JPH03185801A - Paste composition for resistor - Google Patents
Paste composition for resistorInfo
- Publication number
- JPH03185801A JPH03185801A JP1325020A JP32502089A JPH03185801A JP H03185801 A JPH03185801 A JP H03185801A JP 1325020 A JP1325020 A JP 1325020A JP 32502089 A JP32502089 A JP 32502089A JP H03185801 A JPH03185801 A JP H03185801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass frit
- composition
- resistance
- total
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- -1 'rfI Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は、パイロクロール型酸化物から成る導電性物質
とガラスフリットから構成される抵抗用ペースト組成物
に関し、特に、抵抗値変動の小さいペースト組成物の提
供を目的とするものである。
［従来技術］
従来、ＨＩＣ（混成集積回路）等の厚膜抵抗は、ＲｕＯ
２（酸化ルテニウム）またはルテニウムの複合酸化物な
どからなる導電性粉末とホウケイ酸またはホウケイ酸鉛
ガラス粉末との混合物に有機ビヒクルを加えて混練した
ペーストを用い、アルミナ等のセラミック基板に印刷し
た後、焼成して形成されている。
この場合、ペースト中に配合されるガラスフリットは抵
抗値の調整を行うと同時に、基板との接着性、抵抗の安
定性等を向上させる役割を担っている。このような目的
で使用されるガラスフリットとしては、ホウケイ酸鉛系
ガラスが主流であり、しかもガラスフリットの全量基準
で酸化鉛（ＰｂＯ）を５０重量％以上含有するガラスフ
リットを用いることが必要とされていた。
一方、導電性物質としてパイロクロール型の複合酸化物
を使用すると、焼成過程において非常に微細なＲｕｂ２
等が析出してａｍ状態で存在するようになるため、これ
が焼成特において焼成条件の変動に敏感に反応して、抵
抗値の変動を大きくする要因となっていた。
パイロクロール型酸化物の抵抗温度係数（以下ＴＣＲと
いう）は本来零に近いものであるが、上記のようなａＳ
状態のＲｕｂ２等が存在するとその影響を強く受け、Ｔ
ＣＲ値がプラス側へ大きく傾く。一方、ガラスの混合比
率がある程度以上になるとＴＣＲが急激にマイナス側に
傾くという変化が生じるため、ＴＣＲの上値の幅が小さ
くなるように調整することは難しかった。
［発明が解決しようとする課題］
上述のように従来のペースト用組成物使用の場合におい
ては、遊離したＲｕｂ２等の存在により、１１ｏｔＴＣ
Ｒ値とＣｏ１ｄＴＣＲ値との差が最低でも１００ ｐｐ
ｍ／℃程度の値となるため、焼成後、従来の方法で厳密
に調整しようとしてもＴＣＲＳ±５０ｐｐＩＩ１℃以下
にすることができなかった。
したがって、パイロクロール型酸化物を導電物質として
用いる抵抗用ペースト組成物において、焼成条件による
抵抗値変動が小さく、かつＴＣＲ絶対値の小さい抵抗ペ
ースト組成物を得ることのできる何らかの解決手段が求
められていた。
［課題を解決するための手段］
本発明者等は斯る課題を解決するため鋭意研究したとこ
ろ、焼成過程で生成するＲ ｕ ０２等を固定する手段
として、パイロクロール型酸化物に配合して用いられる
ガラスフリットの組成を、その主要含有成分であるＰｂ
Ｏの量を５０重量％以下に抑えると共にＣａＯを添加し
て改質することによって、Ｒｕｂ、等を複合酸化物とし
て固定できることを見い出して本発明に到達することが
できた。
すなわち本発明は、少なくとも１種のパイロクロール型
酸化物、好ましくは
式Ｍ、 Ｍ’、 ｏ７−。
（ただし、ＭはＹ％Ｌａ５Ｔｊｌ、Ｉｎ５Ｃｄｓｐｂお
よびＢｉからなる群より選ばれる同一のまたは異なる元
素であり、Ｍ′はＲｕ、ＩｒおよびＲｈからなる群より
選ばれる同一のまたは異なる元素である。）で表わされ
るパイロクロール型酸化物から成る導電性物質５〜９５
重量部に、ガラスフリットとしてＰｂ０３０〜５０重量
％、５ｉＯｚｌＯ〜４０重量％、’ Ｂ 、０．５〜３
０重量％およびＣａ０Ｏ１５〜２０重量％をそれらの合
計が１００重量％となるように配合した混合物または上
記にさらにＺ ｎ ＯＯ，００１〜２０重量％を加えた
ものの合計が１００ｆｆｌｆｆｉ％となるように配合し
た混合物９５〜５重量部を配合した組成物を、上記課題
を解決できる改良された抵抗用ペースト組成物として提
供するものである。
【作 用］
本発明において用いられるガラスフリットの組成は、ガ
ラスフリットの全量をｌＯＯとする重量％でそれぞれ、
３０≦ｐｂｏ≦５０．１０≦Ｓ ｉ ０２≦４０．５５
Ｂ２０ｉ≦３０．０．５５ Ｃａ Ｏ≦２０．０≦Ｚｎ
Ｏ≦２０の条件を満たすものであるが、この範囲が特に
好ましい理由は次の通りである。
すなわち、従来のようにＰｂＯを５０重量％以上含むガ
ラスフリットを使用する場合においては、遊離状態にあ
るＲｕＯ２等を固定できないが、ガラスフリット中のＰ
ｂＯを５０重量％以下にし、さらにＣａＯを添加して改
質することによって、Ｒｕｂ２等が複合酸化物として固
定されるようになることが確認できたのである。この場
合、ＳｉＯ２が１０重量％以下、またはＢ２Ｏ３が３０
重量％以上になると抵抗値の安定性が悪くなり、一方、
５ｉｎ２が４０重量％以上、またはＢ２０．が５重量％
以下だとガラスの粘度が増加し、接着不良を起こすため
、５ｉ０２は１０〜４０重量％、Ｂ２０゜は５〜３０重
量％の範囲とした。
ＣａＯの添加に関しては、０．５重量％以下ではＲｕｂ
、等をＣａＲｕＯｘのような形で固定することができず
、逆に２０重量％以上では、接着不良を起こし抵抗の安
定性が悪いため、０，５〜２０重量％の範囲とした。
ＺｎＯの添加量に関しては、２０重量％までは抵抗性等
に対して何ら問題はなく、特に８２０．が多量に存在す
る場合には、抵抗値の安定性に寄与する効果を有するが
、２０重量％以上になると接着不良を生ずる原因となる
ため、０〜２０重量％の範囲とした。０を含めたのは、
ＺｎＯの添加を全く省略した組成のガラスフリットも使
用できることがわかったからである。ただし、ＺｎＯ添
加の効果を期待するためには少なくともｏ、ｏｏｉ重量
％添加する必要がある。
また、本発明において導電性物質として使用するパイロ
クロール型酸化物として好ましくは、式Ｍ、 Ｍ′２０
．。
（ただし、ＭはＹ、Ｌａ、’ｒｆＩ、Ｉｎ、Ｃｄ％ｐｂ
およびＢｉからなる群より選ばれる同一のまたは異なる
元素であり、Ｍ′はＲｕ、ｌｒおよびＲｈからなる群よ
り選ばれる同一のまたは異なる元素である。）で表わさ
れる化合物を用い、ガラスフリットと適量混合してペー
スト組成物とすることができる。下記の実施例ではＢｉ
２Ｒｕ２Ｏ７をパイロクロール型酸化物の一例として用
いた。
以下、実施例をもって詳細に説明する。
［実施例１］
第１表に示す組成のＡ−Ｈのガラスフリットを、導電性
物質であるパイロクロール型酸化物Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ□と
第２表に示す割合で混合してペースト組成物となし、通
常法によりアルミニウム基板に印刷して、１５０℃で１
０分間乾燥した後、ピーク温度８５０℃にて１０分間、
ベルト式焼成炉で焼成した。
得られた抵抗体のシート抵抗、Ｔ ＣＲ（ＩｌｏｔＴＣ
ＲおよびＣｏ１ｄ ＴＣＲ） 、および抵抗変化率ΔＲ
（％）をそれぞれ調べた。
この結果、上記Ａ−Ｅの組成のガラスフリットを用いた
本発明品はシート抵抗ｌＯΩ〜ＬＭΩに抑えることがで
き、ＴＣＲも±３００ ｐｐｍ／”Ｃ以内にすることが
できた。
また、高温放置による抵抗変化率△Ｒ（％）も全て１％
以内であり、抵抗膜の特性値は良好であることがわかっ
た。
（以下余白）
［比較例１］
比較例として第１表に示すＦ−Ｍの組成のガラスフリッ
トを用い、実施例１と同様な方法で焼結体を得た。
得られた焼結体のシート抵抗、Ｔ ＣＲ（ＩｌｏｔＴＣ
ＲおよびＣｏ１ｄ Ｔ ＣＲ） 、および抵抗変化率△
Ｒ（％）を調べた結果を第３表に示した。
この結果、ＰｂＯの量が３０重量％以下である組成Ｆの
フリットを用いたもの（試料＆１Ｂ−Ｎｏ、１８）は、
ＴＣＲ変動が大きく、安定性も悪くなっている。
ＣａＯが０．５重量％以下である組成Ｈのフリットを用
いたもの（試料鬼２２〜ル２４）は、安定性が良いが、
ＴＣＲの変動が大きく、その絶対値も大きいことがわか
る。逆にＣａＯが２０重量％以上である組成Ｉのフリッ
トを用いたもの（試料Ｎ０２５〜陽２７）は、ＴＣＲは
問題がなくなるが、抵抗の安定性が悪くなることがわか
る。
Ｂ２Ｏ３が５〜３０重量％の範囲外となる組成Ｊのフリ
ットを用いたもの（試料歯２８〜鬼３０）および組成に
のフリットを用いたもの（試料〜、３１〜鬼３３）は、
抵抗安定性が悪く、特にＢ２０．が５重量％以下の場合
はＴＣＲの変化が大きいことが理解される。
Ｓｉｎ、が１０〜４０重量％の範囲外となる組成りのフ
リットを用いたもの（試料ル、３７〜ｆｆｌ、３９）の
場合は、安定性が明らかに劣化していることがわかる。
なお、実施例１および比較例１に示したシート抵抗は、
抵抗体の幅１１１１％長さｌａｍで膜厚ｌ２ＩＩＩＩの
時の抵抗値であり、抵抗変化率△Ｒは、１５０℃で１．
０００ ｈｒ保持した後の抵抗値をＲ１とし、初朗抵抗
値をＲ８とじた場合の変化割合を計算式によって求めた
ものである。
（以下余白）
［発明の効果］
本発明の組成物中には、上述のようにパイロクロール型
酸化物を導電性物質として用いるが、焼成時に発生する
遊離状態のＲｕＯ２等を組成物中に配合された特定組成
範囲にあるガラスフリットの作用により複合酸化物とし
て固定することができるので、これによってＴＣＲの絶
対値が小さく、■っ抵抗の安定性が良好な厚膜抵抗が容
易に得られるようになったという効果がある。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resistive paste composition composed of a conductive substance made of pyrochlore type oxide and glass frit, and in particular to a paste composition with small resistance fluctuations. The purpose is to provide a composition. [Prior art] Conventionally, thick film resistors such as HIC (hybrid integrated circuit) are made of RuO.
After printing on a ceramic substrate such as alumina using a paste made by adding an organic vehicle to a mixture of conductive powder made of 2 (ruthenium oxide) or a composite oxide of ruthenium and borosilicate or lead borosilicate glass powder and kneading the mixture. , formed by firing. In this case, the glass frit mixed into the paste plays a role in adjusting the resistance value and at the same time improving adhesiveness with the substrate, resistance stability, etc. Lead borosilicate glass is the mainstream glass frit used for this purpose, and it is necessary to use a glass frit that contains 50% by weight or more of lead oxide (PbO) based on the total amount of glass frit. It had been. On the other hand, when a pyrochlore-type composite oxide is used as a conductive material, very fine Rub2 particles are formed during the firing process.
etc. are precipitated and exist in the am state, which reacts sensitively to changes in firing conditions during firing, and becomes a factor that increases fluctuations in resistance value. The temperature coefficient of resistance (hereinafter referred to as TCR) of pyrochlore-type oxide is originally close to zero, but the aS
If state Rub2 etc. exists, it will be strongly influenced, and T
The CR value tilts significantly toward the positive side. On the other hand, when the mixing ratio of glass exceeds a certain level, the TCR suddenly tilts toward the negative side, so it has been difficult to adjust the range of the upper value of the TCR to be small. [Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, in the case of using the conventional paste composition, due to the presence of free Rub2 etc., 11otTC
Difference between R value and Co1dTCR value is at least 100 pp
Since the value is approximately 1°C/m/°C, it has not been possible to reduce the TCRS to 50ppII1°C or less even if the conventional method is used to precisely adjust the temperature after firing. Therefore, there is a need for some kind of solution that can produce a resistance paste composition that has small resistance fluctuations depending on firing conditions and a small TCR absolute value in a resistance paste composition that uses pyrochlore type oxide as a conductive material. Ta. [Means for Solving the Problems] In order to solve the problems, the present inventors conducted extensive research and found that as a means of fixing R u 02 etc. generated during the firing process, it was added to pyrochlore type oxide. The composition of the glass frit used is
The present invention was achieved by discovering that Rub, etc. can be fixed as a composite oxide by suppressing the amount of O to 50% by weight or less and modifying it by adding CaO. That is, the present invention provides at least one pyrochlore type oxide, preferably of the formula M, M', o7-. (However, M is the same or different element selected from the group consisting of Y%La5Tjl, In5Cdspb and Bi, and M' is the same or different element selected from the group consisting of Ru, Ir and Rh.) Conductive substances consisting of pyrochlore type oxides 5 to 95
In the weight part, Pb0 as glass frit is 30-50% by weight, 5iOzlO-40% by weight, ' B , 0.5-3
A mixture in which 0% by weight and 15 to 20% by weight of Ca0O are blended so that their total is 100% by weight, or a mixture in which ZnOO,001 to 20% by weight is further added to the above, and the total is 100fffffi%. A composition containing 95 to 5 parts by weight of the above mixture is provided as an improved resistor paste composition that can solve the above problems. [Function] The composition of the glass frit used in the present invention is expressed in weight percent, where the total amount of glass frit is 100, respectively.
30≦pbo≦50.10≦S i 02≦40.55
B20i≦30.0.55 Ca O≦20.0≦Zn
The condition of O≦20 is satisfied, and the reason why this range is particularly preferable is as follows. In other words, when using a glass frit containing 50% by weight or more of PbO as in the past, it is not possible to fix RuO2 etc. in a free state, but PbO in the glass frit cannot be fixed.
It was confirmed that by reducing bO to 50% by weight or less and further adding CaO for modification, Rub2 etc. were fixed as a composite oxide. In this case, SiO2 is 10% by weight or less, or B2O3 is 30% by weight or less.
If it exceeds % by weight, the stability of the resistance value becomes worse; on the other hand,
5in2 is 40% by weight or more, or B20. is 5% by weight
If it is less than that, the viscosity of the glass will increase and poor adhesion will occur, so 5i02 is in the range of 10 to 40% by weight, and B20° is in the range of 5 to 30% by weight. Regarding the addition of CaO, if it is less than 0.5% by weight, Rub
, etc. cannot be fixed in a form like CaRuOx, and conversely, if it exceeds 20% by weight, adhesion failure occurs and resistance stability is poor, so the content was set in the range of 0.5 to 20% by weight. Regarding the amount of ZnO added, there is no problem with resistance etc. up to 20% by weight, especially when the amount is 820%. If present in a large amount, it has the effect of contributing to the stability of the resistance value, but if it exceeds 20% by weight, it may cause poor adhesion, so the content was set in the range of 0 to 20% by weight. Including 0 is
This is because it has been found that a glass frit having a composition in which the addition of ZnO is completely omitted can also be used. However, in order to expect the effect of adding ZnO, it is necessary to add at least o, ooi weight %. Furthermore, the pyrochlore type oxide used as the conductive substance in the present invention preferably has the formula M, M'20
．． . (However, M is Y, La, 'rfI, In, Cd%pb
and Bi, and M' is the same or different element selected from the group consisting of Ru, lr, and Rh. ) can be used to prepare a paste composition by mixing an appropriate amount with glass frit. In the following example, Bi
2Ru2O7 was used as an example of a pyrochlore type oxide. Hereinafter, a detailed explanation will be given using examples. [Example 1] Glass frits A-H having the compositions shown in Table 1 are mixed with pyrochlore type oxide Bi2Ru2O□, which is a conductive substance, in the proportions shown in Table 2 to prepare a paste composition. printed on an aluminum substrate by the method and heated at 150℃ for 1
After drying for 0 minutes, at a peak temperature of 850°C for 10 minutes,
Fired in a belt-type firing furnace. The sheet resistance of the obtained resistor, T CR (IlotTC
R and Co1d TCR), and resistance change rate ΔR
(%) was examined for each. As a result, the product of the present invention using the glass frit having the composition A-E above was able to suppress the sheet resistance to 10Ω to LMΩ, and the TCR was also within ±300 ppm/”C. The resistance change rate △R (%) is also all 1%.
It was found that the characteristic values of the resistive film were good. (The following is a blank space) [Comparative Example 1] As a comparative example, a sintered body was obtained in the same manner as in Example 1 using a glass frit having a composition of FM shown in Table 1. Sheet resistance of the obtained sintered body, T CR (IlotTC
R and Co1d T CR), and resistance change rate △
Table 3 shows the results of examining R (%). As a result, the one using the frit of composition F in which the amount of PbO is 30% by weight or less (sample & 1B-No. 18),
TCR fluctuations are large and stability is poor. Those using frits with composition H in which CaO is 0.5% by weight or less (Samples Oni 22 to Ru 24) have good stability, but
It can be seen that the fluctuation of TCR is large and its absolute value is also large. On the other hand, it can be seen that in those using the frit of composition I containing 20% by weight or more of CaO (samples No. 025 to No. 27), although there is no problem with TCR, the stability of resistance deteriorates. Those using frits with composition J in which B2O3 is outside the range of 5 to 30% by weight (sample teeth 28 to oni 30) and those using frits with compositions (sample ~, 31 to oni 33),
Resistance stability is poor, especially B20. It is understood that when the amount is 5% by weight or less, the change in TCR is large. It can be seen that the stability is clearly deteriorated in the cases where frits having a composition in which Sin is outside the range of 10 to 40% by weight (Samples 1, 37 to ffl, 39) are used. Note that the sheet resistance shown in Example 1 and Comparative Example 1 is
This is the resistance value when the resistor has a width of 1111%, a length of lam, and a film thickness of 12III, and the resistance change rate ΔR is 1.
The change rate when the resistance value after holding for 000 hr is R1 and the initial resistance value is R8 is calculated using a calculation formula. (The following is a blank space) [Effects of the Invention] In the composition of the present invention, a pyrochlore type oxide is used as a conductive substance as described above, but free RuO2 etc. generated during firing are blended into the composition. It can be fixed as a composite oxide by the action of glass frit in a specific composition range, so that it is easy to obtain a thick film resistor with a small absolute value of TCR and good resistance stability. It has the effect of becoming
Claims (3)
５重量部とガラスフリット９５〜５重量部とを、両者の
合計が１００重量部となるように配合した混合物からな
る組成物であって、該組成物中の前記ガラスフリットが
、３０〜５０重量％のＰｂＯ、１０〜４０重量％のＳｉ
Ｏ＿２、５〜３０重量％のＢ＿２Ｏ＿３および０．５〜
２０重量％のＣａＯをＰｂＯ、ＳｉＯ＿２、Ｂ＿２Ｏ＿
３およびＣａＯの合計が１００重量％となるように配合
した混合物であることを特徴とする抵抗用ペースト組成
物。(1) At least one pyrochlore type oxide 5 to 9
5 parts by weight of glass frit and 95 to 5 parts by weight of glass frit in a total of 100 parts by weight, wherein the glass frit in the composition is 30 to 50 parts by weight. % PbO, 10-40 wt% Si
O_2, 5-30% by weight of B_2O_3 and 0.5-30% by weight
20% by weight of CaO was added to PbO, SiO_2, B_2O_
1. A paste composition for resistance, characterized in that it is a mixture of CaO and CaO in a total amount of 100% by weight.
５重量部とガラスフリット９５〜５重量部とを、両者の
合計が１００重量部となるように配合した混合物からな
る組成物であって、該組成物中の前記ガラスフリットが
、３０〜５０重量％のＰｂＯ、１０〜４０重量％のＳｉ
Ｏ＿２、５〜３０重量％のＢ＿２Ｏ＿３、０．５〜２０
重量％のＣａＯおよび０．００１〜２０重量％のＺｎＯ
をＰｂＯ、ＳｉＯ＿２、Ｂ＿２Ｏ＿３、ＣａＯおよびＺ
ｎＯの合計が１００重量％となるように配合した混合物
であることを特徴とする抵抗用ペースト組成物。(2) At least one pyrochlore type oxide 5 to 9
5 parts by weight of glass frit and 95 to 5 parts by weight of glass frit in a total of 100 parts by weight, wherein the glass frit in the composition is 30 to 50 parts by weight. % PbO, 10-40 wt% Si
O_2, 5-30% by weight B_2O_3, 0.5-20
wt% CaO and 0.001-20wt% ZnO
PbO, SiO_2, B_2O_3, CaO and Z
A paste composition for resistance, characterized in that it is a mixture in which the total amount of nO is 100% by weight.
びＢｉからなる群より選ばれる同一のまたは異なる元素
であり、Ｍ′はＲｕ、ＩｒおよびＲｈからなる群より選
ばれる同一のまたは異なる元素である。）で表わされる
化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載
の抵抗ペースト組成物。(3) The pyrochlore type oxide has the formula M_2M'_2O_7_-_x (where M is the same or different element selected from the group consisting of Y, La, Tl, In, Cd, Pb and Bi, and M 3. The resistive paste composition according to claim 1 or 2, wherein the resistive paste composition is a compound represented by: ' is the same or different element selected from the group consisting of Ru, Ir and Rh.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325020A JPH03185801A (en) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Paste composition for resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325020A JPH03185801A (en) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Paste composition for resistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185801A true JPH03185801A (en) | 1991-08-13 |
Family
ID=18172244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325020A Pending JPH03185801A (en) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | Paste composition for resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185801A (en) |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1325020A patent/JPH03185801A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2038104A (en) | Resistor material resistor made therefrom and method of making the same | |
| WO2018150890A1 (en) | Resistor composition, resistor paste containing same, and thick-film resistor using same | |
| KR0130831B1 (en) | Thick film resistor composition | |
| JPS60145949A (en) | Resistor composition | |
| US4439352A (en) | Resistor compositions and resistors produced therefrom | |
| JPH03185801A (en) | Paste composition for resistor | |
| JPS6335081B2 (en) | ||
| JP3168809B2 (en) | Resistor composition and semi-fixed resistor using the same | |
| US5567358A (en) | Thick film resistor composition | |
| JPH02260601A (en) | Resistance composition | |
| JPH03224201A (en) | Resistant paste composition | |
| JP2020061467A5 (en) | ||
| JP3192417B2 (en) | Composition for coating chip resistors | |
| US5064573A (en) | Resistive paste comprising oxides of ruthenium, lead, iron and zinc | |
| JP7116362B2 (en) | Resistor composition, resistor paste, and resistor | |
| JPH0438121B2 (en) | ||
| JPS59184847A (en) | Composition for gas sensor | |
| JPS6281701A (en) | Resistance composition | |
| JPH0618122B2 (en) | Resistive ink and circuit board | |
| JPH039501A (en) | Composition for forming thick film resistor | |
| EP0686983B1 (en) | Resistive paste | |
| JPH03167801A (en) | Thick-film resistor paste | |
| JP2020061466A5 (en) | ||
| JPH0483305A (en) | Thick-film resistor composition | |
| JP3079578B2 (en) | Glass composition for coating |