JPH0318295B2 - - Google Patents

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JPH0318295B2
JPH0318295B2 JP53023492A JP2349278A JPH0318295B2 JP H0318295 B2 JPH0318295 B2 JP H0318295B2 JP 53023492 A JP53023492 A JP 53023492A JP 2349278 A JP2349278 A JP 2349278A JP H0318295 B2 JPH0318295 B2 JP H0318295B2
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Japan
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cathode
current
image pickup
electron
afterimage
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Masakazu Fukushima
Shigeru Ehata
Masanori Maruyama
Naohiro Goto
Chihaya Ogusu
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Hitachi Ltd
Japan Broadcasting Corp
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Hitachi Ltd
Nippon Hoso Kyokai NHK
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は撮像管、特にビジコン型撮像管に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an image pickup tube, and particularly to a vidicon type image pickup tube.

一般に、光導電性のターゲツトを備えたビジコ
ン型撮像管は、ターゲツトを放電する電子ビーム
中の電子の速度分散とターゲツトの静電容量とに
起因する容量性残像(Capacitive lagあるいは
beam discharge lag)が存在する。この容量性
残像は明るい被写体が動くとき、画像の尾引き現
象を生じ、動解像度を損うため極力低減する必要
がある。そのためには、ターゲツトの静電容量を
へらすこと、および、ターゲツトに到達する電子
ビーム中の電子の軸方向速度分散を小さく、すな
わち電子ビームの電子温度を出来るだけ下げるこ
とが望ましい。ここで残像とは、入射光をしや断
してから3フイールド後の残留信号を初期値に対
する%で表わしたものを言う。
In general, vidicon-type image pickup tubes equipped with photoconductive targets suffer from capacitive lag (or
beam discharge lag). This capacitive afterimage causes a trailing phenomenon in the image when a bright subject moves, impairing the dynamic resolution, and therefore needs to be reduced as much as possible. To this end, it is desirable to reduce the capacitance of the target and to reduce the axial velocity dispersion of the electrons in the electron beam reaching the target, that is, to lower the electron temperature of the electron beam as much as possible. Here, the afterimage refers to a residual signal expressed three fields after the incident light is stopped, expressed as a percentage of the initial value.

一方、第1図に示すビジコン型撮像管において
解像度特性を良くするには、出来るだけ電流密度
の高い物点を形成し、これをターゲツト上に低倍
率の電子レンズで投影することが望ましい。この
ため陰極1から出た電子ビームを三極部で強く収
束し、高電流密度のクロスオーバーを形成した
り、クロスオーバーの近傍に、例えば20〜30μ〓程
度の孔径をもつたビームデイスク(リミツテイン
グアパーチヤ)2を置き、その孔を物点としてタ
ーゲツト3に投影しているものが多い。
On the other hand, in order to improve the resolution characteristics of the vidicon type image pickup tube shown in FIG. 1, it is desirable to form an object point with as high a current density as possible and project it onto a target with a low magnification electron lens. For this reason, the electron beam emitted from the cathode 1 is strongly focused at the triode, forming a crossover with high current density, and a beam disk (reflection disk) with a hole diameter of, for example, about 20 to 30 μm is placed near the crossover. In many cases, a focusing aperture (2) is placed and the aperture is used as an object point to project onto a target (3).

なお、第1図において、4,5及び6はそれぞ
れ第1、第2及び第3グリツドであり、7はメツ
シユである。また、8,9及び10はそれぞれ偏
向コイル、フオーカスコイル及びアライメントコ
イルであり、11はヒータである。
In FIG. 1, 4, 5 and 6 are first, second and third grids, respectively, and 7 is a mesh. Further, 8, 9, and 10 are a deflection coil, a focus coil, and an alignment coil, respectively, and 11 is a heater.

上記ビームデイスク2は、クロスオーバーとの
位置関係によつて、電子ビームが、主レンズ系に
入射するときの入射角を適当な範囲に設定するた
めに用いられるもので陰極1から出た電子ビーム
のごく一部しか、このビームデイスク2を通過で
きない。これを通過した電子ビームだけで構成さ
れるクロスオーバーを物点にすると、この狭いビ
ームデイスク2の孔を通してクロスオーバーを見
込むため、実際に全電流で形成されるクロスオー
バーより小さい見掛上のクロスオーバーを定めう
ることから、高解像度特性を達成する方法として
用いられている。
The beam disk 2 is used to set the incident angle of the electron beam when it enters the main lens system within an appropriate range depending on the positional relationship with the crossover. Only a small portion of the beam can pass through this beam disk 2. If we take the crossover made up only of the electron beam that has passed through this as an object point, the crossover is seen through the narrow hole in beam disk 2, so the apparent crossover is smaller than the crossover actually formed by the full current. It is used as a method to achieve high-resolution characteristics because it is possible to determine the overflow.

このようにして物点を形成している従来のビジ
コン型撮像管では、物点やクロスオーバーでの電
子ビームの電流密度は非常に高くなり、10A/cm2
以上に達することもしばしば起る。したがつて、
電子ビームのこの高電流密度の部分では電子相互
間の衝突によつて、エネルギーの授受がなされ、
速度分散は大きくなり、電子温度が上昇する。例
えば、陰極の動作温度が1080〓の普通の酸化物陰
極を用いたビジコンにおいて、ターゲツトに到達
する電子ビーム中の電子温度は4000〜6500〓まで
高くなり残像特性が低下することが知られてい
る。
In conventional vidicon-type image pickup tubes that form object points in this way, the current density of the electron beam at the object point or crossover is extremely high, reaching 10 A/cm 2
It often happens that more than that is reached. Therefore,
In this high current density part of the electron beam, energy is exchanged through collisions between electrons.
The velocity dispersion increases and the electron temperature increases. For example, in a vidicon using an ordinary oxide cathode with a cathode operating temperature of 1080°C, the electron temperature in the electron beam reaching the target increases to 4000-6500°C, and it is known that the afterimage characteristics deteriorate. .

以上のことから、ビジコン型撮像管において、
高解像度特性と低残像特性とを両立させること
は、互に矛盾する要因を含むので、困難である。
From the above, in the vidicon type image pickup tube,
It is difficult to achieve both high resolution characteristics and low afterimage characteristics because mutually contradictory factors are involved.

かかる点に鑑み本発明は、低残像でしかも高解
像度の撮像管を提供することを目的とする。
In view of this, an object of the present invention is to provide an image pickup tube with low afterimage and high resolution.

かかる目的を達成するために、本発明では、ビ
ームデイスクを陰極イメージの位置に置くことを
特徴とする。
In order to achieve this objective, the present invention is characterized in that a beam disk is placed at the position of the cathode image.

即ち、ターゲツト上の電子ビームの径は、所謂
ラングミヤー(Langmuir)の条件が支配的であ
るから、ビームデイスクを通過した電子群をすべ
て陰極の特定点から出た電子だけにできる。か
つ、この特定点から出た電子がすべてビームデイ
スクを通過すれば、ビームデイスクの存在によつ
て、電子ビームの陰極上でのローデイングρcは全
く損われることがなく、ビームデイスクを通過す
るビームの実効陰極負荷を最大にすることができ
る。
That is, since the diameter of the electron beam on the target is dominated by the so-called Langmuir condition, all the electrons passing through the beam disk can be limited to only the electrons emitted from a specific point on the cathode. Moreover, if all the electrons emitted from this specific point pass through the beam disk, the loading of the electron beam on the cathode ρc will not be impaired at all due to the existence of the beam disk, and the beam passing through the beam disk will be The effective cathode load can be maximized.

ところで、陰極から出た電子は第1グリツド及
び第2グリツドによつて作られる電界のレンズ作
用で集束されて、第6図に示す如くビームの流れ
を作る。そして陰極上の「一点」から熱速度分散
をもつて全方向にとび出した電子群はある拡がり
をもつたガウスビーム群(ガウシアンビームレツ
ト(Gaussian beamlet))となり、これが上記の
レンズ作用により再び一点に集束する。この位置
が第6図に示すように陰極イメージの位置であ
る。陰極から出た電子ビームは、陰極の全電子放
射面の「各点」から出たビームレツトの集まりで
あり、この電子ビーム全体の径の最小の位置をク
ロスオーバーといい、電流密度が最大になる。陰
極イメージでは三極部のレンズ倍率に従つた陰極
の像が形成される。そこで、本発明では、この陰
極イメージの位置にビームデイスクを置き、陰極
中心から出た熱速度によるガウシアンビームレツ
トのすべてが通過できるようにして、通過電子ビ
ームの実効陰極負荷を高めたものである。
Incidentally, the electrons emitted from the cathode are focused by the lens action of the electric field created by the first grid and the second grid, creating a beam stream as shown in FIG. The group of electrons that shoot out in all directions with thermal velocity dispersion from a "single point" on the cathode becomes a Gaussian beam group (Gaussian beamlet) with a certain spread, which is brought back to a single point by the above-mentioned lens action. Focus. This position is the position of the cathode image as shown in FIG. The electron beam emitted from the cathode is a collection of beamlets emitted from each point on the entire electron emitting surface of the cathode, and the position where the diameter of the entire electron beam is minimum is called the crossover, where the current density is maximum. . In the cathode image, an image of the cathode is formed according to the lens magnification of the triode section. Therefore, in the present invention, a beam disk is placed at the position of this cathode image so that all of the Gaussian beamlets due to thermal velocity emitted from the center of the cathode can pass through, thereby increasing the effective cathode load of the passing electron beam. .

従来のビジコン型撮像管では、このビームレツ
トのうち20〜30%の電子しか通過できない構造の
ものが多い。したがつて、本発明の構成によれ
ば、動作時の陰極電流は従来の設計による値の1/
3〜1/5で、ビームデイスク通過後の電子ビームに
よる実効陰極ローデイングが等しくなるようにで
き、陰極電流に対するビームデイスクを通過する
電子ビームの割合を高くできる。実際これによつ
て200μAから50μA程度にでき、動作時の電流を
1/5に低下させることができた。
Most conventional vidicon type image pickup tubes have a structure that allows only 20 to 30% of the electrons to pass through the beamlet. Therefore, according to the configuration of the present invention, the cathode current during operation is reduced to 1/1 of the value according to the conventional design.
When the ratio is 3 to 1/5, the effective cathode loading by the electron beam after passing through the beam disk can be made equal, and the ratio of the electron beam passing through the beam disk to the cathode current can be increased. In fact, by doing this, we were able to reduce the current from 200 μA to about 50 μA, reducing the operating current to 1/5.

かくして、動作時の陰極電流を減らすと、それ
によつて、クロスオーバーの電流密度も低下させ
ることが可能となり、ターゲツトに到達する電子
ビームの電子温度を低下することができる。その
ため、解像度特性を損うことなく、低残像特性を
備えたビジコン型撮像管を実現できる。以下、本
発明を詳細に説明する。
Thus, reducing the cathode current during operation can thereby also reduce the crossover current density, thereby reducing the electron temperature of the electron beam reaching the target. Therefore, a vidicon-type image pickup tube with low afterimage characteristics can be realized without impairing resolution characteristics. The present invention will be explained in detail below.

一般に撮像管電子銃の三極管部においては、熱
陰極から放出される熱電子の初速度分布と(熱速
度分散)と電子相互間に働く電荷の反発による空
間電荷効果が共存するため通常の電子光学的方法
で、クロスオーバーの位置、電流密度、あるいは
陰極イメージの位置や倍率などを求めることはで
きない。これは、空間電荷制限の状態で電子流を
陰極から引き出している通常の酸化物陰極では、
陰極前面の軸方向電位傾度Ez=dV/dzが陰極近傍で 零になり、d2V/dz2が発散するため、電子光学的な レンズとしての効果が求められないこと、およ
び、空間電荷効果により陰極像自体がボケてしま
うこと、のためである。
Generally, in the triode section of an image pickup tube electron gun, the initial velocity distribution of thermionic electrons emitted from the hot cathode (thermal velocity dispersion) and the space charge effect due to the repulsion of charges acting between electrons coexist, so that normal electron optics is It is not possible to determine the crossover position, current density, or cathode image position or magnification using standard methods. This is because in a normal oxide cathode, which draws electron flow from the cathode under space charge limitation,
The axial potential gradient E z = dV/dz in front of the cathode becomes zero near the cathode, and d 2 V/dz 2 diverges, so the effect as an electro-optical lens cannot be obtained, and the space charge This is because the cathode image itself becomes blurred due to the effect.

しかし、直熱型の陰極では、温度制限で使用で
きるため陰極近傍の電位傾度を有限とすることが
可能で、このときにはレンズ効果を計算できるの
で、陰極イメージの位置、倍率などを算出するこ
とが可能となる。
However, directly heated cathodes can be used with limited temperature, making it possible to limit the potential gradient near the cathode. In this case, the lens effect can be calculated, making it possible to calculate the position, magnification, etc. of the cathode image. It becomes possible.

通常陰極から出た電子ビームを微小な径に収束
する場合、次の3つの要因でその径は制限され
る。
When converging an electron beam emitted from a cathode into a small diameter, the diameter is usually limited by the following three factors.

即ち、 電子の熱初速度による制限。この効果はラン
グミヤー(Langmuir)の条件と呼ばれ、式 ρs=ρc(1+eV/kT)sin2θ で表わされる。
In other words, it is limited by the initial thermal velocity of electrons. This effect is called Langmuir's condition and is expressed by the formula ρ sc (1+eV/kT) sin 2 θ.

ここで ρsは収束したビームの電流密度 ρcは陰極での電流密度 e、kは物理定数、Tは陰極温度、 Vはターゲツトの電圧である。 Here, ρ s is the current density of the focused beam, ρ c is the current density at the cathode, e and k are physical constants, T is the cathode temperature, and V is the target voltage.

したがつて陰極での電流密度が大きいほど同
一電流・電圧、同一収束角θに対する電子ビー
ムの径は小さくできる。
Therefore, the larger the current density at the cathode, the smaller the diameter of the electron beam for the same current/voltage and the same convergence angle θ.

空間電荷効果による制限。これは電子ビーム
中の電子が電荷により相互に反発して、径が拡
がる現象を云う。
Limited by space charge effects. This is a phenomenon in which the electrons in an electron beam repel each other due to electric charge, causing the beam to expand in diameter.

収束レンズ系の収差による制限。 Limitations due to aberrations of the converging lens system.

これらの要因のうち、撮像管において、高解像
度を実現するには、上記の要因が支配的であ
り、本発明者らが検討した結果、次の2条件を満
すことが望ましいと判明した。即ち、低残像特性
を確保するためには、クロスオーバーの電流密度
を出来るだけ低くする。具体的には10A/cm2
下、例えば2〜5A/cm2が望ましい。一方、解像
度特性を高く保つためには、ビームデイスクを通
過した電子ビームの陰極上でのローデイングは出
来るだけ大きく、例えば0.2A/cm2〜0.5A/cm2
することが望ましい。
Among these factors, in order to achieve high resolution in an image pickup tube, the above factors are dominant, and as a result of studies conducted by the present inventors, it has been found that it is desirable to satisfy the following two conditions. That is, in order to ensure low afterimage characteristics, the crossover current density is made as low as possible. Specifically, it is preferably 10 A/cm 2 or less, for example 2 to 5 A/cm 2 . On the other hand, in order to maintain high resolution characteristics, it is desirable that the loading of the electron beam passing through the beam disk on the cathode be as large as possible, for example, 0.2 A/cm 2 to 0.5 A/cm 2 .

上記の2条件は次の検討結果から得られたもの
である。まず低残像特性について第2図で説明す
る。図において、横軸は電子ビーム中のクロスオ
ーバーでの電流密度、縦軸は第3フイールド(タ
ーゲツトに入射する光を遮断して50ms後)にお
ける残像の値を示したものである。図上の点線と
実線はそれぞれ信号電流50nAと200nAとに対応
している。図のように、いずれの場合も、クロス
オーバーの電流密度が低下すると残像もほぼ比例
して下がる。信号電流50nAの場合は電流密度
2A/cm2附近から急激に残像が低下することがわ
かる。次に解像度特性について説明する。
Langmuirの条件から、例えば500ボルトのター
ゲツト直前のメツシユ電極上において充分な解像
度を得るためには、15μ〓〜20μ〓のビーム径を必要
とする。このとき、実際の18mmのビジコンの寸
法、形状に対して求めると、実効カソードローデ
イングは0.2〜0.3A/cm2となる。
The above two conditions were obtained from the following study results. First, the low afterimage characteristic will be explained with reference to FIG. In the figure, the horizontal axis shows the current density at crossover in the electron beam, and the vertical axis shows the afterimage value in the third field (50 ms after the light incident on the target is blocked). The dotted line and solid line on the diagram correspond to signal currents of 50 nA and 200 nA, respectively. As shown in the figure, in any case, as the crossover current density decreases, the afterimage decreases almost proportionally. Current density for signal current 50nA
It can be seen that the afterimage decreases rapidly from around 2A/ cm2 . Next, resolution characteristics will be explained.
From Langmuir's conditions, a beam diameter of 15 μm to 20 μm is required to obtain sufficient resolution on a mesh electrode just in front of a 500 volt target, for example. At this time, when calculated for the actual size and shape of a vidicon of 18 mm, the effective cathode loading is 0.2 to 0.3 A/cm 2 .

陰極イメージの位置は次の方法で求められる。
まず、電子計算機によつてラプラス解を求め、軸
上電位をφ=pz3+qzと近似することである。こ
こに、p及びqはそれぞれz方向の電位を多項近
似する係数である。次に、陰極中央の1点から横
方向に種々の熱初速度成分をもつて放出された電
子群(ガウシアンビームレツト(Gaussian
beamlet))の径が最小になる軸上の位置を求め
る。この様にして求めた陰極イメージの位置、お
よび、陰極中心から出るガウシアンビームレツト
径の軸上位置による変化を第3図に示す。三極部
を構成する電極の位置関係は図の上側に示す通り
であり、第1グリツド4、第2グリツド5及びビ
ームデイスク2は、それぞれ陰極1から0.14mm、
0.47mm、2.1mmの位置に配置され、第1及び第2
グリツドの口径は0.65mm、ビームデイスクの口径
は50μmである。各電極の印加電圧は、陰極1の
電位を0Vとして第1グリツド4は−100〜0V、
第2グリツド5及びビームデイスク2は300Vで
ある。
The position of the cathode image is determined by the following method.
First, a Laplace solution is obtained using an electronic computer, and the on-axis potential is approximated as φ=pz 3 +qz. Here, p and q are coefficients for polynomial approximation of the potential in the z direction. Next, a group of electrons (Gaussian beamlets) are emitted from a single point in the center of the cathode in the lateral direction with various initial thermal velocity components.
Find the position on the axis where the diameter of the beamlet) is the minimum. FIG. 3 shows the position of the cathode image obtained in this manner and the change in the diameter of the Gaussian beamlet emitted from the center of the cathode depending on the axial position. The positional relationship of the electrodes constituting the triode part is as shown in the upper part of the figure.
0.47mm, 2.1mm, first and second
The diameter of the grid is 0.65 mm, and the diameter of the beam disk is 50 μm. The voltage applied to each electrode is -100 to 0V for the first grid 4, with the potential of the cathode 1 being 0V;
The second grid 5 and beam disc 2 are at 300V.

第3図に示す如く、本発明においては、動作時
にビームデイスクを陰極イメージの位置に置くこ
とにより、低残像でかつ高解像度の撮像管を実現
することができた。
As shown in FIG. 3, in the present invention, by placing the beam disk at the position of the cathode image during operation, it was possible to realize an image pickup tube with low afterimage and high resolution.

第3図において、実線で示す曲線は陰極電流IK
が58μAで2倍ビーム設定(第1グリツドの印加
電圧が−70V)のときのガウシアンビームレツト
径の変化を示し、1点鎖線で示す曲線は陰極電流
IKが140μAで4倍ビーム設定(第1グリツドの印
加電圧が−59V)のときのガウシアンビームレツ
ト径の変化を示し、破線で示す曲線は陰極電流IK
が64μAでジヤストビーム設定のときのガウシア
ンビームレツト径を示す。図中の矢印で示す位置
が、それぞれクロスオーバーと陰極イメージの位
置である。図のように、IK=64μAのときの陰極
イメージの位置は、陰極から2.1mmのところにあ
る。本発明では、この陰極イメージの位置にビー
ムデイスク2を配置するのである。
In Fig. 3, the solid line indicates the cathode current I K
The graph shows the change in the Gaussian beamlet diameter when 58 μA and double beam setting (applied voltage of the first grid is -70 V), and the curve shown by the dashed line shows the cathode current.
The curve shown by the dashed line shows the change in the Gaussian beamlet diameter when I K is 140 μA and the quadrupled beam setting (the applied voltage of the first grid is -59 V) .
shows the Gaussian beamlet diameter when is set to 64μA and just beam. The positions indicated by arrows in the figure are the positions of the crossover and cathode images, respectively. As shown in the figure, the position of the cathode image when I K =64 μA is 2.1 mm from the cathode. In the present invention, the beam disk 2 is placed at the position of this cathode image.

さらに、第3図に示す如く、半径が25μm以上
のビームデイスクを用いると陰極中心部に対する
通過電子流の実効カソードローデイングは、中央
ガウシアンビームレツトの透過率60%以上、例え
ば2倍ビームのとき98%となり、実効陰極ローデ
イングを、陰極ローデイングと等しくすることが
可能である。
Furthermore, as shown in Fig. 3, when a beam disk with a radius of 25 μm or more is used, the effective cathode loading of the passing electron current to the center of the cathode is reduced when the transmittance of the central Gaussian beamlet is 60% or more, for example, when the beam is doubled. 98%, and it is possible to make the effective cathode loading equal to the cathode loading.

なお、撮像管を動作させるには出力信号電流の
ピーク即ち、画面の最も明るい場所に対する信号
電流でもビーム不足をきたさないように、ビーム
電流を出力電流と等しいジヤストビーム値から、
1.5ビーム、さらには屋外などでは4倍ビーム設
定とすることが多く行われるのでこの範囲で陰極
イメージがビームデイスク上に形成される様に構
成することは勿論である。
Note that in order to operate the image pickup tube, the beam current must be adjusted from the just beam value, which is equal to the output current, so that the peak of the output signal current, that is, the signal current for the brightest part of the screen, will not cause a beam shortage.
Since a 1.5 beam or even a 4x beam setting is often used outdoors, it goes without saying that the configuration should be such that a cathode image is formed on the beam disk within this range.

第4図は、横軸にモニター上で識別できるTV
本数、縦軸に(解像度)振巾特性をとつたもので
ビーム電流600nAのときの解像度特性を示す。図
中黒丸が本発明による撮像管、白丸が従来の撮像
管の場合であり、解像度特性は両者ほぼ同じであ
る。
Figure 4 shows the TV that can be identified on the monitor on the horizontal axis.
The number of beams and the (resolution) amplitude characteristics are plotted on the vertical axis, which shows the resolution characteristics when the beam current is 600 nA. In the figure, the black circles are for the image pickup tube according to the present invention, and the white circles are for the conventional image pickup tube, and the resolution characteristics of both are almost the same.

第5図は、横軸にバイアスライト電流、縦軸に
第3フイールドの残像をとつたもので、ビーム電
流600nAのときの本発明の撮像管と従来の撮像管
の残像特性を示す。図のように、信号電流50nA
のときは曲線AからBの如く残像が減少し、信号
電流200nAのときは曲線A′からB′の如く減少す
る。具体的にいうと、バイアスライト電流が
10nAのとき、信号電流50nAでは従来残像が約5
%もあつたのに、本発明によればそれが2%にま
で減じ、信号電流200nAでは従来残像が約1.5%
あつたのが、本発明によればそれが1%程度とな
る。実用的には残像は2%以下が望ましいが、本
発明によれば信号電流が50nAでもそれを達成で
きるのである。
FIG. 5 shows the bias write current on the horizontal axis and the afterimage of the third field on the vertical axis, and shows the afterimage characteristics of the image pickup tube of the present invention and the conventional image pickup tube when the beam current is 600 nA. As shown, signal current 50nA
When , the afterimage decreases as shown by curve A to B, and when the signal current is 200 nA, it decreases as shown by curve A' to B'. Specifically, the bias write current is
When the signal current is 10nA and the signal current is 50nA, the conventional afterimage is about 5
%, but according to the present invention, it has been reduced to 2%, and with a signal current of 200 nA, the afterimage was conventionally about 1.5%.
However, according to the present invention, the amount is reduced to about 1%. Practically speaking, it is desirable for the afterimage to be 2% or less, but according to the present invention, this can be achieved even with a signal current of 50 nA.

したがつて、本発明によれば、残像を約1/2に
減じ、しかも解像度特性が低下しない撮像管を提
供できるのである。
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide an image pickup tube in which the afterimage is reduced to approximately 1/2 and the resolution characteristics do not deteriorate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のビジコン型撮像管の構造の概略
を示す図、第2図はクロスオーバーの電流密度と
残像の関係を示す図、第3図は電子群の径の軸上
位置による変化を示す図、第4図は本発明による
解像度特性を示す図、第5図本発明による残像度
特性を示す図、第6図はクロスオーバーと陰極イ
メージの位置関係を説明するための図である。
Figure 1 is a diagram showing the outline of the structure of a conventional vidicon type image pickup tube, Figure 2 is a diagram showing the relationship between crossover current density and afterimage, and Figure 3 is a diagram showing the change in the diameter of the electron group depending on the axial position. 4 is a diagram showing resolution characteristics according to the present invention, FIG. 5 is a diagram showing afterimage characteristics according to the present invention, and FIG. 6 is a diagram for explaining the positional relationship between the crossover and the cathode image.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 陰極、第1グリツド、第2グリツドからなる
三極部及びビームデイスクを有する電子銃から成
るビジコン型撮像管において、上記ビームデイス
クは、上記電子銃の電子ビームによつて作られる
陰極イメージの位置に配置されることを特徴とす
るビジコン型撮像管。
1. In a vidicon type image pickup tube consisting of a triode section consisting of a cathode, a first grid, and a second grid, and an electron gun having a beam disk, the beam disk controls the position of the cathode image created by the electron beam of the electron gun. A vidicon-type image pickup tube characterized in that it is arranged in a.
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