示す繰返し単位が芳香環
に直接導入されている。
Furthermore, although it is not clear why claims 3 and 4 of the present invention have excellent hour-opening properties, especially in the present invention -
As shown in the formula (m) and -formula (W,), the repeating unit represented by the general formula (Vl) is directly introduced into the aromatic ring in the backbone of the main chain of the molecule.

このように、分子中の芳香環に直接パーフルオロアルキ
ル基を2@互いにバラ位になる部位に導入することによ
り、77素含量が着しく増加すると共に77素原子によ
る撥水性が一層増加し、この為、飽和@湿率が著しく低
下するものと解される。
In this way, by directly introducing a perfluoroalkyl group into the aromatic ring in the molecule at a site that is in the rose position with respect to 2@, the content of 77 atoms increases significantly, and the water repellency due to the 77 atoms further increases. For this reason, it is understood that the saturation@humidity rate decreases significantly.

このようにトリフルオロメチル基を含有する含フツ素ポ
リイミドに比較してパーフルオロアルキル基を接芳香環
に結合させることにより、一分子当たりのフッ素含有率
が着しく向上し、これによって、着しい低誘電化を実現
しうるちのと解される。
Compared to fluorine-containing polyimides containing trifluoromethyl groups, by bonding a perfluoroalkyl group to an aromatic ring, the fluorine content per molecule is significantly increased. It is considered to be a material that achieves low dielectric properties.

また、分子中の77素原子の比率が着しく増加すると共
に一般式(Vr)に示される部分構造における永久双啄
子モーメントがその分子の対称性により低下する為に、
ポリマー全体としての誘電率がより低下するものと解さ
れる。
In addition, as the ratio of 77 elementary atoms in the molecule steadily increases, the permanent twin moment in the partial structure represented by the general formula (Vr) decreases due to the symmetry of the molecule.
It is understood that the dielectric constant of the polymer as a whole is further reduced.

(f)実施例 以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
(f) Examples Hereinafter, the present invention will be explained in detail based on Examples, but the present invention is not limited thereto.

尚、実施例における化合物の名称の略記を、括して以下
に示す。
In addition, the abbreviations of names of compounds in Examples are collectively shown below.

BAPF   : 2.2−ビス(4−(4−7ミノ7
エ/キシ)フェニル1ヘキサフルオロ プロパン BAAF   : 2.2−ビス(4−7ミノ7ヱニル
)へキサフルオロプロパン PDA:p−フェニレンノアミン DDE    ニジアミツノフェニルメタンDCBFP
  : 6F−DA  : 2.2−ビス[4−(3,4−ジカル ボキシベンゾイルオキシ)フェニル1 ヘキサフルオロプロパンニ無水物 2.2−ビス【3,4−ジカルボキシ フェニル]ヘキサフルオロプロパン 二無水物 NMP    :N−メチルビロリドンモ7パーフルオ
ロヘキシルビロメリット酸無水物の合成例 A)モノパーフルオロアルキル体(2)の合成2.3.
5.6−へキサメチルヨードベンゼン(1)(8,70
g、33 、 4−oooと銅粉(2,56g、40 
、3 mmol)をラバーセプタム付き三つ口7ラスフ
に入れ、系内を窒素置換する。これに7メチルスルホキ
シド(60I10、パーフルオロヘキシルヨーゲイト(
18,0g、4 Q 、  3 w−of)をセプタム
から注射器を用いて徐々に加えて〜1つた。この溶液を
110℃で終夜攪拌した後、飽和塩化アンモニリム水溶
液(300mj’)に加え反応を停止した。
BAPF: 2.2-bis(4-(4-7 mino7
e/xy)phenyl-1 hexafluoropropane BAAF: 2,2-bis(4-7mino-7enyl)hexafluoropropane PDA: p-phenylenenoamine DDE Nidiamitunophenylmethane DCBFP
: 6F-DA : 2.2-bis[4-(3,4-dicarboxybenzoyloxy)phenyl 1 hexafluoropropane dianhydride 2.2-bis[3,4-dicarboxyphenyl]hexafluoropropane dianhydride Product NMP: Synthesis example of N-methylpyrrolidone mo7perfluorohexylpyromellitic anhydride A) Synthesis of monoperfluoroalkyl compound (2) 2.3.
5.6-hexamethyliodobenzene (1) (8,70
g, 33, 4-ooo and copper powder (2,56 g, 40
, 3 mmol) into a three-necked 7-rasp fitted with a rubber septum, and the system was purged with nitrogen. To this, 7 methyl sulfoxide (60I10, perfluorohexyl yogate (
18.0 g, 4 Q, 3 w-of) was slowly added via the septum using a syringe. This solution was stirred at 110° C. overnight, and then added to a saturated aqueous ammonium chloride solution (300 mj') to stop the reaction.

エーテルで目的物を抽出し、エーテル層を水洗後、硫酸
マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後溶剤を溜去し
、得られた残渣をシリカゾルクロマト法(シリカゲル4
0g1ヘキサン)で精製した。
The target product was extracted with ether, and the ether layer was washed with water and dried over magnesium sulfate. After removing the desiccant, the solvent was distilled off, and the resulting residue was purified by silica sol chromatography (silica gel 4
Purified with 0 g 1 hexane).

収量 8.47.(56%)  IR1確認済(295
0cm  −’、CH3,1200−1250CF2)
B)モノパーフルオロヘキシピロメリット酸(3)の合
成 一ヒ記A)で得られたアルキル体(2)(100mg、
0 、22 mmoZ)の硝酸水(市販の硝酸:水= 
1 :1 )(10−0をガラス製封管に封じ込み、1
60℃で終夜加熱した。反応溶液を冷却後、不溶物を濾
取し、冷水でよく水洗した。得られた結晶をデシケータ
−中で乾燥した。
Yield 8.47. (56%) IR1 confirmed (295
0cm-', CH3, 1200-1250CF2)
B) Synthesis of monoperfluorohexypyromellitic acid (3) 1) Alkyl compound (2) obtained in A) (100 mg,
0,22 mmoZ) of nitric acid water (commercially available nitric acid:water=
1:1) (10-0 is sealed in a glass sealed tube, 1
Heated at 60°C overnight. After cooling the reaction solution, insoluble matter was collected by filtration and thoroughly washed with cold water. The obtained crystals were dried in a desiccator.

収量 定量的 IR,確認済 (1720c+* −’ C00H,1200−125
0CF2)C)モノパーフルオロヘキシルピロメリーt
ト酸s水物(4)の合成 ト記B)で得られたピロメリット酸(3)(600mg
、 l 、05 ■of)を無水群Wl(3ml)に懸
濁し160℃で加熱還流した。終夜反応させた後、無水
酢酸を減圧溜去し、黄白色の固形物を得た。これにトル
エン(10mlX3回)を加え、残存無水酢酸を完全に
溜去し、目的の酸無水物を得た。
Yield Quantitative IR, confirmed (1720c++-' C00H, 1200-125
0CF2) C) Monoperfluorohexylpyromeryt
Synthesis of toric acid s hydrate (4) Pyromellitic acid (3) obtained in Section B) (600 mg
, l, 05 ■of) was suspended in anhydrous Wl (3 ml) and heated to reflux at 160°C. After reacting overnight, acetic anhydride was distilled off under reduced pressure to obtain a yellowish white solid. Toluene (10 ml×3 times) was added to this, and the remaining acetic anhydride was completely distilled off to obtain the desired acid anhydride.

収量 定量的 560mg この反応工程を以下に略本する。Yield Quantitative 560mg This reaction process is briefly summarized below.

(1)           (2) (3) (4) C,F131・・・パーフルオロヘキシルヨーゲイト^
Cア0 ・・・無水酢酸 シバ−フルオロヘキシルピロメリット酸無水物の合成例 A)1.6−ノヨードー2.3.5.6−チトラメチル
ベンゼン(6)の合成 氷酢酸(15+f)、水(3mi’)、濃硫酸(0,4
5+++l)からなる混合溶媒に2.3.5.6−チト
ラメチルベンゼン(2、68g、 20 mmoo(5
)、メタ過よう葉酸及びよう素を加えて攪拌した6反応
溶液を70℃で3時間加熱した後、ハイポの飽和水溶液
中に加え、目的物をヘキサンを用いて抽出した。
(1) (2) (3) (4) C, F131...perfluorohexylyogate^
Ca0...Synthesis example of acetic anhydride-fluorohexylpyromellitic anhydride A) Synthesis of 1,6-noiodo2.3.5.6-titramethylbenzene (6) Glacial acetic acid (15+f), water (3mi'), concentrated sulfuric acid (0,4
2.3.5.6-titramethylbenzene (2.68 g, 20 mmoo (5
), metafilofolic acid and iodine were added and stirred, and the reaction solution was heated at 70° C. for 3 hours, then added to a saturated aqueous solution of Hypo, and the target product was extracted using hexane.

ヘキサン層をよく水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。乾燥剤を濾去したのちヘキサンを減序溜去し、は
ぼ、純度100%の白色結晶の目的物を得た。
After thoroughly washing the hexane layer with water, it was dried over magnesium sulfate. After the desiccant was filtered off, the hexane was distilled off under reduced pressure to obtain the desired product in the form of white crystals with 100% purity.

収110.8g(56%)  IR確認済み(C)l、
  2950cm  −’、580cm  −’ −1
)B)1.6−ノ(パーフルオロヘキシル−2,3,4
會6−チトラメチルベンゼン)(7)の合成上記A)で
得られた物質(6)(1,4g、3.63−一00と銅
粉(0,70g、  10.88m−ol)をラバーセ
プタム付き三つロフラスコに入れ、系内を窒1に置換す
る。これにジメチルスルホキシド(14w/Lパー77
レオロヘキシルヨーク()’(4,9g、10.88m
mof)をセプタムから注射器を用いて徐々に加えてい
った。この溶液を110°Cで終夜攪拌した後、飽和塩
化アンモニウム水溶液(100−0に加え反応を停止し
た。エーテルで目的物を抽出し、エーテル層を水洗後、
硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後溶剤を溜
去し、得られた残漬をシリカゾルクロマト法(シリカゲ
ル20g、ヘキサン)で精製した。
Yield 110.8g (56%) IR confirmed (C)l,
2950cm-', 580cm-'-1
) B) 1,6-no(perfluorohexyl-2,3,4
Synthesis of (6-titramethylbenzene) (7) Rubber the substance (6) (1.4 g, 3.63-100 obtained in A) above and copper powder (0.70 g, 10.88 m-ol). Place in a three-bottle flask with a septum, and replace the system with 1 nitrogen.Add dimethyl sulfoxide (14 w/L par 77
Rheolohexyl Yoke ()' (4.9g, 10.88m
mof) was gradually added through the septum using a syringe. After stirring this solution at 110°C overnight, the reaction was stopped by adding saturated ammonium chloride aqueous solution (100-0). The target product was extracted with ether, and the ether layer was washed with water.
Dry with magnesium sulfate. After removing the desiccant, the solvent was distilled off, and the resulting residue was purified by silica sol chromatography (20 g of silica gel, hexane).

収11 8.47g(56%)  IR1確認確認済H
=、2950es+  −’、1200−1250cm
  −’  CF2)C)ツバ−フルオロフルキルピロ
メリット酸(8)の合成 ヒ記B)で得られた物質(7)(100mg、0.13
曽−〇〇と硝酸水(市販の硝酸:水=1:1)(1,0
111)をガラス製封管に封じ込み、160℃で終夜加
熱した。反応溶液を冷却後、不溶物を濾取し、冷水でよ
く水洗した。得られた結晶をデシケータ−中で乾燥した
Yield 11 8.47g (56%) IR1 confirmed H
=, 2950es+ -', 1200-1250cm
-' CF2) C) Synthesis of Tuba-fluorofurokylpyromellitic acid (8) Substance (7) obtained in B) (100 mg, 0.13
So-〇〇 and nitric acid water (commercially available nitric acid:water = 1:1) (1,0
111) was sealed in a glass sealed tube and heated at 160°C overnight. After cooling the reaction solution, insoluble matter was collected by filtration and thoroughly washed with cold water. The obtained crystals were dried in a desiccator.

収量 定量的 IR確認済 D)ツバ−フルオロアルキルピロメリット酸無水物(9
)の合成 ト、記C)で得られた物質(80300叶、0.336
 mmof)を無水酢酸(2ml)に懸濁し160℃で
加熱還流した。終夜反応させた後無水酢酸を減圧溜去し
、黄白色の固形物を得た。これにトルエン(10mNX
a回)を加え、残存無水酢酸を完全に溜去し、目的の酸
無水物を得た。
Yield Quantitative IR confirmed D) Tuba-fluoroalkylpyromellitic anhydride (9
), the substance obtained in C) (80300 leaves, 0.336
mmof) was suspended in acetic anhydride (2 ml) and heated to reflux at 160°C. After reacting overnight, acetic anhydride was distilled off under reduced pressure to obtain a yellowish white solid. To this, toluene (10mNX
a) was added, and residual acetic anhydride was completely distilled off to obtain the desired acid anhydride.

収量 定量的 288+1g この反応工程を以下に略本する。Yield Quantitative 288+1g This reaction process is briefly summarized below.

攪拌棒及び窒素がス吹込口を有する2つロフラスコにモ
ノパーフルオロヘキシルピロメリット酸無水物(600
+ur、1,05釦−01)と2,2−ビス(4−ノア
ミツフェニル)へキサフルオロプロパン(350mg、
  1 、 05−mof)をN−7チルビロリドン(
4mf)に溶解し、室温で終夜攪拌した。
Monoperfluorohexylpyromellitic anhydride (600%
+ur, 1,05 button-01) and 2,2-bis(4-noamituphenyl)hexafluoropropane (350 mg,
1,05-mof) to N-7 tilvirolidone (
4mf) and stirred at room temperature overnight.

このようにして、本発明の含フツ素ポリアミド酸系樹脂
の溶液を得た。この含フツ素ポリアミド酸系樹脂は淡黄
色であり、極限粘度は0.89g/dlであった。
In this way, a solution of the fluorine-containing polyamic acid resin of the present invention was obtained. This fluorine-containing polyamic acid resin was pale yellow in color and had an intrinsic viscosity of 0.89 g/dl.

実施例2 この含フツ素ポリアミド酸系樹脂をガラス板上に薄く広
げ、100℃で1時間加熱し、次いで200°Cで1時
間、更に300℃で1時間加熱しで含フツ素ポリイミド
フィルム(50μ−)を得た。
Example 2 This fluorine-containing polyamic acid resin was spread thinly on a glass plate, heated at 100°C for 1 hour, then heated at 200°C for 1 hour, and further heated at 300°C for 1 hour to form a fluorine-containing polyimide film ( 50 μ-) was obtained.

かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの吸湿率
(飽和吸湿率)及び誘電率を第3表に示す。
Table 3 shows the moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained.

実施例3〜19 実施例1で示した方法を用いて第1表及び第2表に示す
ような含フッ素ノアミンと含フツ素テトラカルボン酸二
無水物とを反応させ、各々相応する含7ノ素ポリアミド
酸P、FA脂を形成した。
Examples 3 to 19 Using the method shown in Example 1, fluorine-containing noamines and fluorine-containing tetracarboxylic dianhydrides as shown in Tables 1 and 2 were reacted, and the corresponding 7-containing dianhydrides were reacted. A base polyamic acid P and FA fat was formed.

得られた含フツ素ポリアミド酸系樹脂の極限粘度を各々
測定した。
The intrinsic viscosity of each of the obtained fluorine-containing polyamic acid resins was measured.

その結果を第1表及び第2表に示す。The results are shown in Tables 1 and 2.

実施例20〜36 得られた含フツ素ポリアミド酸基樹脂を実施例2と同様
の方法でイミド化した。
Examples 20 to 36 The obtained fluorine-containing polyamic acid group resins were imidized in the same manner as in Example 2.

得られたそれぞれの含フツ素ポリイミドフィルムの吸湿
率(飽和吸湿率)及び誘電率を測定した。
The moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) and dielectric constant of each of the obtained fluorine-containing polyimide films were measured.

その結果を第3表及V第4表に示す。The results are shown in Tables 3 and 4.

比較例1 攪拌棒、温度計及び窒素ガス吹込口を有する3つ目フラ
スコにB A P F (0、161mob)と6F−
DA(0,161mof)を入れ、これlこDMAc(
800a1)を加え溶解攪拌した。釣5時間反応させた
ところ、淡黄状の含77案ポリアミド酸溶液を得た。
Comparative Example 1 B A P F (0, 161 mob) and 6F-
Insert DA (0,161mof) and add this DMAc (
800a1) was added, dissolved and stirred. After 5 hours of reaction, a pale yellow polyamic acid solution containing Plan 77 was obtained.

この含7ノ素ポリアミド酸溶液をガラス板上に薄く広げ
、100℃で1時間加熱し、次いで200°Cで1時間
、更1こ300℃で1時間加熱して含77素ポリイミド
フィルム(約50μm)を得た。
This 7-containing polyamic acid solution was spread thinly on a glass plate and heated at 100°C for 1 hour, then at 200°C for 1 hour, and then at 300°C for 1 hour to form a 77-containing polyimide film (approx. 50 μm) was obtained.

又、これらの極限粘度を測定するとy=o、91g/d
lであった、 かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの@湿率
(飽和@湿率)及び誘電率を第4表に示す。
Also, when measuring the intrinsic viscosity of these, y=o, 91g/d
Table 4 shows the @humidity (saturated @humidity) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained.

比較例2 攪4IP装置、還流コンデンサ、温度計及び窒素ガス吹
込口を有する4つ口7ラスフに、PDA2゜OS、を入
れ、NMP85.で溶解した3次いで、20℃の水浴中
にフラスコに浸漬し、発熱を抑制しながら、DCBFP
I 2,95gを少しずつ添加した。DCBFPが溶解
した後、水浴をはずし、室温付近で杓5時間反応を続け
た6 又、これの極限粘度を測定するとy=0.7g/dir
あった。
Comparative Example 2 PDA 2°OS was placed in a 4-necked 7-glass tube equipped with a stirring 4IP device, a reflux condenser, a thermometer, and a nitrogen gas inlet, and NMP 85. DCBFP was dissolved in 3 then immersed in the flask in a 20 °C water bath while suppressing heat generation
2.95 g of I was added in portions. After DCBFP was dissolved, the water bath was removed and the reaction was continued for 5 hours at around room temperature.6 Also, when measuring the intrinsic viscosity of this, y = 0.7 g/dir.
there were.

このワニスをガラス板上に塗布し、窒素ス流中で、15
0℃で1時間、250℃テ0.5Mff1、更に400
℃で1時間硬化してポリイミドフィルムを得た。
This varnish was applied on a glass plate and heated for 15 minutes in a nitrogen stream.
1 hour at 0℃, 0.5Mff1 at 250℃, then 400℃
C. for 1 hour to obtain a polyimide film.

かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの吸湿率
(飽和吸湿率)及び誘電率を第4表に示す。
Table 4 shows the moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained.

比較例3 実施例1と同様に、下記の配合でポリアミド酸ワニスを
合成した。
Comparative Example 3 In the same manner as in Example 1, a polyamic acid varnish was synthesized with the following formulation.

ハ nF               E−40aD
CBFP       1 1. 60gNMP   
       85. 0g又、これの極限粘度を測定
するとy=0.8g/diであった。
C nF E-40aD
CBFP 1 1. 60gNMP
85. When the intrinsic viscosity of this was measured, it was found to be y=0.8 g/di.

次いで。窒素中150℃で1時間、350℃で0.5時
間の条件でポリイミドフィルムを作製した。
Next. A polyimide film was produced under conditions of 1 hour at 150°C and 0.5 hour at 350°C in nitrogen.

かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの@湿率
(飽和吸湿率)及び誘電率をwS4表に示す。
The moisture content (saturated moisture absorption rate) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained are shown in Table wS4.

比較例4 攪拌棒及び窒素〃ス吹込口を有する2つ口7ラスフに下
記構造式 で示されるモノトリプルオロメチルビロメリット酸無水
物(10mmo1)と2,2−ビス(トリフルオロメチ
ル)−4,4’−ノアミノビフェニル(10IIw00
をN−メチルピロリドン(30mN)に溶解し、室温P
鉢躍播拌したー このようにして得られた含フツ素ポリアミド酸基樹脂は
極限粘度が0.30g/d1であった。
Comparative Example 4 Monotriple olomethylbiromellitic anhydride (10 mmol) represented by the following structural formula and 2,2-bis(trifluoromethyl)-4 were placed in a two-port 7 rack having a stirring bar and a nitrogen gas inlet. ,4'-noaminobiphenyl (10IIw00
was dissolved in N-methylpyrrolidone (30 mN) and heated to room temperature P.
The fluorine-containing polyamic acid group resin thus obtained had an intrinsic viscosity of 0.30 g/d1.

この含7ツ膏ポリアミド酸基樹脂をガラス板上に薄く広
げ、100℃で1時間加熱し、次いで200℃で1時間
、更に300℃で1時間加熱してtフッ素ポリイミドフ
ィルム(50μII)を得た。
This 7-glue-containing polyamic acid group resin was spread thinly on a glass plate, heated at 100°C for 1 hour, then heated at 200°C for 1 hour, and further heated at 300°C for 1 hour to obtain a T-fluoropolyimide film (50 μII). Ta.

かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの吸湿率
(飽和吸湿率)及び誘電率を第5表に示す。
Table 5 shows the moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained.

比較例5 比較例4において、モ/トリフルオロメチルピロメリッ
ト酸無水物に代えて、下記構造式で示されるノドリフル
オロメチルピロメリット酸無水物を用いた以外は、比較
例4と同様にして含フツ素ポリイミドフィルム(50μ
m)を得た。
Comparative Example 5 Comparative Example 4 was carried out in the same manner as in Comparative Example 4, except that fluorofluoromethylpyromellitic anhydride represented by the following structural formula was used instead of mono/trifluoromethylpyromellitic anhydride. Fluorine-containing polyimide film (50μ
m) was obtained.

かくして得られた含フツ素ポリイミドフィルムの@湿率
(飽和@湿率)及び誘電率を第5衰に示す。
The @humidity rate (saturated @humidity rate) and dielectric constant of the fluorine-containing polyimide film thus obtained are shown in the fifth decay.

第3表及び第4表更に第5表において、誘電率は30°
C1膜ff50μm、面積的5c112のフィルムに上
り測定した、 第3表及び第4S更に第5表において、吸湿率(飽和吸
湿率)の測定法は、含フツ素ポリイミドフィルムを50
°Cの熱風乾燥機中で24時間乾燥させ、これを10e
曽X10cmの大きさに切断して秤量したのち、25°
C1相対湿度80%に湿度調整されたデシケータ−内に
24時間放置して秤量し、重量変化から求める方法を採
用した。
In Table 3, Table 4, and Table 5, the dielectric constant is 30°
In Tables 3 and 4S and Table 5, measurements were taken on a film with a C1 film ff 50 μm and an area of 5c112.
Dry for 24 hours in a hot air dryer at 10e
After cutting and weighing the size of 10cm x 25°
C1 A method was adopted in which the sample was left in a desiccator whose humidity was adjusted to 80% relative humidity and weighed for 24 hours, and the weight was calculated from the change in weight.

尚、参考の為50μ謬の厚みのポリエステルフィルム(
ポリエチレンテレフタレートフィルム)の飽和吸湿率に
ついてL記と同様にしで調べた結果は0.5%であった
、 第3表及び第4表更に15表に示す結果より、実施例の
ものは、比較例のものと比べて、いずれも@湿率が低く
、しかも誘電率がいずれも挿めて優れていることが認め
られる。
For reference, a polyester film with a thickness of 50 μm (
The saturated moisture absorption rate of the polyethylene terephthalate film (polyethylene terephthalate film) was investigated in the same way as in Section L, and the result was 0.5%. From the results shown in Tables 3 and 4, as well as Table 15, the Example's saturated moisture absorption rate was 0.5%. It is recognized that both have a lower humidity rate and a significantly higher dielectric constant than those of the above.

このように、各実施例のものは吸湿率(飽和吸湿率)が
椿めて低く、温度や湿度の変化によってさほど寸法変化
が無いだけでなく、電気・電子回路の電気的特性を低下
させないので信頼性が極めて高いのである。
In this way, the moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) of each example is extremely low, and not only does the size not change much due to changes in temperature and humidity, but it also does not deteriorate the electrical characteristics of electric/electronic circuits. It is extremely reliable.

又、各実施例のものは誘電率が極めて低く信号伝播の高
速化を実現しうるのである。
In addition, each of the embodiments has an extremely low dielectric constant and can realize high-speed signal propagation.

これに対し、各比較例のものは吸湿率(飽和吸湿率)が
極めて高く、温度や湿度の変化によってさほど寸法変化
が生じて電気・電子回路の電電的特性を低下させるので
ある。
On the other hand, the comparative examples have extremely high moisture absorption rates (saturated moisture absorption rates), and their dimensions change significantly due to changes in temperature and humidity, deteriorating the electrical and electrical characteristics of electrical and electronic circuits.

又、各実施例のものは誘電率が高く信号伝播の高速化を
実現することができないのである。
Further, each of the embodiments has a high dielectric constant and cannot achieve high speed signal propagation.

(g)発明の効果 本発明の含フツ素ポリアミド酸系樹脂は、主鎖の骨格中
に一般式(V) で示される構造重付を含み、これを硬化させた含フツ素
ポリイミドは一分子当たりの771L含有量が高く、こ
のため誘電率が極めて低く信号伝播の高速化を実現しう
るのであり、しかも吸湿率(飽和吸湿率)が挿めて低く
、温度や湿度の変化によってさほど寸法変化が無い結果
、電気・電子回路の電電的特性を低下させないので信頼
性が槓めで高いなどの効果を奏するのである。
(g) Effect of the invention The fluorine-containing polyamic acid resin of the present invention contains a structural weight represented by the general formula (V) in the backbone of the main chain, and the fluorine-containing polyimide obtained by curing it has one molecule. It has a high 771L content, and therefore has an extremely low dielectric constant and can achieve high-speed signal propagation.Moreover, its moisture absorption rate (saturated moisture absorption rate) is extremely low, and its dimensions do not change much due to changes in temperature and humidity. As a result, the electrical characteristics of the electric/electronic circuit are not degraded, resulting in extremely high reliability.

又、本発明の含フッ素ポリアミド酸P、樹脂は、主鎖の
骨格中に一般式(Vl) で示される構造単位を含み、これを硬化させた含フツ票
ポリイミドは一分子当たりの77素含有量が著しく高く
なり、このため誘電率が槓めて低く信号伝播の一層の高
速化を実現しうるのであり、l−かも吠ff1v(飽和
吸湿率)が挿めて低く、温度や湿度の変化によってさほ
ど寸法変化が無い結果、電気・電子回路の電電的特性を
低下させないので!−?tD*が一層高いなどの効果を
奏するのである。
Furthermore, the fluorine-containing polyamic acid P and resin of the present invention contain a structural unit represented by the general formula (Vl) in the backbone of the main chain, and the base-containing polyimide obtained by curing this unit contains 77 elements per molecule. As a result, the dielectric constant is much lower and signal propagation speeds up even more. As a result, there is no significant dimensional change, so the electrical characteristics of electrical and electronic circuits do not deteriorate! −? This produces effects such as an even higher tD*.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・( I ) (式中、R_1及びR_2は水素又はアルキル基であり
、互いに同じであっても異なっていてもよく、更にR_
3はフッ素原子を有し、且つベンゼン環を1〜4個有す
る2価の有機基である、またnは2〜10の数を示す。 ) で表される繰返し単位を含むことを特徴とする含フッ素
ポリアミド酸系樹脂。
(1) The following general formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・・・・(I) (In the formula, R_1 and R_2 are hydrogen or alkyl groups, and even if they are the same, they are different. You can also use R_
3 is a divalent organic group having a fluorine atom and 1 to 4 benzene rings, and n represents a number of 2 to 10. ) A fluorine-containing polyamic acid resin characterized by containing a repeating unit represented by:
(2)下記一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・(II) (式中、R_3はフッ素原子を有し、且つベンゼン環を
1〜4個有する2価の有機基である、またnは2〜10
の数を示す。) で表わされる繰返し単位を含むことを特徴とする含フッ
素ポリイミド系樹脂。
(2) General formula (II) below ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・・・・(II) (In the formula, R_3 is a divalent compound having a fluorine atom and 1 to 4 benzene rings. is an organic group, and n is 2 to 10
Indicates the number of ) A fluorine-containing polyimide resin characterized by containing a repeating unit represented by:
(3)下記一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・(III) (式中、R_1及びR_2は水素又はアルキル基であり
、互いに同じであっても異なっていてもよく、更にRは
フッ素原子を有し、且つベンゼン環を1〜4個有する2
価の有機基である。p及びqは2〜10の数を示し、互
いに同じであっても異なっていてもよい。)で表わされ
る繰返し単位を含むことを特徴とする含フッ素ポリアミ
ド酸系樹脂。
(3) General formula (III) below ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼・・・・・・(III) (In the formula, R_1 and R_2 are hydrogen or alkyl groups, and they may be the same or different. Furthermore, R has a fluorine atom and 2 having 1 to 4 benzene rings.
It is a valent organic group. p and q represent numbers from 2 to 10, and may be the same or different. ) A fluorine-containing polyamic acid resin characterized by containing a repeating unit represented by:
(4)下記一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・(IV) (式中、R_3はフッ素原子を有し、且つベンゼン環を
1〜4個有する2価の有機基である、またp及びqは2
〜10の数を示し、互いに同じであっても異なっていて
もよい。)で表わされる繰返し単位を含むことを特徴と
する含フッ素ポリイミド系樹脂。
(4) General formula (IV) below ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. are available ▼・・・・・・(IV) (In the formula, R_3 is a divalent compound having a fluorine atom and 1 to 4 benzene rings. is an organic group, and p and q are 2
-10, and may be the same or different from each other. ) A fluorine-containing polyimide resin characterized by containing a repeating unit represented by:
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007080801A1 (en) * 2006-01-11 2009-06-11 出光興産株式会社 Novel imide derivative, material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
WO2013143288A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-03 长春高琦聚酰亚胺材料有限公司 Preparation method of polyimide

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