JPH03219713A - Buffer amplifier - Google Patents

Buffer amplifier

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JPH03219713A
JPH03219713A JP1470890A JP1470890A JPH03219713A JP H03219713 A JPH03219713 A JP H03219713A JP 1470890 A JP1470890 A JP 1470890A JP 1470890 A JP1470890 A JP 1470890A JP H03219713 A JPH03219713 A JP H03219713A
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JP
Japan
Prior art keywords
fet
buffer amplifier
drain
constant
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1470890A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Komuro
芳幸 小室
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Akai Electric Co Ltd
Original Assignee
Akai Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Akai Electric Co Ltd filed Critical Akai Electric Co Ltd
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Publication of JPH03219713A publication Critical patent/JPH03219713A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance a constant current performance, to improve the characteris tic and to reduce number of components by making a drain current of a source follower constant through the use of a junction FET. CONSTITUTION:FETs Q1, Q2 form a source follower and junction FETs Q6, Q7 are a constant current load. A drain current ID1 of a FET Q1 in the buffer amplifier is kept constant by a resistor R9 connecting between the gate and source of a FET Q6 regardless of the gate-drain voltage of the FET Q6. Similar ly, the drain current of the FETQ2 is kept constant by a resistor R10.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、主としてオーディオ増幅器の分野において
インピーダンス変換のために用いられるバッフ7アンプ
に間し、特性を向上ならしめ、かつ部品点数を減少せし
め得るものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] This invention improves the characteristics and reduces the number of parts for a buffer amplifier used for impedance conversion mainly in the field of audio amplifiers. It's something you get.

〔従来の技術] 一般に、この種のバッフ7アンプとして、第4図に示す
ソース・フォロアー段の相補型バッフ7アンプが知られ
ている。第4図において、Ql、Q2はFET (電界
効果トランジスタ)であり、ソース・フォロアが形成さ
れ、かつ相補型に接続されている。R1,R2は抵抗で
あり、前記FETQ1、Q2のソースに夫々一端が接続
され、他端は互いに接続されてこの接続点が出力端子1
に接続されている。2は入力端子てあり、該入力端子は
前記FET  Ql、Q2のゲートに夫々接続されてい
る。Q3、Q4は定電流負荷となるトランジスタであり
、そのベースは電源電圧+Vcc、 −Vcc(その端
子を符号3.4て示す)を出力端子lとの間で分割する
分割抵抗R3とR4の接続点及び分割抵抗R5とR6の
接続点に夫々接続されている。
[Prior Art] Generally, as this type of buffer 7 amplifier, a source follower stage complementary buffer 7 amplifier shown in FIG. 4 is known. In FIG. 4, Ql and Q2 are FETs (field effect transistors) in which a source follower is formed and are connected in a complementary manner. R1 and R2 are resistors, one end of which is connected to the sources of the FETs Q1 and Q2, the other ends of which are connected to each other, and this connection point is the output terminal 1.
It is connected to the. 2 is an input terminal, and the input terminal is connected to the gates of the FETs Ql and Q2, respectively. Q3 and Q4 are transistors that serve as constant current loads, and their bases are connected to dividing resistors R3 and R4 that divide the power supply voltages +Vcc and -Vcc (their terminals are indicated by the symbol 3.4) to the output terminal l. and the connection point of dividing resistors R5 and R6, respectively.

前記トランジスタQ3、Q4のコレクタは夫々前記FE
T  Ql、Q2のドレインへ、またエミッタは抵抗R
7、R8を介して前記端子3.4に接続され−でいる。
The collectors of the transistors Q3 and Q4 are connected to the FE, respectively.
T Ql, to the drain of Q2, and the emitter is connected to the resistor R
7, connected to the terminal 3.4 via R8.

上記のように構成されたバッファアンプでは、FET 
 Ql、Q2の動作電流はトランジスタQ3、抵抗R3
、R4、R7と、トランジスタQ4、抵抗R5、R6、
R8によって決定される。
In the buffer amplifier configured as above, the FET
The operating currents of Ql and Q2 are transistor Q3 and resistor R3.
, R4, R7, transistor Q4, resistors R5, R6,
Determined by R8.

上記のバッファアンプにおいて、仮に入力端子2を接地
して前記したFET  Q+、Q2のゲート電流とトラ
ンジスタQ3、Q4のベース電流を零として直流的な動
作を考えると、この場合にはトランジスタQ3のヘース
電位V8が、 て与えられ、前記トランジスタQ3のエミッタ電位VE
は Vε:V[l+VllE と与えられる。このとき、Qlのドレイン電流1(1は
抵抗R7の両端電圧と抵抗R7の抵抗値によってに・り である。いま電源電圧がΔV変動したと仮定すると、F
ET  Q+のドレイン電流の変動分ΔIDはとなる。
In the above buffer amplifier, if we consider DC operation by grounding input terminal 2 and setting the gate currents of FETs Q+ and Q2 and the base currents of transistors Q3 and Q4 to zero, in this case, the The potential V8 is given as follows, and the emitter potential VE of the transistor Q3 is
is given as Vε:V[l+VllE. At this time, the drain current 1 of Ql (1 is determined by the voltage across the resistor R7 and the resistance value of the resistor R7. Now assuming that the power supply voltage fluctuates by ΔV, F
The variation ΔID of the drain current of ET Q+ is as follows.

[発明が解決しようとする課題] 上記したように、第4図について説明したバッファアン
プでは、電源電圧の変動がFET  Q。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the buffer amplifier described with reference to FIG.

のドレイン電流を変動させやすく、またトランジスタQ
3のVIEの変動も前記ドレイン電流を変動させる。
It is easy to fluctuate the drain current of transistor Q.
A variation in VIE of 3 also causes the drain current to vary.

このように、トランジスタQ3、Q4と抵抗R3、R4
、R5、R6,R?、R8を組合せた定電流回路を有す
る第4図のバッファアンプでは、定電流性が低いため、
前記FET  Q+、Q2の動作が安定せず、バッファ
アンプの特性に悪影響を及ぼしている。
In this way, transistors Q3 and Q4 and resistors R3 and R4
, R5, R6, R? , R8 in the buffer amplifier shown in FIG. 4 has a low constant current property.
The operation of the FETs Q+ and Q2 is unstable, which adversely affects the characteristics of the buffer amplifier.

この発明は上記した従来のバッファアンプの欠点を除去
するものであり、定電流性を高めて特性を向上ならしめ
、かつ部品点数を減少せしめ得るものである。
The present invention eliminates the drawbacks of the conventional buffer amplifier described above, improves constant current performance, improves characteristics, and reduces the number of parts.

[課題を解決するための手段] 上記の課題を解決するために、この発明は、ソース・フ
ォロアを含んだトランジスタ構成による相補型のバッフ
ァアンプにおいて、 前記ソース・フォロアのドレイン電流を、接合FETを
用いて定電流化したことを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the present invention provides a complementary buffer amplifier having a transistor configuration including a source follower, in which the drain current of the source follower is controlled by a junction FET. It is characterized by using a constant current.

[作用] 上記のように構成されたバッファアンプでは、前記ソー
ス・フォロアのドレイン電流を、接合FETを用いて定
電流化したので、定電流性を高めて特性を向上ならしめ
得る。
[Function] In the buffer amplifier configured as described above, the drain current of the source follower is made constant using a junction FET, so that the constant current property can be enhanced and the characteristics can be improved.

因に、接合FETはそのVGSを一定に侃ち、Vosを
大きくしていくと、ドレイン・ゲート間の逆バイアスの
ためチャネル幅が狭くなり、通過できる電流が制限され
、ドレイン電流1oはVDSの増加に無間係に一定の値
となる。
Incidentally, in a junction FET, when VGS is kept constant and Vos is increased, the channel width becomes narrower due to the reverse bias between the drain and gate, and the current that can pass through is limited, and the drain current 1o becomes equal to VDS. It remains constant regardless of the increase.

第5図は上記の接合FETを用いた定電流回路であり、
符号Q5はFETを、またRはそのソースに接続された
抵抗を示す。この第5図の定電流回路において、FET
  Q5のVGSはVcs=Io番 R て与えられ、Ioが一定であればVCSも一定となり、
また上述したようにIDはV[lSが変化しても一定と
なる。
Figure 5 shows a constant current circuit using the above junction FET,
The symbol Q5 indicates a FET, and R indicates a resistor connected to its source. In the constant current circuit shown in Fig. 5, the FET
VGS of Q5 is given by Vcs=Io number R, and if Io is constant, VCS is also constant,
Further, as described above, ID remains constant even if V[lS changes.

この発明は上記第5図の定電流回路をバッファアンプの
定電流回路として用いたものである。
This invention uses the constant current circuit shown in FIG. 5 as a constant current circuit for a buffer amplifier.

[実施例] 以下に、この発明の第1の実施例を第1図について説明
する。第1図はソース・フォロアー段の相補型バッファ
アンプを示すものであり、この第1図において、前記従
来例を説明した第4図と同一符号は同効のものを示す。
[Example] A first example of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows a complementary buffer amplifier in a source follower stage, and in FIG. 1, the same reference numerals as in FIG. 4, which describes the conventional example, indicate the same components.

符号Ql、Q2は前記したFETであり、ソース・フォ
ロアを形成している。Qe、Qlは定電流負荷となる接
合FETである。前記のFET  Qaのソースは抵抗
R9を介してFET  Qlのドレインに接続され、ま
たFET  QsのゲートはFET  Qtのドレイン
に接続されている。FET  Qeのドレインは前記し
た端子3に接続されている。一方、FETQ7のドレイ
ンは抵抗RIGを介して前記端子4に接続され、FET
  Qvのゲートは前記端子4に接続されている。また
、FET  QvのソースはFET  Q2のドレイン
に接続されている。
Symbols Ql and Q2 are the aforementioned FETs, which form a source follower. Qe and Ql are junction FETs serving as constant current loads. The source of the FET Qa is connected to the drain of the FET Ql via a resistor R9, and the gate of the FET Qs is connected to the drain of the FET Qt. The drain of FET Qe is connected to the terminal 3 described above. On the other hand, the drain of FETQ7 is connected to the terminal 4 via a resistor RIG, and the drain of FETQ7 is
The gate of Qv is connected to the terminal 4. Further, the source of FET Qv is connected to the drain of FET Q2.

上記第1図のように構成されたバッフ7アンプでは、F
ET  Q+のドレイン電流Io+は前記FET  Q
sのゲート・ドレイン間電圧V GD3にかかわらずF
ET  Qeのゲート・ソース間に接続されている前記
の抵抗R9により一定に保たれ、その値は て与えられる。同様にして、FET  Q2のドレイン
電流I02は前記抵抗R1[lにより一定に保たれる。
In the buffer 7 amplifier configured as shown in Figure 1 above, F
The drain current Io+ of ET Q+ is
F regardless of the gate-drain voltage V GD3 of s
It is kept constant by the resistor R9 connected between the gate and source of ET Qe, and its value is given by: Similarly, the drain current I02 of FET Q2 is kept constant by the resistor R1[l.

上記のFET  Q+、Qa、Qlとして同じFETを
用い、FET  Q2として前記FET  Q+等とは
コンプリメンタリ・ペアを組むFETを用いれば、抵抗
R1、R2、R9、RIGを同じ抵抗値とすることがで
きる。
If the same FETs are used as the above FETs Q+, Qa, and Ql, and a FET that forms a complementary pair with the above FET Q+ etc. is used as FET Q2, the resistances R1, R2, R9, and RIG can be made to have the same resistance value. .

第2図は第2の実施例を示すものであり、前記第1図と
同一符号のものは同効のものを示す。第2図のバッファ
アンプが第1図のものと異なる点は、定電流回路を構成
するNチャネルのFETQ7に代え、PチャネルのFE
T  Qsを用い、かつFET  Qvのドレインと端
子40間に接続されていた抵抗RIGに代え、FET 
 QeのソースとFET  Q2のドレイン間に接続さ
れた抵抗R11を用いた点である。尚、FET  Qa
のゲートはFET  Q2のドレインに接続されている
FIG. 2 shows a second embodiment, and the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same effects. The difference between the buffer amplifier in Fig. 2 and the one in Fig. 1 is that instead of the N-channel FET Q7 that constitutes the constant current circuit, a P-channel FE
TQs, and instead of the resistor RIG connected between the drain of FET Qv and terminal 40, a FET
The point is that a resistor R11 is used, which is connected between the source of Qe and the drain of FET Q2. Furthermore, FET Qa
The gate of is connected to the drain of FET Q2.

上記第2図のバッファアンプのように構成してもFET
  Q+、Q2のドレイン電流Io1、ID2を一定に
保つことができる。また、第2図のように構成すること
により、上下対称にできる利点をも有する。
Even if configured like the buffer amplifier in Figure 2 above, the FET
The drain currents Io1 and ID2 of Q+ and Q2 can be kept constant. Further, by configuring it as shown in FIG. 2, there is an advantage that it can be vertically symmetrical.

第3図は第3の実施例を示すものであり、前記第1図の
バッファアンプと同一符号は同効のものを示す。第3図
のバッファアンプはFET  Ql、Q2により形成さ
れたソース・フォロアとトランジスタQ9、Q+oによ
り形成されたエミッタ・フォロアの2段構成からなるも
のであり、トランジスタQ9のエミッタからFET  
Q+へ、トランジスタQ+oエミッタからFET  Q
2へ夫々ブートストラップしている。FET  Qe、
Qlは前記したような定電流負荷であり、またDI、D
2は前記トランジスタQ9、Q+oにバイアスをかける
ための電圧シフト用の発光ダイオードである。
FIG. 3 shows a third embodiment, and the same reference numerals as the buffer amplifiers in FIG. 1 indicate the same effects. The buffer amplifier in Fig. 3 has a two-stage configuration: a source follower formed by FETs Ql and Q2, and an emitter follower formed by transistors Q9 and Q+o.
to Q+, transistor Q+o emitter to FET Q
Bootstrap to 2. FET Qe,
Ql is a constant current load as described above, and DI, D
2 is a light emitting diode for voltage shifting to bias the transistors Q9 and Q+o.

上記第3図のように構成されたバッファアンプでもFE
T  Q+、Q2のドレイン電流ICII、ID2を一
定に保つことができる。
Even with a buffer amplifier configured as shown in Figure 3 above, the FE
The drain currents ICII and ID2 of TQ+ and Q2 can be kept constant.

[発明の効果] この発明は上記したようであり、バッファアンプの動作
電流を電源電圧、その他の要因によって変動しにくい安
定なものにすることができ、従って電源電圧変動除去比
、歪率、S/N比などの特性が優れ、また部品点数の少
ないバッファアンプを得ることができる。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention can make the operating current of the buffer amplifier stable and less likely to fluctuate due to the power supply voltage and other factors, thereby improving the power supply voltage fluctuation rejection ratio, distortion rate, and S A buffer amplifier with excellent characteristics such as /N ratio and a small number of parts can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1の実施例を示すバッファアンプ
の回路図、第2図は第2の実施例を示すバッファアンプ
の回路図、第3図は第3の実施例を示すバッファアンプ
の回路図、第4図は従来のバッファアンプの回路図、第
5図はこの発明を説明するための定電流回路の回路図で
ある。 Ql、 Q2、 Qa、 Ql、 Qs:FET、Q(
1、Q+a:トランジスタ、1:出力端子、2:入力端
子。
Fig. 1 is a circuit diagram of a buffer amplifier showing a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a buffer amplifier showing a second embodiment, and Fig. 3 is a circuit diagram of a buffer amplifier showing a third embodiment. 4 is a circuit diagram of a conventional buffer amplifier, and FIG. 5 is a circuit diagram of a constant current circuit for explaining the present invention. Ql, Q2, Qa, Ql, Qs: FET, Q(
1, Q+a: transistor, 1: output terminal, 2: input terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ソース・フォロアを含んだトランジスタ構成による相補
型のバッファアンプにおいて、 前記ソース・フォロアのドレイン電流を、接合FETを
用いて定電流化したことを特徴とするバッファアンプ。
Claims: A complementary buffer amplifier having a transistor configuration including a source follower, characterized in that the drain current of the source follower is made constant using a junction FET.
JP1470890A 1990-01-24 1990-01-24 Buffer amplifier Pending JPH03219713A (en)

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JP1470890A JPH03219713A (en) 1990-01-24 1990-01-24 Buffer amplifier

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JP1470890A JPH03219713A (en) 1990-01-24 1990-01-24 Buffer amplifier

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008082059A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Ok-Sang Jin Amplifier with damping resistor in constant current load

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JPS57180214A (en) * 1981-04-13 1982-11-06 Tektronix Inc Buffer amplifier
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