JPH03174701A - Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same - Google Patents

Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same

Info

Publication number
JPH03174701A
JPH03174701A JP19676990A JP19676990A JPH03174701A JP H03174701 A JPH03174701 A JP H03174701A JP 19676990 A JP19676990 A JP 19676990A JP 19676990 A JP19676990 A JP 19676990A JP H03174701 A JPH03174701 A JP H03174701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
resistance value
value
electrode
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19676990A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takuji Okumura
卓司 奥村
Hiroshi Sasaki
宏 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP19676990A priority Critical patent/JPH03174701A/en
Publication of JPH03174701A publication Critical patent/JPH03174701A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To accurately control a resistance value of a thermistor element by irradiating part of an electrode with a laser beam to evaporate the part and controlling a reduction amount of the area of the electrode. CONSTITUTION:An oxide semiconductor 1 is formed in a desired shape, and electrodes 2a, 2b are formed to form a thermistor. A resistance value between the electrodes 2a and 2b is measured. If the resistance is smaller than a designed value, part of the electrode 2a is laser-trimmed, that is, evaporated by energy of a laser light to reduce the area of the electrode by a predetermined amount. Accordingly, the resistance of the electrode removing part can be enhanced, and the resistance value as a thermistor element can be raised to a design value by controlling the removing area of the electrode. Thus, an accurate resistance value can be controlled.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、サーミスタの製造方法および製造システムに
係り、特にその抵抗値の調整に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method and system for manufacturing a thermistor, and particularly to adjusting the resistance value thereof.

(従来の技術) Mn203 、CO203等の酸化物半導体は不純物の
添加等によって自在に抵抗値を調節でき、大きな負の温
度係数を有することから、NTCサミスタと呼ばれ広く
用いられている。
(Prior Art) Oxide semiconductors such as Mn203 and CO203 can be freely adjusted in resistance by adding impurities and have a large negative temperature coefficient, so they are called NTC thermistors and are widely used.

一方、BaTiO3にY、Nd等を0.1〜0゜2at
%添加した酸化物半導体は大きな正の温度係数を有する
ことから、PTCサーミスタと呼ばれる。
On the other hand, add Y, Nd, etc. to BaTiO3 at 0.1 to 0°2at.
% doped oxide semiconductor has a large positive temperature coefficient and is therefore called a PTC thermistor.

このようなサーミスタは、その−例を第11図(a)に
示すように、Ba、Ti、Sr、Nd、Ca、AI、F
e、Ni、Mn、Mo、Cuなどの金属の酸化物、炭酸
塩、硝酸塩、塩化物等を焼結し、薄いr’l柱状等に成
形せしめられたサーミスタ本体1と、その上面と下面に
Niメツキ層を介して銀(Ag)ペーストを塗布する等
の方法で形成された電極2a、2bとから形成されてい
る。
Examples of such thermistors include Ba, Ti, Sr, Nd, Ca, AI, and F, as shown in FIG. 11(a).
The thermistor body 1 is formed by sintering oxides, carbonates, nitrates, chlorides, etc. of metals such as e, Ni, Mn, Mo, Cu, etc., and is formed into a thin r'l column shape, etc., and the upper and lower surfaces thereof are The electrodes 2a and 2b are formed by applying a silver (Ag) paste through a Ni plating layer.

このようなサーミスタのうちPTCサーミスタの抵抗値
と温度との関係の一例を第12図に示すように、大きな
1Eの温度係数を有する温度領域を、Sr、Pb等の添
加で調整することかできることから、温度の測定および
過電流防止、モータ起動、カラーTV消磁用等の回路素
子および低温発熱ヒータ等、広く様々な分野でなくては
ならないものとなっている。
Among such thermistors, an example of the relationship between the resistance value and temperature of a PTC thermistor is shown in Fig. 12, which shows that the temperature range having a large temperature coefficient of 1E can be adjusted by adding Sr, Pb, etc. Since then, it has become indispensable in a wide variety of fields, including circuit elements for temperature measurement and overcurrent prevention, motor starting, color TV demagnetization, and low-temperature heaters.

一方NTCサーミスタについても、温度の測定および制
御、補償、利得調整、電力測定等に用いられる回路素子
としてなくてはならないものとなっている。
On the other hand, NTC thermistors are also indispensable as circuit elements used for temperature measurement and control, compensation, gain adjustment, power measurement, and the like.

ところで、サーミスタの示す抵抗値はサーミスタ本体の
構成材料や材料の混合比、焼結等の製造条件、あるいは
大きさ等に依存する。このため、サーミスタの示す抵抗
値は調整しやすい反面、ばらつきが生し易いという問題
がある。
Incidentally, the resistance value exhibited by a thermistor depends on the constituent materials of the thermistor body, the mixing ratio of the materials, manufacturing conditions such as sintering, the size, etc. For this reason, although the resistance value indicated by the thermistor is easy to adjust, there is a problem in that it is likely to vary.

しかしながら、サーミスタの用途は、前述したように、
温度の測定および制御、補償、利得調整、電力測定、過
電流防止、モータ起動、カラーTV消磁用等等、いずれ
も高精度の抵抗値制御が必要なものばかりてあり、R±
α%の範囲内にあるものを用いる必要がある。
However, as mentioned above, the use of thermistor is
Temperature measurement and control, compensation, gain adjustment, power measurement, overcurrent prevention, motor starting, color TV degaussing, etc., all require highly accurate resistance value control, and R±
It is necessary to use one within the range of α%.

このため、通常は、R±α%の範囲外にあるもののうち
、Rよりも抵抗値の低いものについては、第11図(l
〕)に示すようにサーミスタ本体を電極と共に研磨によ
って削りとる等の方法でトリミングを行い、抵抗値を」
こげ、R±α%の範囲内にはいるようにするという方策
がとられる。
For this reason, among those outside the range of R±α%, those with a resistance value lower than R are usually
] As shown in ), trim the thermistor body along with the electrodes by polishing or other methods to reduce the resistance value.
A measure is taken to keep the burnt temperature within the range of R±α%.

しかしながら、この方法では、サーミスタ本体を電極と
共に削り取るため、多大な労力を必要とする上、削り取
る体積を制御するのは極めて困難であるという問題があ
った。
However, with this method, the thermistor body is scraped off together with the electrodes, which requires a great deal of effort, and there are problems in that it is extremely difficult to control the volume to be scraped off.

(発明が解決しようとする課題) このように、従来のトリミング法では、サーミスタ本体
を電極と共に削り取るため、削り取る体積を高精度に制
御するのは極めて困難であるという問題があった。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional trimming method, since the thermistor body is scraped off together with the electrode, there is a problem in that it is extremely difficult to control the volume to be scraped off with high precision.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、容易に高
精度の抵抗値制御をおこなうことのできるサーミスタを
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a thermistor that can easily control the resistance value with high precision.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) そこで本発明では、半導体を所望の形状に成形すると共
に電極を形成してサーミスタを形成したのち、抵抗値を
測定し、設訓値よりも抵抗の小さいものに対しては、レ
ーザ照射によって電極の一部を除去し、抵抗値を設計値
まで上昇せしめるようにしている。
(Means for Solving the Problems) Therefore, in the present invention, after forming a semiconductor into a desired shape and forming an electrode to form a thermistor, the resistance value is measured, and the resistance is lower than the predetermined value. In contrast, part of the electrode is removed by laser irradiation to increase the resistance value to the designed value.

また、本発明の製造システムでは、サーミスタ作成手段
と、サーミスタ作成手段で作成されたサーミスタの抵抗
値を測定するための抵抗値測定手段と、この抵抗値測定
手段において抵抗値を測定する際にサーミスタを恒温条
件に維持する恒温手段と、レーザ照射によりサーミスタ
の電極の一部を除去するレーザトリミング手段とを具備
するようにしている。
Further, in the manufacturing system of the present invention, the thermistor producing means, the resistance value measuring means for measuring the resistance value of the thermistor produced by the thermistor producing means, and the thermistor measuring means for measuring the resistance value in the resistance value measuring means. The device is equipped with a constant temperature means for maintaining the thermistor at a constant temperature condition, and a laser trimming means for removing a part of the electrode of the thermistor by laser irradiation.

さらに本発明の製造システムでは、抵抗値測定手段の測
定結果に基づき、設計値Rに対してどのような値をとる
かに応じて選別する選別手段を備え、選別手段の選別結
果に応して、レーザトリミング条件を段階的に設定する
ようにしている。
Furthermore, the manufacturing system of the present invention is provided with a sorting means for sorting according to what value is taken with respect to the design value R based on the measurement result of the resistance value measuring means, and according to the sorting result of the sorting means. , the laser trimming conditions are set in stages.

さらにまた本発明の製造システムでは、さらに抵抗値測
定手段の測定結果に基づいて、設計値Rに対してどのよ
うな値をとるかに応して選別する選別手段を備え、選別
手段の選別結果に応じて、レーザトリミング条件を算出
する演算手段を具備し、この演算手段の演算結果に基づ
いて逐次レザトリミング手段のトリミング条件を制御す
るようにしている。
Furthermore, the manufacturing system of the present invention further includes a sorting means for sorting according to what value is taken with respect to the design value R based on the measurement result of the resistance value measuring means, and the sorting result of the sorting means is further provided. The apparatus is provided with a calculation means for calculating laser trimming conditions according to the calculation means, and the trimming conditions of the laser trimming means are sequentially controlled based on the calculation results of the calculation means.

(作用) 上記方法によれば、サーミスタの電極の一部をレーザ光
のエネルギーによって蒸発せしめ電極面積を小さくする
ことにより、電極取り出し部の抵抗を高くすることがで
き、サーミスタ素子としての抵抗値を増大することがで
きるため、電極の除去面積を制御することにより高精度
の抵抗値制御を行うことかiiJ能となる。
(Function) According to the above method, by evaporating a part of the thermistor's electrode with the energy of laser light and reducing the electrode area, the resistance of the electrode extraction part can be increased, and the resistance value as a thermistor element can be increased. Since the resistance value can be increased, it becomes possible to control the resistance value with high accuracy by controlling the removed area of the electrode.

ところで、レーサ照射により物質を蒸発せしめるレーザ
トリミング法は、抵抗体の抵抗値トリミンクなどにおい
て従来から広く用いられている方法である。しかしなが
ら、レーサ照射と同時に抵抗値を測定するため、レーザ
照射時に受けたエネルギーによって温度が」二昇した状
態でサーミスタの抵抗1FrLをAl1J定することに
なる。従って温度変化によって(氏抗値が変化したまま
の状態で抵抗値−]り定がなされるため、実際は設定値
からずれたものになっていることが多い。
By the way, a laser trimming method in which a substance is evaporated by laser irradiation is a method that has been widely used for trimming the resistance value of a resistor. However, since the resistance value is measured at the same time as the laser irradiation, the resistance 1FrL of the thermistor is determined with Al1J in a state where the temperature has risen by 200 yen due to the energy received during the laser irradiation. Therefore, since the resistance value is determined due to temperature changes (resistance value -) while the resistance value remains unchanged, the actual value often deviates from the set value.

そこで、本発明の製造システムでは、抵抗値測定手段に
おいて抵抗値を測定する際にサーミスタを恒温条件に維
持する恒温手段を具備するようにしているため、常に恒
温下での温度測定が可能てあり、高精度の抵抗値調整を
行うことが可能となる。
Therefore, in the manufacturing system of the present invention, since the resistance value measuring means is equipped with a constant temperature means for maintaining the thermistor at a constant temperature condition when measuring the resistance value, it is possible to always measure the temperature at a constant temperature. , it becomes possible to perform highly accurate resistance value adjustment.

さらに本発明の製造システムでは、抵抗値7IIlj定
手段の測定結果に基づき、設計値Rに対してどのような
値をとるかに応じて段階的に選別する選別手段を備え、
選別手段の選別結果に応して、その段階に属するものご
とに順次レーサー・リミング条件を制御しつつトリミン
グをf−iうようにしているため、より高速度で抵抗値
制御を行うことが可能となる。
Furthermore, the manufacturing system of the present invention is provided with a selection means for selecting in stages according to what value is taken with respect to the design value R, based on the measurement result of the resistance value 7IIlj determination means,
According to the sorting results of the sorting means, trimming is performed while controlling the racer rimming conditions sequentially for each item belonging to that stage, so it is possible to control the resistance value at a higher speed. becomes.

さらに本発明の製造システムでは、さらに抵抗値測定手
段の測定結果に基づいて、設言1値Rに対してどのよう
な値をとるかに応して選別する選別手段をriftえ、
選別手段の選別結果に応じて、レーサー・リミンクによ
って除去する量を算出し、逐次レー→j’ l−リミン
グ条件を決定するようにしているため、より高速度で所
望の抵抗値を得ることが可能となる。
Furthermore, the manufacturing system of the present invention further includes a sorting means for sorting based on the measurement result of the resistance value measuring means, depending on what value is taken for proposition 1 value R,
The amount to be removed by racer rimming is calculated according to the sorting results of the sorting means, and the racer rimming conditions are determined sequentially, making it possible to obtain the desired resistance value at a higher speed. It becomes possible.

(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しりつ詳細に
説明する。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

実施例1 第1図は、本発明実施例のサーミスタの製造スチップを
示すフローチャー1・である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a flowchart 1 showing a process for manufacturing a thermistor according to an embodiment of the present invention.

まず、通常の方法てサーミスタを形成する(ステップ]
00)。
First, form the thermistor using the usual method (step)
00).

すなわち、第2図(a)に示すように、Ni0Mn20
3 、C0203の粉末を所定の割合で混合し、冷却プ
レス法によってディスク4ノζに加圧成形した後、12
00℃で焼結し、ディスク状のサーミスタ本体1を形成
した後、この上面および下面にAgペース]・を用いて
電tffi2a、2bを形成し、700℃で焼威し、直
径4.47mmのサーミスタを形成する。
That is, as shown in FIG. 2(a), Ni0Mn20
3, C0203 powder was mixed in a predetermined ratio and pressure-molded into 4 discs by the cooling press method, and then 12
After sintering at 00°C to form a disk-shaped thermistor body 1, electric conductors 2a and 2b were formed using Ag paste on the upper and lower surfaces of the thermistor body 1, and burned at 700°C to form a disc-shaped thermistor body 1 with a diameter of 4.47 mm. Form a thermistor.

この後、サーミスタの電極2a、2bに、1氏抗測定器
の探針を接触せしめ、電極2a、2b間の抵抗を測定す
る(ステップ1.01)。
Thereafter, the probe of the resistance measuring device is brought into contact with the electrodes 2a and 2b of the thermistor, and the resistance between the electrodes 2a and 2b is measured (step 1.01).

そして、この測定値か設51値R(ここでは]OKΩ)
に対してあらかじめ決定されている誤差範囲α%の範囲
にあるか否かを1′す断する(ステップ102)。
Then, this measured value or the set value R (here] OKΩ)
It is determined whether or not the error range is within a predetermined error range α% (step 102).

そして、R±α%の範囲内にあるものに対しては、その
まま、完成とし、搬送ラインに移送する0 (ステップ103)。
Then, those within the range of R±α% are considered complete and transferred to the conveyance line (step 103).

さらに、測定抵抗値がR+α%以上であるか否かを判断
しくステップ104)、R+α%以上である場合は廃棄
処分とし、製造ラインから外す(ステップ105)。
Further, it is determined whether the measured resistance value is R+α% or more (Step 104), and if it is R+α% or more, the product is disposed of and removed from the production line (Step 105).

一方、R−α%以下のものに対しては、−レーザi・リ
ミングを行い、第2図(b)に示すように、電極2aの
一部をレーザ照射によって蒸発せしめ、電極面積を所定
量だけ低減する(ステップ106)そして、再び抵抗値
測定ステップ]0]に戻って抵抗値測定を行うというプ
ロセスを繰返していく。
On the other hand, for those below R-α%, -laser i-rimming is performed, and as shown in FIG. (step 106), and then returns to the resistance value measurement step [0] to repeat the process of measuring the resistance value.

このようにして、抵抗値がR±α%の範四内に制御され
たサーミスタが完成する。
In this way, a thermistor whose resistance value is controlled within the range of R±α% is completed.

なお、電極面積除去率とサーミスタの抵抗値変化率との
関係を測定した結果を第3図(a)に示す。
The results of measuring the relationship between the electrode area removal rate and the resistance change rate of the thermistor are shown in FIG. 3(a).

この図からも、電極面積を低減せしめることによって、
高精度の抵抗値制御か可能であることがわかる。
This figure also shows that by reducing the electrode area,
It can be seen that highly accurate resistance value control is possible.

1 また、この様にして得られたサーミスタの抵抗値分布は
第3図(1))に示すように、極めて良好な分布をなし
ていることがわかる。
1 Furthermore, it can be seen that the resistance value distribution of the thermistor obtained in this manner has an extremely good distribution, as shown in FIG. 3 (1)).

なお、この例では、」二面の電極2aの端部を除去した
が、この除去部の形状については必要に応じて適宜変更
可能であり、例えば第4図(a)に示すように、周縁部
を除去したり、第4図(1))に示すように、上面およ
び下面の電極2a、2bの両方の一部を除去したり、第
4図(C)に示すように、レーザによって直線上に電極
の一部を除去し、電極2aを大電極2Sと小電極2pと
に分割し、いずれかを取り出し電極とするようにしても
よい。
In this example, the ends of the two-sided electrode 2a are removed, but the shape of this removed part can be changed as necessary. For example, as shown in FIG. As shown in FIG. 4(1), part of both the upper and lower electrodes 2a and 2b may be removed. As shown in FIG. 4(C), a straight line may be removed by a laser. It is also possible to remove a part of the upper electrode, divide the electrode 2a into a large electrode 2S and a small electrode 2p, and use one of them as an electrode.

また、第5図に示すように、電極2a  2bと共にサ
ーミスタ本体1の一部をも除失し、所望の抵抗値を得る
ようにしてもよい。
Further, as shown in FIG. 5, a part of the thermistor body 1 may be removed along with the electrodes 2a and 2b to obtain a desired resistance value.

加えて、前記実施例ではNTCザーミスタについて説明
したか、伺料粉末としてのNip、Mn203 、CO
203に代えてTiO2,BaCO3、Nd2O3の粉
末を所定の割合で混合し、冷却プレス峡によってディス
ク状に加圧成形した後、2 1300℃で焼結し、ディスク状のサーミスタ本体を形
成し、他は同様にして形成すれば、PTCザーミスタを
得ることができる。
In addition, in the above examples, NTC thermister was explained, Nip, Mn203, CO
In place of 203, powders of TiO2, BaCO3, and Nd2O3 are mixed at a predetermined ratio, pressure-formed into a disc shape using a cooling press, and then sintered at 1300°C to form a disc-shaped thermistor body. If formed in the same manner, a PTC thermistor can be obtained.

実施例2 次に、本発明の第2の実施例について説明する。Example 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第6図は本発明の第2の実施例のサーミスタ製造システ
ムを示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a thermistor manufacturing system according to a second embodiment of the present invention.

このサーミスタ製造システムは、第6図に示すように、
サーミスタを製造するサーミスタ作成手段]1と、常に
25℃に制御されている恒温室12と、この恒温室]2
内に設置され、サーミスタ作成手段11て作成されたサ
ーミスタ10の抵抗値を測定するための抵抗測定器13
と、この抵抗測定器]3の測定結果に基づいて、レーザ
ビームLの照J=tによりサーミスタの電極の一部を除
去するレーザトリミング装置14と、抵抗値制御の完了
したサーミスタを搬送する搬送ライン15と、トリミン
グの不能なサーミスタを廃棄する廃棄装置16とを具備
してなるものである。
This thermistor manufacturing system, as shown in Figure 6,
A thermistor manufacturing means for manufacturing a thermistor] 1, a thermostatic chamber 12 that is always controlled at 25°C, and this thermostatic chamber] 2
a resistance measuring device 13 for measuring the resistance value of the thermistor 10 made by the thermistor making means 11;
and this resistance measuring device] 3, a laser trimming device 14 removes a part of the thermistor electrode by irradiating the laser beam L with J=t, and a transport device 14 transports the thermistor whose resistance value control has been completed. It is equipped with a line 15 and a disposal device 16 for discarding a thermistor that cannot be trimmed.

なお、このレーザトリミング装置14は、YA3 Gレーザ14 aと、YAGレーザ14aの出力を制御
する出力制御装置14bとからなり、ここでは出力3.
5W、 スイッチパルス発振周波数51(Hz走査速度
25 mm/secとする。
The laser trimming device 14 includes a YA3G laser 14a and an output control device 14b that controls the output of the YAG laser 14a.
5W, switch pulse oscillation frequency 51 (Hz scanning speed 25 mm/sec).

次に、このサーミスタ製造システムを用いてザミスタを
製造する上程について説明する。
Next, the process of manufacturing a thermistor using this thermistor manufacturing system will be explained.

製造の流れとしては、実施例1において示したフローチ
ャー1・(第1図)に従って同様に行う。
The manufacturing process is carried out in the same manner as in Flowchart 1 (FIG. 1) shown in Example 1.

すなわちます、サーミスタ作成手段11を用いて、前記
実施例1て示したのと同様にサーミスタ10を形成する
。このサーミスタ10としては実施例1で示したのと同
様にN i O,Mn203 。
That is, first, using the thermistor making means 11, the thermistor 10 is formed in the same manner as shown in the first embodiment. This thermistor 10 is made of N i O, Mn203 as in the first embodiment.

Co2O3の混合粉末焼結体1の上面および下面にAg
ペーストを用いて電極2a、2bを形成したものとする
Ag on the top and bottom surfaces of the Co2O3 mixed powder sintered body 1
It is assumed that the electrodes 2a and 2b are formed using paste.

この後、サーミスタをあらかしめ25℃に設定された恒
温室12に設置し、サーミスタの電極2a、2bに、抵
抗測定器13の探針を接触せしめ、電極2a、2b間の
抵抗をfllll定する(ステップ]01)。
After this, the thermistor is placed in a constant temperature room 12 set at 25°C, and the probe of the resistance measuring device 13 is brought into contact with the electrodes 2a and 2b of the thermistor to determine the resistance between the electrodes 2a and 2b. (Step] 01).

4 そして、この測定値か設計値R(ここでは]OKΩ)に
対してあらかしめ決定されている誤差範囲α%の範囲に
あるか否かを判断しくステップ102)、R±α%の範
囲内にあるものに対しては、そのまま、完成とし、搬送
ライン]5に移送する(ステップ103)。
4 Then, it is determined whether or not this measured value is within the predetermined error range α% for the design value R (here: OKΩ) (step 102), within the range of R±α%. If the item is located in , it is considered as completed and transferred to the conveyance line] 5 (step 103).

さらに、測定抵抗値がR+α%以」二であるか否かを判
断しくステップ104)、R+α%以上である場合は廃
棄処分とし、製造ラインから外して廃棄装置16に移す
(ステップ105)。
Furthermore, it is determined whether the measured resistance value is less than or equal to R+α% (step 104), and if it is greater than or equal to R+α%, the product is disposed of, removed from the production line, and transferred to the disposal device 16 (step 105).

一方、R−α%以下のものに対しては、レーザトリミン
グ装置14に移し、レーザビームLを照射しレーザトリ
ミングを行い、第2図(b)に示すように、電極2aの
一部をレーザ照射によって蒸発せしめ、電極面積を所定
量たけ低減する(ステップ106)。
On the other hand, if it is less than R-α%, it is transferred to the laser trimming device 14 and irradiated with a laser beam L to perform laser trimming, and as shown in FIG. 2(b), a part of the electrode 2a is It is evaporated by irradiation to reduce the electrode area by a predetermined amount (step 106).

そして、丙び抵抗測定器13て抵抗値測定を行う、測定
ステップ10]に戻るというプロセスを繰返していく。
Then, the process of measuring the resistance value using the resistance measuring instrument 13 and returning to measurement step 10 is repeated.

このようにして、抵抗値が目標値Rに対してR5 ±α%の範囲内に制御されたサーミスタが完成する。In this way, the resistance value is R5 with respect to the target value R. A thermistor controlled within ±α% is completed.

前記実施例では、NTCザーミスタについて説明したか
、この場合も+4料粉米としてのNi0Mn203.C
020□3に代えてTiO2,Bacoa 、Nd20
3の粉末を用いるようにすれば、PTCザーミスタを得
ることができる。
In the above embodiment, the NTC thermistor was explained, and in this case also, Ni0Mn203. C
TiO2, Bacoa, Nd20 instead of 020□3
By using powder No. 3, a PTC thermistor can be obtained.

実施例3 次に、本発明の第3の実施例について説明する。Example 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described.

第7図は本発明の第3の実施例のサーミスタ製造システ
ムを示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a thermistor manufacturing system according to a third embodiment of the present invention.

このサーミスタ製造システムは、第6図に示した実施例
2のサーミスタ製造システムにおいて、さらにレーザト
リミング装置]4にサーミスタ]Oを支持する支持台を
X−Y方向に移動可能なXYステージ17とし、このX
−Yステージ]7の駆動を制御する制御装置18を(=
1加し、レーザ光照射面積を高精度に制御できるように
したもので、他の部分については実施例2の→t−−ミ
スタ製6 造システムと全く同様に構成されている。同一部分には
同一符号をイリした。
This thermistor manufacturing system is based on the thermistor manufacturing system according to the second embodiment shown in FIG. 6, and further includes a laser trimming device [4] and a support base that supports the thermistor [O] as an XY stage 17 movable in the X-Y direction. This X
-Y stage] 7 is controlled by the control device 18 (=
In addition, the laser beam irradiation area can be controlled with high precision, and the other parts are configured exactly the same as the manufacturing system of the second embodiment. Identical parts have been given the same symbols.

このシステムを用いることにより、より高精度のトリミ
ンクを行うことかでき、より「1標値に近い抵抗値を持
つサーミスタを得ることが可能となる。
By using this system, trimming can be performed with higher precision, making it possible to obtain a thermistor with a resistance value closer to the standard value.

実施例4 次に、本発明の第4の実施例について説明する。Example 4 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

第8図は本発明の第4の実施例のサーミスタ製造システ
ムを示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a thermistor manufacturing system according to a fourth embodiment of the present invention.

このサーミスタ製造システムは、第6図に示した実施例
2のサーミスタ製造システムにおいて、さらにレーザト
リミング装置に、トリミング位置を制御すべくレーザビ
ームの照射条件を制御するためのレーザ制御装置19を
f=I加し、サーミスタ10の電極へのレーザ照射量を
高精度に制御できるようにしたもので、他の部分につい
ては実施例2のサーミスタ製造システムと全く同様に構
成されている。同一部分には同一符号を付した。
This thermistor manufacturing system includes the thermistor manufacturing system according to the second embodiment shown in FIG. 6, and further includes a laser control device 19 for controlling the laser beam irradiation conditions in order to control the trimming position in the laser trimming device. In addition, the amount of laser irradiation to the electrodes of the thermistor 10 can be controlled with high precision, and the other parts are configured exactly the same as the thermistor manufacturing system of the second embodiment. Identical parts are given the same reference numerals.

7 このシステムを用いることにより、実施例3と同様、よ
り高精度のトリミングを行うことができ、よりl]標値
に近い抵抗値を持つサーミスタを得ることが可能となる
7 By using this system, it is possible to perform trimming with higher precision as in Example 3, and it is possible to obtain a thermistor having a resistance value closer to the target value.

実施例5 次に、本発明の第5の実施例について説明する。Example 5 Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.

第9図は本発明の第5の実施例のサーミスタ製造システ
ムを示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a thermistor manufacturing system according to a fifth embodiment of the present invention.

このサーミスタ製造システムは、第6図に示した実施例
2のサーミスタ製造システムに、抵抗測定器13の測定
結果に基づいて、目標値からのずれに応じてサーミスタ
を複数のグループに分類する選別器20を(=1加する
とともに、いずれのグループのサーミスタは電極除去面
積をどのくらいにするかをあらかじめ算出し、その値に
応じてレーザ照射量等のトリミング条件を決定しておき
、当該サーミスタがとのグループに属しているかに応じ
て、レーザトリミング装置14におけるトリミング条件
を設定し直すようにしたものである。他8 の部分については実施例2のサーミスタ製造システムと
全く同様に構成されている。同一部分には同一符号を付
した。
This thermistor manufacturing system has a thermistor manufacturing system according to the second embodiment shown in FIG. In addition to adding 20 (=1), calculate in advance how much electrode removal area should be used for each group of thermistors, and determine trimming conditions such as laser irradiation amount according to that value. The trimming conditions in the laser trimming device 14 are reset depending on whether the device belongs to the group shown in FIG. Identical parts are given the same reference numerals.

このシステムを用いることにより、[1標(直からのず
れ量の大きなサーミスタに対しては、トリミングによっ
て除去する量を多くすることができ、より早く目標値に
近付けることができる。
By using this system, it is possible to remove a large amount of a thermistor with a large amount of deviation from the [1 standard] by trimming, and it is possible to bring the value closer to the target value more quickly.

なお、この実施例では、選別器2oは恒温室12内に抵
抗測定器13と一体的に形成したが、抵抗測定器13と
は別体として恒温室外に配設してもよい事はいうまでも
ない。
In this embodiment, the sorter 2o is formed integrally with the resistance measuring device 13 inside the thermostatic chamber 12, but it goes without saying that it may be placed outside the thermostatic chamber as a separate body from the resistance measuring device 13. Nor.

実施例6 次に、本発明の第6の実施例について説明する。Example 6 Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.

第10図は本発明の第6の実施例のサーミスタ製造シス
テムを示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a thermistor manufacturing system according to a sixth embodiment of the present invention.

このサーミスタ製造システムは、前記実施例5の装置を
さらに自動化し、より高速のトリミングを可能とするこ
とを企図して形成されたものである。
This thermistor manufacturing system was created with the intention of further automating the apparatus of Example 5 and enabling higher-speed trimming.

 9 すなわち、第6図に示した実施例2のサーミスタ製造シ
ステムに加え、恒温室12内の抵抗測定器13にサーミ
スタが入る直前に、サーミスタの到来をカウントするカ
ウンタ21と、抵抗測定器13の測定結果に基づき、[
1標値からのすれに応じてサーミスタを複数のグループ
に分類し、とのグループに属するかを示す選別信号を送
出する選別装置20sを(;I加するとともに、トリミ
ングを必要とするサーミスタに関して、それぞれずれ星
に応じて当該サーミスタは電極除去面積をとのくらいに
するかをあらかじめ算出し、その値に応じてレーザ照射
量等のトリミング条件を決定し記憶するメモリを備え、
カウンタ2]から入力されたサーミスタの番号と選別装
置20sからの選別信号に応じてレーザトリミング装置
14の駆動を指示する制御信号を送出する演算処理回路
22を(す加したことを特徴とするものて、レーザトリ
ミング装置14に到達した当該サーミスタがどのグルー
プに属しているかに応じて、レーザトリミング装置14
におけるトリミング条件を自動的に設定0 し直すようにしたものである。なお23は演算処理回路
22からの制御信号に址づいてレーザトリミング装置を
駆動する制御装置である。他の部分については実施例2
のサーミスタ製造システムと全く同様に構成されている
。同一部分には同−初号を付した。
9. In other words, in addition to the thermistor manufacturing system of the second embodiment shown in FIG. Based on the measurement results, [
A sorting device 20s that sorts the thermistors into a plurality of groups according to the deviation from the standard value and sends out a sorting signal indicating whether the thermistors belong to the group is added. The thermistor is equipped with a memory that calculates in advance how much the electrode removal area should be according to each shifting star, and determines and stores trimming conditions such as laser irradiation amount according to the calculated value.
The device is characterized by the addition of an arithmetic processing circuit 22 that sends out a control signal for instructing the driving of the laser trimming device 14 in accordance with the thermistor number input from the counter 2 and the sorting signal from the sorting device 20s. Then, depending on which group the thermistor that has reached the laser trimming device 14 belongs to, the laser trimming device 14
The trimming conditions are automatically reset to 0. Note that 23 is a control device that drives the laser trimming device based on a control signal from the arithmetic processing circuit 22. Example 2 for other parts
The structure is exactly the same as the thermistor manufacturing system. Identical parts are given the same initial number.

このシステムを用いることにより、目標値からのずれ量
の大きなサーミスタに対しては、トリミングによって除
去する量を多くすることができ、ずれ量に応じてトリミ
ング条件を1″1動的に制御し、より早く目標値に近付
けることができる、このようにして、より高精度のトリ
ミングを行うことができ、より目標値に近い抵抗値を持
−っ勺ミスタを得ることが可能となる。
By using this system, it is possible to increase the amount removed by trimming for a thermistor that has a large amount of deviation from the target value, and the trimming conditions are dynamically controlled 1"1 according to the amount of deviation. In this way, it is possible to approach the target value more quickly, and in this way, it is possible to perform trimming with higher precision, and it is possible to obtain a resistor having a resistance value closer to the target value.

なお、この装置においては、トリミング条件の制御をレ
ーザトリミング装置を制御することによって達成したが
、実施例3で用いたようなX−Yステージの走査速度に
よって電極除夫面積を制御するようにしても良い。
In this device, the trimming conditions were controlled by controlling the laser trimming device, but the electrode removed area was controlled by the scanning speed of the X-Y stage as used in Example 3. Also good.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

2] 以上説明してきたように、本発明によれば、ザミスタ形
成後、サーミスタの電極の一部をレザ光のエネルギーに
よって蒸発せしめ電極面積を小さくすることにより、サ
ーミスタ素子としての抵抗値を高精度に制御することが
可能となる。
2] As explained above, according to the present invention, after the thermistor is formed, a part of the electrode of the thermistor is evaporated by laser light energy to reduce the electrode area, thereby increasing the resistance value of the thermistor element with high accuracy. It becomes possible to control the

また、本発明の装置では、抵抗値All+ll設定おい
て抵1ん値を測定する際にサーミスタを恒温条件に維持
する↑目温下段を具備し、抵抗値を恒温下で測定し、こ
の測定結果に基づいてレーザトリミングを繰り返すよう
にしている、常に恒温Fての温反i11’l >1 カ
”J能テアリ、]1htl′1度(7) IK b’L
Iu’j 5yJ 蛤ヲ行’)ことが可能とIxる。
In addition, the device of the present invention is equipped with a ↑ target temperature lower stage that maintains the thermistor under a constant temperature condition when measuring the resistance value with the resistance value All + ll set, and the resistance value is measured at a constant temperature, and the measurement result is Laser trimming is repeated based on the constant temperature F > 1 degree (7) IK b'L
Iu'j 5yJ 蛤wo行') is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例のサーミスタ製造工程を
示すフローチャー1・を示す図、第2図(a)および第
2図([))は同ザーミスタ製造E程を示す図、第3図
(a)は電極面積の変化率と抵抗値変化率との関係を示
す図、第3図(b)は本発明の第1の実施例のサーミス
タ製造工程で形成されたザミスタの抵抗値分布を示す図
、第4図および第2 5図はレーザトリミング箇所の変形例を示す図、第6図
は本発明の第2の実施例のサーミスタ製造システムを示
す図、第7図は本発明の第3の実施例のサーミスタ製造
システムを示す図、第8図は本発明の第4の実施例のサ
ーミスタ製造システムを示す図、第、9図は本発明の第
5の実施例のザミスタ製造システムを示す図、第10図
は本発明の第6の実施例のサーミスタ製造システムを示
す図、第11図(a)乃至第11図(b)は従来例のサ
ミスタのトリミング方法を示す図、第12図は不純物量
を変化させた場合のPTCザーミスタの抵抗値と温度の
関係を示す図である。 ]・・・サーミスタ本体、2a、2b・・・電極、2S
・・大電極、2p・・・小電極、10・・サーミスタ、
1]・・・サーミスタ作成手段、12・・・恒温室、1
3・・・抵抗測定器、14・・レーザトリミング装置、
15・・・搬送ライン、16・・・廃棄装置、17・・
・X−Yステージ、18・・・制御装置、19・・・レ
ーザ制御装置、20・・選別器、2]・・・カウンタ、
22・・・演算制御装置、23・・制御装置。 3 フーミスクの詑uN[直、171tj’う)□戸−一 弔 図(b) (a) (b) 第 図 第5 図 (C)
FIG. 1 is a flowchart 1 showing the thermistor manufacturing process of the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) and 2([)) are diagrams showing the thermistor manufacturing process E. FIG. 3(a) is a diagram showing the relationship between the rate of change in electrode area and the rate of change in resistance value, and FIG. 3(b) is a diagram showing the resistance of the thermistor formed in the thermistor manufacturing process of the first embodiment of the present invention. Figures 4 and 25 are diagrams showing the value distribution, Figures 4 and 25 are diagrams showing modified examples of laser trimming locations, Figure 6 is a diagram showing a thermistor manufacturing system according to the second embodiment of the present invention, and Figure 7 is a diagram showing the thermistor manufacturing system according to the second embodiment of the present invention. A diagram showing a thermistor manufacturing system according to a third embodiment of the invention, FIG. 8 a diagram showing a thermistor manufacturing system according to a fourth embodiment of the invention, and FIGS. FIG. 10 is a diagram showing a thermistor manufacturing system according to a sixth embodiment of the present invention, and FIGS. 11(a) to 11(b) are diagrams showing a conventional thermistor trimming method. , FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the resistance value and temperature of a PTC thermistor when the amount of impurities is changed. ]... Thermistor body, 2a, 2b... Electrode, 2S
...Large electrode, 2p...Small electrode, 10...Thermistor,
1]...Thermistor creation means, 12... Constant temperature room, 1
3... Resistance measuring device, 14... Laser trimming device,
15...Transportation line, 16...Disposal device, 17...
・X-Y stage, 18...control device, 19...laser control device, 20...selector, 2]...counter,
22... Arithmetic control device, 23... Control device. 3 Fumisuk's funeral [direct, 171tj'u] □Do - One funeral map (b) (a) (b) Figure 5 (C)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体を所望の形状に成形し、これに電極形成を
行いサーミスタを作成するサーミスタ作成工程と、 前記サーミスタの抵抗値を測定する抵抗値 測定工程と、 前記抵抗値測定工程における測定結果に基 づいて電極の一部を除去するレーザトリミング工程とを
具備したことを特徴とするサーミスタの製造方法。
(1) A thermistor creation step in which a semiconductor is molded into a desired shape and electrodes are formed thereon to create a thermistor; a resistance value measurement step in which the resistance value of the thermistor is measured; and a measurement result in the resistance value measurement step. 1. A method of manufacturing a thermistor, comprising: a laser trimming step of removing a part of an electrode based on the base.
(2)半導体を所望の形状に成形し、これに電極形成を
行いサーミスタを作成するサーミスタ作成手段と、 サーミスタ作成手段で作成されたサーミス タの抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、 前記抵抗値測定手段において抵抗値を測定 する際にサーミスタを恒温条件に維持する恒温手段と、 レーザ照射により前記サーミスタの電極の 一部を除去するレーザトリミング手段とを具備したこと
を特徴とするサーミスタ製造システム。
(2) a thermistor producing means for forming a semiconductor into a desired shape and forming electrodes thereon to produce a thermistor; a resistance value measuring means for measuring the resistance value of the thermistor produced by the thermistor producing means; and the resistance value. A thermistor manufacturing system comprising: a constant temperature means for maintaining the thermistor under a constant temperature condition when measuring a resistance value in the measuring means; and a laser trimming means for removing a part of the electrode of the thermistor by laser irradiation.
(3)サーミスタ製造システムにおいて、 抵抗値測定手段の測定結果に基づき、設計 値Rに対してどのような値をとるかに応じて選別する選
別手段と、 選別手段の選別結果に応じて、レーザトリ ミング条件を段階的に制御する制御手段とを具備するよ
うにしたことを特徴とする請求項(2)記載のサーミス
タ製造システム。
(3) In the thermistor manufacturing system, there is a sorting means for sorting according to the value R taken with respect to the design value R based on the measurement result of the resistance value measuring means, and a laser 3. The thermistor manufacturing system according to claim 2, further comprising a control means for controlling trimming conditions stepwise.
(4)サーミスタ製造システムにおいて、 抵抗値測定手段の測定結果に基づいて、設 計値Rに対してどのような値をとるかに応じて選別する
選別手段と、 前記選別手段の選別結果に応じて、設計値 からのずれ量に応じたトリミング量を算出して、レーザ
トリミング条件を決定し、レーザトリミング手段のトリ
ミング条件を逐次制御する演算手段とを具備するように
したことを特徴とする請求項(2)記載のサーミスタ製
造システム。
(4) In the thermistor manufacturing system, a sorting means for sorting according to what value is taken with respect to the design value R based on the measurement result of the resistance value measuring means; and according to the sorting result of the said sorting means , calculating means for calculating the trimming amount according to the amount of deviation from the design value, determining the laser trimming conditions, and sequentially controlling the trimming conditions of the laser trimming means. (2) The thermistor manufacturing system described.
JP19676990A 1989-09-22 1990-07-25 Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same Pending JPH03174701A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19676990A JPH03174701A (en) 1989-09-22 1990-07-25 Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-246891 1989-09-22
JP24689189 1989-09-22
JP19676990A JPH03174701A (en) 1989-09-22 1990-07-25 Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03174701A true JPH03174701A (en) 1991-07-29

Family

ID=26509966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19676990A Pending JPH03174701A (en) 1989-09-22 1990-07-25 Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03174701A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798685A (en) * 1995-03-03 1998-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thermistor apparatus and manufacturing method thereof
JPH10256005A (en) * 1997-03-10 1998-09-25 Murata Mfg Co Ltd Manufacture of electronic component
JP2007281077A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Kamaya Denki Kk Manufacturing method for chip thermistor
WO2018207676A1 (en) * 2017-05-09 2018-11-15 株式会社Flosfia Thermistor film and method for forming same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798685A (en) * 1995-03-03 1998-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Thermistor apparatus and manufacturing method thereof
CN1084519C (en) * 1995-03-03 2002-05-08 株式会社村田制作所 Thermistor apparatus and manufacturing method thereof
JPH10256005A (en) * 1997-03-10 1998-09-25 Murata Mfg Co Ltd Manufacture of electronic component
JP2007281077A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Kamaya Denki Kk Manufacturing method for chip thermistor
WO2018207676A1 (en) * 2017-05-09 2018-11-15 株式会社Flosfia Thermistor film and method for forming same
JPWO2018207676A1 (en) * 2017-05-09 2020-03-26 株式会社Flosfia Thermistor film and method for forming the same
US10989609B2 (en) 2017-05-09 2021-04-27 Flosfia Inc. Thermistor film and method of depositing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3261082A (en) Method of tailoring thin film impedance devices
EP0245900B1 (en) Layered film resistor with high resistance and high stability
JPH03174701A (en) Manufacture of thermistor and system for manufacturing the same
US3793717A (en) Method of controlling resistance values of thick-film resistors
KR100674692B1 (en) Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element
CN102017023A (en) Ntc thermistor porcelain, process for producing NTC thermistor porcelain, and NTC thermistor
US3851291A (en) Thin film thermistor
US3842495A (en) Control of rate of change of resistance as a function of temperature in manufacture of resistance elements
US3966578A (en) Method of making thin film thermistor
US6125529A (en) Method of making wafer based sensors and wafer chip sensors
CN103632780B (en) A kind of slice heat sensitive resistor and resistance control method thereof
JP4777817B2 (en) Manufacturing method of chip thermistor
Aleksić et al. Modeling and simulation of NTC thick film thermistor geometries
JP3449300B2 (en) Method for trimming a circuit formed on a substrate
JP2000348911A (en) Thin film ntc thermistor element and manufacture thereof
JPH05135913A (en) Manufacture of oxide semiconductor for thermistor
JPH05205905A (en) Thermistor and manufacture thereof
JPS5929446A (en) Trimming system of function
Glang et al. Pulse trimming of thin-film resistors
Singh Electrical resistivity and electron microscopic studies of lattice defects in the microplastic region in pure nickel
JPH11162710A (en) Thermister and manufacture thereof
JPH0252406A (en) Chip resistor
JPH01243484A (en) Superconducting element
US20060131274A1 (en) Method for producing an electronic component
JP2001244104A (en) Resistive element and resistor