JPH0317122B2 - - Google Patents

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JPH0317122B2
JPH0317122B2 JP56208575A JP20857581A JPH0317122B2 JP H0317122 B2 JPH0317122 B2 JP H0317122B2 JP 56208575 A JP56208575 A JP 56208575A JP 20857581 A JP20857581 A JP 20857581A JP H0317122 B2 JPH0317122 B2 JP H0317122B2
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current
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Hiroshi Mizuguchi
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は出力電流制限機能を有する電流供給装
置に係り、きわめて簡単な構成で優れた制限特性
を有する電流供給装置を提供するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a current supply device having an output current limiting function, and provides a current supply device having an extremely simple configuration and excellent limiting characteristics.

従来からよく知られているこの種の装置は、例
えば、T.D.S.Hamilton:“Handbook of linear
integrated electronics for research“McGRAW
−HILL Book Company(UK)Limited,
London(1977)の318ページに示されている様に
負荷と直列に電流検出抵抗を挿入し、この検出抵
抗の両端に発生する電圧を検出トランジスタのベ
ース・エミツタ間に印加するという方法が多用さ
れてきた。
This type of device is well known in the past, for example in TDSH Milton: “Handbook of linear
integrated electronics for research“McGRAW
−HILL Book Company (UK) Limited,
As shown on page 318 of London (1977), a method often used is to insert a current detection resistor in series with the load and apply the voltage generated across the detection resistor between the base and emitter of the detection transistor. It's here.

しかしながら、バイポーラトランジスタのベー
ス・エミツタ間のニー電圧(Knee Voltage)は
周知の様に2mV/℃前後の負の温度係数を有し、
しかも電流検出抵抗もモノリシツクICのチツプ
上に構成したとすると、IC内の拡散抵抗の抵抗
値が一般に2000ppm程度の正の温度係数を有して
いるので、全体としては制限電流値が5000ppm位
の負の温度係数を有し、例えば制限電流値を20℃
において1Aに設定したとしても、120℃ではその
値が0.5Aになつてしまい問題が多かつた。
However, as is well known, the knee voltage between the base and emitter of a bipolar transistor has a negative temperature coefficient of around 2mV/℃.
Moreover, if the current detection resistor is also configured on a monolithic IC chip, the resistance value of the diffused resistor in the IC generally has a positive temperature coefficient of about 2000 ppm, so the overall limiting current value will be about 5000 ppm. Has a negative temperature coefficient, e.g. limiting current value to 20℃
Even if it was set to 1A at 120℃, the value would become 0.5A, which caused many problems.

また、負荷に直列に電流検出抵抗を挿入する
と、その分だけ電力損失が増加し、電源電圧の利
用率も悪化するという問題があつた。
Furthermore, when a current detection resistor is inserted in series with the load, there is a problem in that power loss increases by that amount, and the utilization rate of the power supply voltage also deteriorates.

本発明の電流供給装置は以上の様な問題を解消
するものである。
The current supply device of the present invention solves the above problems.

第1図は本発明の一実施例に係る電流供給装置
の回路結線図を示したものである。同図におい
て、電源1の両端にはトランジスタ2のコレク
タ・エミツタ間と直列に負荷である直流モータ3
が接続され、前記トランジスタ2のベース・エミ
ツタ間には抵抗4が接続されているとともに同ベ
ースにはトランジスタ5のエミツタが接続されて
いる。前記トランジスタ5のコレクタは抵抗6を
介してプラス側給電線路1に接続され、前記トラ
ンジスタ5のベースとプラス側給電線路1aの間
には、例えば可変抵抗器などのバイアス供給回路
7が接続されている。
FIG. 1 shows a circuit connection diagram of a current supply device according to an embodiment of the present invention. In the figure, a DC motor 3, which is a load, is connected in series between the collector and emitter of a transistor 2 at both ends of a power supply 1.
A resistor 4 is connected between the base and emitter of the transistor 2, and the emitter of a transistor 5 is connected to the base. The collector of the transistor 5 is connected to the positive power supply line 1 via a resistor 6, and a bias supply circuit 7 such as a variable resistor is connected between the base of the transistor 5 and the positive power supply line 1a. There is.

一方、前記トランジスタ2のエミツタが接続さ
れたマイナス側給電線路1bにはトランジスタ8
のエミツタが接続され、前記トランジスタ8のベ
ースは同コレクタに接続され、同コレクタとプラ
ス側給電線路1aの間には定電流源9が接続され
ている。さらに、前記トランジスタ2のベースに
はオープンコレクタ出力形式のコンパレータタ1
0の反転入力端子10aが接続され、前記コンパ
レータ10の非反転入力端子10bは前記トラン
ジスタ8のコレクタ(ベース)に接続され、同出
力端子10cは前記トランジスタ5のベースに接
続されている。
On the other hand, a transistor 8 is connected to the negative power supply line 1b to which the emitter of the transistor 2 is connected.
The base of the transistor 8 is connected to the collector thereof, and a constant current source 9 is connected between the collector and the positive power supply line 1a. Furthermore, the base of the transistor 2 has an open collector output type comparator 1.
The non-inverting input terminal 10b of the comparator 10 is connected to the collector (base) of the transistor 8, and the output terminal 10c of the comparator 10 is connected to the base of the transistor 5.

さて、第1図の回路において、少なくともトラ
ンジスタ2とトランジスタ8が同一ICチツプ上
に形成され、前記トランジスタ2は前記トランジ
スタ8の100倍のエミツタ面積を有しているもの
とし、定電流源9の出力電流をIOとし、負荷の直
流モータ3に流れる電流をIMとすると、 IM>100IO が成立したときに、コンパレータ10の反転入力
端子10aの電位が同非反転入力端子10bの電
位よりも高くなり、バイアス供給回路7から供給
される電流が前記コンパレータ10の出力端子1
0cに吸収されるので、前記トランジスタ2のエ
ミツタ電流は急激に減少する。結局、 IM=100IO が成立している状態で平衡が保たれるから、負荷
電流IMは定電流源9の出力電流IOに依存すること
になる。
Now, in the circuit of FIG. 1, it is assumed that at least transistor 2 and transistor 8 are formed on the same IC chip, transistor 2 has an emitter area 100 times that of transistor 8, and constant current source 9 If the output current is I O and the current flowing through the DC motor 3 of the load is I M , then when I M > 100 I O , the potential at the inverting input terminal 10a of the comparator 10 becomes the potential at the non-inverting input terminal 10b. , the current supplied from the bias supply circuit 7 reaches the output terminal 1 of the comparator 10.
0c, the emitter current of the transistor 2 rapidly decreases. In the end, the load current I M depends on the output current I O of the constant current source 9 because balance is maintained with I M =100I O established.

すなわち、前記出力電流IOを適当に設定するこ
とにより、負荷電流の制限値を自由に設定するこ
とが出来る。
That is, by appropriately setting the output current I O , the limit value of the load current can be set freely.

第1図の回路では負荷に直列に電流検出用の抵
抗が接続されていないので、電流検出抵抗による
電力損失の増大や電流電圧の利用率の悪化なども
無く、また、制限電流値の温度係数もほぼ零にす
ることが出来る。
In the circuit shown in Figure 1, there is no current detection resistor connected in series with the load, so there is no increase in power loss caused by the current detection resistor or deterioration of the current/voltage utilization rate, and the temperature coefficient of the limiting current value is can be reduced to almost zero.

第2図は本発明の別の実施例を示したもので、
第2図において、トランジスタ5のベースとマイ
ナス側給電線路1bの間には電圧安定化回路を構
成する定電圧ダイオード11とトランジスタ12
のベース・エミツタ間が直列に接続され、前記ト
ランジスタ12のベース・エミツタ間には抵抗1
3が接続されている。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention,
In FIG. 2, a constant voltage diode 11 and a transistor 12 forming a voltage stabilizing circuit are connected between the base of the transistor 5 and the negative power supply line 1b.
The base and emitter of the transistor 12 are connected in series, and a resistor 1 is connected between the base and emitter of the transistor 12.
3 is connected.

また、前記定電圧ダイオード11と前記トラン
ジスタ5のベースの接続点にはトランジスタ14
のベースが接続され、前記トランジスタ14のエ
ミツタは抵抗15を介してマイナス側給電線路1
bに接続されているとともに、同コレクタはトラ
ンジスタ16のベースおよびコレクタ,トランジ
スタ17,18のベースに接続されている。
Further, a transistor 14 is connected to the connection point between the constant voltage diode 11 and the base of the transistor 5.
The base of the transistor 14 is connected to the base of the transistor 14, and the emitter of the transistor 14 is connected to the negative power supply line 1 through a resistor 15.
The collector of the transistor 16 is connected to the base and collector of the transistor 16, and the bases of the transistors 17 and 18.

前記トランジスタ16,17,18は前記トラ
ンジスタ14のコレクタ電流を入力電流とするカ
レントミラー回路を構成しており、前記トランジ
スタ17はトランジスタ8に定電流を供給する定
電流源として用いられており、前記トランジスタ
18は前記電圧安定化回路に定電流を供給する定
電流源として用いられている。
The transistors 16, 17, and 18 constitute a current mirror circuit that uses the collector current of the transistor 14 as an input current, and the transistor 17 is used as a constant current source that supplies a constant current to the transistor 8. The transistor 18 is used as a constant current source that supplies a constant current to the voltage stabilizing circuit.

さらに、前記トランジスタ12のコレクタは抵
抗19を介してプラス側給電線路1aに接続され
同コレクタにはトランジスタ20のベースが接続
され、前記トランジスタ20のエミツタはマイナ
ス側給電線路1bに接続されているとともに同コ
レクタは前記トランジスタ16,17,18によ
るカレントミラー回路の共通ベースに接続されて
いる。
Further, the collector of the transistor 12 is connected to the positive power supply line 1a via a resistor 19, the base of the transistor 20 is connected to the collector, and the emitter of the transistor 20 is connected to the negative power supply line 1b. The collector is connected to the common base of the current mirror circuit formed by the transistors 16, 17, and 18.

第2図の回路では、直流モータ3には定電圧ダ
イオード11の端子電圧によつて定まる一定電圧
が供給されるとともに、定電流源17によつて供
給されるトランジスタ8へのバイアス電流値と前
記トランジスタ8とトランジスタ2のエミツタ面
積比によつて定まる制限電流値以上の電流が負荷
側に流れない様に阻止する機能を有している。
In the circuit shown in FIG. 2, the DC motor 3 is supplied with a constant voltage determined by the terminal voltage of the constant voltage diode 11, and the bias current value to the transistor 8 supplied by the constant current source 17 and the It has a function of preventing a current exceeding a limit current value determined by the emitter area ratio of transistor 8 and transistor 2 from flowing to the load side.

なお、第2図において、トランジスタ12のベ
ース・エミツタ間接合はトランジスタ14のベー
ス・エミツタ間接合と相殺し合つて抵抗15の両
端に定電圧ダイオード11の端子電圧がそのまま
現われる様にする目的で用いられているが、それ
と同時に、前記トランジスタ12は抵抗19,ト
ランジスタ20とともにカレントミラー回路のた
めの起動回路を構成している。
In FIG. 2, the base-emitter junction of the transistor 12 is used for the purpose of canceling out the base-emitter junction of the transistor 14 so that the terminal voltage of the voltage regulator diode 11 appears as it is across the resistor 15. However, at the same time, the transistor 12, together with the resistor 19 and the transistor 20, constitutes a starting circuit for the current mirror circuit.

すなわち、電流電圧が零から次第に上昇してい
つたとき、まず、トランジスタ20に抵抗19を
介してベース電流が流れてカレントミラー回路を
起動させ、その後はトランジスタ14が導通状態
となる。
That is, when the current voltage gradually increases from zero, the base current first flows through the transistor 20 via the resistor 19 to activate the current mirror circuit, and then the transistor 14 becomes conductive.

電源電圧がさらに上昇して定電圧ダイオード1
1に電流が流れ始めると、トランジスタ12にも
ベース電流が流れる様になり、以後は前記トラン
ジスタ12がオン状態となつて前記トランジスタ
20は遮断状態に移行する。
The power supply voltage increases further and voltage regulator diode 1
When current begins to flow through transistor 1, a base current also begins to flow through transistor 12, and thereafter, transistor 12 is turned on and transistor 20 is turned off.

ところで、第1図および第2図に示した本発明
の実施例では、いずれも負荷として直流モータが
接続され、各トランジスタにはバイポーラトラン
ジスタが用いられているが、モータ以外の負荷を
接続しても良いし、トランジスタはMOS形FET
などのユニポーラトランジスタであつても良く、
その場合、入力電極としてバイポーラトランジス
タのベースにはユニポーラトランジスタのゲート
が対応し、出力電極としてバイポーラトランジス
タのコレクタにはユニポーラトランジスタのドレ
インが対応し、共通電極としてバイポーラトラン
ジスタのエミツタにはユニポーラトランジスタの
ソースが対応する。
By the way, in the embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 and 2, a DC motor is connected as a load and a bipolar transistor is used for each transistor, but it is possible to connect a load other than the motor. is also good, and the transistor is a MOS type FET
It may be a unipolar transistor such as
In that case, the base of the bipolar transistor as the input electrode corresponds to the gate of the unipolar transistor, the collector of the bipolar transistor as the output electrode corresponds to the drain of the unipolar transistor, and the emitter of the bipolar transistor as the common electrode corresponds to the source of the unipolar transistor. corresponds.

第3図は、エンハンスメント型MOSトランジ
スタを用いて構成した本発明の別の実施例を示す
回路結線図である。同図において、Nチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ101の
ドレインとプラス側給電線路1aの間には、負荷
としての直流モータ3が接続され、前記直流モー
タ3に連結された周波数発電機(FG)103の
出力は回転速度制御回路107に印加され、前記
回転速度制御回路107の出力が前記Nチヤンネ
ルエンハンスメント型MOSトランジスタ101
のゲートに印加されている。
FIG. 3 is a circuit wiring diagram showing another embodiment of the present invention constructed using enhancement type MOS transistors. In the figure, a DC motor 3 as a load is connected between the drain of an N-channel enhancement type MOS transistor 101 and a positive power supply line 1a, and a frequency generator (FG) 103 connected to the DC motor 3 is connected The output is applied to the rotational speed control circuit 107, and the output of the rotational speed control circuit 107 is applied to the N-channel enhancement type MOS transistor 101.
is applied to the gate of

一方、ソースがマイナス側給電線路に接続さ
れ、ゲートがドレインに接続されたNチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ108に
は定電流源109によつてドレイン電流が供給さ
れ、同ドレインにはコンパレータ110(コンパ
レータ10と同様にオープンコレクタあるいはオ
ープンドレイン出力形式であるものとする。)の
非反転入力端子110bが接続され、前記コンパ
レータ110の反転入力端子110aおよび同出
力端子110cは前記Nチヤンネルエンハンスメ
ント型MOSトランジスタ101のゲートに接続
されている。
On the other hand, a drain current is supplied by a constant current source 109 to an N-channel enhancement type MOS transistor 108 whose source is connected to the negative side power supply line and whose gate is connected to the drain. The non-inverting input terminal 110b of the comparator 110 is connected to the non-inverting input terminal 110b of the N-channel enhancement type MOS transistor 101. connected to the gate.

なお、前記Nチヤンネルエンハンスメント型
MOSトランジスタ101のゲートとソースの間
には抵抗104が接続されている。
Note that the N-channel enhancement type
A resistor 104 is connected between the gate and source of the MOS transistor 101.

第3図において、回転速度制御回路107は周
波数発電機103からの情報をもとに直流モータ
3の回転速度をあらかじめ定められた値に定速制
御するための回路であつて、前記直流モータ3の
回転軸に連結された負荷の大小に応じて、Nチヤ
ンネルエンハンスメント型MOSトランジスタ1
の通電量を調整するためのゲートバイアス電圧を
発生する機能を有している。
In FIG. 3, a rotation speed control circuit 107 is a circuit for constant speed control of the rotation speed of the DC motor 3 to a predetermined value based on information from the frequency generator 103. N-channel enhancement type MOS transistor 1 depending on the magnitude of the load connected to the rotating shaft of
It has a function of generating a gate bias voltage to adjust the amount of current flowing through the gate.

第3図の回路における出力電流の制御動作につ
いては第1図の回路と同様であるので、ここでの
説明は省略する。
The control operation of the output current in the circuit of FIG. 3 is the same as that of the circuit of FIG. 1, so a description thereof will be omitted here.

以上の様に本発明の電流供給装置は、出力電極
(バイポーラトランジスタにおいてはコレクタ、
MOSトランジスタにおいてはドレイン。)と共通
電極(バイポーラトランジスタにおいてはエミツ
タ、MOSトランジスタにおいてはソース。)の一
方が負荷の一端に接続され他方が電源の一端に接
続された第1のトランジスタ(第1図,第2図の
実施例においてはトランジスタ2が該当し、第3
図の実施例においてはMOSトランジスタ101
が該当する。)と、共通電極が前記第1のトラン
ジスタの共通電極に接続され、入力電極(バイポ
ーラトランジスタにおいてはベース、MOSトラ
ンジスタにおいてはゲート。)が出力電極に接続
されるとともにその出力電極に所定量の電流が供
給される第2のトランジスタ(第1図,第2図の
実施例においてはトランジスタ8が該当し、第3
図の実施例においてはMOSトランジスタ108
が該当する。)と、前記第2のトランジスタの出
力電極に電流を供給する電流供給手段(第1図の
実施例においては定電流源9、第2図の実施例に
おいてはトランジスタ17、第3図の実施例にお
いては定電流源109がそれぞれ該当する。)と、
前記第1のトランジスタの入力電極の電位と前記
第2のトランジスタの入力電極の電位を比較する
比較手段(第1図,第2図の実施例においてはコ
ンパレータ10が該当し、第3図の実施例におい
てはコンパレータ110が該当する。)と、少な
くとも前記比較手段からの比較出力信号に依存し
た電流値あるいは電圧値を含む出力電流あるいは
出力電圧を、前記第1のトランジスタの入力電極
に供給する出力段駆動手段(第1図,第2図の実
施例においてはバイアス供給回路7とトランジス
タ5によつて出力段駆動手段が構成され、第3図
の実施例においては回転速度制御回路107の出
力信号とコンパレータ110の出力信号の合成接
続が出力段駆動手段が構成されている。)とを具
備し、前記第1のトランジスタの出力電極あるい
は共通電極から負荷に電流を供給する様に構成し
たことを特徴とするものであり、抵抗素子を負荷
に直列に接続することなく、負荷電流の検出が行
なえるので、電源電圧の利用効率が悪化すること
なく、周囲温度の変化に対しても優れた制限特性
が実現できるなど、大なる効果を奏する。
As described above, the current supply device of the present invention has an output electrode (in a bipolar transistor, a collector,
Drain in a MOS transistor. ) and a common electrode (the emitter for bipolar transistors and the source for MOS transistors) are connected to one end of the load and the other to one end of the power supply (implementation of Figures 1 and 2). In the example, transistor 2 corresponds to
In the illustrated embodiment, the MOS transistor 101
is applicable. ), a common electrode is connected to the common electrode of the first transistor, an input electrode (base in a bipolar transistor, gate in a MOS transistor) is connected to an output electrode, and a predetermined amount of current is applied to the output electrode. is supplied to the second transistor (transistor 8 in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2), and the third
In the illustrated embodiment, MOS transistor 108
is applicable. ), and current supply means for supplying current to the output electrode of the second transistor (constant current source 9 in the embodiment of FIG. 1, transistor 17 in the embodiment of FIG. 2, and current supply means for supplying current to the output electrode of the second transistor); , the constant current source 109 corresponds to each case), and
Comparison means for comparing the potential of the input electrode of the first transistor and the potential of the input electrode of the second transistor (corresponding to the comparator 10 in the embodiments of FIGS. 1 and 2, and the comparator 10 in the embodiments of FIG. 3) In the example, this corresponds to a comparator 110), and an output that supplies an output current or an output voltage to the input electrode of the first transistor, the output current or the output voltage including at least a current value or a voltage value depending on the comparison output signal from the comparison means. Stage driving means (in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, the output stage driving means is constituted by the bias supply circuit 7 and the transistor 5, and in the embodiment shown in FIG. and a composite connection of the output signals of the comparator 110 constitutes an output stage driving means. This feature allows the load current to be detected without connecting a resistive element in series with the load, so the power supply voltage utilization efficiency does not deteriorate and it provides excellent control over changes in ambient temperature. It has great effects, such as realizing special characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図,第2図および第3図はいずれも本発明
の各実施例に係る電流供給装置の回路結線図であ
る。 1……電流、2,8,17……トランジスタ、
3……直流モータ(負荷)、7……バイアス供給
回路、9,109……定電流源、10,110…
…コンパレータ、101,108……Nチヤンネ
ルエンハンスメントMOS型トランジスタ、10
7……回転速度制御回路。
FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 are all circuit diagrams of current supply devices according to embodiments of the present invention. 1...Current, 2,8,17...Transistor,
3...DC motor (load), 7...Bias supply circuit, 9,109...constant current source, 10,110...
... Comparator, 101, 108 ... N-channel enhancement MOS transistor, 10
7...Rotation speed control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 出力電極と共通電極の一方が負荷の一端に接
続され他方が電源の一端に接続された第1のトラ
ンジスタと、共通電極が前記第1のトランジスタ
の共通電極に接続され、入力電極が出力電極に接
続されるとともにその出力電極に所定量の電流が
供給される第2のトランジスタと、前記第2のト
ランジスタの出力電極に電流を供給する電流供給
手段と、前記第1のトランジスタの入力電極の電
位と前記第2のトランジスタの入力電極の電位を
比較する比較手段と、少なくとも前記比較手段か
らの比較出力信号に依存した電流値あるいは電圧
値を含む出力電流あるいは出力電圧を、前記第1
のトランジスタの入力電極に供給する出力段駆動
手段とを具備し、前記第1のトランジスタの出力
電極あるいは共通電極から負荷に電流を供給する
様に構成したことを特徴とする電両供給装置。
1 A first transistor in which one of an output electrode and a common electrode is connected to one end of a load and the other is connected to one end of a power supply, a common electrode is connected to a common electrode of the first transistor, and an input electrode is connected to an output electrode. a second transistor connected to the output electrode of the second transistor and having a predetermined amount of current supplied to its output electrode; current supply means for supplying current to the output electrode of the second transistor; and an input electrode of the first transistor. comparing means for comparing the electric potential with the electric potential of the input electrode of the second transistor;
an output stage drive means for supplying the current to the input electrode of the first transistor, and is configured to supply current to the load from the output electrode of the first transistor or the common electrode.
JP20857581A 1981-12-22 1981-12-22 Current supply device Granted JPS58107921A (en)

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