JPH03211287A - 無電解めっき法 - Google Patents
無電解めっき法Info
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- JPH03211287A JPH03211287A JP410790A JP410790A JPH03211287A JP H03211287 A JPH03211287 A JP H03211287A JP 410790 A JP410790 A JP 410790A JP 410790 A JP410790 A JP 410790A JP H03211287 A JPH03211287 A JP H03211287A
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Links
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電子機器の部品に用いる溝や穴のあるセ
ラミック素体の表面に行う無電解めっき法に関するもの
である。
ラミック素体の表面に行う無電解めっき法に関するもの
である。
従来の技術
以下に従来の無電解めっき法について説明する。
第３図に示すように溝や穴のあるセラミック素体１を常
圧下においてまず前処理溶液である第３図ｆａ）の感受
性化溶液２のめっき槽５及び第３図＋ｂｌの活性化溶液
３のめっき槽６に浸漬させ次いで常圧下において第３図
ＴＣＩのめつき液４のめっき槽７に浸漬させて、電極と
なるめっき膜をセラミック素体１の表面に形成させる方
法である。なお、特開昭５６−３６６４号公報に記載さ
れているように、セラミック素体をめっき槽に浸漬させ
る直前に真空脱気し、次に減圧条件下に保たれためっき
槽中に浸漬させて無電解めっきを行う方法もある。
圧下においてまず前処理溶液である第３図ｆａ）の感受
性化溶液２のめっき槽５及び第３図＋ｂｌの活性化溶液
３のめっき槽６に浸漬させ次いで常圧下において第３図
ＴＣＩのめつき液４のめっき槽７に浸漬させて、電極と
なるめっき膜をセラミック素体１の表面に形成させる方
法である。なお、特開昭５６−３６６４号公報に記載さ
れているように、セラミック素体をめっき槽に浸漬させ
る直前に真空脱気し、次に減圧条件下に保たれためっき
槽中に浸漬させて無電解めっきを行う方法もある。
第４図は従来のめっき法を用いてめっき膜１ａを形成し
たセラミック素体１の断面図で、めっき切れ１ｂが生じ
た状態を示すものである。
たセラミック素体１の断面図で、めっき切れ１ｂが生じ
た状態を示すものである。
第５図ａ、ｂは、溝１０や穴１１のあるセラミック素体
１の一例を示すものである。
１の一例を示すものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の無電解めっき法では、溝や穴のあ
るセラミック素体１を前処理溶液及びめっき液に浸漬さ
せる際に溝や穴の奥部に気泡が残留していて前処理溶液
及びめっき液が溝や穴の奥部にまで浸透しに＜＜、溝や
穴のあるセラミック素体１の表面全体に均一なめっき膜
を形成するのが困難であるという問題点を有していた。
るセラミック素体１を前処理溶液及びめっき液に浸漬さ
せる際に溝や穴の奥部に気泡が残留していて前処理溶液
及びめっき液が溝や穴の奥部にまで浸透しに＜＜、溝や
穴のあるセラミック素体１の表面全体に均一なめっき膜
を形成するのが困難であるという問題点を有していた。
またセラミック素体１を減圧条件下に保たれためっき槽
７中に浸漬させることにより、めっき液を溝や穴の奥部
に浸透させたとしても、その溝や穴の奥部に前処理溶液
が浸透していなければ、その部分はめっきされないとい
う問題点を有していた。
７中に浸漬させることにより、めっき液を溝や穴の奥部
に浸透させたとしても、その溝や穴の奥部に前処理溶液
が浸透していなければ、その部分はめっきされないとい
う問題点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので溝や穴のあ
るセラミック素体の表面に途切れのない均一なめっき膜
を形成する無電解めっき法を提供することを目的とする
。
るセラミック素体の表面に途切れのない均一なめっき膜
を形成する無電解めっき法を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の無電解めっき法は、
溝や穴のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬し
た後、減圧条件下に保たれた前処理溶液に浸漬して、無
電解めっきする方法としたものである。
溝や穴のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬し
た後、減圧条件下に保たれた前処理溶液に浸漬して、無
電解めっきする方法としたものである。
作用
溝や穴のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬さ
せることにより、セラミック素体の表面の親水性が向上
し前処理溶液とのぬれ性が良好となる。次いで、減圧条
件下に保たれた前処理溶液に浸漬することにより、浸漬
時に生じるセラミック素体の溝や穴の奥部の気泡が速や
かに外部へ抜き出される。これにより、溝や穴のあるセ
ラミック素体の表面全体に前処理溶液中のイオンの吸着
と酸化還元反応が進みセラミック素体表面の細部に至る
まで均一に感受性化と活性化を行うことができる。次い
で、この溝や穴のあるセラミック素体をめっき液に浸漬
することにより化学反応が起こり、均一に触媒化された
セラミック素体表面に途切れのないめっき膜を形成する
こととなる。
せることにより、セラミック素体の表面の親水性が向上
し前処理溶液とのぬれ性が良好となる。次いで、減圧条
件下に保たれた前処理溶液に浸漬することにより、浸漬
時に生じるセラミック素体の溝や穴の奥部の気泡が速や
かに外部へ抜き出される。これにより、溝や穴のあるセ
ラミック素体の表面全体に前処理溶液中のイオンの吸着
と酸化還元反応が進みセラミック素体表面の細部に至る
まで均一に感受性化と活性化を行うことができる。次い
で、この溝や穴のあるセラミック素体をめっき液に浸漬
することにより化学反応が起こり、均一に触媒化された
セラミック素体表面に途切れのないめっき膜を形成する
こととなる。
実施例
以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図に示すように洗浄槽８にはエチルアルコールなど
のアルコール溶液９が、めつき槽５には前処理溶液であ
る塩化第一すずの塩酸溶液などの感受性化溶液２が、め
つき槽６には同じく前処理溶液である塩化パラジウムの
塩酸溶液などの活性化溶液３が、まためっき槽７にはニ
ッケル無電解めっき液４が入っている。めっき槽５及び
６は密閉空間を形成する容器１０内に設置されており、
この容器１０は真空ポンプ１１と連結されていて、密閉
空間内部にある前処理溶液は減圧条件下に保たれている
。
のアルコール溶液９が、めつき槽５には前処理溶液であ
る塩化第一すずの塩酸溶液などの感受性化溶液２が、め
つき槽６には同じく前処理溶液である塩化パラジウムの
塩酸溶液などの活性化溶液３が、まためっき槽７にはニ
ッケル無電解めっき液４が入っている。めっき槽５及び
６は密閉空間を形成する容器１０内に設置されており、
この容器１０は真空ポンプ１１と連結されていて、密閉
空間内部にある前処理溶液は減圧条件下に保たれている
。
十分に水洗した溝や穴のあるセラミック素体１をアルコ
ール溶液９の洗浄槽８に浸漬すると、セラミック素体１
の溝や穴の奥部に至るまで均一にアルコールで表面が覆
われ親水性を増す。次いで減圧条件下に保たれためっき
槽５に浸漬すると、セラミック素体１の溝や穴の奥部に
生じる気泡は速やかに抜き出され、セラミック素体１の
表面は第一すずイオンが均等に吸着し感受性化する。次
いでこのセラミック素体１を水洗してからめっき槽６に
浸漬させるとこの活性化工程も減圧条件下に保たれてい
るので、セラミック素体１の溝や穴の奥部に生じる気泡
は直ちに抜き出され、セラミック素体１の表面に均一な
パラジウムが析出する。次いでこのセラミック素体１を
水洗してからめっき槽７に浸漬すると、前処理工程によ
り、感受性化し活性化したセラミック素体１の表面は化
学的還元されニッケルが析出する。
ール溶液９の洗浄槽８に浸漬すると、セラミック素体１
の溝や穴の奥部に至るまで均一にアルコールで表面が覆
われ親水性を増す。次いで減圧条件下に保たれためっき
槽５に浸漬すると、セラミック素体１の溝や穴の奥部に
生じる気泡は速やかに抜き出され、セラミック素体１の
表面は第一すずイオンが均等に吸着し感受性化する。次
いでこのセラミック素体１を水洗してからめっき槽６に
浸漬させるとこの活性化工程も減圧条件下に保たれてい
るので、セラミック素体１の溝や穴の奥部に生じる気泡
は直ちに抜き出され、セラミック素体１の表面に均一な
パラジウムが析出する。次いでこのセラミック素体１を
水洗してからめっき槽７に浸漬すると、前処理工程によ
り、感受性化し活性化したセラミック素体１の表面は化
学的還元されニッケルが析出する。
このようにして形成したニッケル皮膜を評価するために
、セラミック素体１の断面を金属顕微鏡で観察したとこ
ろ、第２図に示すように途切れのない均一なニッケル皮
膜１ａがセラミック素体１の表面全体に形成されている
ことが分かる。めっきの対象物は溝幅Ｗが１００μｍで
溝の深さｄが５００μｍの溝のある長さｌが１国で厚さ
ｈが６００μｍの板状セラミック素体である。なお、実
施例では、アルコール溶液としてエチルアルコールを用
いたがメチルアルコールやその他のアルコールでもよい
。まためっき液としてニッケル無電解めっき液を用いた
が銅無電解めっき液でもよく、その他の金属イオンを含
む無電解めっき液でもよい。また、実施例では前処理工
程として、セラミック素体１を感受性化溶液２のめつき
槽５に浸漬し、次いで活性化溶液３のめつき槽６に浸漬
する２段階の工程を用いたが、感受性化溶液２と活性化
溶液３を混合した前処理溶液を用いてもよい。
、セラミック素体１の断面を金属顕微鏡で観察したとこ
ろ、第２図に示すように途切れのない均一なニッケル皮
膜１ａがセラミック素体１の表面全体に形成されている
ことが分かる。めっきの対象物は溝幅Ｗが１００μｍで
溝の深さｄが５００μｍの溝のある長さｌが１国で厚さ
ｈが６００μｍの板状セラミック素体である。なお、実
施例では、アルコール溶液としてエチルアルコールを用
いたがメチルアルコールやその他のアルコールでもよい
。まためっき液としてニッケル無電解めっき液を用いた
が銅無電解めっき液でもよく、その他の金属イオンを含
む無電解めっき液でもよい。また、実施例では前処理工
程として、セラミック素体１を感受性化溶液２のめつき
槽５に浸漬し、次いで活性化溶液３のめつき槽６に浸漬
する２段階の工程を用いたが、感受性化溶液２と活性化
溶液３を混合した前処理溶液を用いてもよい。
セラミック素体１の形状が実施例では片面にだけ溝のあ
る板状としたが、両面に溝があってもよくまた溝と同程
度の寸法の直径や深さの穴があるものでもよい。
る板状としたが、両面に溝があってもよくまた溝と同程
度の寸法の直径や深さの穴があるものでもよい。
発明の効果
以上の実施例の説明から明らかなように本発明は溝や穴
のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬した後、
減圧条件下に保たれた前処理溶液に浸漬することにより
。溝や穴のあるセラミック素体の表面に途切れのない均
一なめっき膜を形成することができる優れた無電解めっ
き法である。
のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬した後、
減圧条件下に保たれた前処理溶液に浸漬することにより
。溝や穴のあるセラミック素体の表面に途切れのない均
一なめっき膜を形成することができる優れた無電解めっ
き法である。
第１図は本発明の一実施例における無電解めっきの工程
を示す図、第２図は本発明の一実施例のセラミック素体
の断面図、第３図は従来の無電解めっきの工程を示す図
、第４図は従来の無電解めっき法のセラミック素体の断
面図、第５図ｆａｔは溝や穴をもつセラミック素体の一
例を示す平面図、同図（ｂｌは同断面図である。 １・・・・・・セラミック素体、１ａ・・・・・・めっ
き膜、２・・・・・・感受性化溶液、３・・・・・・活
性化溶液、４・・・・・・めっき液、９・・・・・・ア
ルコール溶液、１０・・・・・・容器、１１・・・・・
・真空ポンプ。
を示す図、第２図は本発明の一実施例のセラミック素体
の断面図、第３図は従来の無電解めっきの工程を示す図
、第４図は従来の無電解めっき法のセラミック素体の断
面図、第５図ｆａｔは溝や穴をもつセラミック素体の一
例を示す平面図、同図（ｂｌは同断面図である。 １・・・・・・セラミック素体、１ａ・・・・・・めっ
き膜、２・・・・・・感受性化溶液、３・・・・・・活
性化溶液、４・・・・・・めっき液、９・・・・・・ア
ルコール溶液、１０・・・・・・容器、１１・・・・・
・真空ポンプ。
Claims (1)
- 溝や穴のあるセラミック素体をアルコール溶液に浸漬
した後、減圧条件下に保たれた前処理溶液に浸漬させて
、前記セラミック素体表面にめっきを施す無電解めっき
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410790A JPH03211287A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 無電解めっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410790A JPH03211287A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 無電解めっき法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211287A true JPH03211287A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11575572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP410790A Pending JPH03211287A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 無電解めっき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544585B1 (en) | 1997-09-02 | 2003-04-08 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| JP2008075103A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質樹脂材料の形成方法 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP410790A patent/JPH03211287A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544585B1 (en) | 1997-09-02 | 2003-04-08 | Ebara Corporation | Method and apparatus for plating a substrate |
| JP2008075103A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多孔質樹脂材料の形成方法 |
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