JPH03163845A - Pattern inspection device - Google Patents

Pattern inspection device

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Publication number
JPH03163845A
JPH03163845A JP30393489A JP30393489A JPH03163845A JP H03163845 A JPH03163845 A JP H03163845A JP 30393489 A JP30393489 A JP 30393489A JP 30393489 A JP30393489 A JP 30393489A JP H03163845 A JPH03163845 A JP H03163845A
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JP
Japan
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pattern
inspected
inspection
reference pattern
shifting
Prior art date
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Pending
Application number
JP30393489A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoru Akutagawa
哲 芥川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH03163845A publication Critical patent/JPH03163845A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable the true defective patterns to be inspected very efficiently by a method wherein the involving relations are referenceinspected making use of an inspection reference pattern changing the shifting amount in the specific directions. CONSTITUTION:An inspection reference pattern 3 is made by shifting a target pattern which is made according to a specific design data in specific shifting amounts of a', b' in the specific directions so as to perform the inspection making reference to the involving relations between said inspection reference pattern 3 made by said procedures and a pattern to be inspected. Accordingly, the optimum shifting amount can be set up conforming to the design rules to minimize the formation of false defective patterns. Through these procedures, the true defective patterns can very efficiently be inspected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術        (第8図)発明が解決しよ
うとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明    (第1図) 本発明の一実施例    (第2〜7図)発明の効果 〔概要〕 パターン検査装置に関し、 高密度なパターンであっても、最適な許容量にあわせて
検査することができ、疑似欠陥パターンの発生を減少さ
せて真の欠陥パターンを効率良く検査することのできる
パターン検査装置を提供することを目的とし、 所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査基準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフト量だけシフトすることに
より作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフトして
作成された検査基準パターンと前記被検査パターンとの
内包関係を照合してパターン検査を行うように構威する
[Detailed Description of the Invention] [Table of Contents] Overview Industrial Application Fields Prior Art (Fig. 8) Problems to be Solved by the Invention Embodiments of Means and Actions for Solving Problems to be Solved Explanation of the Principle of the Invention (Fig. 1) ) One embodiment of the present invention (Figures 2 to 7) Effects of the invention [Summary] Regarding a pattern inspection device, even a high-density pattern can be inspected according to the optimum tolerance, and pseudo-defect patterns can be detected. The purpose of the present invention is to provide a pattern inspection device that can efficiently inspect true defect patterns by reducing the occurrence of defective patterns. , a pattern inspection device that inspects the inspection mask by comparing and checking the pattern to be inspected with a predetermined inspection reference pattern, the inspection reference pattern being a target pattern created based on predetermined design data. The pattern is inspected by comparing the connotative relationship between the inspection reference pattern created by shifting the pattern by a predetermined shift amount in a specific direction and the pattern to be inspected, which is created by shifting the pattern by a predetermined shift amount in a specific direction. to take action.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、パターン検査装置に係り、詳しくは半導体製
品製造におけるLSIのパターンの検査に関する。
The present invention relates to a pattern inspection apparatus, and more particularly to inspection of LSI patterns in semiconductor product manufacturing.

近年のLSIパターンの微細化、高密度化により特定方
向に対しての設計ルールチェソクが、設計ルール違反と
ならない方向のパターン幅やバターン間隔違反を大量に
検出してしまうといった不具合を招くようになってきい
る。そのため、検査対象と無関係な方向への設計ルール
チェンク検出を適切に防く手段が必要となっている。
Due to the miniaturization and high density of LSI patterns in recent years, design rule checking for specific directions has started to cause problems such as detecting a large number of pattern width and pattern spacing violations in directions that do not violate design rules. There is. Therefore, there is a need for a means to appropriately prevent design rule changes from being detected in directions unrelated to the inspection target.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のパターンの設計ルールチェソクの一方法として、
例えば第8図に示すパターン検査装置がある。第8図に
おいて、このパターンの設計ルールチェソク方法ではパ
ターン形成の目標パターンデータ1を、設計ルール許容
値a, b (但し、a=b)だけ、パターン寸法をシ
フI・させた検査基準パターン(データ)2と被検査対
象パターンの内包関係とを照合検査することにより、設
計ルール違反となるパターン検査を行う検査方法を採用
している。
As a method of checking the design rules of conventional patterns,
For example, there is a pattern inspection apparatus shown in FIG. In FIG. 8, in this pattern design rule checking method, the target pattern data 1 for pattern formation is changed to an inspection reference pattern (data ) 2 and the inclusion relationship of the pattern to be inspected, an inspection method is adopted in which a pattern that violates a design rule is inspected.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、このような従来のパターン検査装置にあ
っては、パターン形或の目標パターンデ一夕を単に設計
ルール許容値だけパターン寸法をシフトさせる構成とな
っていたため、実際の設計ルールには、方向により許容
値の異なるルールが多数存在し、より許容値の大きい方
向に合わせて検査するようにすると許容値の小さい方向
のルール違反検出ができず、より許容値の小さい方向に
合わせて検査すると許容値の大きい木来違反とならない
部分まで検出してしまいルール違反パターンの検出が困
難であった。したがって、高密度なパターンにおいては
、小さい許容値に合わせて検査した際の疑似欠陥パター
ンが、大量に検出されてしまい、真の欠陥パターン固定
が困難になるという問題点があった。
However, in such conventional pattern inspection equipment, the pattern shape or target pattern data is simply shifted by the design rule tolerance value, so the actual design rule does not include the direction. There are many rules with different tolerance values, and if you check in the direction with a larger tolerance value, it will not be possible to detect rule violations in the direction with a smaller tolerance value, and if you check in the direction with a smaller tolerance value, it will not be possible to detect rule violations. It was difficult to detect rule violation patterns because even parts with large values that did not violate the rules were detected. Therefore, in a high-density pattern, a large number of pseudo-defect patterns are detected when inspected according to a small tolerance, making it difficult to fix true defect patterns.

そこで本発明は、高密度なパターンであっても、最適な
許容値にあわせて検査することかでぎ、疑似欠陥バクー
ンの発生を現象させて真の欠陥バクーンを効率良く検査
することのできるパターン検査装置を提供することを目
的としている。
Therefore, the present invention has developed a pattern that allows even high-density patterns to be inspected according to the optimum tolerance, thereby preventing the occurrence of false defective defects and efficiently inspecting true defective defects. The purpose is to provide inspection equipment.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明によるパターン検査装置は上記目的達或のため、
所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、該被検査パターンを所定の
検査基準パターンと比較・照合して該検査マスクの検査
を行うパターン検査装置であって、前記検査裁準パター
ンを、所定の設計データに基づいて作成された目標パタ
ーンを特定方向に所定のシフ1・量だけシフl・するこ
とにより作成し、特定方向に所定のシフト量だけシフト
して作成された検査基準パターンと前記被検査パターン
との内包関係を照合して検査を行うようにしている。
To achieve the above objectives, the pattern inspection device according to the present invention has the following features:
A pattern inspection device that scans the surface of a mask to be inspected on which a predetermined pattern is formed, extracts a pattern to be inspected, compares and verifies the pattern to be inspected with a predetermined inspection reference pattern, and inspects the mask to be inspected. The inspection criterion pattern is created by shifting a target pattern created based on predetermined design data by a predetermined amount in a specific direction, and shifting the target pattern by a predetermined shift amount in a specific direction. Inspection is performed by comparing the connotation relationship between the inspection reference pattern created in this manner and the pattern to be inspected.

〔作用〕[Effect]

本発明では、設計データに基づいて作成された目標パタ
ーン(原パターン)が所定方向(例えば、X軸方向、Y
軸方向、θ1〜θ7方向)に所定のシフト量だけシフ1
・されて検査基準バクーンが作成され、該検査基準パタ
ーンと被検査パターンとの内包関係が照合される。
In the present invention, the target pattern (original pattern) created based on design data is
Shift 1 by a predetermined shift amount in the axial direction, θ1 to θ7 directions)
- An inspection reference pattern is created, and the connotation relationship between the inspection reference pattern and the pattern to be inspected is verified.

したがって、設計ルールに合わせた最適なシフト量(許
容量)が設定され、疑似欠陥パターンの発生が大幅に減
少して、真の欠陥パターンが効率良く検査される。
Therefore, the optimum shift amount (tolerance) is set in accordance with the design rules, the occurrence of false defect patterns is significantly reduced, and true defect patterns are efficiently inspected.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.

簸理説班 第1図は本発明の原理を説明するための図である。Eradication theory group FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention.

上記問題点は、特定方向によりシフト量a′b’(但し
、a′≠b’)を変えた検査基準パターン3を用いて内
包関係を照合検査すれば、解決される。
The above-mentioned problem can be solved by comparing and checking the inclusion relationship using the test reference pattern 3 in which the shift amount a'b' (where a'≠b') is changed depending on the specific direction.

二尖廠皿 次に、上記原理に基づくパターン検査装置を実施例とし
て説明する。・・第2〜7図は本発明の一実施例を示す
図である。第2図は本方法を実施するためのマスクパタ
ーン検査装置のハード的構威を示す図であり、マスク、
レチクル上に形成されたマスクパターンを検査する場合
の例である。この図において、11はマスクパターン検
査装置(パターン検査装置)、12はステージl3上に
載置され、マスクパターン12aが形成されたマスク(
あるいは、レチクル〉であり、マスクくあるいは、レチ
クル)12上ムこ形成されたマスクパターン12aは、
例えば顕微鏡付き撮像装置からなる画像取得手段14に
より小領域が拡大されて画像記憶千段15に取り込まれ
、画像記憶手段15ではこの小領域の画面を細かい画素
に分け、各画素の白黒を判定した画像情報を記憶する。
Two-pointed plate Next, a pattern inspection apparatus based on the above principle will be described as an example. ...Figures 2 to 7 are diagrams showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the hardware structure of a mask pattern inspection device for carrying out this method.
This is an example of inspecting a mask pattern formed on a reticle. In this figure, 11 is a mask pattern inspection device (pattern inspection device), 12 is a mask placed on stage l3, and has a mask pattern 12a formed thereon (
Alternatively, the mask pattern 12a formed on the mask (or reticle) 12 is
For example, a small area is enlarged by an image acquisition means 14 consisting of an image pickup device with a microscope and taken into the image storage 15, and the image storage means 15 divides the screen of this small area into fine pixels and determines whether each pixel is black or white. Store image information.

一方、磁気テーブl6に記憶されている設計データは磁
気テープ読取千段l7により読み取られ、読み取られた
設計データはデータ変換千段18により所定の画像デー
タに変換された後、画像シフト千段19により後述する
第4図に示す処理方法に従ってシフトされて基準パター
ンとして画像記憶手段20に出力される。画像記憶手段
15に記憶されている被検査パターンおよび画像記憶千
段20に記憶されている基準パターンは欠陥検出判断手
段(パターン比較手段)2lに出力され、欠陥検出判断
千段21ではパターン座標位、置制御手段22からの出
力に従って基準パターンと被検査パターンとの比較照合
処理を行う。パターン座標位置制御手段22はステージ
13、磁気テープ読取手段17および欠陥検出判断千段
2lに所定の制御信号を出力してこれらを制御し、パタ
ーン座標位置を制御する。
On the other hand, the design data stored in the magnetic table l6 is read by the magnetic tape reading stage l7, and the read design data is converted into predetermined image data by the data conversion stage 18, and then the image shift stage 19 According to the processing method shown in FIG. 4, which will be described later, the pattern is shifted and outputted to the image storage means 20 as a reference pattern. The inspected pattern stored in the image storage means 15 and the reference pattern stored in the image storage stage 20 are output to the defect detection and judgment means (pattern comparison means) 2l, and the defect detection and judgment stage 21 determines the pattern coordinate position. , the reference pattern and the pattern to be inspected are compared and verified according to the output from the position control means 22. The pattern coordinate position control means 22 outputs a predetermined control signal to the stage 13, the magnetic tape reading means 17, and the defect detection/judgment stage 2l to control these, thereby controlling the pattern coordinate position.

次に、作用を説明するが、まず、検査基準パターンと被
検査対象パターンとの内包関係について述べる。
Next, the operation will be explained, but first, the connotative relationship between the inspection reference pattern and the pattern to be inspected will be described.

本実施例におけるパターン形或の検査方法は、第3図に
示すように被検査対象パターン(パターンA)を特定方
向〈例えば、X軸方向及びY軸方向)ヘシフト(拡大縮
小)させた検査基準パターン(パターンB)を作成し、
この検査基準パターン(パターンB)と被検査対象パタ
ーン(パターンA)との互いの内包関係を照合検査する
。すなわち、第3図のパターンAはパターンBよりは大
きくては不適合な場合の例を示す図であり、この図にお
いて、被検査対象パターン(パターンA)のX軸方向の
長さ(幅)をWA,Y軸方向の長さ(高さ)をlA,基
準パターン(パターンB)のX軸方向の長さ(幅)をW
.,Y軸方向の長さ(高さ)をlBとし、X軸方向(片
側)、Y軸方向く片側〉の許容値をそれぞれΔX、Δy
とすると、 WB≧wa+2ΔXのとき、 →パターンAはパターンBに内包され、正パターン(X
方向ルール)となり、 WB <WA +2ΔXのとき、 →パターンAはパターンBに内包されず、欠陥パターン
(X方向ルール)となる。
The pattern shape inspection method in this embodiment uses an inspection standard in which the pattern to be inspected (pattern A) is shifted (enlarged or reduced) in a specific direction (for example, the X-axis direction and the Y-axis direction) as shown in FIG. Create a pattern (pattern B),
The mutual inclusion relationship between the inspection reference pattern (pattern B) and the target pattern to be inspected (pattern A) is compared and inspected. In other words, the pattern A in FIG. 3 is a diagram showing an example of a case where it is nonconforming because it is larger than the pattern B. In this diagram, the length (width) of the pattern to be inspected (pattern A) in the X-axis direction is WA, the length (height) in the Y-axis direction is lA, and the length (width) in the X-axis direction of the reference pattern (pattern B) is W
.. , the length (height) in the Y-axis direction is lB, and the tolerance values in the X-axis direction (one side) and Y-axis direction (one side) are ΔX and Δy, respectively.
Then, when WB≧wa+2ΔX, → pattern A is included in pattern B, and the positive pattern (X
direction rule), and when WB < WA +2ΔX, → pattern A is not included in pattern B and becomes a defective pattern (X direction rule).

また、lB≧AA+2Δyのとき、 峠パターンAはパターンBに内包され、正パターン(Y
方向ルール)となり、 aB<AA+2Δyのとき、 峠パターンAはパターンBに内包されず、欠陥パターン
(Y方向ルール)となる。
Moreover, when lB≧AA+2Δy, the pass pattern A is included in the pattern B, and the normal pattern (Y
When aB<AA+2Δy, the pass pattern A is not included in the pattern B and becomes a defective pattern (Y direction rule).

第4図は画像シフト手段19で処理ざれる基準パ10 ターン作戒のプログラムを示すフローチャートであり、
本フローにより第5図に示す基準パターンを作或する。
FIG. 4 is a flowchart showing a standard pattern 10 pattern behavior program that is not processed by the image shift means 19.
The reference pattern shown in FIG. 5 is created by this flow.

図中、P I””’ P sはフローの各ステップを示
しており、ステップP1からステップP4までの処理順
序は任意である。まず、基準パターン作或プログラムが
スタートすると、P1で設計品種のマスクパターンレイ
アウト設計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の
許容値より、X軸方向パターンシフトを設定し(X軸方
向パターンシフト値設定)、P2で設計品種のマスクパ
ターンレイアウト設計のため、基準のパターン幅、パタ
ーン間隔の許容値より、Y軸方向パターンシフトを設定
する(Y軸方向パターンシフト値設定)。
In the figure, P I""' P s indicates each step of the flow, and the processing order from step P1 to step P4 is arbitrary. First, when the reference pattern creation or program starts, in P1, for designing the mask pattern layout of the designed product, the X-axis direction pattern shift is set based on the reference pattern width and pattern spacing tolerance values (X-axis direction pattern shift value In P2, for the mask pattern layout design of the designed product, the Y-axis direction pattern shift is set based on the standard pattern width and pattern interval tolerance values (Y-axis direction pattern shift value setting).

次イで、P3で設計品種のマスクパターンレイアウト設
計のため、基準のパターン幅、パターン間隔の許容値よ
り、θ1方向パターンシフトを設定し(θ1方向パター
ンシフト値設定)、P4で設計品種のマスクパターンレ
イアウト設計のかめ、基準のパターン幅、パターン間隔
の許容値より、θ、方向パターンシフトを設定する(θ
7方向パ11 ?ーンシフト値設定)。本実施例では、変換前の原パタ
ーンには第5図(a)に示すようにX軸方向パターンシ
フト値、Y軸方向パターンシフト値の他にθ1方向パタ
ーンシフト値しか必要なく、実際にはステップP4の処
理は不要である。次いで、P5で第5図(b)に示すよ
うにパターン構威線分の垂直方向へのパターンシフト値
による各線分パターンシフト処理により得られる直線を
用いてパターンへの変換処理(パターンシフト処理)を
行って基準パターン作或を終了する。これにより、変換
後に第5図(C)に示すような基準パターンが作成され
る。
Next, in P3, for the mask pattern layout design of the designed product, set the θ1 direction pattern shift based on the standard pattern width and pattern spacing tolerance (θ1 direction pattern shift value setting), and in P4, set the pattern shift in the θ1 direction for the mask pattern layout of the designed product. Set θ and directional pattern shift based on the pattern layout design frame, standard pattern width, and pattern spacing tolerance (θ
7 direction pa 11? tone shift value setting). In this embodiment, in addition to the X-axis direction pattern shift value and the Y-axis direction pattern shift value, only the θ1 direction pattern shift value is required for the original pattern before conversion, as shown in FIG. 5(a). The process of step P4 is unnecessary. Next, in P5, as shown in FIG. 5(b), conversion processing (pattern shift processing) into a pattern is performed using straight lines obtained by pattern shift processing of each line segment based on pattern shift values in the vertical direction of pattern composition lines. This completes the creation of the reference pattern. As a result, a reference pattern as shown in FIG. 5(C) is created after conversion.

第6図は欠陥検出判断千段21で処理される欠陥検出の
プログラムを示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a defect detection program processed in the defect detection judgment stage 21.

まず、P.で第7図(a)に示すように基準パターンと
被検査パターンとの比較照合処理を行い、P1■でパタ
ーン間の照合により、被検査パターンが基準パターンに
内包されない線分座標値を検出(欠陥検出)する。次い
で、PI3で検出された欠陥座標の集合において直線線
分をなす集合の線分12 両端座標値を検出し、Pl4で欠陥線分の表示を行うと
ともに、欠陥線分両端座標値等の欠陥画像、データを出
力して処理を終える。これにより、第7図(b)の大実
線に示すような欠陥となるパターン構或線分が検出され
る。
First, P. As shown in FIG. 7(a), the reference pattern and the pattern to be inspected are compared and matched, and in P1■, by matching between the patterns, the line segment coordinate values of the pattern to be inspected that are not included in the reference pattern are detected ( defect detection). Next, in the set of defect coordinates detected by PI3, the coordinate values at both ends of the line segment 12 of the set of straight line segments are detected, and the defective line segment is displayed at PI4, and a defect image such as the coordinate values at both ends of the defective line segment is displayed. , output the data and finish the process. As a result, a line segment in the pattern structure that causes a defect as shown by the large solid line in FIG. 7(b) is detected.

以上述べたように、IC,LSIのパターンの設計ルー
ルチェンクにおいて、原パターンを特定方向(本実施例
ではX軸方向、Y軸方向、θ,方向)にそれぞれ所定の
シフト値だけシフトさせて検査基準パターンを作成し、
特定方向によりパターン寸法シフトitの異なる検査基
準パターンと被検査対象パターンとの内包関係を照合検
査するようにしている。したがって、方向により許容値
の異なる設計ルールが多数存在する場合であっても、そ
れぞれの方向に合わせて最適なシフトN(許容値)を設
定することができ、許容値の大小によるルール違反パタ
ーンの検出の可否および精度の低下を防止することがで
きる。特に、高密度なパターンを検査する場合に際し、
小さい許容値に合わせて検査した際に疑似欠陥のパター
ンが、大量に13 検出されてしまい、真の欠陥パターン固定が困難となる
といった不具合が解消される。その結果、パターン検査
の効率化が図れ、検査時間の大幅な短縮が可能になる。
As described above, when changing the design rules for IC and LSI patterns, the original pattern is shifted in specific directions (in this example, the X-axis direction, Y-axis direction, and θ direction) by predetermined shift values. Create an inspection standard pattern,
The connotative relationship between the inspection reference pattern and the pattern to be inspected whose pattern size shift it differs depending on the specific direction is compared and inspected. Therefore, even if there are many design rules with different tolerance values depending on the direction, the optimal shift N (tolerance value) can be set for each direction, and the rule violation pattern due to the large or small tolerance value can be prevented. It is possible to prevent a decline in detection accuracy and accuracy. Especially when inspecting high-density patterns,
This solves the problem that a large number of pseudo-defect patterns are detected when inspecting according to a small tolerance value, making it difficult to fix true defect patterns. As a result, pattern inspection can be made more efficient and inspection time can be significantly shortened.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、高密度なパターンであっても、最適な
許容値にあわせて検査することができ、疑似欠陥パター
ンの発生を減少させて真の欠陥パターンを効率良く検査
することができる。
According to the present invention, even a high-density pattern can be inspected according to the optimum tolerance, the occurrence of false defect patterns can be reduced, and true defect patterns can be efficiently inspected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理説明図、 第2〜7図は本発明に係るパターン検査装置の一実施例
を示す図であり、 第2図はそのマスクパターン検査装置の構或図、第3図
はその検査基準パターンと被検査対象パターンとの内包
関係を説明するための図、第4図はその基準パターン作
成のプログラムを示すフローチャート、 l4 第5図はその基準パターン作成例を示す図、第6図はそ
の欠陥パターン検出のプログラムを示すフローチャ−1
・、 第7図はその欠陥パターン検出例を示す図、第8図は従
来のパターン検査装置を示す図である。 11・・・・・・マスクパターン検査装置査装置)、 I2・・・・・・マスク、 12a・・・・・・マスクパターン、 13・・・・・・ステージ、 14・・・・・一画像取得手段、 15・・・・・・画像記憶手段、 16・・・・・・磁気テープ、 17・・・・・・磁気テープ読取手段、18・・・・・
・データ変換手段、 19・・・・・・画像シフト手段、 20・・・・−・画像記憶手段、 21・・・・・・欠陥検出判断手段、 (パターン検 15 22−・・・・・パターン座標位置制御手段。 l6 特開平3 163845 (7) (a) 口:基準パターン 匝』:被検査パターン (b) 一二欠陥となるパターン構戒線分 一実施例の欠陥パターン検出例を示す図第7図 一’;)7,Ii− a=b 従来のパターン検査装置を示す図 第8図
FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention, FIGS. 2 to 7 are diagrams showing an embodiment of a pattern inspection device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram of the structure of the mask pattern inspection device, and FIG. The figure is a diagram for explaining the connotative relationship between the inspection reference pattern and the pattern to be inspected, FIG. 4 is a flowchart showing a program for creating the reference pattern, l4 FIG. 5 is a diagram showing an example of creating the reference pattern, Figure 6 is a flowchart 1 showing the defect pattern detection program.
・, FIG. 7 is a diagram showing an example of defect pattern detection, and FIG. 8 is a diagram showing a conventional pattern inspection device. 11...Mask pattern inspection device), I2...Mask, 12a...Mask pattern, 13...Stage, 14...1 Image acquisition means, 15... Image storage means, 16... Magnetic tape, 17... Magnetic tape reading means, 18...
・Data conversion means, 19... Image shifting means, 20... Image storage means, 21... Defect detection judgment means, (Pattern detection 15 22-... Pattern coordinate position control means. l6 JP-A-3 163845 (7) (a) Opening: Reference pattern box': Pattern to be inspected (b) Pattern composition line segment that causes a defect An example of detecting a defective pattern in an embodiment is shown. Figure 7 Figure 1';) 7, Ii- a=b Figure 8 showing a conventional pattern inspection device

Claims (1)

【特許請求の範囲】 所定のパターンが形成された被検査マスク表面を走査し
て被検査パターンを抽出し、 該被検査パターンを所定の検査基準パターンと比較・照
合して該検査マスクの検査を行うパターン検査装置であ
って、 前記検査基準パターンを、所定の設計データに基づいて
作成された目標パターンを特定方向に所定のシフト量だ
けシフトすることにより作成し、特定方向に所定のシフ
ト量だけシフトして作成された検査基準パターンと前記
被検査パターンとの内包関係を照合してパターン検査を
行うようにしたことを特徴とするパターン検査装置。
[Claims] A method of scanning the surface of a mask to be inspected on which a predetermined pattern is formed to extract a pattern to be inspected, and inspecting the mask by comparing and collating the pattern to be inspected with a predetermined inspection reference pattern. A pattern inspection device that performs the inspection, wherein the inspection reference pattern is created by shifting a target pattern created based on predetermined design data by a predetermined shift amount in a specific direction; A pattern inspection apparatus characterized in that a pattern inspection is performed by comparing a connotation relationship between an inspection reference pattern created by shifting and the pattern to be inspected.
JP30393489A 1989-11-22 1989-11-22 Pattern inspection device Pending JPH03163845A (en)

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JP30393489A JPH03163845A (en) 1989-11-22 1989-11-22 Pattern inspection device

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JP30393489A JPH03163845A (en) 1989-11-22 1989-11-22 Pattern inspection device

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JP30393489A Pending JPH03163845A (en) 1989-11-22 1989-11-22 Pattern inspection device

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JP (1) JPH03163845A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132129A (en) * 1983-01-19 1984-07-30 Hitachi Ltd Inspection device for defect
JPS62261048A (en) * 1986-05-07 1987-11-13 Omron Tateisi Electronics Co Printed circuit board inspecting device

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