JPH03193737A - 炭化水素類の脱水素方法 - Google Patents
炭化水素類の脱水素方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/32—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with formation of free hydrogen
- C07C5/321—Catalytic processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野)
本発明は、炭素−水素結合を有する化合物の新規な脱水
素方法に関するものである。
素方法に関するものである。
【従来の技術J
分子内に2重結合を持ち、反応性に富むオレフィン等の
不飽和有機化合物は各種化学反応の原料として有用であ
る。このような化合物を得るためには、対応する飽和炭
素化合物の炭素−水素結合を解裂させ、脱水素反応を行
い、脱水素化物と水素とを得る方法が原理的には可能で
ある。しかし、このような化合物の炭素−水素結合の活
性化は、その結合エネルギーの大きさから考えて、極め
て困難と予想される。このため従来は、飽和炭化水素類
からオレフィン類等の脱水素化物を直接得るには、もっ
ばら700〜900℃もの高温における熱分解によって
いた。但し、その際に得られる脱水素化物は炭素数の異
なる混合物としてしか得られず、所望の生成物を選択的
に得ることは困難である。一方、錯体触媒の研究にとも
なって、錯体触媒に他の活性化手段を組み合わせた方法
の反応面での有用性への期待が近年高まりつつある。特
に、光による活性化を取り入れた、いわゆる光触媒機能
についての研究が活発化しつつあり、遷移金属錯体触媒
と光照射とを組み合わせた炭素−水素結合の新しい活性
化方法に基づき、炭素−水素結合から直接的に水素を脱
離させてオレフィン類等の脱水素化物を得る方法が、既
に本発明者らの一部によって提案されている(特開昭6
4−52729号公報、特開平1−221225号公報
)。
不飽和有機化合物は各種化学反応の原料として有用であ
る。このような化合物を得るためには、対応する飽和炭
素化合物の炭素−水素結合を解裂させ、脱水素反応を行
い、脱水素化物と水素とを得る方法が原理的には可能で
ある。しかし、このような化合物の炭素−水素結合の活
性化は、その結合エネルギーの大きさから考えて、極め
て困難と予想される。このため従来は、飽和炭化水素類
からオレフィン類等の脱水素化物を直接得るには、もっ
ばら700〜900℃もの高温における熱分解によって
いた。但し、その際に得られる脱水素化物は炭素数の異
なる混合物としてしか得られず、所望の生成物を選択的
に得ることは困難である。一方、錯体触媒の研究にとも
なって、錯体触媒に他の活性化手段を組み合わせた方法
の反応面での有用性への期待が近年高まりつつある。特
に、光による活性化を取り入れた、いわゆる光触媒機能
についての研究が活発化しつつあり、遷移金属錯体触媒
と光照射とを組み合わせた炭素−水素結合の新しい活性
化方法に基づき、炭素−水素結合から直接的に水素を脱
離させてオレフィン類等の脱水素化物を得る方法が、既
に本発明者らの一部によって提案されている(特開昭6
4−52729号公報、特開平1−221225号公報
)。
この光触媒反応系での脱水素方法は、もっばら原料であ
る炭化水素類が溶媒としての役割も兼ねるような液相反
応の形態で実施されるが、その場合、原料を高変換率で
脱水素化物に変換することが困難であった。また、高融
点の原料を反応に供しようとする際には、適当な溶媒を
使用することが必要であるが、このような溶媒は錯体触
媒の存在下での光照射反応によって、それ自身が原料の
炭化水素と同様に脱水素反応を受け、多くの副生物を生
産し、目的とする炭化水素の脱水素反応を阻害するもの
が多い、このため、反応の効率を高め、この反応の広範
囲な原料への適用を可能とするための適切な溶媒の探索
が望まれていた。
る炭化水素類が溶媒としての役割も兼ねるような液相反
応の形態で実施されるが、その場合、原料を高変換率で
脱水素化物に変換することが困難であった。また、高融
点の原料を反応に供しようとする際には、適当な溶媒を
使用することが必要であるが、このような溶媒は錯体触
媒の存在下での光照射反応によって、それ自身が原料の
炭化水素と同様に脱水素反応を受け、多くの副生物を生
産し、目的とする炭化水素の脱水素反応を阻害するもの
が多い、このため、反応の効率を高め、この反応の広範
囲な原料への適用を可能とするための適切な溶媒の探索
が望まれていた。
本発明者らは、このような状況に鑑み鋭意研究を進めた
結果、上記錯体触媒による炭化水素類の光照射反応にお
いては、tert−ブチル基の存在が反応に大きな影響
を与え、炭素原子と結合したtert−ブチル基を有し
ない炭化水素化合物は、脱水素反応を受けやすいが、一
方、分子内に、1個又は2個のtert−ブチル基を有
する特定の有機化合物は、それ自身の脱水素反応性は低
く、しかも前記分子内に炭素原子と結合したtert−
ブチル基を有しない炭化水素類の脱水素反応を阻害する
ことの少ないばかりでなく、このような有機化合物を溶
媒として用いれば、炭化水素類の脱水素化反応の変換率
を大幅に向上しうることを見いだした。本発明は、かか
る知見に基づいてなされたもので、本発明の目的は、光
触媒反応系で炭化水素類を高変換率で脱水素化物に変換
する方法を提供することにある。
結果、上記錯体触媒による炭化水素類の光照射反応にお
いては、tert−ブチル基の存在が反応に大きな影響
を与え、炭素原子と結合したtert−ブチル基を有し
ない炭化水素化合物は、脱水素反応を受けやすいが、一
方、分子内に、1個又は2個のtert−ブチル基を有
する特定の有機化合物は、それ自身の脱水素反応性は低
く、しかも前記分子内に炭素原子と結合したtert−
ブチル基を有しない炭化水素類の脱水素反応を阻害する
ことの少ないばかりでなく、このような有機化合物を溶
媒として用いれば、炭化水素類の脱水素化反応の変換率
を大幅に向上しうることを見いだした。本発明は、かか
る知見に基づいてなされたもので、本発明の目的は、光
触媒反応系で炭化水素類を高変換率で脱水素化物に変換
する方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
本発明は。
ホスフィン、ホスホナイト、ホスフィナイトおよびホス
ファイトからなる群から選ばれる少なくとも1種の有機
リン化合物のロジウム錯体の存在下、または少なくとも
1種の該有機リン化合物とロジウム化合物との共存下に
、溶媒として、一般式 %式%) ) E式中tBは (CHI)ICを表わし、式(1)にお
けるmは1または21式(2)におけるmは0〜3の整
数、式(3)および(4)におけるmおよびnはO〜3
の整数、式(5)におけるpは2または3である。] で示される有機化合物の1種又は2種以上を用で示され
る有機化合物の1種又は2種以上を有しない1種または
2種以上の置換または未置換の炭化水素に光照射するこ
とを特徴とする炭化水素類の脱水素方法である。
ファイトからなる群から選ばれる少なくとも1種の有機
リン化合物のロジウム錯体の存在下、または少なくとも
1種の該有機リン化合物とロジウム化合物との共存下に
、溶媒として、一般式 %式%) ) E式中tBは (CHI)ICを表わし、式(1)にお
けるmは1または21式(2)におけるmは0〜3の整
数、式(3)および(4)におけるmおよびnはO〜3
の整数、式(5)におけるpは2または3である。] で示される有機化合物の1種又は2種以上を用で示され
る有機化合物の1種又は2種以上を有しない1種または
2種以上の置換または未置換の炭化水素に光照射するこ
とを特徴とする炭化水素類の脱水素方法である。
本発明の炭化水素類の脱水素方法は、ホスフィン、ホス
ホナイト、ホスフィナイトおよびホスファイトから成る
群から選ばれる少なくとも1種の有機リン化合物のロジ
ウム錯体の存在下に行われる。
ホナイト、ホスフィナイトおよびホスファイトから成る
群から選ばれる少なくとも1種の有機リン化合物のロジ
ウム錯体の存在下に行われる。
これらの有機リン化合物におけるリンは、すべて3価で
あり、具体的には、単座配位性の有機リン化合物(p
+で示す)として1例えば、トリメチルホスフィン、ト
リエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオク
チルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニル
メチルホスフィン、トリ (p−トリル)ホスフィン、
トリ (p−アニリル)ホスフィン等の鎖状ホスフィン
、ジメチル、メチルホスホナイト、ジメチル フェニル
ホスホナイト等のホスホナイト、メチル ジメチルホス
フィナイト、メチル ジフェニルホスフィナイト等のホ
スフィナイト、およびトリエチルホスファイト、トリフ
ェニルホスファイト、トリメチロールプロパンホスファ
イト等のホスファイトを挙げることができ、また、2座
間位性の有機リン化合物(plで示す)として、1.2
−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、1.3−ビス(
ジメチルホスフィノ)プロパン、1.4−ビス(ジメチ
ルホスフィノ)ブタン、1.2−ビス(ジフェニルホス
フィノ)エタン、1.4−ビス(ジフェニルホスフィノ
)ブタン、1,1°−ビス(ジメチルホスフィノ)フェ
ロセン、α、a−ビス(ジメチルホスフィノ)−〇−キ
シレン、1.2°−ビス(ジメチルホスフィノ)ベンゼ
ン等のビスホスフィン挙げられる。
あり、具体的には、単座配位性の有機リン化合物(p
+で示す)として1例えば、トリメチルホスフィン、ト
リエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオク
チルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニル
メチルホスフィン、トリ (p−トリル)ホスフィン、
トリ (p−アニリル)ホスフィン等の鎖状ホスフィン
、ジメチル、メチルホスホナイト、ジメチル フェニル
ホスホナイト等のホスホナイト、メチル ジメチルホス
フィナイト、メチル ジフェニルホスフィナイト等のホ
スフィナイト、およびトリエチルホスファイト、トリフ
ェニルホスファイト、トリメチロールプロパンホスファ
イト等のホスファイトを挙げることができ、また、2座
間位性の有機リン化合物(plで示す)として、1.2
−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、1.3−ビス(
ジメチルホスフィノ)プロパン、1.4−ビス(ジメチ
ルホスフィノ)ブタン、1.2−ビス(ジフェニルホス
フィノ)エタン、1.4−ビス(ジフェニルホスフィノ
)ブタン、1,1°−ビス(ジメチルホスフィノ)フェ
ロセン、α、a−ビス(ジメチルホスフィノ)−〇−キ
シレン、1.2°−ビス(ジメチルホスフィノ)ベンゼ
ン等のビスホスフィン挙げられる。
これら有橋リン化合物のロジウム錯体としては、種々の
構造のものを用いることができるが。
構造のものを用いることができるが。
1価のロジウム錯体が望ましい、具体的には、例えば、
RhX (P’ ) (PIは前記内容を示す、ま
た、Xは、水素、ハロゲン原子、水酸基。
RhX (P’ ) (PIは前記内容を示す、ま
た、Xは、水素、ハロゲン原子、水酸基。
シアノ基、アルコキシ基、カルボキシラド基およびチオ
シアナト基から成る群から選ばれる基を示す。以下同様
、)、RhX (Co)(P’ )i、RhX(Co)
(P’)、RhX(P’)。
シアナト基から成る群から選ばれる基を示す。以下同様
、)、RhX (Co)(P’ )i、RhX(Co)
(P’)、RhX(P’)。
(Rh (P’)4 ] y (Yは、PF、、B (
csH@ )4t BF4 、CIO,および前記Xが
ら成る群から選ばれる基を示す、以下同様、)、[Rh
(P’ ) (CNR)1 ] Y (CNRはイ
ア−トリルを、Rはアルキルまたはアリール基を示す。
csH@ )4t BF4 、CIO,および前記Xが
ら成る群から選ばれる基を示す、以下同様、)、[Rh
(P’ ) (CNR)1 ] Y (CNRはイ
ア−トリルを、Rはアルキルまたはアリール基を示す。
以下同様−)[Rh (P’)m(CNR)s ] Y
、RhX (Co)(P” )等を挙げることができる
。
、RhX (Co)(P” )等を挙げることができる
。
本発明の炭化水素類の脱水素方法においては、必ずしも
上記有機リン化合物のロジウム錯体を予め調整して使用
する必要はなく、上記有機リン化合物と適当なロジウム
化合物とを反応系に共存させ、系中においてロジウム錯
体を形成させる方法によっても、好ましく実施すること
ができる。
上記有機リン化合物のロジウム錯体を予め調整して使用
する必要はなく、上記有機リン化合物と適当なロジウム
化合物とを反応系に共存させ、系中においてロジウム錯
体を形成させる方法によっても、好ましく実施すること
ができる。
このような目的のために、好ましく用いられるロジウム
化合物としては、Rh (acac)(Go)x (
acacはアセチルアセトナト基を示す。)、[RhX
(Co)* ] *、[RhX(DE)] (D
Eはノルボルナジェン、15−シクロオクタジエンまた
は1.5−ヘキサジエンを示す。)、[RhX (EN
)i ] (ENはエチレンまたはシクロオクテン
を示す。)、RhX (Co)(P’ )w等が挙げら
れる。
化合物としては、Rh (acac)(Go)x (
acacはアセチルアセトナト基を示す。)、[RhX
(Co)* ] *、[RhX(DE)] (D
Eはノルボルナジェン、15−シクロオクタジエンまた
は1.5−ヘキサジエンを示す。)、[RhX (EN
)i ] (ENはエチレンまたはシクロオクテン
を示す。)、RhX (Co)(P’ )w等が挙げら
れる。
本発明の炭化水素類の脱水素方法において用いられる溶
媒は、一般式 %式% ) [式中tBは (CHmis Cを表わし、式(1)に
おけるmは1または2、式(2)におけるmは0〜3の
整数1式(3)および(4)におけるmおよびnは0〜
3の整数、式(5)におけるpは2または3である。] で示される分子内に1個または2個のtert−ブチル
基を有する有機化合物である。
媒は、一般式 %式% ) [式中tBは (CHmis Cを表わし、式(1)に
おけるmは1または2、式(2)におけるmは0〜3の
整数1式(3)および(4)におけるmおよびnは0〜
3の整数、式(5)におけるpは2または3である。] で示される分子内に1個または2個のtert−ブチル
基を有する有機化合物である。
具体的には、一般式(CH,) C−A(式中、Aは
、−CH,、−CHI GHIC(CHs ) −、C
Hw C(CH−)−CH,CHI C(CHI )1
、−CHI CHtCH,C(CH,1,等の脂肪族炭
化水素基、−CH,QC(cHs)m 、−CHffl
OCH諺C(CH,)、、−CHx CH* OC(
CHs ) s 。
、−CH,、−CHI GHIC(CHs ) −、C
Hw C(CH−)−CH,CHI C(CHI )1
、−CHI CHtCH,C(CH,1,等の脂肪族炭
化水素基、−CH,QC(cHs)m 、−CHffl
OCH諺C(CH,)、、−CHx CH* OC(
CHs ) s 。
CHI CHI 0CHt C(CHs)−、−CHI
CHx 0CHx CHt C(CHs )* 、−Q
C(CH* ) s 、OCH諺CH* C(CHs
) 1等のエーテル基、−COOC(CH−)s、−C
OOCH−C(CHs ) * −COOCHm
CHs C(CH,) R、−CHt co
oc (CHI ) 1、− CHz C0
0CHz C(CHs ) a 、−CHmC
OOCH* CHt C(CH−) s 、−
CHt CH−COOC(CH−) s 、
−CH* CHt C00CH,C(CH,)
l 、 −CH,c Ha co。
CHx 0CHx CHt C(CHs )* 、−Q
C(CH* ) s 、OCH諺CH* C(CHs
) 1等のエーテル基、−COOC(CH−)s、−C
OOCH−C(CHs ) * −COOCHm
CHs C(CH,) R、−CHt co
oc (CHI ) 1、− CHz C0
0CHz C(CHs ) a 、−CHmC
OOCH* CHt C(CH−) s 、−
CHt CH−COOC(CH−) s 、
−CH* CHt C00CH,C(CH,)
l 、 −CH,c Ha co。
CH2CHa C(CH−)s等のエステル基、Cm
84 C(CHs ) * 、 −Cm
Ha (C(CH、)、)、等のtert−ブチル置
換芳香族炭化水素基を示す、)で示される有機化合物で
あり、これらの化合物の1種又は2種以上を溶媒として
用いて行なわれる。これらの化合物は、分子中に存在す
るtert−ブチル基の構造およびかさ高さの作用によ
り、溶媒自身の脱水素反応性が低く、原料炭化水素類の
脱水素反応を阻害することが少ないものと推測されるた
めである。
84 C(CHs ) * 、 −Cm
Ha (C(CH、)、)、等のtert−ブチル置
換芳香族炭化水素基を示す、)で示される有機化合物で
あり、これらの化合物の1種又は2種以上を溶媒として
用いて行なわれる。これらの化合物は、分子中に存在す
るtert−ブチル基の構造およびかさ高さの作用によ
り、溶媒自身の脱水素反応性が低く、原料炭化水素類の
脱水素反応を阻害することが少ないものと推測されるた
めである。
上記の溶媒のうち、一般式tB −(CH*)−Hlで
示される分子内にtert−ブチル基を1つだけ有する
(1)のグループの化合物、例えばネオヘキサンでも、
本発明の脱水素方法の溶媒とじて使用することができる
が、このような化合物はそれ自体の脱水素反応も若干起
こるので、分子内にtert−ブチル基を2個以上有す
る(2)〜(5)のグループの化合物の方が本発明の目
的には好適であり、特にビネオペンチルの如き脂肪族炭
化水素、1,3.5−1リ−tert−ブチルベンゼン
の如きtert−ブチル置換芳香族炭化水素などが好ま
しい。
示される分子内にtert−ブチル基を1つだけ有する
(1)のグループの化合物、例えばネオヘキサンでも、
本発明の脱水素方法の溶媒とじて使用することができる
が、このような化合物はそれ自体の脱水素反応も若干起
こるので、分子内にtert−ブチル基を2個以上有す
る(2)〜(5)のグループの化合物の方が本発明の目
的には好適であり、特にビネオペンチルの如き脂肪族炭
化水素、1,3.5−1リ−tert−ブチルベンゼン
の如きtert−ブチル置換芳香族炭化水素などが好ま
しい。
これらの溶媒は、単独で用いても、2種以上を混合して
混合溶媒として用いてもよい、また、この溶媒の使用量
は、原料炭化水素類に対し等容量以上の範囲で適宜選定
すると良い。等容量以下では、高変換率の脱水素反応を
達成することが困難になる。
混合溶媒として用いてもよい、また、この溶媒の使用量
は、原料炭化水素類に対し等容量以上の範囲で適宜選定
すると良い。等容量以下では、高変換率の脱水素反応を
達成することが困難になる。
本発明方法により脱水素される原料化合物は。
溶媒として使用する化合物とは異なるもので、分子内に
炭素原子と結合したtert−ブチル基を有しない化合
物である。一般にtert−ブチル基を有する化合物は
本発明方法によっては脱水素を受けにくいが、イソブタ
ンのように、tert−ブチル基に水素が結合した化合
物は脱水素反応の原料化合物として利用しつる。そして
このような化合物は炭素−水素結合(シグマ結合)を少
なくとも1個有する炭化水素骨格を持ったものであり、
芳香族、脂肪族および複素環化合物を問わず使用できる
。また、これらの化合物は各種置換基を含むことができ
る。このような置換基の例としては、アルコキシ基、ア
リーロキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、シアン基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ
基、ビス(ヒドロカルビル)アミノカルボニル基、ハロ
ゲン原子等が挙げられる。
炭素原子と結合したtert−ブチル基を有しない化合
物である。一般にtert−ブチル基を有する化合物は
本発明方法によっては脱水素を受けにくいが、イソブタ
ンのように、tert−ブチル基に水素が結合した化合
物は脱水素反応の原料化合物として利用しつる。そして
このような化合物は炭素−水素結合(シグマ結合)を少
なくとも1個有する炭化水素骨格を持ったものであり、
芳香族、脂肪族および複素環化合物を問わず使用できる
。また、これらの化合物は各種置換基を含むことができ
る。このような置換基の例としては、アルコキシ基、ア
リーロキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、シアン基、ビス(ヒドロカルビル)アミノ
基、ビス(ヒドロカルビル)アミノカルボニル基、ハロ
ゲン原子等が挙げられる。
本発明に用いられる原料炭化水素類を例示すると、メタ
ン、エタン、プロパン、n−ブタン、イソブタン、n−
ペンタン、インペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン
、n−オクタン、2,3−ジメチルヘキサン、n−ノナ
ン、2.2−ジメチルへブタン、n−デカン、n−ウン
デカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタ
デカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、
ノナデカン、エイコサン、トリアコンタン、テトラコン
タン、ペンタコンタン、ヘキサコンタン等の脂肪族炭化
水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン
、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン、シ
クロテトラデカン、シクロペンタデカン、シクロヘキサ
デカン等の脂環族炭化水素、エチレン、プロピレン、ブ
テン、ヘキセン、デセン、シクロヘキセン、シクロオク
テン、ブタジェン、アセチレン等の不飽和炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン。
ン、エタン、プロパン、n−ブタン、イソブタン、n−
ペンタン、インペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン
、n−オクタン、2,3−ジメチルヘキサン、n−ノナ
ン、2.2−ジメチルへブタン、n−デカン、n−ウン
デカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタ
デカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、
ノナデカン、エイコサン、トリアコンタン、テトラコン
タン、ペンタコンタン、ヘキサコンタン等の脂肪族炭化
水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン
、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン、シ
クロテトラデカン、シクロペンタデカン、シクロヘキサ
デカン等の脂環族炭化水素、エチレン、プロピレン、ブ
テン、ヘキセン、デセン、シクロヘキセン、シクロオク
テン、ブタジェン、アセチレン等の不飽和炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン。
プロピルベンゼン、デシルベンゼン、o −m −また
はp−キシレン、o−、m−1またはp−プロピルベン
ゼン、α−またはβ−エチルナフタレン、α−またはβ
−へキシルナフタレン、2゜6−シメチルナフタレン、
テトラリン、スチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、1−
フルオロヘキサン、プロピオン酸メチル、酢酸エチル、
γ−ブチロラクトン、シクロペンタデカノリド、フェニ
ルエチルエーテル、l−オクタノール、9゜lO−ジヘ
キシルアントラセン、エチルフェニルエーテル、安息香
酸エチル、チオフェン、フラン等の置換炭化水素類が挙
げられるが、特に飽和脂肪族炭化水素または脂環族炭化
水素の脱水素反応に適している。
はp−キシレン、o−、m−1またはp−プロピルベン
ゼン、α−またはβ−エチルナフタレン、α−またはβ
−へキシルナフタレン、2゜6−シメチルナフタレン、
テトラリン、スチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、1−
フルオロヘキサン、プロピオン酸メチル、酢酸エチル、
γ−ブチロラクトン、シクロペンタデカノリド、フェニ
ルエチルエーテル、l−オクタノール、9゜lO−ジヘ
キシルアントラセン、エチルフェニルエーテル、安息香
酸エチル、チオフェン、フラン等の置換炭化水素類が挙
げられるが、特に飽和脂肪族炭化水素または脂環族炭化
水素の脱水素反応に適している。
本発明の脱水素方法は、分子内脱水素反応による不飽和
化合物の製造に利用しつる他、脱水素2量化等の分子間
脱水素法としても利用できる。
化合物の製造に利用しつる他、脱水素2量化等の分子間
脱水素法としても利用できる。
これら原料炭化水素類のロジウム錯体またはロジウム化
合物に対する使用量は、任意に選ぶことができる。また
、これら原料炭化水素類を逐次反応系に加えてい(こと
も有利な方法である。
合物に対する使用量は、任意に選ぶことができる。また
、これら原料炭化水素類を逐次反応系に加えてい(こと
も有利な方法である。
本発明における反応は、光照射下に進行するが、光の波
長領域は紫外・可視光領域であればよく、水銀灯、タン
グステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、太
陽光等の照射が好ましく用いられる。
長領域は紫外・可視光領域であればよく、水銀灯、タン
グステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、太
陽光等の照射が好ましく用いられる。
本発明における反応は、0℃以下でも進行するが、好ま
しい反応速度を達成するために、250℃までの任意の
温度に加熱することもできる。また、その際用いる溶媒
については、所望の反応温度において液体であって、原
料炭化水素類を溶解しつるものを選ぶことにより、好適
に実施される。
しい反応速度を達成するために、250℃までの任意の
温度に加熱することもできる。また、その際用いる溶媒
については、所望の反応温度において液体であって、原
料炭化水素類を溶解しつるものを選ぶことにより、好適
に実施される。
〔実施例]
次に、実施例および比較例により本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
生成物は、GC−MSによっても構造を確認した。
夫111工
窒素雰囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応
用セル(L= 10mm)に、クロロカルボニルビス(
トリメチルホスフィン)ロジウム1.6mgととネオペ
ンチル2.5rr+42をとり、これにシクロオクタン
0.050mj2を加えた。
用セル(L= 10mm)に、クロロカルボニルビス(
トリメチルホスフィン)ロジウム1.6mgととネオペ
ンチル2.5rr+42をとり、これにシクロオクタン
0.050mj2を加えた。
エチレングリコール浴によって100℃に加温し、50
0W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を3
時間攪拌した。液相成分をガスクロマトグラフィーで分
析した結果、生成物の収率は以下のとおりであった。
0W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を3
時間攪拌した。液相成分をガスクロマトグラフィーで分
析した結果、生成物の収率は以下のとおりであった。
鳳l」ム7cヒ虹2
鳳l」乙之o、t9
(%)
シクロオクテン
59 、5
1.3−シクロオクタジエン 26.9(%)
シクロオクテン
56 、9
1.3−シクロオクタジエン 9.6一方、ビ
ネオペンチルの脱水素化物は検出されなかった。
ネオペンチルの脱水素化物は検出されなかった。
夾」1生ス
実施例1において、ビネオペンチルを用いる代わりに、
1,3.5−)リーtert−ブチルベンゼンを用いる
こと以外同様にして反応を行った場合の生成物およびそ
の収率は以下のとおりであった・ 以下余白 一方、1,3.5−)す(tert−ブチル)ベンゼン
の脱水素化物は検出されなかった。
1,3.5−)リーtert−ブチルベンゼンを用いる
こと以外同様にして反応を行った場合の生成物およびそ
の収率は以下のとおりであった・ 以下余白 一方、1,3.5−)す(tert−ブチル)ベンゼン
の脱水素化物は検出されなかった。
支i旦ユ
窒素雰囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応
用セル(1=10mm)に、クロロカルボニルビス(ト
リメチルホスフィン)ロジウム1.6mgとネオヘキサ
ン2.5mlをとり、これにシクロオクタン0.050
mAを加えた。室温で、500W超高圧水銀灯を用いて
光照射しながら1反応液を3時間撹拌した、液相成分を
ガスクロマトグラフィーで分析した結果、生成物の収率
は以下のとおりであった。
用セル(1=10mm)に、クロロカルボニルビス(ト
リメチルホスフィン)ロジウム1.6mgとネオヘキサ
ン2.5mlをとり、これにシクロオクタン0.050
mAを加えた。室温で、500W超高圧水銀灯を用いて
光照射しながら1反応液を3時間撹拌した、液相成分を
ガスクロマトグラフィーで分析した結果、生成物の収率
は以下のとおりであった。
Uと之jし虹り
(%)
シクロオクテン
32 、8
1.3−シクロオクタジエン 1.2上記シク
ロオクテン収率は、Rh錯体に対するモル%に換算する
と2430%/Rhに相当する。一方、ネオヘキセンの
生成は37%/Rhであり、目的とするシクロオクテン
収量に比べ、無視しつる鳳であった。
ロオクテン収率は、Rh錯体に対するモル%に換算する
と2430%/Rhに相当する。一方、ネオヘキセンの
生成は37%/Rhであり、目的とするシクロオクテン
収量に比べ、無視しつる鳳であった。
11土A
窒素雰囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応
用セル(1= 10mm)に、クロロカルボニルビス(
トリメチルホスフィン)ロジウム0.4mgと1.3.
5−トリーtert−ブチルベンゼン2.5mI!、を
とり、これにn−デカン0.050m12を加えた。エ
チレングリコール浴によって 100℃に加温し、50
0W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を2
0時間撹拌した、液相成分をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、デセンがn−デカン当りの収率20.
3%で生成していた。
用セル(1= 10mm)に、クロロカルボニルビス(
トリメチルホスフィン)ロジウム0.4mgと1.3.
5−トリーtert−ブチルベンゼン2.5mI!、を
とり、これにn−デカン0.050m12を加えた。エ
チレングリコール浴によって 100℃に加温し、50
0W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を2
0時間撹拌した、液相成分をガスクロマトグラフィーで
分析したところ、デセンがn−デカン当りの収率20.
3%で生成していた。
一方、!、3.5−トリ=tert−ブチルベンゼンの
脱水素化物は検出されなかった。
脱水素化物は検出されなかった。
比」L久」1
実施例1において、ビネオベンチルを用いる代わりに、
メシチレンを用いること以外同様にして反応を行った場
合の生成物およびその収率は以下のとおりであっった。
メシチレンを用いること以外同様にして反応を行った場
合の生成物およびその収率は以下のとおりであっった。
(%)
シクロオクテン 3.91.3−
シクロオクタジエン 0.1比1凱]。
シクロオクタジエン 0.1比1凱]。
実施例1において、ビルオペンチルを用いる代わりに、
n−デカンを用いること以外同様にして反応を行なった
。シクロオクテンがシクロオクタン当り26.8%の収
率(1980%/Rh)で生成したが、n−デカンの脱
水素反応生成物であるtrans−2−デセンおよびc
is−2−デセンも、各々2170%/Rh、840%
/Rhで生成した。
n−デカンを用いること以外同様にして反応を行なった
。シクロオクテンがシクロオクタン当り26.8%の収
率(1980%/Rh)で生成したが、n−デカンの脱
水素反応生成物であるtrans−2−デセンおよびc
is−2−デセンも、各々2170%/Rh、840%
/Rhで生成した。
L扛上」
窒素雰囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応
用セル(1=IOmm)に、クロロカルボニルビス(ト
リメチルホスフィン)ロジウム1.6mgを無溶媒の状
態でとり、これにシクロオクタン2.5mffを加えた
。エチレングリコール液によって100℃に加温し、5
00W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を
3時間攪拌した、液相成分をガスクロマトグラフィーで
分析した結果、生成物の収率は以下のとおりであった。
用セル(1=IOmm)に、クロロカルボニルビス(ト
リメチルホスフィン)ロジウム1.6mgを無溶媒の状
態でとり、これにシクロオクタン2.5mffを加えた
。エチレングリコール液によって100℃に加温し、5
00W超高圧水銀灯を用いて光照射しながら、反応液を
3時間攪拌した、液相成分をガスクロマトグラフィーで
分析した結果、生成物の収率は以下のとおりであった。
星」L23−旦」12
(%)
シクロオクテン
5 、9
1.3−シクロオクタジエン 0.1以下窒素雰
囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応用セル
(1mI0mm)に、クロロカルボニルビス(トリメチ
ルホスフィン)ロジウム0.4mgをとり、これにn−
デカン2.5mI2を加えた。エチレングリコール浴に
よって100℃に加温し、500W超高圧水銀灯を用い
て光照射しながら、反応液を20時間攪拌した。
囲気に置換されたPyrex製外部照射型光反応用セル
(1mI0mm)に、クロロカルボニルビス(トリメチ
ルホスフィン)ロジウム0.4mgをとり、これにn−
デカン2.5mI2を加えた。エチレングリコール浴に
よって100℃に加温し、500W超高圧水銀灯を用い
て光照射しながら、反応液を20時間攪拌した。
液相成分をガスクロマトグラフィーで分析したところ、
デセンがn−デカン当りの収率3.2%で生成していた
。
デセンがn−デカン当りの収率3.2%で生成していた
。
〔発明の効果j
特定の溶媒を用いた本分・明の炭化水素類の脱水素方法
によれば、無溶媒または本発明以外の溶媒を用いた場合
に比べて、脱水素反応の収率は著しく改善され、また溶
媒の脱水素化反応による副生物の生成も少ないので、利
用価値の大きい脱水素化物を、入手容易な炭化水素類か
ら温和な条件において高変換率、高純度で得ることがで
き、また高融点の化合物にも応用できる等、適用範囲が
広いので、その工業的意義は多大である。
によれば、無溶媒または本発明以外の溶媒を用いた場合
に比べて、脱水素反応の収率は著しく改善され、また溶
媒の脱水素化反応による副生物の生成も少ないので、利
用価値の大きい脱水素化物を、入手容易な炭化水素類か
ら温和な条件において高変換率、高純度で得ることがで
き、また高融点の化合物にも応用できる等、適用範囲が
広いので、その工業的意義は多大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ホスフィン、ホスホナイト、ホスフィナイトおよび
ホスファイトからなる群から選ばれる少なくとも1種の
有機リン化合物のロジウム錯体の存在下、または少なく
とも1種の該有機リン化合物とロジウム化合物との共存
下に、溶媒として、一般式 (1)tB−(CH_2)_m−H、 (2)tB−(CH_2)_m−tB、 (3)tB−(CH_2)_m−O−(CH_2)_n
−tB、(4)tB−(CH_2)_m−COO−(C
H_2)_n−tB、または (5)C_6H_6_−_p−(tB)_p[式中tB
は(CH_3)_3Cを表わし、式(1)におけるmは
1または2、式(2)におけるmは0〜3の整数、式(
3)および(4)におけるmおよびnは0〜2の整数、
式(5)におけるpは2または3である。] で示される有機化合物の1種又は2種以上を用い、炭素
原子と結合したtert−ブチル基を有しない1種また
は2種以上の置換または未置換の炭化水素に光照射する
ことを特徴とする炭化水素類の脱水素方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1333048A JP2580507B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 炭化水素類の脱水素方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1333048A JP2580507B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 炭化水素類の脱水素方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03193737A true JPH03193737A (ja) | 1991-08-23 |
JP2580507B2 JP2580507B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=18261690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1333048A Expired - Lifetime JP2580507B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 炭化水素類の脱水素方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2580507B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333048A patent/JP2580507B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2580507B2 (ja) | 1997-02-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |