JPH03212936A - 半導体部品用洗浄組成物 - Google Patents
半導体部品用洗浄組成物Info
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- JPH03212936A JPH03212936A JP710490A JP710490A JPH03212936A JP H03212936 A JPH03212936 A JP H03212936A JP 710490 A JP710490 A JP 710490A JP 710490 A JP710490 A JP 710490A JP H03212936 A JPH03212936 A JP H03212936A
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Landscapes
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- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は半導体ウェハ、チップ等の半導体部品用洗浄
組成物に関する。
組成物に関する。
〈従来の技術及びその課題〉
近年、半導体集積度は著しく向上しており、これに伴い
半導体部品の清浄度もますます高いものになってきてい
る。特に、半導体ウェハの表面洗浄に対する要求は一段
と厳しいものとなっている。
半導体部品の清浄度もますます高いものになってきてい
る。特に、半導体ウェハの表面洗浄に対する要求は一段
と厳しいものとなっている。
この半導体ウェハの表面の洗浄は、ウェハ表面に付着し
た油脂（シリコンオイル、エポキシ樹脂等） ’ｆ：：
、アルコール 等の有機溶剤や酸・アルカリ等の洗浄組成物で洗浄した
後、超純水で仕上げ洗浄するのが一般的である（特開昭
６ ４−４ ３ ３ ８ ４号公報参照）。
た油脂（シリコンオイル、エポキシ樹脂等） ’ｆ：：
、アルコール 等の有機溶剤や酸・アルカリ等の洗浄組成物で洗浄した
後、超純水で仕上げ洗浄するのが一般的である（特開昭
６ ４−４ ３ ３ ８ ４号公報参照）。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながらこのような従来の技術にあっては、有機溶
剤や酸・アルカリ等の洗浄組成物を用いて半導体ウェハ
の表面を洗浄したため、安全衛生上或いは安全管理上好
ましくなかった。特に、フロンやトリクロルエタンは、
地球のオゾン層破壊の原因物質といわれ、大量使用が国
際協約等にて規制されつつあるため、これからは事実上
使用することができない。
剤や酸・アルカリ等の洗浄組成物を用いて半導体ウェハ
の表面を洗浄したため、安全衛生上或いは安全管理上好
ましくなかった。特に、フロンやトリクロルエタンは、
地球のオゾン層破壊の原因物質といわれ、大量使用が国
際協約等にて規制されつつあるため、これからは事実上
使用することができない。
この発明はこのような従来の技術に着目してなされたも
のであり、非毒性で環境に悪影響を及ぼさない半導体部
品用洗浄組成物を提供せんとするものである。
のであり、非毒性で環境に悪影響を及ぼさない半導体部
品用洗浄組成物を提供せんとするものである。
く課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、この発明に係る半導体部品
用洗浄組成物はテルペン化合物と、必要により４０ｗｔ
％以下の界面活性剤とを含む構成とした。
用洗浄組成物はテルペン化合物と、必要により４０ｗｔ
％以下の界面活性剤とを含む構成とした。
ここで、テルペン化合物としては、ピネンに限定される
ものではないが、α、β異性体の両者、γ−テルピネン
、δ−３−カレン、リモネンおよびジペンテン（光学活
性リモネンの異性体のラセミ混合物）を含み、中でもｄ
−リモネン、！−リモネン、ジペンテン等が好ましい。
ものではないが、α、β異性体の両者、γ−テルピネン
、δ−３−カレン、リモネンおよびジペンテン（光学活
性リモネンの異性体のラセミ混合物）を含み、中でもｄ
−リモネン、！−リモネン、ジペンテン等が好ましい。
これらテルペン化合物は、単独でも使用することができ
、半導体ウェハ表面の汚れ（油脂）と複合体を形成し、
除去後に、過剰テルペンでフラッシュすることにより、
または紙あるいは布に付着することにより除去される。
、半導体ウェハ表面の汚れ（油脂）と複合体を形成し、
除去後に、過剰テルペンでフラッシュすることにより、
または紙あるいは布に付着することにより除去される。
しかしながら、テルペン類はほぼ完全に非水溶性のため
に、水で直接フラッシュされない。あるいはまた好まし
くは、テルペン化合物は１種またはそれ以上のテルペン
乳化界面活性剤と結合している。かかる界面活性剤を添
加すると、水ですすぐことによりテルペン類は水中油滴
エマルジョンを形成するため、半導体ウェハからのテル
ペン類の除去を促進する。このテルペン化合物は、従来
使用されていた有機溶媒とは異なり、非毒性で環境に対
し生分解性を有する。リモネンは、快いレモン臭を有す
るレモン、オレンジ、カラウェー、イノンドおよびベル
ガモツトの油のような各種エーテル性油中の天然産品で
ある。
に、水で直接フラッシュされない。あるいはまた好まし
くは、テルペン化合物は１種またはそれ以上のテルペン
乳化界面活性剤と結合している。かかる界面活性剤を添
加すると、水ですすぐことによりテルペン類は水中油滴
エマルジョンを形成するため、半導体ウェハからのテル
ペン類の除去を促進する。このテルペン化合物は、従来
使用されていた有機溶媒とは異なり、非毒性で環境に対
し生分解性を有する。リモネンは、快いレモン臭を有す
るレモン、オレンジ、カラウェー、イノンドおよびベル
ガモツトの油のような各種エーテル性油中の天然産品で
ある。
界面活性剤としては、非イオン系、アニオン系、カチオ
ン系、両性のいずれでも良い。特に、直鎖アルキルベン
センスルホネート類に限定されず、直鎖または枝分れ鎖
アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェー
ト類、ポリソルベートエステル類、エトキシレート化ア
ルキルフェノール類およびアルキルおよびジアルキルス
クシネート化合物等の、テルペン類を乳化可能なものも
使用できる。化合物の後者の１例として、ナトリウムジ
オクチルスルホスクシネートがある。エトキシレート化
アルキルフェノール類は、各種アルキル側鎖および多数
のリンクされたエチレンオキシド単位を含む。この類の
有効な化合物は、約５〜２０、好ましくは７または８の
エチレンオキシド基を含む。更に、この洗浄組成物は加
温する必要がなく、常温（１５〜２５°Ｃ）で使用する
ことができる。
ン系、両性のいずれでも良い。特に、直鎖アルキルベン
センスルホネート類に限定されず、直鎖または枝分れ鎖
アルコールエトキシレート類およびエトキシスルフェー
ト類、ポリソルベートエステル類、エトキシレート化ア
ルキルフェノール類およびアルキルおよびジアルキルス
クシネート化合物等の、テルペン類を乳化可能なものも
使用できる。化合物の後者の１例として、ナトリウムジ
オクチルスルホスクシネートがある。エトキシレート化
アルキルフェノール類は、各種アルキル側鎖および多数
のリンクされたエチレンオキシド単位を含む。この類の
有効な化合物は、約５〜２０、好ましくは７または８の
エチレンオキシド基を含む。更に、この洗浄組成物は加
温する必要がなく、常温（１５〜２５°Ｃ）で使用する
ことができる。
〈実 施 例〉
以下の組成Ａ−Ｆの如き洗浄組成物を作り、半導体ウェ
ハの表面の洗浄実験を行った。まず上記組成の洗浄組成
物を浸漬タンク内に溜め、その洗浄タンク内に直径４イ
ンチのシリコンウエノｈを浸漬した。そして、浸漬タン
ク内に３．５．７分間静置状態で浸漬した後、取出して
超純水で洗浄し、乾燥させた。結果は以下に示す通り良
好であった。
ハの表面の洗浄実験を行った。まず上記組成の洗浄組成
物を浸漬タンク内に溜め、その洗浄タンク内に直径４イ
ンチのシリコンウエノｈを浸漬した。そして、浸漬タン
ク内に３．５．７分間静置状態で浸漬した後、取出して
超純水で洗浄し、乾燥させた。結果は以下に示す通り良
好であった。
組成Ａ
（非イオン系＋陰イオン系）
組成り
（非イオン系）
組成Ｃ
（非イオン系十両性）
組成り
（非イオン系十両性）
組成Ｅ
（非イオン系）
組成Ｆ
（非イオン系十陰イオン系）
半導体４インチウェハー洗浄
〈発明の効果〉
この発明に係る半導体部品用洗浄組成物は、以上説明し
てきた如き内容のものであって、半導体部品に対して高
い洗浄効果を示すものでありながら、非毒性で環境に対
し生分解性を有するので、安全衛生上或いは安全管理上
好適である。
てきた如き内容のものであって、半導体部品に対して高
い洗浄効果を示すものでありながら、非毒性で環境に対
し生分解性を有するので、安全衛生上或いは安全管理上
好適である。
Claims (3)
- （１）テルペン化合物と、必要により４０ｗｔ％以下の
界面活性剤とを含む半導体部品用洗浄組成物。 - （２）テルペン化合物が、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン
、ジペンテンから成る群から選ばれる請求項１記載の半
導体部品用洗浄組成物。 - （３）界面活性剤が、直鎖アルキルベンゼンスルホネー
ト類、直鎖または枝分れ鎖アルコールエトキシレート類
およびエトキシスルフェート類、ポリソルベートエステ
ル類、アルキルおよびジアルキルスクシネート化合物類
、および約５〜２０のエチレンオキシド基を有するエト
キシレート化アルキルフェノール類から成る群から選ば
れるテルペン乳化界面活性剤である請求項１又は２記載
の半導体部品用洗浄組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710490A JPH03212936A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体部品用洗浄組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710490A JPH03212936A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体部品用洗浄組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212936A true JPH03212936A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11656782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP710490A Pending JPH03212936A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体部品用洗浄組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016011361A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物及び剥離方法 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP710490A patent/JPH03212936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016011361A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 東京応化工業株式会社 | 剥離用組成物及び剥離方法 |
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