JPH03171682A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH03171682A JPH03171682A JP1310029A JP31002989A JPH03171682A JP H03171682 A JPH03171682 A JP H03171682A JP 1310029 A JP1310029 A JP 1310029A JP 31002989 A JP31002989 A JP 31002989A JP H03171682 A JPH03171682 A JP H03171682A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
r産婁トの利用分野)
本発明は、発光素子が発した光を凹面状反射面で反射し
た後、外部に放射する発光ダイオードに関するものであ
る。
た後、外部に放射する発光ダイオードに関するものであ
る。
従来より、発光ダイオードの発光素子が発する光を有効
に前方に放射させるため、種々の構造の発光ダイオード
が案出されている。
に前方に放射させるため、種々の構造の発光ダイオード
が案出されている。
第l図は発光ダイオードの概略正面図、第2図は発光ダ
イオードの概略構造断面図である。第1図及び第2図に
示す発光ダイオードは、発光素子la,lb,リードフ
レーム2,3,4、ワイヤ5、光i3過性材料6、凹面
状反射面7及び放射面8よりなる。
イオードの概略構造断面図である。第1図及び第2図に
示す発光ダイオードは、発光素子la,lb,リードフ
レーム2,3,4、ワイヤ5、光i3過性材料6、凹面
状反射面7及び放射面8よりなる。
発光素子1a,lbは一方のリードフレーム23上にマ
ウントされ、他方のリードフレーム3.4とはワイヤ5
により電気的に接続されている。
ウントされ、他方のリードフレーム3.4とはワイヤ5
により電気的に接続されている。
また、発光素子1a,lb、リードフレーム2,3.4
の先端部及びワイヤ5は光透過性材料6により一体的に
封止されている。発光素子ta,ihの姿専而I−▼糾
商ナス測l〒曲而仲府糾蕎7靴号ル埠られ、発光素子1
a,lbの背面側に放射面8が形或されている。凹面状
反射面7は、光透過性材料6の一方の面を鍍金や金属蒸
着等によって鏡面加工したものであり、鏡面加工の際に
は3本のリードフレーム2,3.4間の短絡を防止する
ためにリードフレーム2.3.4には絶縁を施す必要が
ある。なお、リードフレーム2.3.4は、板状の材料
を打抜いて、或いは、エソチング等により形成される。
の先端部及びワイヤ5は光透過性材料6により一体的に
封止されている。発光素子ta,ihの姿専而I−▼糾
商ナス測l〒曲而仲府糾蕎7靴号ル埠られ、発光素子1
a,lbの背面側に放射面8が形或されている。凹面状
反射面7は、光透過性材料6の一方の面を鍍金や金属蒸
着等によって鏡面加工したものであり、鏡面加工の際に
は3本のリードフレーム2,3.4間の短絡を防止する
ためにリードフレーム2.3.4には絶縁を施す必要が
ある。なお、リードフレーム2.3.4は、板状の材料
を打抜いて、或いは、エソチング等により形成される。
上記の構威により、リードフレーム2.3.4から発光
素子1a,lbに電力が供給されると、発光素子1a,
lbが発光する。発光素子1a1bが発する光は凹面状
反射面7により反射さ札放射面8により外部に放射され
る.このように発光素子1a,lbが発する光を一度、
凹面状反射面7で反対した後に外部に放射することによ
り、発光素子が発する光を有効に前方に放射することが
できる。また、発光素子1a,lbを水平方向に並べて
配置することにより、鉛直方向に比べ水平方向において
広い視認角をもつ発光ダイオードとすることができる。
素子1a,lbに電力が供給されると、発光素子1a,
lbが発光する。発光素子1a1bが発する光は凹面状
反射面7により反射さ札放射面8により外部に放射され
る.このように発光素子1a,lbが発する光を一度、
凹面状反射面7で反対した後に外部に放射することによ
り、発光素子が発する光を有効に前方に放射することが
できる。また、発光素子1a,lbを水平方向に並べて
配置することにより、鉛直方向に比べ水平方向において
広い視認角をもつ発光ダイオードとすることができる。
このため、かかる発光ダイオードは、広い視認角を必要
とする屋外用ディスプレイ等の光源として用いられる。
とする屋外用ディスプレイ等の光源として用いられる。
しかしながら、かかる従来の発光ダイオードでは、1つ
の凹面状反射面に対して発光素子が複数個配置されてい
るので、フラントな配光特性が得られなかったり、発光
素子の発熱のために寿命が短くなるという問題点があっ
た。
の凹面状反射面に対して発光素子が複数個配置されてい
るので、フラントな配光特性が得られなかったり、発光
素子の発熱のために寿命が短くなるという問題点があっ
た。
本発明は上記の事情に基づいてなされたものであり、複
数の発光素子を有する場合において、配光特性がフラノ
トで、かつ長寿命の発光ダイオードを提イ共ずることを
目的とするものである。
数の発光素子を有する場合において、配光特性がフラノ
トで、かつ長寿命の発光ダイオードを提イ共ずることを
目的とするものである。
−L記目的を達成するための本発明は、複数の発光素子
と、該複数の発光素子に電力を供給するリード部と、前
記複数の発光素子の発光面側に設けられた凹面状反射面
とを有する発光ダイオードにおいて、前記複数の発光素
子は隣り合う発光素子間の隙間がQ,5mm以下であり
、前記リード部は0.15mm以」二の厚さのリードフ
レームであることを特徴とするものである。
と、該複数の発光素子に電力を供給するリード部と、前
記複数の発光素子の発光面側に設けられた凹面状反射面
とを有する発光ダイオードにおいて、前記複数の発光素
子は隣り合う発光素子間の隙間がQ,5mm以下であり
、前記リード部は0.15mm以」二の厚さのリードフ
レームであることを特徴とするものである。
そして、前記凹面状反射面が対称軸を有し、前記複数の
発光素子が前記凹面状反射面の対称軸に対して対称な位
置に配置されていることが望しい.また、光通過性材料
によって、前記発光素子と前記凹面状反射面との中空部
を充填してもよい。
発光素子が前記凹面状反射面の対称軸に対して対称な位
置に配置されていることが望しい.また、光通過性材料
によって、前記発光素子と前記凹面状反射面との中空部
を充填してもよい。
本発明は前記の構戊によって、隣り合う発光素子間の隙
間をQ.5mm以下にすることにより、配光特性をフラ
・ノトなものとすることができる。
間をQ.5mm以下にすることにより、配光特性をフラ
・ノトなものとすることができる。
隣り合う発光素子間で絶縁を施す必要がない場合には、
この隙間はQmmでもよく、隣り合う発光素子間で絶縁
を施す必要がある場合には、製造上の理由から、この隙
間は0.15mm位が限度である。
この隙間はQmmでもよく、隣り合う発光素子間で絶縁
を施す必要がある場合には、製造上の理由から、この隙
間は0.15mm位が限度である。
また、リードフレームの厚さを0.15mm以上にする
ことにより、発光素子が発する熱をリ一し・っτ−1?
l.人!プM etR t▼六h宏上ビ右を執十ス▼よ
ができる。
ことにより、発光素子が発する熱をリ一し・っτ−1?
l.人!プM etR t▼六h宏上ビ右を執十ス▼よ
ができる。
一方、リードフレームは打抜きやエソチング等により形
威されるので、抜き部(リードフレーム間の隙間)は最
小限、板厚と同寸法程度にしかできない。また、この抜
き部は発光ダイオード間の隙間と諮同−にする必要があ
る。このため、リードフレームの厚さは約0.5mm位
が限度である。
威されるので、抜き部(リードフレーム間の隙間)は最
小限、板厚と同寸法程度にしかできない。また、この抜
き部は発光ダイオード間の隙間と諮同−にする必要があ
る。このため、リードフレームの厚さは約0.5mm位
が限度である。
そして、凹面状反射面が対称軸を有するように形成し、
かつ複数の発光素子をその対称軸に対して対称となるよ
うに配置することにより、たとえば配光特性を水平方向
において対称なものとすることができる。
かつ複数の発光素子をその対称軸に対して対称となるよ
うに配置することにより、たとえば配光特性を水平方向
において対称なものとすることができる。
更に、光透過性材料によって、発光素子と凹面状反射面
との中空部を埋めることにより、光の取り出し効率の向
上を図ることができる。
との中空部を埋めることにより、光の取り出し効率の向
上を図ることができる。
以下に本発明の一実施例を第l図及び第2図を参照して
説明する。
説明する。
第1図及び第2図に示す発光ダイオードは、発W一 タ
−7,12 1 h. II −
k″ フ 1ノ ー ). ′7 *Aワイ
ヤ5、光透過性材料6、凹面状反射面7及び放射面8よ
りなる。
−7,12 1 h. II −
k″ フ 1ノ ー ). ′7 *Aワイ
ヤ5、光透過性材料6、凹面状反射面7及び放射面8よ
りなる。
発光素子1a,lbは一方のリードフレーム2.3上に
マウントされ、他方のリードフレーム3.4とはワイヤ
5により電気的に接続されている。
マウントされ、他方のリードフレーム3.4とはワイヤ
5により電気的に接続されている。
また、発光素子1a,lb,リードフレーム2,3.4
の先端部及びワイヤ5は光透過性材料6により一体的に
封止されている。発光素子1a,1bの発光面に対向す
る側に凹面状反射面7が設けられ、発光素子1a,lb
の背面側に放射面8が形威されている。凹面状反射面7
は、光透過性材料6の一方の面を鍍金や金属蒸着等によ
って鏡面加工したものであり、鏡面加工の際には3本の
リードフレーム2,3.4間の短絡を防止するためにリ
ードフレーム2,3.4には絶縁を施す必要がある。
の先端部及びワイヤ5は光透過性材料6により一体的に
封止されている。発光素子1a,1bの発光面に対向す
る側に凹面状反射面7が設けられ、発光素子1a,lb
の背面側に放射面8が形威されている。凹面状反射面7
は、光透過性材料6の一方の面を鍍金や金属蒸着等によ
って鏡面加工したものであり、鏡面加工の際には3本の
リードフレーム2,3.4間の短絡を防止するためにリ
ードフレーム2,3.4には絶縁を施す必要がある。
ところで、従来から使用されている発光ダイオードでは
、リードフレームの厚さ及び発光素子の配置間隔をどの
ように設定するか、検討が十分ではなかった。このため
、従来の発光ダイオードには前述の問題点があった。
、リードフレームの厚さ及び発光素子の配置間隔をどの
ように設定するか、検討が十分ではなかった。このため
、従来の発光ダイオードには前述の問題点があった。
一般に、反射型発光ダイオードで使用されているリード
フレームは、板材の打抜き或いはエッチング等により形
威されるので、抜き部(リードフレーム間の隙間)は最
小限、板厚と同寸法程度にしかできず、板厚以下の寸法
の抜き部を形戒することは困難である。また、発光素子
をマウントする標準的な自動ダイボンディングマシンの
精度は0.05mmであり、この精度でマウントされる
2つの発光素子が接しないように配置するためには、2
つの発光素子間の隙間の設定は0.1mm以上でなけれ
ばならない.更に、発光素子をリードフレームに接着す
る導電性接着剤が多少横にはみ出すことを考慮すると、
2つの発光素子の隙間はQ.l5rr++n以上に設定
する必要がある。また、したがって2つの発光素子間の
隙間と同程度の抜き部をリードフレームに形成するには
、リードフレームの厚さは0.15mm以上でなければ
ならない. 発明者等が、光の放射効率に悪影響を与えない範囲で、
リードフレームの幅や厚さの値を変えて放熱状態の実験
を行った結果、リードフレームの幅を変えても放熱の状
態は殆ど変化しなかった力匁リードフレームの厚さを変
えると放熱の状態が変化することがわかった.具体的に
はリードフレームの厚さが0.15mm以上の場合に、
顕著な放熱効果が認められた。このことからもリードフ
レームの厚さは0.15mm以上に設定すべきである。
フレームは、板材の打抜き或いはエッチング等により形
威されるので、抜き部(リードフレーム間の隙間)は最
小限、板厚と同寸法程度にしかできず、板厚以下の寸法
の抜き部を形戒することは困難である。また、発光素子
をマウントする標準的な自動ダイボンディングマシンの
精度は0.05mmであり、この精度でマウントされる
2つの発光素子が接しないように配置するためには、2
つの発光素子間の隙間の設定は0.1mm以上でなけれ
ばならない.更に、発光素子をリードフレームに接着す
る導電性接着剤が多少横にはみ出すことを考慮すると、
2つの発光素子の隙間はQ.l5rr++n以上に設定
する必要がある。また、したがって2つの発光素子間の
隙間と同程度の抜き部をリードフレームに形成するには
、リードフレームの厚さは0.15mm以上でなければ
ならない. 発明者等が、光の放射効率に悪影響を与えない範囲で、
リードフレームの幅や厚さの値を変えて放熱状態の実験
を行った結果、リードフレームの幅を変えても放熱の状
態は殆ど変化しなかった力匁リードフレームの厚さを変
えると放熱の状態が変化することがわかった.具体的に
はリードフレームの厚さが0.15mm以上の場合に、
顕著な放熱効果が認められた。このことからもリードフ
レームの厚さは0.15mm以上に設定すべきである。
一方、発光素子間の隙間を広げすぎると、フラントな配
光特性を持たせるための光学設計が困難となる。フラノ
トな配光特性を持たせるためには発光素子間の隙間をQ
,5mm以下にする必要がある。また、したがって発光
素子間の隙間と同程度の抜き部をリードフレームに形戒
するには、リードフレームの厚さは0.5mm以下でな
ければならない。
光特性を持たせるための光学設計が困難となる。フラノ
トな配光特性を持たせるためには発光素子間の隙間をQ
,5mm以下にする必要がある。また、したがって発光
素子間の隙間と同程度の抜き部をリードフレームに形戒
するには、リードフレームの厚さは0.5mm以下でな
ければならない。
尚、リードフレームは発光素子が発する光の光路上にあ
るので、リードフレームの幅が大き過ぎフ+−sk/T
Xbl一内↓六h倉Cフユ!iロテ/ず?1−tφやー
ら〈−プi1一ドフレームの幅はあまり大きく設定する
ことはできない。
るので、リードフレームの幅が大き過ぎフ+−sk/T
Xbl一内↓六h倉Cフユ!iロテ/ず?1−tφやー
ら〈−プi1一ドフレームの幅はあまり大きく設定する
ことはできない。
これらの事情により、本実施例においては、リードフレ
ーム2,3.4を鉄や銅を主戒分とする熱伝導性の良い
0.25mmW−の板状の材料から打抜き或いはエソチ
ング等により形威し、リードフレームの厚さd1をd+
=0.25mmとしてある。また、発光素子1a,l
bは0.3mm角のものを使用し、隙間d,をdz =
0.3mmとし、Y軸(対称軸)に関してx−y平面上
の対称な位置に配置してある。尚、凹面状反射面7の口
径は5mmφである。
ーム2,3.4を鉄や銅を主戒分とする熱伝導性の良い
0.25mmW−の板状の材料から打抜き或いはエソチ
ング等により形威し、リードフレームの厚さd1をd+
=0.25mmとしてある。また、発光素子1a,l
bは0.3mm角のものを使用し、隙間d,をdz =
0.3mmとし、Y軸(対称軸)に関してx−y平面上
の対称な位置に配置してある。尚、凹面状反射面7の口
径は5mmφである。
上記の構或により、リードフレーム2,3.4から発光
素子1a,lbに電力が供給されると、発光素子1a,
lbが発光する.発光素子1a+1bが発する光は凹面
状反射面7により反射さ札放射面8より外部に放射され
る。
素子1a,lbに電力が供給されると、発光素子1a,
lbが発光する.発光素子1a+1bが発する光は凹面
状反射面7により反射さ札放射面8より外部に放射され
る。
本実施例では発光素子1a,lb間の隙間を光学設計可
能な範囲で十分狭くしてあるので、放射辿.小飄卑社純
l十 つ 二 ... L fr j. ハ
↓ ナ?2、また、リードフレームの厚さをO、25m
m.!=しているので、発光素子が発すゐ熱をリードフ
レームを介(7て外部に効率良く放熱することができる
。したがって、熱的影響Cこよる出力低下、或いは寿命
劣化の問題は生じない。
能な範囲で十分狭くしてあるので、放射辿.小飄卑社純
l十 つ 二 ... L fr j. ハ
↓ ナ?2、また、リードフレームの厚さをO、25m
m.!=しているので、発光素子が発すゐ熱をリードフ
レームを介(7て外部に効率良く放熱することができる
。したがって、熱的影響Cこよる出力低下、或いは寿命
劣化の問題は生じない。
更に、発光素″′f−1a.1bをY軸(対称軸)t;
.対して対称な位置に配置することにより、X軸方向に
おける配光特性を対称なものとすることができ、しかも
視認角を広くすることができる。
.対して対称な位置に配置することにより、X軸方向に
おける配光特性を対称なものとすることができ、しかも
視認角を広くすることができる。
尚、上記の実施例では、発光素子が2個配置してある場
合について説明したが、発光素了は3個以上用いてもよ
い。
合について説明したが、発光素了は3個以上用いてもよ
い。
また、土.記の実施例では、発光素子と四面状反射面と
の中空部が光i3適性材料で充填されている場合につい
て説明したが、光透過性材料は使用しなくてもよい。
の中空部が光i3適性材料で充填されている場合につい
て説明したが、光透過性材料は使用しなくてもよい。
更に、上記の実施例では、発光素子間の隙間が0.
15rr+tr+以上である場合について説明した力ξ
発光素了間を絶縁する必要がない場合l,こは、隙間は
Ommでもよい。
15rr+tr+以上である場合について説明した力ξ
発光素了間を絶縁する必要がない場合l,こは、隙間は
Ommでもよい。
以士説明17たように本発明Cこよれば、複数の発光素
子をイfする場合において隣り合う発光素子間の隙間及
びリードフレームの厚さを所定の値にすることにより、
配光特性がフラソ1・で、かつ長寿命の発光ダ・fオ一
ドを提供することができる。
子をイfする場合において隣り合う発光素子間の隙間及
びリードフレームの厚さを所定の値にすることにより、
配光特性がフラソ1・で、かつ長寿命の発光ダ・fオ一
ドを提供することができる。
第1図は発光ダイオードの概略正面図、第2図は発光ダ
イオードの概略構造断面図である。 la,ll)・・・発光素子、 2,3.4・・・ リードフレーム、 5・・・ワイヤ、6・・・光透過性材料、7・・・凹面
状反射面、8・・・放射面。 ?■入 岩 崎 篭 気 株式会社
イオードの概略構造断面図である。 la,ll)・・・発光素子、 2,3.4・・・ リードフレーム、 5・・・ワイヤ、6・・・光透過性材料、7・・・凹面
状反射面、8・・・放射面。 ?■入 岩 崎 篭 気 株式会社
Claims (3)
- (1)複数の発光素子と、該複数の発光素子に電力を供
給するリード部と、前記複数の発光素子の発光面側に設
けられた凹面状反射面とを有する発光ダイオードにおい
て、前記複数の発光素子は隣り合う発光素子間の隙間が
0.5mm以下であり、前記リード部は0.15mm以
上の厚さのリードフレームであることを特徴とする発光
ダイオード。 - (2)前記凹面状反射面が対称軸を有し、前記複数の発
光素子が前記凹面状反射面の対称軸に対して対称な位置
に配置されている請求項1記載の発光ダイオード。 - (3)前記発光素子と前記凹面状反射面との中空部が光
透過性材料で充填されている請求項1又は2記載の発光
ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1310029A JPH03171682A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1310029A JPH03171682A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03171682A true JPH03171682A (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=18000305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1310029A Pending JPH03171682A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03171682A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079593A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光装置のためのパッケージ |
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- 1989-11-29 JP JP1310029A patent/JPH03171682A/ja active Pending
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