JPH03187280A - Ｂｉ―Ｔｅ系熱電変換薄膜及びその熱電変換素子 - Google Patents
Ｂｉ―Ｔｅ系熱電変換薄膜及びその熱電変換素子Info
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- JPH03187280A JPH03187280A JP1326044A JP32604489A JPH03187280A JP H03187280 A JPH03187280 A JP H03187280A JP 1326044 A JP1326044 A JP 1326044A JP 32604489 A JP32604489 A JP 32604489A JP H03187280 A JPH03187280 A JP H03187280A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明はＢｉ−Ｔｅ （ビスマス−テルル）系熱電
変換薄膜及びその熱雷変換素子に関し、特に電気産業分
野・エネルギー産業分野・航空宇宙分野において熱電発
電及び電子冷却・加熱用の熱電変換素子に用いられる旧
−Ｔｅ系熱電変換薄膜とそれを応用した熱雷変換素子に
関するものである。
変換薄膜及びその熱雷変換素子に関し、特に電気産業分
野・エネルギー産業分野・航空宇宙分野において熱電発
電及び電子冷却・加熱用の熱電変換素子に用いられる旧
−Ｔｅ系熱電変換薄膜とそれを応用した熱雷変換素子に
関するものである。
［従来の技術］
一般に熱雷変換デバイスに用いられる熱電変換材料には
、熱雷半導体と呼ばれるもののうちでもキャリヤの移動
度が大きく格子熱伝導率の小さいものが用いられている
。すなわち熱電半導体はベルチェ及びゼーベック効果が
大きく、ジュール熱と熱伝導による損失の小さい、つま
り性能指数２の大きいものが望ましく、デバイスの動作
温度に適した材料をえらんで使用するようになっている
。
、熱雷半導体と呼ばれるもののうちでもキャリヤの移動
度が大きく格子熱伝導率の小さいものが用いられている
。すなわち熱電半導体はベルチェ及びゼーベック効果が
大きく、ジュール熱と熱伝導による損失の小さい、つま
り性能指数２の大きいものが望ましく、デバイスの動作
温度に適した材料をえらんで使用するようになっている
。
比較的低い動作温度で性能指数の高い熱電半導体として
用いられているものとして、Ｂｉ−８ｂ−Ｔｅ−３゜系
を含むＢｉ−Ｔｅ系の熱電半導体がある。
用いられているものとして、Ｂｉ−８ｂ−Ｔｅ−３゜系
を含むＢｉ−Ｔｅ系の熱電半導体がある。
上述のような熱電変換に利用される旧−３ｂ−Ｔｅ−８
ｅ系半導体単結晶の熱電性能は、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｔ’ ｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ ｏｆ’ ５ｏ１１ｄｓ、 ４９［１０］
（１９８ｇ） （英） Ｐ、１２３７−１２４７の文
献に開示されているように、一般に異方的であることが
知られている。したがって、熱電変換素子を形成するの
に使われるバルク型半導体チップには単結晶又は疑似単
結晶そのものないしは集合組織を持つ多結晶体が使われ
るため、その熱電性能は、単結晶の熱電性能の異方性の
影響を反映して異方的になる。しかし通常、それを並べ
て熱電変換素子を構成する際には、使用する熱流の方向
に応じて最適なチップの方位を選ぶことができるので、
チップの方位を選んで素子を形成している。
ｅ系半導体単結晶の熱電性能は、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｔ’ ｔｈｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ ｏｆ’ ５ｏ１１ｄｓ、 ４９［１０］
（１９８ｇ） （英） Ｐ、１２３７−１２４７の文
献に開示されているように、一般に異方的であることが
知られている。したがって、熱電変換素子を形成するの
に使われるバルク型半導体チップには単結晶又は疑似単
結晶そのものないしは集合組織を持つ多結晶体が使われ
るため、その熱電性能は、単結晶の熱電性能の異方性の
影響を反映して異方的になる。しかし通常、それを並べ
て熱電変換素子を構成する際には、使用する熱流の方向
に応じて最適なチップの方位を選ぶことができるので、
チップの方位を選んで素子を形成している。
一方、素子を薄膜型半導体チップで構成することにより
素子全体の小型化と高集積化を図る場合、チップを構成
する多結晶体が、一般に、製膜中に集合組織を形成する
ため、熱流の方向を決める基板に対するその方位は製膜
時に固定されてしまい、従来のバルク型チップに対して
おこなわれていたような製膜後のチップ方位の最適化を
図ることができないので実用化が難しいのが現状である
。
素子全体の小型化と高集積化を図る場合、チップを構成
する多結晶体が、一般に、製膜中に集合組織を形成する
ため、熱流の方向を決める基板に対するその方位は製膜
時に固定されてしまい、従来のバルク型チップに対して
おこなわれていたような製膜後のチップ方位の最適化を
図ることができないので実用化が難しいのが現状である
。
［発明が解決しようとする課題］
上記のようにＢｉ−９ｂ−Ｔｅ−３ｅ系熱電変換素子を
薄膜チップで構成する場合には、膜の集合組織（優先配
向）のためにチップの熱電性能は異方的になるが、熱流
の方向を決める基板に対するその方位は製膜時に決定さ
れてしまうため、従来のバルク型半導体チップの場合の
ように製膜後に熱流の方向に対してその方位の最適化を
図ることができないという問題がある。
薄膜チップで構成する場合には、膜の集合組織（優先配
向）のためにチップの熱電性能は異方的になるが、熱流
の方向を決める基板に対するその方位は製膜時に決定さ
れてしまうため、従来のバルク型半導体チップの場合の
ように製膜後に熱流の方向に対してその方位の最適化を
図ることができないという問題がある。
本発明はこの問題点を解決するためになされたもので、
製膜時に熱流の方向に対する薄膜の熱電性能の最適化を
行ったＢｉ−Ｔｅ系熱電変換薄膜とその熱電変換素子を
提供することを目的とするものである。
製膜時に熱流の方向に対する薄膜の熱電性能の最適化を
行ったＢｉ−Ｔｅ系熱電変換薄膜とその熱電変換素子を
提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るＢｉ−Ｔｅ系熱電変換薄膜は、０１５面
配向している例えばＢｉ−８ｂ−Ｔｅ−８ｅ系多結晶体
からなるＢｉ−Ｔｅ系熱電半導体を基板上に形成したも
のである。
配向している例えばＢｉ−８ｂ−Ｔｅ−８ｅ系多結晶体
からなるＢｉ−Ｔｅ系熱電半導体を基板上に形成したも
のである。
また、この発明に係るＢｉ−Ｔｅ系熱電変換素子は、厚
さが１００μｍ以下の０１５面配向しているＢ １−Ｔ
ｅ系多結晶熱電変換薄膜を熱電半導体チップとして用い
ることによって形成したものである。
さが１００μｍ以下の０１５面配向しているＢ １−Ｔ
ｅ系多結晶熱電変換薄膜を熱電半導体チップとして用い
ることによって形成したものである。
［作 用］
この発明は、Ｂｉ−Ｔｅ系半導体単結晶の場合に（前記
文献に示されているような）熱電性能の優れたＣ軸（六
方晶表示）に直交する方向がなるべく膜厚方向に配列さ
れるように、Ｃ軸に対して約５８°と大きく傾いた面方
位をもつ０１５面を膜厚方向に積層させるというもので
あり、熱電性能が優れ、かつ、実用上均質な面方位を持
つ単結晶熱電変換薄膜を形成することができる。
文献に示されているような）熱電性能の優れたＣ軸（六
方晶表示）に直交する方向がなるべく膜厚方向に配列さ
れるように、Ｃ軸に対して約５８°と大きく傾いた面方
位をもつ０１５面を膜厚方向に積層させるというもので
あり、熱電性能が優れ、かつ、実用上均質な面方位を持
つ単結晶熱電変換薄膜を形成することができる。
また、このような膜は高性能の熱電変換素子の熱電半導
体チップとして用いるのに好適である。
体チップとして用いるのに好適である。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示すＢｉ−８ｂ−Ｔｅ−
３ｅ系多結晶熱電変換薄膜の模式説明図である。図にお
いて、１は基板であり、２は基板１上に成膜した０１５
面配向している旧−８ｂ−Ｔｅ−９ｅ系多結晶熱電半導
体からなる熱電変換薄膜である。図中に示した細い矢印
は熱電変換動作時の熱流及び電流の方向を示している。
３ｅ系多結晶熱電変換薄膜の模式説明図である。図にお
いて、１は基板であり、２は基板１上に成膜した０１５
面配向している旧−８ｂ−Ｔｅ−９ｅ系多結晶熱電半導
体からなる熱電変換薄膜である。図中に示した細い矢印
は熱電変換動作時の熱流及び電流の方向を示している。
熱雷変換薄膜２の成膜条件は、アルゴンイオンンビーム
スパッタリング法を用い、動作圧２，０Ｘ１０ ’Ｔｏ
ｒｒ、ビーム電圧１ｏｏｏｖ、ビーム電流１ｈＡ、基板
温度２００℃である。この成膜法によって各結晶粒３が
０１５面配向した集合体からなる熱電変換薄膜２が得ら
れる。なお、熱電変換薄膜はＢｉ−８ｂ−Ｔｅ−８ｅ系
に限定されるものではなく 、Ｂｊ−Ｔｅ系の熱電半導
体であればどのような組成のものであってもよい。
スパッタリング法を用い、動作圧２，０Ｘ１０ ’Ｔｏ
ｒｒ、ビーム電圧１ｏｏｏｖ、ビーム電流１ｈＡ、基板
温度２００℃である。この成膜法によって各結晶粒３が
０１５面配向した集合体からなる熱電変換薄膜２が得ら
れる。なお、熱電変換薄膜はＢｉ−８ｂ−Ｔｅ−８ｅ系
に限定されるものではなく 、Ｂｊ−Ｔｅ系の熱電半導
体であればどのような組成のものであってもよい。
第２図は上記のようにして形成した膜厚的４−の旧−８
ｂ−Ｔｅ−９ｅ系多結晶熱電変換薄膜（ｐ型）のＸ線回
折パターンである。図において、横軸は回折角、縦軸は
Ｘ線強度である。Ｘ線回折パターンの測定に用いたＸ線
は、銅ターゲツトから発生させた銅の特性Ｘ線を゛モノ
クロメータで単色化したものである。図において、０１
５．０２１０で表示したピークは同一組成材料の無配向
状態薄膜のピークに比べて著しく大きくなっていて、こ
の薄膜が第１図に示すような０１５面配向した多結晶構
造からなっていることを意味している。
ｂ−Ｔｅ−９ｅ系多結晶熱電変換薄膜（ｐ型）のＸ線回
折パターンである。図において、横軸は回折角、縦軸は
Ｘ線強度である。Ｘ線回折パターンの測定に用いたＸ線
は、銅ターゲツトから発生させた銅の特性Ｘ線を゛モノ
クロメータで単色化したものである。図において、０１
５．０２１０で表示したピークは同一組成材料の無配向
状態薄膜のピークに比べて著しく大きくなっていて、こ
の薄膜が第１図に示すような０１５面配向した多結晶構
造からなっていることを意味している。
一方において、例えば前記文献にみられるように、例え
ば単結晶の場合に六方晶表示でのＣ軸に直交する方向の
熱電性能が優れていることが知られているが、多結晶薄
膜の膜厚方向に温度勾配をつけて使用する際に、このよ
うな熱雷性能の優れた方向を利用するためにはＣ軸を薄
膜の面内に配向させたものを使用する必要がある。しか
し、Ｎａｔｕｒｖｉｓｓｅｎｓｃｈａｆ’ｔ ２７ （
１９３９） （独） ｐ、１３３の文献に示されるよ
うに、Ｃ軸方向に原子面が積層する結晶措造を持つ物質
のみの薄膜でこのような配向状態を達成することは困難
である。それ故、上記実施例のようにＣ軸方向から約５
８°と大きく傾いた面方位を持つ０１５面を膜面に平行
に積層させて、Ｃ軸が薄膜の面内に配向した状態に近づ
けた方が熱電性能上効果的である。われわれは、このよ
うな集合組織を持つ熱電変換薄膜を膜厚方向に用いて、
性能指数２．Ｏｘ １Ｏ−３（Ｋ−’）を実現し、本発
明の有用性を確認した。
ば単結晶の場合に六方晶表示でのＣ軸に直交する方向の
熱電性能が優れていることが知られているが、多結晶薄
膜の膜厚方向に温度勾配をつけて使用する際に、このよ
うな熱雷性能の優れた方向を利用するためにはＣ軸を薄
膜の面内に配向させたものを使用する必要がある。しか
し、Ｎａｔｕｒｖｉｓｓｅｎｓｃｈａｆ’ｔ ２７ （
１９３９） （独） ｐ、１３３の文献に示されるよ
うに、Ｃ軸方向に原子面が積層する結晶措造を持つ物質
のみの薄膜でこのような配向状態を達成することは困難
である。それ故、上記実施例のようにＣ軸方向から約５
８°と大きく傾いた面方位を持つ０１５面を膜面に平行
に積層させて、Ｃ軸が薄膜の面内に配向した状態に近づ
けた方が熱電性能上効果的である。われわれは、このよ
うな集合組織を持つ熱電変換薄膜を膜厚方向に用いて、
性能指数２．Ｏｘ １Ｏ−３（Ｋ−’）を実現し、本発
明の有用性を確認した。
第３図はこの発明による０１５面配向した熱電変換薄膜
２を熱電半導体チップとして用いて形成した原形的なり
１−Ｔｅ系熱電変換素子の模式説明図である。
２を熱電半導体チップとして用いて形成した原形的なり
１−Ｔｅ系熱電変換素子の模式説明図である。
図において、図示しない基板上に所定の位置に分離形成
された電極４ａ、４ｃ、４ｅ上に第１図の実施例で説明
した熱電変換薄膜（以下熱電薄膜というン２からなる例
えばｎ型熱Ｔａ ７８ Ｊ漠２ａ、ｐ型熱電薄膜２ｂを
配設する。配設の仕方は、例えば電極４ｃ上にｐ型熱電
薄膜２ｂ、ｎ型熱電薄膜２ａの一対を所定間隔で成膜形
成するようにする。
された電極４ａ、４ｃ、４ｅ上に第１図の実施例で説明
した熱電変換薄膜（以下熱電薄膜というン２からなる例
えばｎ型熱Ｔａ ７８ Ｊ漠２ａ、ｐ型熱電薄膜２ｂを
配設する。配設の仕方は、例えば電極４ｃ上にｐ型熱電
薄膜２ｂ、ｎ型熱電薄膜２ａの一対を所定間隔で成膜形
成するようにする。
さらに、例えばｎ型熱電薄膜２ａ、ｐ型熱電薄膜２ｂの
一対分を覆うように電極４ｂ、４ｄを形成し、上下の電
極間に熱電薄膜がサンドイッチされるように熱雷変換素
子が形成される。したがって、この素子の一単位分は、
例えば電極４ａ、４ｂ。
一対分を覆うように電極４ｂ、４ｄを形成し、上下の電
極間に熱電薄膜がサンドイッチされるように熱雷変換素
子が形成される。したがって、この素子の一単位分は、
例えば電極４ａ、４ｂ。
４ｃとこれによってサンドイッチされたｎ型熱電薄膜２
ａ、ｐ型熱電薄膜２ｂとが構成する部分となる。このよ
うな幅数四〜数１０１ｉＩ１１の単位熱電薄膜を交互に
上下電極を介して連結することによって単位面積あたり
のチップの数が多い、すなわち、エネルギー輸送密度が
大きい熱電変換素子を形成することができる。
ａ、ｐ型熱電薄膜２ｂとが構成する部分となる。このよ
うな幅数四〜数１０１ｉＩ１１の単位熱電薄膜を交互に
上下電極を介して連結することによって単位面積あたり
のチップの数が多い、すなわち、エネルギー輸送密度が
大きい熱電変換素子を形成することができる。
第３図のような構成において、例えば上側を吸熱面、下
側を発熱面としたときの電流の方向は矢印に示したよう
になり、熱流（温度勾配）の方向も枠線の矢印で示すよ
うに動作する。したがって、熱電薄膜の電流の方向はそ
の膜厚の方向になる。
側を発熱面としたときの電流の方向は矢印に示したよう
になり、熱流（温度勾配）の方向も枠線の矢印で示すよ
うに動作する。したがって、熱電薄膜の電流の方向はそ
の膜厚の方向になる。
一般に、単位半導体チップの性能はその形状比、すなわ
ち断面積／高さ（厚さ）にのみ依存しているので、この
形状比が一定ならば、その厚さが薄いほど素子の小型化
と材料コストの代減の効果が大きい。蒸着やスパッタリ
ングなどの薄膜形成プロセスを使えば、溶融成形や焼結
法などのバルクの製造プロセスで実現できない（あるい
は歩留りの面で丈用向でない）厚さ１００ＩＪＱＩ以下
の半導体薄膜を形成することは容易であり、このような
薄膜形成プロセスによって作成した０（５面配向したＢ
ｉ−Ｔｅ系熱電薄膜は、小型化・高集積化が可能で、か
つ、月１４コストの大幅な低減が可能な熱雷変換素子−
を提供することができる。
ち断面積／高さ（厚さ）にのみ依存しているので、この
形状比が一定ならば、その厚さが薄いほど素子の小型化
と材料コストの代減の効果が大きい。蒸着やスパッタリ
ングなどの薄膜形成プロセスを使えば、溶融成形や焼結
法などのバルクの製造プロセスで実現できない（あるい
は歩留りの面で丈用向でない）厚さ１００ＩＪＱＩ以下
の半導体薄膜を形成することは容易であり、このような
薄膜形成プロセスによって作成した０（５面配向したＢ
ｉ−Ｔｅ系熱電薄膜は、小型化・高集積化が可能で、か
つ、月１４コストの大幅な低減が可能な熱雷変換素子−
を提供することができる。
［発明の効果］
以」二のようにこの発明によれば、０１５面配向した旧
−Ｔｅ系多結晶熱電変換薄膜が通常の薄膜形成プロセス
技術を応用することにより達成され、そのＨ用柱が確認
された。そして、この熱電薄膜を熱電半導体チップとし
て利用することにより、バルク並の熱電性能を維持した
まま熱電変換素子全体を小型化・高集積化することが可
能になるので、材料コストひいては素子価格をバルク型
のものよりも大幅に下げることができる。また、バルク
型の半導体チップを使用している従来の素子は、素子そ
のものの大きさの制約から半導体チップの直列配列の数
を大きくできないため、低電圧・大電流でしか使用でき
ないのが普通であるが、本発明の薄膜型の小型チップを
使えば、チップの形状比（断面積／高さ）と直列配列の
数を大幅に変更することが可能になるので、大電圧・低
電流での使用も可能になり、素子と組み合わせられる電
子回路などの範囲が拡大する効果がある。
−Ｔｅ系多結晶熱電変換薄膜が通常の薄膜形成プロセス
技術を応用することにより達成され、そのＨ用柱が確認
された。そして、この熱電薄膜を熱電半導体チップとし
て利用することにより、バルク並の熱電性能を維持した
まま熱電変換素子全体を小型化・高集積化することが可
能になるので、材料コストひいては素子価格をバルク型
のものよりも大幅に下げることができる。また、バルク
型の半導体チップを使用している従来の素子は、素子そ
のものの大きさの制約から半導体チップの直列配列の数
を大きくできないため、低電圧・大電流でしか使用でき
ないのが普通であるが、本発明の薄膜型の小型チップを
使えば、チップの形状比（断面積／高さ）と直列配列の
数を大幅に変更することが可能になるので、大電圧・低
電流での使用も可能になり、素子と組み合わせられる電
子回路などの範囲が拡大する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す０１５面配向してい
るＢ １−８ｂ−Ｔｅ−３ｅ系多結晶熱電変換薄膜の模
式説明図、第２図は第１図の実施例の膜厚約４１ｍの熱
雷薄膜のＸ線回折パターン、第３図はこの発明の一実施
例を示す原形的な旧−Ｔｅ系熱電変換素子の模式説明図
である。 図において、１は基板、２．２ａ、２ｂは熱電変換清膜
、 ３は粘晶粒、 ４ａ。 ４ｂ。 Ｉ ４ｄ。 は電極である。
るＢ １−８ｂ−Ｔｅ−３ｅ系多結晶熱電変換薄膜の模
式説明図、第２図は第１図の実施例の膜厚約４１ｍの熱
雷薄膜のＸ線回折パターン、第３図はこの発明の一実施
例を示す原形的な旧−Ｔｅ系熱電変換素子の模式説明図
である。 図において、１は基板、２．２ａ、２ｂは熱電変換清膜
、 ３は粘晶粒、 ４ａ。 ４ｂ。 Ｉ ４ｄ。 は電極である。
Claims (2)
- （１）基板上に形成した熱電半導体膜が０１５面配向し
ているＢｉ−Ｔｅ系多結晶体からなることを特徴とする
Ｂｉ−Ｔｅ系熱電変換薄膜。 - （２）厚さが１００μｍ以下の０１５面配向しているＢ
ｉ−Ｔｅ系多結晶熱電変換薄膜を熱電半導体チップとし
て有することを特徴とするＢｉ−Ｔｅ系熱電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326044A JPH03187280A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Ｂｉ―Ｔｅ系熱電変換薄膜及びその熱電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326044A JPH03187280A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Ｂｉ―Ｔｅ系熱電変換薄膜及びその熱電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03187280A true JPH03187280A (ja) | 1991-08-15 |
Family
ID=18183481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1326044A Pending JPH03187280A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Ｂｉ―Ｔｅ系熱電変換薄膜及びその熱電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03187280A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5409547A (en) * | 1992-10-05 | 1995-04-25 | Thermovonics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling device for thermoelectric refrigerator, process for the fabrication of semiconductor suitable for use in the thermoelectric cooling device, and thermoelectric refrigerator using the thermoelectric cooling device |
| US5715684A (en) * | 1995-03-02 | 1998-02-10 | Thermovonics Co., Ltd. | Thermoelectric converter |
| US6815244B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-11-09 | Infineon Technologies Ag | Methods for producing a thermoelectric layer structure and components with a thermoelectric layer structure |
| US7537367B2 (en) | 2005-03-02 | 2009-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Illumination device, image reading device, and image forming apparatus |
| JP2012124450A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-28 | Yamaha Corp | 熱電素子 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1326044A patent/JPH03187280A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5409547A (en) * | 1992-10-05 | 1995-04-25 | Thermovonics Co., Ltd. | Thermoelectric cooling device for thermoelectric refrigerator, process for the fabrication of semiconductor suitable for use in the thermoelectric cooling device, and thermoelectric refrigerator using the thermoelectric cooling device |
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