JPH03184316A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH03184316A JPH03184316A JP1323549A JP32354989A JPH03184316A JP H03184316 A JPH03184316 A JP H03184316A JP 1323549 A JP1323549 A JP 1323549A JP 32354989 A JP32354989 A JP 32354989A JP H03184316 A JPH03184316 A JP H03184316A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、マス
ク上のパターンをウェハ上のパターンに位置合わせする
ため、位置検出用の光によりマスク上の位置合わせマー
クとウェハ上の位置合わせマークとを位置合わせする方
法を含む半導体装置の製造方法に関し、
方向が一定しない位置検出用の光が照射された場合でも
精度のよい位置合わせができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とし、光に対して半透明な材料から
なる位置合わせマークが形成された光に対して透明な材
料からなるマスクを、他の位置合わせマークが形成され
たウェハと光源との間におき、該光源により光を前記マ
スクを介してウェハに照射して前記マスク上及びウェハ
上の各位置合わせマークからの反射像を画像処理の手法
を用いて合成し、合成された濃淡信号の強度分布のピー
ク値が最大となるように位置合わせを行うことを含み構
成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the method of manufacturing a semiconductor device, more specifically, in order to align a pattern on a mask with a pattern on a wafer, alignment marks on the mask are detected using position detection light. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device including a method for aligning an alignment mark on a wafer with an alignment mark on a wafer, and provides a method for manufacturing a semiconductor device that allows accurate alignment even when irradiated with position detection light whose direction is not constant. A mask made of a light-transparent material on which an alignment mark made of a material translucent to light is formed is placed between a wafer on which other alignment marks are formed and a light source. At intervals, light is irradiated from the light source onto the wafer through the mask, and reflected images from each alignment mark on the mask and on the wafer are synthesized using an image processing method, and a synthesized grayscale signal is generated. The configuration includes positioning so that the peak value of the intensity distribution of is maximized.
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えば、マスク上のパターンをウェハ上のパターンに位置
合わせするため、位置検出用の光によりマスク上の位置
合わせマークとウェハ上の位置合わせマークとを位置合
わせする方法を含む半導体装置の製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more specifically, in order to align a pattern on a mask with a pattern on a wafer, position detection light is used to align alignment marks on the mask and alignment marks on the wafer. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, including a method for aligning a semiconductor device.
第３図（ａ）〜（ｃ）は、画像処理の手法によりマスク
上の位置合わせマークとウェハ上の位置合わせマークと
を位置合わせする従来例の位置合わせ方法を説明する図
である。また、第２図は、この位置合わせ方法に用いら
れる位置合わせ装置の構成図である。FIGS. 3A to 3C are diagrams illustrating a conventional alignment method for aligning alignment marks on a mask and alignment marks on a wafer using an image processing technique. Moreover, FIG. 2 is a configuration diagram of a positioning device used in this positioning method.
第２図において、９はステージ、１０はマスク上４及び
ウェハ１上の位置合わせマークを［Ｐ２するための顕微
鏡で、光は光源１２から顕微鏡１０内のハーフミラ−１
１を介して照射され、前記位置合わせマークの像をハー
フミラ−１１を通過させて画像処理装置１３に導く。そ
して、得られた濃淡画像をこの画像処理装置１３により
解析して位置合わせマークの位置情報をステージコント
ローラ１４に与え、ステージ９を移動させてマスク４と
ウェハ１との位置を調整する。In FIG. 2, 9 is a stage, 10 is a microscope for performing alignment marks on the mask 4 and the wafer 1, and light is emitted from a light source 12 to a half mirror in the microscope 10.
1, and the image of the alignment mark passes through a half mirror 11 and is guided to an image processing device 13. Then, the obtained grayscale image is analyzed by the image processing device 13, and position information of the alignment mark is provided to the stage controller 14, and the stage 9 is moved to adjust the positions of the mask 4 and the wafer 1.
次に、この位置合わせ装置を用いて位置合わせする場合
、同図（ａ）に示すように、顕微鏡１０から光を照射し
なからウェハｌを移動させ、マスク４上のクロムをパタ
ーニングした位置合わせマーク３とウェハ上にパターニ
ングされた位置合わせマーク２ａ、２ｂの倣を顕微鏡１
０内のハーフミラ−１１を介して収集する。そして、得
られた画像に対して、画像処理装置３において同図（ｂ
）のＥのごとく画像の切り出しを行い（この図ではＸ方
向を位置合わせ方向とする）、更に切り出された画像已
に対してＸ方向に平均化処理を行い、同図（ｃ）に示し
た濃淡信号を得る。同図（Ｃ）に示すように、このよう
な画像処理の結果得られたマスク４の位置合わせマーク
３の濃淡信号のピーク位置がウェハ１上の位置合わせマ
ーク２ａの濃淡信号のピーク位置と位置合わせマーク２
ｂの濃淡信号のピーク位置との丁度真ん中にくるように
（ｆｌ＝１２）ステージを調整する。その結果、マスク
４上の不図示のマスクパターンとウェハ１上の不図示の
パターンとが位置合わせされる。なお、同図（ｂ）は同
図（ａ）の上面図を示し、図中の符号で示すものは同図
（ａ）と同一の符号で示すものと同一のものを示す。Next, when alignment is performed using this alignment device, as shown in FIG. The microscope 1 is used to copy the mark 3 and the alignment marks 2a and 2b patterned on the wafer.
Collect through half mirror 11 in 0. Then, the obtained image is processed by the image processing device 3 (b) in the same figure.
), the image is cut out as shown in E (in this figure, the X direction is the alignment direction), and the cut out image is further averaged in the X direction, as shown in figure (c). Obtain the gray signal. As shown in FIG. 2C, the peak position of the grayscale signal of the alignment mark 3 of the mask 4 obtained as a result of such image processing is the same as the peak position of the grayscale signal of the alignment mark 2a on the wafer 1. alignment mark 2
Adjust the stage so that it is exactly in the middle of the peak position of the gray level signal of b (fl=12). As a result, the mask pattern (not shown) on the mask 4 and the pattern (not shown) on the wafer 1 are aligned. It should be noted that FIG. 5B shows a top view of FIG.
ところで、第４図（ａ）に示すように照射光が位置合わ
せマーク２ａ、２ｂ、３に対して垂直な方向からずれて
光が斜めから照射された場合、それぞれの位置合わせマ
ーク２ａ、２ｂ、３は一定の間隔が保たれているので、
同図（ｂ）に示すように照射角度に対応して各位置合わ
せマーク２ａ。By the way, as shown in FIG. 4(a), when the irradiation light deviates from the direction perpendicular to the alignment marks 2a, 2b, and 3 and is irradiated obliquely, the alignment marks 2a, 2b, and 3 is maintained at a constant interval, so
As shown in FIG. 2(b), each alignment mark 2a is placed corresponding to the irradiation angle.
２ｂ、３の濃淡信号のピーク値の位置が各位置合わせマ
ーク２ａ、２ｂ、３の中心かられずかながらずれてくる
。The positions of the peak values of the grayscale signals 2b and 3 are slightly shifted from the center of each alignment mark 2a, 2b, and 3.
このため、マスク４の位置合わせマーク３の濃淡信号の
ピーク位置をウェハｌ上の位置合わせマーク２ａの濃淡
信号のピーク位置と位置合わせマーク２ｂの濃淡信号の
ピーク位置との丁度真ん中に合わせた場合でも、マスク
４上の現実の位置合わせマーク３の位置がウェハ１上の
現実の位置合わせマーク２ａの位置と位置合わせマーク
２ｂの位置の間の中央からずれたところで位置合わせさ
れてしまう、その結果、マスク４上のマスクパターンが
精度よくウェハ１上のパターンと位置合わせされなくな
り、転写されたパターンが正常な位置からずれてしまう
という問題がある。For this reason, when the peak position of the grayscale signal of the alignment mark 3 of the mask 4 is aligned exactly in the middle between the peak position of the grayscale signal of the alignment mark 2a on the wafer l and the peak position of the grayscale signal of the alignment mark 2b, However, as a result, the position of the actual alignment mark 3 on the mask 4 is shifted from the center between the position of the actual alignment mark 2a and the position of the alignment mark 2b on the wafer 1. There is a problem in that the mask pattern on the mask 4 is no longer accurately aligned with the pattern on the wafer 1, and the transferred pattern is deviated from its normal position.
そこで本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、方向が一定しない位置検出用の光が
照射された場合でも精度のよい位置合わせができる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。The present invention has been made in view of these conventional problems, and provides a method for manufacturing a semiconductor device that can perform accurate positioning even when irradiated with position detection light whose direction is not constant. The purpose is to provide
上記課題は、光に対して半透明な材料からなる位置合わ
せマークが形成された光に対して透明な材料からなるマ
スクを、他の位置合わせマークが形成されたウェハと光
源との間におき、該光源により光を前記マスクを介して
ウェハに照射して前記マスク上及びウェハ上の各位置合
わせマークからの反射像を画像処理の手法を用いて合威
し、合成された濃淡信号の強度分布のピーク値が最大と
なるように位置合わせを行うことを特徴とする半導体装
置の製造方法によって遺戒される。The above problem is solved by placing a mask made of a light-transparent material on which alignment marks made of a material semi-transparent to light are formed between a wafer on which other alignment marks are formed and a light source. , the light source emits light onto the wafer through the mask, the reflected images from each alignment mark on the mask and the wafer are combined using an image processing method, and the intensity of the combined grayscale signal is calculated. This is a problem with a method of manufacturing a semiconductor device, which is characterized in that alignment is performed so that the peak value of the distribution is maximized.
本発明の半導体装置の製造方法においては、光に対して
半透明な材料からなる位置合わせマークの形成されたマ
スクを介して光を照射し、マスク上の位置合わせマーク
及びウェハ上の位置合わせマーク両方の像を画像処理の
手法を用いて台底されたものを得ている。In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, light is irradiated through a mask on which alignment marks made of a material that is semi-transparent to light is formed, and the alignment marks on the mask and the alignment marks on the wafer are irradiated with light. Both images were obtained using image processing techniques.
このため、マスク上及びウェハ上の各位置合わせマーク
の重なりの程度によってその台底された濃淡信号のピー
ク値が変化することを利用して位置合わせを行うことが
できる。Therefore, alignment can be performed by utilizing the fact that the peak value of the bottomed gray signal changes depending on the degree of overlap between the alignment marks on the mask and the wafer.
これにより、光照射の方向が変化し、各位置合わせマー
クからの濃淡分布が非対称になった場合でも、はぼ同位
置にある位置合わせマークを使用するためそれぞれの濃
淡信号のピーク位置のずれはほぼ同等となる。更に、各
濃淡信号のピークから裾野までの和をとっているので、
マスクの濃淡信号のピーク位置とウェハの濃淡信号のピ
ーク位置の間のずれに対してこれらの和信号のピーク値
は鈍感になる。従って、和信号のピーク値が最大になる
位置は各位置合わせマークがほぼ重なった位置と一致す
る。このため、台底された濃淡信号のピーク値の最大値
が得られる位置にウェハを固定することにより精度のよ
い位置合わせを行うことができる。As a result, even if the direction of light irradiation changes and the density distribution from each alignment mark becomes asymmetric, the shift in the peak position of each density signal will be avoided because the alignment marks are used at approximately the same position. Almost equivalent. Furthermore, since we calculate the sum from the peak to the base of each gray signal,
The peak value of these sum signals becomes insensitive to the deviation between the peak position of the mask density signal and the peak position of the wafer density signal. Therefore, the position where the peak value of the sum signal is maximum coincides with the position where each alignment mark substantially overlaps. Therefore, by fixing the wafer at a position where the maximum value of the peak value of the bottomed gray signal is obtained, highly accurate positioning can be performed.
以下、本発明の実施例について図を参照しながら具体的
に説明する。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例の位置検出用
の光によりマスク上の位置合わせマークとウェハ上の位
置合わせマークとを位置合わせする従来例の位置合わせ
方法を説明する図である。FIGS. 1(a) to 1(c) illustrate a conventional alignment method in which alignment marks on a mask and alignment marks on a wafer are aligned using light for position detection according to an embodiment of the present invention. This is a diagram.
また、第２図は、この位置合わせ方法に用いられる位置
合わせ装置の構成図である。Moreover, FIG. 2 is a configuration diagram of a positioning device used in this positioning method.
第２図において、９はウェハ５の載置されたステージ、
１０はウェハ５上及びマスク上８の位置合わせマーク６
．７を確認するための顕微鏡で、光は光源１２から顕微
鏡１０内のハーフミラ−１１を介して照射され、前記位
置合わせマークの像をハーフごラー１１を通過させて画
像処理装置１３に導く。そして、得られた濃淡画像をこ
の画像処理装置ｔ１３により解析して位置合わせマーク
の位置を検出し、その後、この位置情報をステージコン
トローラ１４に与え、ステージ９を移動させてマスク８
とウェハ５との位置を調整する。In FIG. 2, 9 is a stage on which the wafer 5 is placed;
10 is an alignment mark 6 on the wafer 5 and on the mask 8
．． 7, light is emitted from a light source 12 through a half mirror 11 in the microscope 10, and the image of the alignment mark is passed through the half mirror 11 and guided to an image processing device 13. Then, the obtained grayscale image is analyzed by the image processing device t13 to detect the position of the alignment mark, and then this position information is given to the stage controller 14 to move the stage 9 and mask 8.
and the wafer 5.
次に、この位置合わせ装置を用いて位置合わせする場合
について第１図（ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。Next, the case of alignment using this alignment device will be explained using FIGS. 1(a) to 1(C).
第１図（ａ）は位置合わせ中の状態を示すウェハとマス
クの位置を示す断面図、同図（ｂ）は第１図の位置合わ
せマークの位置を示す上面図、同図（Ｃ）は画像処理装
置１４により処理された濃淡信号を示す図である。FIG. 1(a) is a cross-sectional view showing the position of the wafer and mask during alignment, FIG. 1(b) is a top view showing the position of the alignment mark in FIG. 1, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing grayscale signals processed by the image processing device 14. FIG.
同図（ａ）において、５はステージ９上のウェハ、６は
ウェハ５上にパターンニングされた位置合わせマークで
、符号Ｂ、Ｃで示す位置はウェハ５の移動途中の位置を
示し、Ｂの位置ではマスク８上の位置合わせマーク７の
位置Ａと丁度型なっている状態を示す。また、７は石英
ガラスからなるマスク８上の膜厚約０．５μｍのＰＳＧ
膜からなる位置合わせマークで、光に対して半透明で、
照射光の一部を透過し、一部を反射する性質をもつ。In the same figure (a), 5 is the wafer on the stage 9, 6 is the alignment mark patterned on the wafer 5, and the positions indicated by symbols B and C indicate the position of the wafer 5 in the middle of movement, The position is shown to be exactly in shape with the position A of the alignment mark 7 on the mask 8. 7 is a PSG film with a thickness of about 0.5 μm on a mask 8 made of quartz glass.
An alignment mark made of a film that is semitransparent to light.
It has the property of transmitting part of the irradiated light and reflecting part of it.
まず、顕微鏡１０から光をウェハ５に照射しなからウェ
ハ５を同図（ａ）のＣの位置に移動させ、マスク８上の
位置合わせマーク７とウェハ５上の位置合わせマーク６
の像を顕微鏡１ｏ内のハーフミラ−１１を介して収集す
る。そして、得られた合成画像に対して画像処理装置ｉ
！１３において、同図（ｂ）のＤに示すように画像の切
り出しを行い（Ｘ方向を位置合わせ方向とする）、続い
て切り出された画像りに対してＸ方向に平均化処理を行
うと、同図（ｃ）のＡ及びＣで示す濃淡信号の合成値Ａ
＋Ｃが得られる。なお、Ｃの位置の位置合わせマーク６
からの反射光の強度はＡとの重なっている部分では弱く
なっている。即ち、Ａの位置合わせマーク７を透過する
際、照射光の一部が反射し照射光の一部しかウェハ５上
の位置合わせマーク６に到達しないからである。First, without irradiating the wafer 5 with light from the microscope 10, the wafer 5 is moved to the position C in FIG.
An image of the image is collected through a half mirror 11 in the microscope 1o. Then, the image processing device i
! In step 13, the image is cut out as shown in D of FIG. Composite value A of the grayscale signals shown by A and C in the same figure (c)
+C is obtained. Note that the alignment mark 6 at position C
The intensity of the reflected light from A is weaker in the area where it overlaps with A. That is, when passing through the alignment mark 7 of A, a part of the irradiated light is reflected and only a part of the irradiated light reaches the alignment mark 6 on the wafer 5 .
次に、ウェハ５をＢの位置に移動した場合、濃淡信号は
、同図（ｃ）に示すようにＡとＢとの合成値Ａ＋Ｂとな
る。この状態では、ウェハ５上の位置合わせマーク６と
マスク８上の位置合わせマーク７とが丁度型なっている
ため、Ａ及びＢそれぞれの反射光の強度のピーク値が重
なる。このとき、Ｂの位置の位置合わせマーク６に照射
される光はマスク８の位置合わせマーク７を透過してい
るため、Ｂの反射光の強度のピーク値はＣの反射光の強
度のピーク値よりも小さくなっているが、合成された濃
淡信号のピーク値は位置Ｃの場合よりも大きくなる。Next, when the wafer 5 is moved to position B, the gray level signal becomes a composite value of A and B, A+B, as shown in FIG. In this state, the alignment mark 6 on the wafer 5 and the alignment mark 7 on the mask 8 are exactly in shape, so the peak values of the intensity of the reflected lights A and B overlap. At this time, since the light irradiated to the alignment mark 6 at the position B is transmitted through the alignment mark 7 of the mask 8, the peak value of the intensity of the reflected light at B is the peak value of the intensity of the reflected light at C. However, the peak value of the combined grayscale signal is larger than that at position C.
更に、右の方にウェハ５を移動させると、各反射光の強
度のピーク値の位置が離れてくるので、合威された濃淡
信号のピーク値はＢの場合よりも低下してくる。Furthermore, if the wafer 5 is moved to the right, the peak values of the intensity of each reflected light will move apart, so the peak value of the combined grayscale signal will become lower than in case B.
以上の説明より、ウェハ５上の位置合わせマーク６とマ
スク８上の位置合わせマーク７とが丁度型なっている場
合に合成された濃淡信号の強度のピーク値は最も大きく
なる。従って、この位置にウェハ５を固定すれば、精度
のよい位置合わせができることになる。From the above explanation, when the alignment mark 6 on the wafer 5 and the alignment mark 7 on the mask 8 are exactly in shape, the peak value of the intensity of the combined grayscale signal becomes the largest. Therefore, by fixing the wafer 5 at this position, highly accurate positioning can be achieved.
ところで、光が斜めから照射されて濃淡画像の強度分布
が非対称となった場合でも、位置合わせマーク６．７が
ほぼ同位置にあるので、それぞれの濃淡信号のピーク値
のずれはほぼ同等になる。By the way, even if the intensity distribution of the grayscale image becomes asymmetrical due to the light being irradiated from an angle, the alignment marks 6 and 7 are at approximately the same position, so the deviations in the peak values of the respective grayscale signals will be approximately the same. .
更に、濃淡信号のピークから裾野までの和をとっている
ので、マスクからの画像信号とウェハからの画像信号の
ピーク位置のずれに対してこれらの和信号のピーク値は
鈍感になる。このため、合威された画像信号のピーク値
の最大値が得られる位置にウェハを固定することにより
精度のよい位置合わせを行うことができる。Furthermore, since the sum of the grayscale signals from the peak to the base is calculated, the peak value of these sum signals becomes insensitive to the shift in the peak positions of the image signal from the mask and the image signal from the wafer. Therefore, by fixing the wafer at a position where the maximum value of the peak values of the combined image signals is obtained, highly accurate positioning can be performed.
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、位置検出用の光に対して半透明な位置合わせマークを
有するマスクを用いて位置合わせを行うことによりマス
ク上の位置合わせマーク及びウェハ上の位置合わせマー
クの像を画像処理の手法を用いて合威し、各位置合わせ
マークの重なりの程度によって合成された濃淡信号のピ
ーク値が変動することを利用して位置合わせを行うこと
ができる。As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, alignment is performed using a mask having alignment marks that are translucent to light for position detection. Alignment is performed by combining images of alignment marks on a wafer using an image processing method, and by utilizing the fact that the peak value of the synthesized grayscale signal changes depending on the degree of overlap of each alignment mark. I can do it.
このため、光照射の方向が変化して各位置合わせマーク
の画像信号の強度分布が非対称になった場合でも、従来
と異なりマスク上の位置合わせマーク及びウェハ上の位
置合わせマーク両方の位置関係がほぼ同じ位置で位置合
わせすることができるので、各位置合わせマークの濃淡
信号のピーク位置のずれはほぼ同等になる。更に、各濃
淡信号のピークから裾野までの和をとっているので、こ
れらの和信号のピーク値は各ピーク位置のずれに対して
鈍感になる。従って、各位置合わせマークが丁度型なっ
た位置で画像信号のピーク値も重なることになる。これ
により、合成された濃淡信号のピーク値の最大値が得ら
れる位置にウェハを固定すれば精度のよい位置合わせを
行うことができる。Therefore, even if the direction of light irradiation changes and the intensity distribution of the image signal of each alignment mark becomes asymmetric, unlike conventional methods, the positional relationship between both the alignment mark on the mask and the alignment mark on the wafer is maintained. Since alignment can be performed at approximately the same position, the shifts in the peak positions of the grayscale signals of each alignment mark are approximately the same. Furthermore, since the sum from the peak to the base of each gray level signal is calculated, the peak value of these sum signals becomes insensitive to the deviation of each peak position. Therefore, the peak values of the image signals will also overlap at the positions where the alignment marks are exactly in shape. As a result, accurate positioning can be achieved by fixing the wafer at a position where the maximum peak value of the combined grayscale signal is obtained.
第１図は、本発明の実施例の位置合わせ方法を説明する
図、
第２図は、位置合わせ装置を示す図、
第３図は、従来例の位置合わせ方法を説明する図、
第４図は、従来例の問題点を説明する図である。
〔符号の説明〕
１．５・・・ウェハ、
２ａ、２ｂ、３，６．７−・・位置合わせマーク、４．
８・・・マスク、
９・・・ステージ、
１０・・・顕微鏡、
１１・・・ハーフミラ−
１２・・・光源、
１３・・・画像処理装置、
１４・・・ステージコントローラ。FIG. 1 is a diagram explaining the positioning method according to the embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the positioning device, FIG. 3 is a diagram explaining the positioning method of the conventional example, and FIG. FIG. 2 is a diagram illustrating problems in the conventional example. [Explanation of symbols] 1.5... Wafer, 2a, 2b, 3, 6.7-... Alignment mark, 4.
8... Mask, 9... Stage, 10... Microscope, 11... Half mirror 12... Light source, 13... Image processing device, 14... Stage controller.
Claims (1)
成された光に対して透明な材料からなるマスクを、他の
位置合わせマークが形成されたウェハと光源との間にお
き、該光源により光を前記マスクを介してウェハに照射
して前記マスク上及びウェハ上の各位置合わせマークか
らの反射像を画像処理の手法を用いて合成し、合成され
た濃淡信号の強度分布のピーク値が最大となるように位
置合わせを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法
。A mask made of a material transparent to light, on which an alignment mark made of a material semitransparent to light is formed, is placed between a wafer on which other alignment marks are formed and a light source, and Light is irradiated onto the wafer through the mask, the reflected images from each alignment mark on the mask and the wafer are synthesized using an image processing method, and the peak value of the intensity distribution of the synthesized gray signal is determined. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that alignment is performed to maximize alignment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323549A JP2854050B2 (en) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1323549A JP2854050B2 (en) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184316A true JPH03184316A (en) | 1991-08-12 |
| JP2854050B2 JP2854050B2 (en) | 1999-02-03 |
Family
ID=18155941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1323549A Expired - Lifetime JP2854050B2 (en) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2854050B2 (en) |
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- 1989-12-13 JP JP1323549A patent/JP2854050B2/en not_active Expired - Lifetime
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