JPH03177669A - デューティソレノイドバルブ駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、流体の圧力又は流量を制御するデユーティ
ソレノイドバルブの駆動装置に関し、特に消費電力を節
減すると共に小形化を実現したデユーティソレノイドバ
ルブ駆動装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来より、デユーティソレノイドバルブは、例えば、「
日産フルレンジ電子制御オートマチックトランスミッシ
ョン整備要領書１（昭和６３年２月）に記載されている
ように、自動車の油圧制御系等に広く用いられている。

第４図は油圧制御用の一般的なデユーティソレノイドバ
ルブを示す構成図である。

図において、（１０）は供給抽圧ＰＡが印加される入力
ボート、（１１）は通常の大気圧ＰＥＸに相当するドレ
インボート、（１２）は制御圧力Ｐｃを決定する出力ボ
ートであり、各ボート（１ｏ〉〜（１２）はバルブ（１
３）はバルブ空間Ｓ内に収納されたボール（１４）を駆
動するためのプランジャであり、ロッド（１５）を介し
てボール（１４）と一体に接続されている。

（１６）はボール（１４）をバルブシートＳｃに当接さ
せる方向に押圧する圧縮バネである。（１７）はプラン
ジャ（１３〉を駆動するためのソレノイドコイルであり
、通電時に、圧縮バネ（１６）に対抗してボール（１４
）を移動させ、バルブシートＳｏに圧接するようになっ
ている。

次に、第５図の特性図及び第６図の通電電流波形図を参
照しながら、第４図に示したデユーティソレノイドバル
ブの動作について説明する。

ソレノイドコイル（１７）が通電されていない場合は、
ボール（１４）が圧縮バネ（１６）の押圧力によりバル
ブシートＳｃに圧接されているので、出カポ−）−（１
２）はドレインボート（１１）と接続され、制御圧力Ｐ
Ｃは、ドレインボー）　（１１）の通常大気圧Ｐ−に向
かって低下する。

一方、ソレノイドコイル（１７）が通電された場合は、
プランジャ（１３）の駆動力によりボール（１４）がバ
ルブシートＳＯに圧接されるので、出力ボート（１２）
は入力ボート（１０）と接続され、制御圧力Ｐｃは、供
給圧力ＰＡに向かって上昇する。

このように、ソレノイドコイル（１７）の通電によりプ
ランジャ（１３）を駆動し、ボール（１４）が単位時間
当りでバルブシートＳｏに圧接される時間、即ちデユー
ティ率Ｋ「％］を変化させると、大気圧ＰＥｘと供給圧
力ＰＡとの間で制御圧力Ｐｃを任意に調整することがで
きる。

このデユーティ率Ｋ及び制御圧力Ｐｃの関係は第５図の
ようになり、デユーティ率Ｋが０％の近傍では、入力ボ
ート（１０）に対する出力ボート（１２）の接続時間が
短いため、制御圧力Ｐｃはほぼ大気圧Ｐ　！ｘに調整さ
れる。逆に、デユーティ率Ｋが１００％の近傍では、入
力ボート（１０）に対する出力ボート（１２）の接続時
間が長いため、制御圧力Ｐｃはほぼ供給圧力ＰＡに調整
される。実際には、デユーティ率Ｋが０％及び１００％
の近傍では、図示したように不感帯が存在し、これら不
感帯を除いた範囲で、制御圧力Ｐｃはデユーティ率Ｋに
比例する。

このとき、ソレノイドコイル〈１７〉の通電電流Ｉの波
形は第６図のようになり、１サイクルＴｏに対し５デユ
ーテイ率Ｋに相当する期間Ｔ、たけ通電される。従って
、デユーティ率には、 Ｋ　＝　（Ｔ　Ｘ／　Ｔ　ｏ）　Ｘ　１００［％１で表
わされる。

又、ボール（１４）のバルブシートＳｃからＳＯへの移
動時間を短くするため、プランジャ（１３）の駆動初期
に吸引力を大きくする必要があり、ソレノイドコイル（
１７）の通電初期の期間Ｔｃだけ過励磁電流１．が供給
される。この過励磁電流期間Ｔｃは、プランジャ（１３
）の移動時間より若干余裕を持たせた値に設定される。

ボール（１４）がバルブシートＳ。

に移動完了した後は、期間ＴＸまでバルブシートＳＯに
圧接するための保持電流■、が供給される。

次に、第６図のような通電電流を供給するためのデユー
ティソレノイドバルブ駆動装置について説明する。

第７図は従来のデユーティソレノイドバルブ駆ものであ
る。

図において、（２０）はパルス幅Ｔｏのデユーティ信号
り及、びパルス幅Ｔｃの過励磁信号Ｅを生成するマイク
ロコンピュータであり、演算プログラム等を実行するＣ
　Ｐ　Ｕ　（２１）と、プログラム及びデータ等を格納
するＲ　ＯＭ　（２２）と、プログラムの処理データ等
を記憶するＲ　Ａ　Ｍ　（２３）と、外部信号の授受処
理を行うＩＯボート（２４）と、時間の計測及びパルス
信号の生成等を行うタイマ（２５）と、これらＣＰ　Ｕ
　（２１）〜タイマ（２５）を接続するデータバス（２
６）とを備えている。

（２７）はソレノイドコイル（１７）を過励磁駆動する
ためのＰＮＰ形のトランジスタであり、一端〈エミッタ
）が電源Ｖ、に接続され、他端（コレクタ〉がソレノイ
ドコイル（１７）に接続されている。　（２８）はトラ
ンジスタ（２７〉のコレクタとベースとの間に挿入され
たツェナダイオードであり、コレクタに発生するマイナ
スサージをクランプすることを目的として、ソレノイド
コイル（１７）の非導通時におけス：函雷雷禮ＴＭ；訓
旧書麿卆旦ぐ１アいス−（’）ＭＥ土トランジスタ（２
７）のベースに接続された抵抗器である。

（３０）はトランジスタ（２７）のベース電流を駆動す
るＮＰＮ形のトランジスタであり、一端（コレクタ）が
抵抗器（２９）に接続され、他端（エミッタ〉が接地さ
れている。（３１）はトランジスタ（３０）のベースに
接続された抵抗器であり、マイクロコンピュータ（２０
）内のＩＯボート（２４〉から出力される過励磁信号Ｅ
をトランジスタ（３０）のベースに印加するようになっ
ている。

（３２）はソレノイドコイル（１７）を駆動期間だけ導
通するためのＰＮＰ形のトランジスタであり、端（エミ
ッタ）が電源ＶＢに接続され、他端（コレクタ）がソレ
ノイドコイル（１７）に接続されている。

（３３〉はトランジスタ（３２）のコレクタとソレノイ
ドコイル（１７）との間に挿入された抵抗器であり、導
通時のソレノイドコイル（１７）への通電電流■を制限
している。（３４）はトランジスタ（３２）のベースに
接続された抵抗器である。

（３５〉はトランジスタ（３２）のベース電流を駆動す
るＮＰＮ形のトランジスタであり、一端（コレクタ）が
抵抗器（３４）に接続され、他端（エミッタ〉が接地さ
れている。（３６）はトランジスタ（３５〉のベースに
接続された抵抗器であり、マイクロコンピュータ（２０
）内のＩＯボート（２４）から出力されるデユーティ信
号りをトランジスタ（３５）のベースに印加するように
なっている。

第８図は第７図内のタイマ（２５）の具体例を示すブロ
ック図である。

図において、（５０）はマイクロコンピュータ〈２０）
のクロック信号ＣＫを入力としてそのクロック周波数を
１／Ｎに分周するプリスケーラである。

（５１）はプリスケーラ（５０）の出力信号をクロック
入力とする１６ビツトのフリーランニングカウンタであ
り、計数値が通電電流■の１サイクル周期Ｔ。

に対応したタイマ計数値ｒ、に達すると、オーバフロー
信号Ｆを出力するようになっている。

（５２）は過励磁信号Ｅのパルス幅Ｔｃに対応した第１
設定値ｒ１が格納される１６ビツトの第２レジスタ、（
５３）はフリーランニングカウンタ（５１）の計数値を
第１設定値ｒ１と比較する１６ビツトの第１比較器、（
５４〉はデユーティ信号りのパルス幅Ｔ８に対応した第
２設定値ｒ２が格納される１６ビツトの第２レジスタ、
（５５）はフリーランニングカウンタ（５４）の計数値
を第２設定値ｒ２と比較する第２比較器である。

（５６）はタイマ制御及びステータス用の８ビツト（Ｂ
、〜Ｂ？）の第３レジスタであり、各比較器（５３）及
び（５５）からの比較結果Ａ及びＢ　、１ｌｌｉ、びに
フリーランニングカウンタ（５１）からのオーバフロー
信号ＦをフラグとしてビットＢ。〜Ｂ２に格納する共に
、プリスケーラ（５０）の分周比設定値ＧがビットＢ、
〜Ｂ、に予め格納されている。（５７）は第３レジスタ
（５６〉のビットＢ。〜Ｂ２のいずれかの信号がｒＨ，
レベルとなったときにプログラムの割込み信号Ｗを発生
するオアゲートである。

第９図はフリーランニングカウンタ（５１）の動作を説
明するための波形図、第１０図はタイマ（２５）による
割込み処理ルーチンを示すフローチャート図、す波形図
である。

以下、第８図〜第１図尽び第８図〜第１１図を参照しな
がら、第７図に示した従来のデユーティソレノイドバル
ブ駆動装置の動作について説明する。

まず、マイクロコンピュータ（２０）は、第５図の特性
図に基づいて、現在必要な制御圧力Ｐｃに対して要求さ
れるソレノイドコイル〈１７〉の通電電流■のデユーテ
ィ率Ｋを求め、このデユーティ率Ｉくに対応するデユー
ティ信号り及び過励磁信号Ｅを出力する。

ここで、ソレノイドコイル（１７）の駆動周波数を例え
ば５０）（ｚ程度とすると、通電電流Ｉの１サイクル周
期Ｔｏは約２０ｍ秒となる。従って、１６ビツトのフリ
ーランニングカウンタ（５１）が、オーバフロー信号Ｆ
を出力するとき、即ち１６進でＦ　Ｆ’Ｆ　Ｆ　（１０
進で６５５３５＞のときに２０ｍ秒となるためには、プ
リスケーラ（５０）からのクロック入力の周期Ｔ、。を
、Ｔ　、　。＝　２０ｎ＋＆　／　６５５３５共０．３
μ砂 ングカウンタ（５１）に対するクロック入力の周波数は
３．３Ｍ　Ｈｚとなる６ 又、プリスケーラ（５０）に入力されるクロック信号Ｃ
Ｋの周波数は、通常、水晶振動子（図示せず）の１／２
又は１／４の周波数であり、水晶振動子の周波数は４Ｍ
ＩＩｚ　、８ＭＩＩｚ　、１２ＭＩＩｚ　、１６ＭＩＩ
ｚ　、２０Ｍ１ｌｚ　、−・−等の整数値で＋’？）る
。従って、例えば、水晶振動子の周波数を１２ＭＩＩｚ
、クロック信号ＣＫの周波数を１／２の６　Ｍ　Ｉｔ　
ｚとし、プリスケーラ（５０）の分周比を１／２とすれ
ば、フリーランニングカウンタ（５１）へのクロック周
波数は、上記３．３Ｍｔｌｚの近傍の３ＭＨ２となる。

又、このとき、クロック周期Ｔ、。が、 Ｔ　ｓ　ｏ　＝１秒／３Ｘ１０’ ξ０．３３μ秒 となるため、実際のソレノイドコイル（１７）の通電電
流Ｉの駆動周期Ｔｏは、 Ｔｏ＝０．３３μ秒ｘ　８５５３５ ＃　２１．６ｍ秒 となる。尚、プリスケーラ（５０）の分周比は、第３レ
ジスタ（５６）内のピッ）−８，〜Ｂ５のコードにより
プログラム設定される。

次に、デユーティ信号り及び過励磁信号Ｅの出力手順に
ついて説明する６ まず、第１０図において、第３レジスタ（５６）の各ビ
ット値を読込み（ステップｓＢ、ビットＢ０がｒＨルベ
ルであるか否かを判定しくステップＳ２）、「Ｈレベル
であれば過励磁信ＷＥを「Ｌルーベルとして（ステップ
Ｓ３）、リターンする７ 一方、ビットＢ０がｒＨルベルでなければ、ビットＢ１
がｒＨ，レベルであるか否かを判定しくステップＳ４）
、ｒＨＪレベルでなければデユーティ信号りを「ＬＪレ
ベルとして（ステップＳ５〉、リターンする。

又、ステップＳ４において、ビットＢ、が「Ｈルベルで
あると判定されれば、過励磁信号Ｅを「Ｈルベルとしく
ステップＳ６）、デユーティ信号りをｒＨ。

レベルとする（ステップ５７）６更に、第ルジスタ（５
２）に第１設定値ｒ、を格納しくステップＳ８）、第２
レジスタ（５４）に第２設定値ｒ２を格納する（ステッ
プＳ９）。

通常、過励磁信号Ｅの期間Ｔｃは一定隣であり、又、タ
イマ計数値ｒ、に基づくフリーランニングカウンタ（５
１）からのオーバフロー信号Ｆの１サイクル周期Ｔｏが
２１．６＋ｍ秒で、あることから、フリーランニングカ
ウンタ（５１）の計数値に換算された第１設定値ｒ１が
演算により求まる。従って、ステップＳ８において、過
励磁信号Ｅのパルス幅Ｔｃに対応した第１設定値ｒ１を
第ルジスタ（５２）に格納することができる。同様に、
デユーティ信号りのパルス幅Ｔｘに対応した第２設定値
ｒ２が求まり、これをステップＳ９において第２レジス
タ（５４）に格納することができる。

フリーランニングカウンタ（５１〉は、オーバフロー信
号Ｆを出力すると、計数値をクリアすると共に、第３レ
ジスタ（５６）のビットＢ１にフラグを立て、「［４ル
ベルとする。

第１比較器（５３）は、フリーランニングカウンタ（５
１）の計数６Ｈが第１設定値ｒ１以りとなったときに、
比較結果Ａを「Ｉ］ルベルとして第３レジスタ（５６）
のビットｎ、にフラグを立てる７同様に、第２計数値が
第２設定値ｒ２以上となったときに、比較結果ＢをｒＨ
，レベルとして第３レジスタ（５６）のビ・ン）８２に
フラグを立てる。

いま、フリーランニングカウンタ（５１）がオーバフロ
ー信号Ｆを出力し、計数値がクリアされてｒ。

どなった場合を想定すると、第３レジスタ（５６〉のビ
ットＢ、にフラグが立ち、オアゲート（５７）から割込
み信号Ｗが生成される。従って、第１０図の割込み処理
ルーチンにより、過励磁信号Ｅは「１４ルベルとなり（
ステップＳ６）、デユーティ信号りは「Ｈレベルとなる
（ステップＳ７）。

続いて、フリーランニングカウンタ（５１）がカウント
アツプし、計数値が第１設定［ｒｌに達すると、第１比
較器（５３）の比較結果Ａにより第３レジスタ（５６）
のビットＢ０にフラグが立ち、オアゲー）−＜５７＞か
ら割込み信号Ｗが生成されるので、ステップＳ３により
過励磁信号Ｅはｒｌ、レベルとなる。

同様に、フリーランニングカウンタ（５１）の計数値が
第２設定値ｒ２に達すると、第２比較器（５５）のフラ
グが立ち、オアゲート（５７）から割込み信号Ｗが生成
されるので、ステップＳ５によりデユーティ信号りはｒ
ｌ−ルベルとなる。

更に、フリーランニングカウンタ（５１）の計数値がタ
イマ計数値ｒ、に達すると、オーバフロー信号Ｆが発生
し、最初のクリア状態に戻る６尚、以上のフリーランニ
ングカウンタ（５１）並びに各比較器（５３）及び（５
５）によるパルス波形生成動作は、第９図に示されてい
る。

第７図において、マイクロコンピュータ（２０）からデ
ユーティ信号りが出力されると、期間ＴＸにおいてトラ
ンジスタ（３５）及び（３２）が導通し、抵抗器（３３
）を介してソレノイドコイル（１７）を通電する。

このとき、トランジスタ（３２）により供給される通電
電流■は保持電流■、であり、抵抗器（３３）の抵抗値
をＲ，３、ソレノイドコイル（１７）の抵抗値をＲａｙ
、電源電圧をＶ８とすると、 Ｉ　Ｌ＝Ｖ１１／　（Ｒ：＋＊　＋　Ｒ１？＞　　・・
・■で表わされる。

又、デユーティ信号りが出力されると、期間Ｔｃにおい
てトランジスタ（３０）及び（２７）が導通し、ソレノ
イドコイル（１７）の通電電流Ｉは、過励磁電流■□と
なり、 Ｉ　ＩＩξＶ、／Ｒ，、・・・■ で表わされる。

１−ランジスタ（２７）及び（３２）が導通してから、
期間Ｔｃが経過すると、過励磁信号Ｅが「■５ルベルと
なってトランジスタ（２７）が非導通となり、期間Ｔつ
が経過すると、デユーティ信号りが「Ｌルーベルとなっ
てトランジスタ（３２）が非導通になる。このとき、高
速に遮断すると、ソレノイドコイル（１７）のインダク
タンスによってソレノイドコイル（１７）の端子電圧即
ちＰ直電圧Ｖｐがマイナス電位となり、トランジスタ（
２７）及び（３２）がブレークダウンするおそれがある
が、デユーティソレノイドバルブのプランジャ（１３）
の動作を高速にするため、高速遮断は欠かせない。従っ
て、ツェナダイオード（２８）のツェナ電圧Ｖｚにより
、Ｐ直電圧Ｖｐを、Ｖ　ｐ＝　Ｖ　ｍ　　Ｖ　ｚ にクランプし、各トランジスタ（２７）及び（３２）を
保護する。尚、Ｐ直電圧Ｖｐの波形は、各信号り及びＥ
並びに通電電流■と共に、第１１図に示されている。

「発明が解決しようとする課題１ 従来のデユーティソレノイドバルブ駆動装置は以」二の
ように、保持電流ＩＬの供給時に通電電流■を制限する
ため、ソレノイドコイル（１７）の入力端子に抵抗器（
３３〉を挿入しているので、消費電力が大きくなり、発
熱によって温度上昇するうえ装置が大形化するという問
題点があったに の発明はＬ記のような問題点を解決するためになされた
もので、消費電力を節減して発熱欧を低減させると共に
、小形化を実現したデユーティソレノイドバルブ駆動装
置を得ることを閂的とする。

「課題を解決するための手段１ この発明に係るデユーティソレノイドバルブ駆動装置は
、ソレノイドコイルを励磁する第１のスイッチング素子
と、ソレノイドコイルの還流電流−ティ率に応じたデユ
ーティ信号及び過励磁信号を生成するマイクロコンピュ
ータと、過励磁信号の終了時点からデユーティ信号の終
了時点までの間に、第１のスイッチング素子をチョッピ
ング駆動するためのチョッピングパルス発生手段とを皓
えたものである。

［作用］ この発明においては、ソレノイドコイルをチョッピング
駆動することにより、抵抗器を用いずに保持電流を制限
する。

「実施例１ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す回路図であり、（１７）
及び（２ｏ）〜（３１）は前述と同様のものである。又
、この発明に適用されるデユーティソレノイドバルブ及
びタイマ（２５）の構成は、第４１″２Ｉ及び第８図に
示した通りである。

（６０）はトランジスタ（３０）を介してトランジスタ
（２７）を駆動するための電圧比較器であり、出カ端は
三角波発生器（６１）の出力端子に接続され、反転入力
端子（−）は分圧抵抗器（６２）及び（６３〉の接続点
Ｑに接続されており、Ｑ点電圧ＶＱと三角波Ｔとの大小
関係に応じてパルス信号を出力するようになでいる。

直列接続された分圧抵抗器（６２）及び（６３）は、−
端が５Ｖ電源Ｖ、に接続され、他端が接地されており、
デユーティ信号り及び過励磁信号Ｅのレベルに応じてＱ
焦電圧Ｖ、を設定している。

（６４）はデユーティ信号りに応答して分圧抵抗器（６
２〉を短絡するためのＰＮＰ形のトランジスタ、（６５
）はトランジスタ（６４）のベースに接続された抵抗器
、〈６６）は過励磁信号Ｅに応答して分圧抵抗器（６３
〉を短絡するためのＰＮＰ形のトランジスタ、（６７）
はトランジスタ〈６６）のベースに接続された抵抗器で
ある。

（６８）はデユーティ信号りにより導通し且つソレノイ
ドコイル（１７）の還流電流を流すＮＰＮ形のトランジ
スタであり、コレクタが接地されている。

（６９）はトランジスタ（６８）のベースに接続された
抵抗器、（７０）はトランジスタ（６８）を通して還流
電流を流すためのダイオードである。

（７１）はトランジスタ（６８）のベースを駆動するＰ
ＮＰ形のトランジスタであり、エミッタが５Ｖ電源Ｖ５
に接続され、コレクタが抵抗器（６９）に接続されてい
る。（７２）はトランジスタ（７１）のベースに接続さ
れた抵抗器である。

（７３）はデユーティ信号りに応答してトランジスタ〈
７１）のベースを駆動するためのＮＰＮ形のトランジス
タであり、コレクタが抵抗器〈７２〉に接続され、エミ
ッタが接地されている。（７４）はトランジスタ（７３
）のベースに接続された抵抗器である。

尚、この場合、トランジスタ（２７〉は、ソレノイドコ
イル（１７）を励磁するための第１のスイッチング素子
を構成しており、トランジスタ（６８）は、ソレノイド
コイル（１７）の還流電流をオンオフさせる第２のスイ
ッチング素子を構成している。

又、電圧比較器（６０）、三角波発生器（６１）、分圧
抵抗器（６２）、（６３）、ｌ・ランジスタ（６４）及
び（６６）は、ｅＩＷＪ＋磁信号Ｅの終了時点からデユ
ーティ信号りの終了時点までの間に、トランジスタ（２
７）をチョッピング駆動するためのチョッピングパルス
発生手段（８０）を構成している。

次に、第２図の波形図及び第３図の特性図を参照しなが
ら、第１図に示したこの発明の一実施例の動作について
説明する。

まず、ソレノイドコイル（１７〉の通電期間Ｔ８におい
てデユーティ信号りが出力されると、トランジスタ＜７
３）、　＜７１＞及び（６８）が導通し、トランジスタ
（６４）が非導通となる。

又、このとき、過励磁期間Ｔｃであって、過励磁信号Ｅ
が出力されると、トランジスタ（６６）が導通するため
、Ｑ直電圧Ｖ９即ち電圧比較器〈６０）の反転入力電圧
はほぼＯＶとなる。

一方、電圧比較器（６０）の非反転入力端子（＋）に印
加される三角波Ｔは、第２［：Ａに示すように、ＯＶと
５■との間の範囲内〈例えば、ＩＶ＜Ｔ＜４Ｖ）にある
ため、重圧比較器（６０）の出力信号はｒＨ，レベルと
なる。従って、トランジスタ（３０）及び（２７）は専
磁電流■□となる。

次に、期間Ｔｃが経過して保持電流期間になると、トラ
ンジスタ（６４）及び（６６）は共に非導通となり、Ｑ
焦電圧Ｖ、は、５■の電圧を抵抗器（６２）及び（６３
）で分圧した値となる。従って、電圧比較器（６０）の
反転入力電圧■。は、第２図の一点鎖線で示すように、
三角波Ｔの最大値（４■）と最小値（ＩＶ）との間の値
にとなり、電圧比較器（６０）の出力信号は、パルス変
調されたＰＷＭ信号即ちチョッピング信号となる。この
チョッピング信号は、Ｐ点電圧Ｖｐとしてソレノイドコ
イル（１７）に印加される。

このとき、保持電流ＩＬを決定するデス−ティ率ＫＬは
、抵抗器（６２）及び（６３〉の分圧比によって決定さ
れる。又、通電電流Ｉとデユーティ率Ｉ（との関係は、
第３０のようになり、通電電流■は、Ｉ＝Ｋ・Ｖ、／Ｒ
，、・・・■ で表わされる。従って、０式及び■式より、Ｖ＠／（Ｒ
＋、＋Ｒ＋７）＝Ｋ１．−ＶＢ／Ｒの関係が成り立ち、
これより、０式の保持電流■１、Ｋ　　Ｌ　−Ｒ１ｔ／
　　（Ｒ：１３　　＋　　Ｒ＋７）と設定すればよい。

このように、分圧抵抗器（６２）及び（６３）の抵抗値
を任意に設定することにより、諸条件に応じて要求され
る任意の保持電流ＩＬに対し、所要のデユーティ率ＫＬ
を設定することができる。

この保持電流期間（Ｔヶ−Ｔｃ）において、トランジス
タ（２７）の非導通時には、トランジスタ（６８）及び
ダイオード（７０）を介して、ソレノイドコイル（１７
）の還流電流が流れる。

続いて、通電期間ＴＸが経過すると、デユーティ信号り
がｒＬ、レベルとなってトランジスタ（６４）が導通す
るため、Ｑ点電圧ＶＱはほぼ５Ｖとなる。従って、電圧
比較器（６０）の出力信号がｒｌ、Ｊレベルとなり、ト
ランジスタ（２７）は非導通となる。

又、このとき、トランジスタ（７３）、（７１）及び〈
６８〉が非導通となるため、ソレノイドコイル（１７）
の−端のＰ直電圧Ｖｐはマイナス電位となる。しかし、
ツェナダイオード（２８）が挿入されているので、前述
と同様に、Ｐ直電圧Ｖｐが、 Ｖ　１０　＃　Ｖ　ｌｌＶ　ｚ にクランプされ、各トランジスタ（２７〉、（６８〉及
び（７１）がブレークダウンすることはない。

尚、上記実施例では、三角波Ｔの電圧レベルを１Ｖ〜４
■に設定したが、任意の値に設定できることは言うまで
もない。

「発明の効果１ 以Ｅのようにこの発明によれば、ソレノイドコイルを励
磁する第１のスイッチング素子と、ソレノイドコイルの
還流電流をオンオフさせる第２のスイッチング素子と、
デユーティ率に応じたデユーティ信号及び過励磁信号を
生成するマイクロコンピュータと、過励磁信号の終了時
点からデユーティ信号の終了時点までの間に、第１のス
イッチング素子をチョッピング駆動するためのチョッピ
ングパルス発生手段とを備え、ソレノイドコイルをチョ
ッピング駆動することにより、抵抗器を用いずに保持電
流を制限するようにしたので、消費電力を節減し、温度
上昇を防止すると共に小形化を実現したデユーティソレ
ノイドバルブ駆動装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図は第
１図の装置の動作を示す波形図、第３図はこの発明の一
実施例によるデユーティ率及び通電電流の関係を示す特
性図、第４図は一般的なデユーティソレノイドバルブを
示す構成図、第５図は第４図の装置によるデユーティ率
及び制御圧力の関係を示す特性図、第６図は一般的な通
電電流を示す波形図、第７図は従来のデユーティソレノ
イドバルブ駆動装置を示す回路図、第８図は第７図内の
タイマの機能構成を示すブロック図、第９図は第８図の
タイマの動作を示す波形図、第１０図は第８図のタイマ
の動作を示すフローチャート図、第１１図は第７図の装
置の動作を示す波形図である。 （１７）・・・ソレノイドコイル （２０）・・・マイクロコンピュータ （２７）・・・トランジスタ（第１のスイッチング素子
〉（６８）・・・トランジスタ（第２のスイッチング素
子）ｌＯ＾＼　　　」：、−、、、！−”　　ヘノ　ノ
／　　ｒｆ　　＋１．フ　Ｘ交　ｌ←　キ　じ１Ｐｃ・
・・制御圧力　　　　■・・・通電電流Ｔ、・・・通電
期間　　　　Ｋ・・・デユーティ率Ｄ・・・デユーティ
信号　　Ｅ・・・過励磁信号同、図中、同一符号は同−
又は相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一端が接地されたソレノイドコイルの通電期間のデュー
   ティ率に基づいて流体の圧力又は流量を制御するデュー
   ティソレノイドバルブ駆動装置において、 前記ソレノイドコイルを励磁する第１のスイッチング素
   子と、 前記ソレノイドコイルの還流電流をオンオフさせる第２
   のスイッチング素子と、 前記デューティ率に応じたデューティ信号及び過励磁信
   号を生成するマイクロコンピュータと、前記過励磁信号
   の終了時点から前記デューティ信号の終了時点までの間
   に、前記第１のスイッチング素子をチョッピング駆動す
   るためのチョッピングパルス発生手段と、 を備えたことを特徴とするデューティソレノイドバルブ
   駆動装置。