JPS5942945B2 - cathode ray tube device - Google Patents

cathode ray tube device

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JPS5942945B2
JPS5942945B2 JP53110434A JP11043478A JPS5942945B2 JP S5942945 B2 JPS5942945 B2 JP S5942945B2 JP 53110434 A JP53110434 A JP 53110434A JP 11043478 A JP11043478 A JP 11043478A JP S5942945 B2 JPS5942945 B2 JP S5942945B2
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JP
Japan
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grid
electron beam
focusing
ray tube
cathode ray
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JP53110434A
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JPS5537747A (en
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真哉 竹延
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はブラウン管の電子ビーム集束方法の改善に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in the electron beam focusing method for a cathode ray tube.

一般にブラウン管ではカソードから電子ビームをけい光
面に集束する方法として、磁界により行う電磁集束方式
と、静電界により行う静電集束方式とがある。
In general, in a cathode ray tube, there are two methods for focusing an electron beam from a cathode onto a phosphorescent surface: an electromagnetic focusing method using a magnetic field, and an electrostatic focusing method using an electrostatic field.

前者は通常コイルに電流を流して電子ビームを集束する
ようにし、集束の調整は電流の強さを加減して行う。
In the former case, an electric current is normally passed through a coil to focus the electron beam, and the focusing is adjusted by adjusting the strength of the current.

しかしこの方法ではコイルに電流を流すための電源とし
て安定度の良いものを必要とする欠点がある。
However, this method has the disadvantage that it requires a highly stable power source for passing current through the coil.

この改善案として永久磁石による方法も試みられている
が磁石の強さを加減することが困難であり、特にけい光
面上の各点で集束させるダイナミックフォーカスを行う
ことは不可能に近い。
A method using permanent magnets has been attempted as an improvement on this, but it is difficult to adjust the strength of the magnet, and in particular, it is nearly impossible to perform dynamic focusing to focus at each point on the phosphor surface.

一方、後者の静電集束の方は、集束作用の強弱は電極に
加える電圧を加減することにより容易に行なえる。
On the other hand, in the case of the latter electrostatic focusing, the strength of the focusing effect can be easily controlled by adjusting the voltage applied to the electrodes.

しかし、高解像を要求するブラウン管では静電集束で必
要とする集束特性が得られない欠点がある。
However, cathode ray tubes that require high resolution have the disadvantage that they cannot provide the focusing characteristics required by electrostatic focusing.

これらの欠点を補うものとして電磁集束と静電集束を組
合せる方法があるが、この場合、静電集束は補助的に使
用するため弱くする必要があり、フォーカス電圧が高く
なってステムからの印加が困難になる。
There is a method of combining electromagnetic focusing and electrostatic focusing to compensate for these drawbacks, but in this case, the electrostatic focusing is used as an auxiliary and therefore needs to be weakened, and the focus voltage becomes high and the voltage applied from the stem is becomes difficult.

また、静電集束で調整することにより電子ビームの仮想
物点位置が変化するため、スクリーン面で像点が得にく
い欠点がある。
Furthermore, since the virtual object point position of the electron beam changes due to adjustment using electrostatic focusing, there is a drawback that it is difficult to obtain an image point on the screen surface.

これを第1図に基いて説明する。This will be explained based on FIG.

第1図は従来の電磁集束と静電集束を組合せた場合のブ
ラウン管装置で、1はブラウン管本体、11はそのフェ
ース部で、内面は電子ビームにより発光するけい光体(
図示せず)が塗布されている。
Figure 1 shows a cathode ray tube device that combines conventional electromagnetic focusing and electrostatic focusing. 1 is the main body of the cathode ray tube, 11 is its face, and the inner surface is a phosphor (
(not shown) is applied.

また、ネック部12の中には電子銃が配置されている。Further, an electron gun is arranged inside the neck portion 12.

13はカソードで、通常内部にカソード加熱用ヒータ(
図示せず)を有する。
13 is the cathode, and there is usually a cathode heating heater (
(not shown).

14は第1グリツドで、カソード13から出る電子ビー
ム量を制御する。
A first grid 14 controls the amount of electron beams emitted from the cathode 13.

15は第2グリツドで、カソード13に対して正の電位
を加え、電子ビームを加速する。
A second grid 15 applies a positive potential to the cathode 13 to accelerate the electron beam.

16は第3グリツドで、ステムからフォーカス電圧が印
加される。
16 is a third grid to which a focus voltage is applied from the stem.

17は第4グリツドで、ネック内導電膜18に電気的に
接続される。
A fourth grid 17 is electrically connected to the conductive film 18 inside the neck.

したがって、第3グリツド16と第4グリツド17とで
静電レンズが形成され、電子ビームは予備集束される。
Thus, the third grid 16 and the fourth grid 17 form an electrostatic lens and the electron beam is prefocused.

ここで、24は静電レンズの物点側主面、25は像側主
面で、これら両生面24.25間で電子ビームが屈折集
束される。
Here, 24 is the object-side principal surface of the electrostatic lens, and 25 is the image-side principal surface, and the electron beam is refracted and focused between these bidirectional surfaces 24 and 25.

カソードから発射された電子ビームの最外電子線はこの
静電レンズがない場合は実線20で示したように広がり
、磁界発生器2による集束磁界により、けい光面に集束
する。
Without this electrostatic lens, the outermost electron beam of the electron beam emitted from the cathode would spread as shown by the solid line 20, and would be focused on the fluorescent surface by the focusing magnetic field from the magnetic field generator 2.

ここで、「最外電子線」とは、静電レンズの物点側主面
24に入射する電子ビームのうちで最も外側を通る電子
ビームをいう。
Here, the "outermost electron beam" refers to an electron beam that passes through the outermost part of the electron beams that enter the object-side main surface 24 of the electrostatic lens.

しかし第3グリツド16に第4グリツド17とは異なる
電位を加えてこの間に静電レンズを形成すると、ここで
電子ビームの最外電子線は点線21で示す様に若干集束
され、磁界発生器2による集束磁界により、けい光面に
集束する。
However, if a potential different from that of the fourth grid 17 is applied to the third grid 16 and an electrostatic lens is formed between them, the outermost electron beam of the electron beam is slightly focused as shown by the dotted line 21, and the magnetic field generator 2 is focused on the fluorescent surface by a focusing magnetic field.

この場合、電子ビームの仮想物点位置22が後方23へ
移動する。
In this case, the virtual object point position 22 of the electron beam moves backward 23.

ここで、「仮想物点位置22」とは、静電レンズの物点
側主面24における最外電子線の傾斜を電子ビーム入射
方向へ延長し、電子線中心軸26と交わる点をいう。
Here, the "virtual object point position 22" refers to a point where the slope of the outermost electron beam on the object-side main surface 24 of the electrostatic lens is extended in the electron beam incident direction and intersects with the electron beam central axis 26.

この移動の仕方が実際には電子ビームの中の全電子が一
様でなく、電子レンズを通過する時の電子の半径位置に
より異なる。
The way in which this movement actually occurs is that all the electrons in the electron beam are not uniform, and differ depending on the radial position of the electrons when they pass through the electron lens.

このために電子ビームの仮想物点位置のばらつきの幅が
大きくなり、それだけ像点のばらつき幅も大きくなるた
め、けい光面上で得られるビーム径が大きくなる。
For this reason, the width of the variation in the virtual object point position of the electron beam increases, and the width of the variation in the image point also increases accordingly, so that the beam diameter obtained on the fluorescent surface increases.

また、静電レンズも弱くて良いため、第3グリツド16
の電位と第4グリツド17の電位との差が小さくなり、
第3グリツド16の電位が高くなる。
In addition, since the electrostatic lens is also weak, the third grid 16
The difference between the potential of and the potential of the fourth grid 17 becomes smaller,
The potential of the third grid 16 becomes high.

これをステムを通して供給するのは信頼性の面で種々問
題が生じ易い欠点がある。
Supplying this through the stem has the disadvantage that various problems tend to occur in terms of reliability.

本発明はこれらの欠点を解消するもので、電磁集束と静
電集束を組合せ、電磁集束の調整の困難さを静電集束で
調整し、静電集束の集束特性の悪い点を、静電レンズを
特定の位置に配設することで除去し、電磁集束の集束特
性の良さを生かしたブラウン管装置を提供するものであ
る。
The present invention solves these drawbacks by combining electromagnetic focusing and electrostatic focusing, adjusting the difficulty of adjusting electromagnetic focusing with electrostatic focusing, and solving the poor focusing characteristics of electrostatic focusing by using an electrostatic lens. The present invention provides a cathode ray tube device that takes advantage of the good focusing characteristics of electromagnetic focusing by disposing it at a specific position.

以下、本発明の実施例を図面に基いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は本発明のブラウン管装置である。FIG. 2 shows a cathode ray tube device of the present invention.

第1図と異なる点を説明する。Points different from FIG. 1 will be explained.

第1図における第3グリツド16と第4グリツド17と
で構成される静電レンズの位置が、第2図では特殊な位
置に配置した点にある。
The position of the electrostatic lens composed of the third grid 16 and the fourth grid 17 in FIG. 1 is in a special position in FIG.

即ち、第2グリツド16を短く、第3グリツド17を長
く形成することにより、第3グリツド16と第4グリツ
ド17とで構成される静電レンズの物点側主面24を後
方(左方)へ移動させて、カソード13、第1グリツド
14、第2グリツド15及び第3グリツド16で構成さ
れる電子銃から放射される電子ビームの最外電子線の仮
想物点位置におかれている。
That is, by forming the second grid 16 short and the third grid 17 long, the main surface 24 on the object point side of the electrostatic lens composed of the third grid 16 and the fourth grid 17 is moved backward (to the left). The electron beam is moved to the position of the virtual object point of the outermost electron beam of the electron beam emitted from the electron gun composed of the cathode 13, the first grid 14, the second grid 15, and the third grid 16.

第3グリツド16と第4グリツド17の間に位置する幾
何学的レンズ中心面27から物点側主面24までの距離
りは、グリッド電圧に依存するほぼ一定な値であるから
、上記のように形成することにより、幾何学的レンズ中
心面27を第1図の従来例よりも後方へ移動させ、その
分だけ物点側主面24を後方へ移動させているのである
Since the distance from the geometric lens center plane 27 located between the third grid 16 and the fourth grid 17 to the object point side main surface 24 is a substantially constant value that depends on the grid voltage, as described above, By forming this lens, the geometrical lens center plane 27 is moved further rearward than in the conventional example shown in FIG. 1, and the object point side main surface 24 is moved rearward by that amount.

こうすると、レンズの無い場合の電子ビーム20の仮想
物点位置22と、このレンズを通過する場合の電子ビー
ム21の最外電子線の仮想物点位置23とは、はとんど
変わらない。
In this way, the virtual object point position 22 of the electron beam 20 without a lens and the virtual object point position 23 of the outermost electron beam of the electron beam 21 when passing through this lens are almost the same.

しかも最外電子線はレンズの収差を受けない。Moreover, the outermost electron beam is not affected by lens aberration.

更に、電子ビームの屈折の大きさは、レンズ空間の電位
比の平方根に比例することから、上記しるだけ(N−第
4グリツド17の電位/第3グリツド16の電位)なの
で、第3グリツド16の電位を相当低くして使用するこ
とができる。
Furthermore, since the magnitude of refraction of the electron beam is proportional to the square root of the potential ratio in the lens space, the above equation is enough (N - potential of the fourth grid 17/potential of the third grid 16). 16 can be used at a considerably lower potential.

実際、第1図の従来例において、第4グリツド17の印
加電圧を100とすると、第2グリツド15は5〜10
、第3グリツド16は20〜35であるのに対し、第2
図の本発明では、第4グリツド17と第2グリツド15
の印加電圧が上記従来例と同一である場合、第3グリツ
ド16の印加電圧は5〜35であればよい。
In fact, in the conventional example shown in FIG.
, the third grid 16 is 20-35, while the second
In the illustrated invention, the fourth grid 17 and the second grid 15
When the applied voltage of the third grid 16 is the same as that of the conventional example, the applied voltage of the third grid 16 may be 5 to 35.

つまり、第3グリツド16の印加電圧は従来例の下限で
ある20よりも低くして使用することができる。
In other words, the voltage applied to the third grid 16 can be lower than 20, which is the lower limit of the conventional example.

以上説明したように、本発明によれば静電的な電子ビー
ムの集束調整を附加することによる種々な欠点を伴うこ
となく、電子集束レンズ部(磁界発生器2部)での電子
ビームの広がりを小さくでき、電磁集束レンズの収差を
少くすることもでき、かつ集束磁界一定のま5で、静電
レンズの強さを調整して、けい光面上での電子ビーム径
が最適になる様に容易に出来る。
As explained above, according to the present invention, the spread of the electron beam at the electron focusing lens section (the two magnetic field generator sections) can be improved without the various drawbacks caused by adding electrostatic focusing adjustment of the electron beam. It is possible to reduce the aberration of the electromagnetic focusing lens, and to maintain a constant focusing magnetic field, the strength of the electrostatic lens can be adjusted to optimize the electron beam diameter on the fluorescent surface. can be easily done.

また図ではパイポテンシャル等の静電レンズで示したが
、これに限定されるものでないことはいうまでもない。
Further, in the figure, an electrostatic lens such as a pi potential is used, but it goes without saying that the lens is not limited to this.

【図面の簡単な説明】 第1図は従来のブラウン管装置の断面説明図、第2図は
本発明のブラウン管装置の断面説明図である。 1はブラウン管本体、2は集束コイル、13はカソード
、14〜17はグリッド、22.23は仮想物点位置、
24は物点側主面である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory sectional view of a conventional cathode ray tube device, and FIG. 2 is an explanatory sectional view of a cathode ray tube device of the present invention. 1 is the cathode ray tube body, 2 is a focusing coil, 13 is a cathode, 14 to 17 are grids, 22.23 is a virtual object point position,
24 is the main surface on the object point side. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 静電集束レンズと電磁集束レンズとを組合せて動作
させるブラウン管に於て、静電集束レンズを電磁集束レ
ンズよりもカソード側に設け、静電集束レンズの物点側
主面がカソード、第1グリツド、第2グリツド、及び第
3グリツドで構成される電子銃から放射される電子ビー
ムの最外電子線の仮想物点位置近傍に配設したことを特
徴とするブラウン管装置。
1. In a cathode ray tube that operates by combining an electrostatic focusing lens and an electromagnetic focusing lens, the electrostatic focusing lens is provided closer to the cathode than the electromagnetic focusing lens, and the main surface on the object point side of the electrostatic focusing lens is the cathode, and the first 1. A cathode ray tube device, characterized in that the cathode ray tube device is disposed near a virtual object point position of an outermost electron beam of an electron beam emitted from an electron gun composed of a grid, a second grid, and a third grid.
JP53110434A 1978-09-07 1978-09-07 cathode ray tube device Expired JPS5942945B2 (en)

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JPS5537747A JPS5537747A (en) 1980-03-15
JPS5942945B2 true JPS5942945B2 (en) 1984-10-18

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07111878B2 (en) * 1985-08-30 1995-11-29 ソニー株式会社 Cathode ray tube
JPS63250040A (en) * 1987-04-06 1988-10-17 Sony Corp Electron gun for cathode-ray tube

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