JPH03162741A - Magneto-optical recording medium and its production - Google Patents

Magneto-optical recording medium and its production

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JPH03162741A
JPH03162741A JP30388889A JP30388889A JPH03162741A JP H03162741 A JPH03162741 A JP H03162741A JP 30388889 A JP30388889 A JP 30388889A JP 30388889 A JP30388889 A JP 30388889A JP H03162741 A JPH03162741 A JP H03162741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magneto
silicon dioxide
synthetic resin
optical recording
resin substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP30388889A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Tokuoka
徳岡 謙二
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP30388889A priority Critical patent/JPH03162741A/en
Publication of JPH03162741A publication Critical patent/JPH03162741A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a magneto-optical recording medium showing little dimensional change and high shock resistance by forming a silicon dioxide film on a synthetic resin substrate. CONSTITUTION:A synthetic resin substrate is subjected to primer treatment by applying a n-hexane solution of silane on both sides of the substrate and blowing hot air to dry the surfaces, on which silicon dioxide films are precipitated with an equipment for formation of silicon dioxide films. The film-forming equipment has a dipping tank comprising an outer tank and inner tank, between which water is contained and heated while stirred with a stirrer to maintain uniform temp. distribution. The inner tank is charged with the reaction liquid comprising an aqueous solution of hydrosilicofluoric acid diluted with water, into which an aqueous solution of boric acid is dropped to obtain such a liquid having proper saturation of silicon dioxide. After dipping the substrate in the liquid of the inner tank, the liquid is supplied with boric acid, circulated and filtered. By using the synthetic resin substrate thus covered with silicon dioxide, the obtd. magneto-optical medium shows little dimensional change and has high shock resistance.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光磁気記録媒体に関し、さらに詳細には形状
変化が少なく、衝撃に強い光磁気記録媒体とその製造方
法に関する. [従来の技術] 従来、形状変化が少なく、衝撃に強い光磁気記録媒体を
提供する技術としては、例えば特開昭61−11948
号公報に記載された技術が知られている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magneto-optical recording medium, and more particularly to a magneto-optical recording medium that has little change in shape and is resistant to impact, and a method for manufacturing the same. [Prior Art] Conventionally, as a technique for providing a magneto-optical recording medium that has little change in shape and is strong against impact, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-11948
The technique described in the above publication is known.

この技術は、光磁気記録媒体の透明基板を有する面とは
逆の面に、補助基板として金属基板を設けたものである
。また、両面記録型の光磁気記録媒体にあっては、補助
基板としての金属基板の両面に光磁気記録層を形成し、
それぞれの光磁気記録層の表面に、さらに透明基板を設
けたものである。
In this technique, a metal substrate is provided as an auxiliary substrate on the opposite side of the magneto-optical recording medium from the side having the transparent substrate. In addition, in a double-sided recording type magneto-optical recording medium, a magneto-optical recording layer is formed on both sides of a metal substrate as an auxiliary substrate,
A transparent substrate is further provided on the surface of each magneto-optical recording layer.

[発明が解決しようとする課B] しかし、特開昭61−11948号公報記載の発明に記
載されている光磁気記録媒体にあっては、補助基板とし
てAIFe等の金属基板を用いていたため、光磁気記録
媒体の重量が非常に大きくなるという課題を有していた
。例えば、/lの比重が2.7、Feの比重が7.9と
非常に大きいため、光磁気記録媒体が大きく(大直径)
にな1と、光磁気ディスクドライブのスピンドルモーづ
一にかかる負担が大きくなるため、トルクの大2い(し
たがって、サイズの大きな)スピンドル9一ターを使用
する必要があり、このため光磁気ライスクドライブをコ
ンパクト化することができ4くなる. さらに、金属基板は熱伝導率が大きいため、データ書き
込み時において、レーザー光線を照射1ることにより光
磁気記録層に温度を上昇させる悶に、光磁気記録層の温
度が上昇しにくくなり、このためレーザー光線のパワー
を大きくする必要力あるという課題も有していた.レー
ザー光線のハワーを大きくすると、レーザー装置の寿命
の低1や消費電力の増大等の原因となる。
[Problem B to be solved by the invention] However, in the magneto-optical recording medium described in the invention described in JP-A-61-11948, a metal substrate such as AIFe was used as the auxiliary substrate. The problem has been that the weight of the magneto-optical recording medium becomes very large. For example, the specific gravity of /l is 2.7 and the specific gravity of Fe is very large, 7.9, so the magneto-optical recording medium is large (large diameter).
This increases the load placed on each spindle mode of the magneto-optical disk drive, so it is necessary to use a spindle motor with a large torque (and therefore a large size). The drive can be made more compact. Furthermore, since metal substrates have high thermal conductivity, when writing data, the temperature of the magneto-optical recording layer is difficult to rise even though the temperature of the magneto-optical recording layer is increased by irradiating the laser beam1. Another issue was the need to increase the power of the laser beam. Increasing the power of the laser beam may shorten the life of the laser device and increase power consumption.

本発明は、以上のような従来技術の課題を解法し、形状
変化が少なく、衝撃に強く、かつ軽量で熱伝導率の少な
い光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to solve the problems of the prior art as described above, and to provide a magneto-optical recording medium that has little change in shape, is strong against impact, is lightweight, and has low thermal conductivity.

[課題を解決するための手段] 本発明の要旨は、透明基板と、該透明基板上に形成され
た、1または複数の記録層を少なくとも含む光磁気記録
層と、該光磁気記録層上に両面を二酸化ケイ素被膜が形
成された合成樹脂基板とを少なくとも有することを特徴
とする光磁気記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とにある。
[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention is to provide a transparent substrate, a magneto-optical recording layer formed on the transparent substrate and including at least one or more recording layers, and a magneto-optical recording layer formed on the transparent substrate. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium characterized in that it has at least a synthetic resin substrate on both sides of which a silicon dioxide coating is formed, and a method for manufacturing the same.

以下本発明の各構成要素について説明する。Each component of the present invention will be explained below.

(透明基板) 本発明においては、透明基板の材料、形状等を特に限定
するものではない。例えば、ガラス基板、ポリカーボネ
ート基板等従来から光磁気記録媒体の透明基板として使
用されているものはすべて使用することができ、本発明
の目的を達成しうる範囲で任意に選択することができる
(Transparent Substrate) In the present invention, there are no particular limitations on the material, shape, etc. of the transparent substrate. For example, any transparent substrate conventionally used for magneto-optical recording media, such as glass substrates and polycarbonate substrates, can be used, and any material can be selected as long as the object of the present invention can be achieved.

(光磁気記録層) 本発明においては、光磁気記録層の構成は、特に限定さ
れるものではなく、少なくとも記録層を有するものであ
ればよい。例えば、誘電体層、保護層、光反射層等を1
または複数、さらに有していてもよい。また、他の目的
のための層を具備するものであっても何ら差し支えない
. 記録層としては、光磁気記録媒体の記録層としての作用
を有するものであればすべて使用することができる。例
えば、TbFeCo,GdFe,TbCo,DyFe,
NdDyFeCo,TbFe,GdFeBi,GdTb
Fe等の記録材料が使用できる。なお、記録層は1層に
限るものではなく、誘電体層を介して複数層形成された
タイプのものであってもよい。さらに、両面記録型であ
あってもよい。 . 誘電体層、保護層、光反射層等としては、従来から光磁
気記録媒体に使用されているものはすべて使用すること
ができる.例えば、Si,A/!、Mg,Ca,Ti,
Zr..Zn等の化合物からなる層が使用することがで
き、本発明の目的を達威しうる範囲で任意に選択するこ
とができる。
(Magneto-optical recording layer) In the present invention, the structure of the magneto-optical recording layer is not particularly limited, as long as it has at least a recording layer. For example, a dielectric layer, a protective layer, a light reflective layer, etc.
or more than one. Furthermore, there is no problem in having layers for other purposes. As the recording layer, any material can be used as long as it functions as a recording layer of a magneto-optical recording medium. For example, TbFeCo, GdFe, TbCo, DyFe,
NdDyFeCo, TbFe, GdFeBi, GdTb
Recording materials such as Fe can be used. Note that the recording layer is not limited to one layer, and may be of a type in which multiple layers are formed with dielectric layers interposed therebetween. Furthermore, it may be of a double-sided recording type. .. As the dielectric layer, protective layer, light reflective layer, etc., all those conventionally used in magneto-optical recording media can be used. For example, Si,A/! , Mg, Ca, Ti,
Zr. .. A layer made of a compound such as Zn can be used and can be arbitrarily selected as long as the object of the present invention can be achieved.

(合成樹脂基板) 本発明においては、好適に使用できる合成樹脂基板には
剛性が必要である.合成樹脂基板の剛性は、使用される
合成樹脂の種類と板厚とにより決定される。したがって
、本発明では、使用する合成樹脂基板の板厚は、必要と
される剛性と合成樹脂の種類とによって決定される。
(Synthetic resin substrate) In the present invention, a synthetic resin substrate that can be suitably used must have rigidity. The rigidity of a synthetic resin substrate is determined by the type and thickness of the synthetic resin used. Therefore, in the present invention, the thickness of the synthetic resin substrate used is determined by the required rigidity and the type of synthetic resin.

本発明で使用される合成樹脂の種類としては、例えば、
ナイロン66、ガラス繊維強化ナイロン66、ナイロン
612、ボリアξドイもド、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルイξド、アモルファスポリオレフィン
、ポリカーボネート等がある。
Examples of the types of synthetic resins used in the present invention include:
Examples include nylon 66, glass fiber-reinforced nylon 66, nylon 612, boria ξ-d, polyethylene terephthalate, polyether ξ-d, amorphous polyolefin, polycarbonate, and the like.

(紫外線硬化樹脂) 本発明においては、光磁気記録層と合成樹脂基板との間
に、記録層の化学的、物理的劣化を防止するため、紫外
線硬化樹脂層を有することが好ましい。
(Ultraviolet curable resin) In the present invention, it is preferable to have an ultraviolet curable resin layer between the magneto-optical recording layer and the synthetic resin substrate in order to prevent chemical and physical deterioration of the recording layer.

記録層の化学的、物理的劣化を防止する方法としては、
無機物の薄膜を設ける方法、熱硬化性樹脂層を設ける方
法、紫外線硬化樹脂層を設ける方法等が使用できる. しかし、無機物の薄膜を設ける場合には、M厚をミクロ
ンオーダーとしなければならず、このためスパッタリン
グ法等を使用しなければならないが、スパッタリング法
を使用した場.合には、製造時間がかかり、また製造コ
ストが上昇する。
As a method to prevent chemical and physical deterioration of the recording layer,
A method of providing a thin film of an inorganic material, a method of providing a thermosetting resin layer, a method of providing an ultraviolet curable resin layer, etc. can be used. However, when providing a thin film of an inorganic substance, the thickness M must be on the order of microns, and therefore a sputtering method or the like must be used. In this case, manufacturing time increases and manufacturing costs increase.

また、熱硬化性樹脂層を設ける場合には、硬化時に光磁
気記録媒体全体を高温にさらす必要があるため、透明基
板あるいは合成樹脂基板に変形が生しやすく、さらに硬
化時間が長くなる。
Furthermore, when a thermosetting resin layer is provided, it is necessary to expose the entire magneto-optical recording medium to high temperatures during curing, which tends to cause deformation of the transparent substrate or synthetic resin substrate, and further increases the curing time.

これに対して、紫外線硬化樹脂層を設ける場合には、室
温で硬化させることができ、かつ紫外線照射は数十秒と
短時間であるため、透明基板あるいは合成樹脂基板はほ
とんど変形せず、作業性も良い。したがって、紫外線硬
化樹脂を用いることが最も望ましい。
On the other hand, when providing an ultraviolet curable resin layer, it can be cured at room temperature, and the ultraviolet irradiation time is only a few tens of seconds, so the transparent substrate or synthetic resin substrate is hardly deformed and can be easily cured during the process. Sex is also good. Therefore, it is most desirable to use an ultraviolet curing resin.

紫外線硬化樹脂層の膜厚は、10−15μmとすること
が好ましい。10μm未満とすると記録層の化学的、物
理的劣化を充分には防止することができず、20μmよ
り厚くすると透明基板あるいは合成樹脂基板の変形が無
視できなくなるからである。
The thickness of the ultraviolet curable resin layer is preferably 10-15 μm. This is because if the thickness is less than 10 μm, chemical and physical deterioration of the recording layer cannot be sufficiently prevented, and if it is thicker than 20 μm, deformation of the transparent substrate or synthetic resin substrate cannot be ignored.

(二酸化ケイ素被膜の形成方法) 本発明においては、合成樹脂基板の両面に二酸化ケイ素
の被膜を形成させる。
(Method for forming a silicon dioxide film) In the present invention, a silicon dioxide film is formed on both sides of a synthetic resin substrate.

二酸化ケイ素被膜の形戒方法としては、蒸着法、スパン
タ法、CVD法、液相成長法等通常の薄膜形成技術を使
用することができる.なかでも、二酸化ケイ素の過飽和
状態のケイフッ化水素酸溶液中に合成樹脂基板を浸漬し
、二酸化ケイ素被膜を析出させる析出法が作業が簡単で
、しかも均一で緻密な被膜を形成することができるため
特に好ましい。
As a method for forming the silicon dioxide film, ordinary thin film forming techniques such as vapor deposition, spuntering, CVD, and liquid phase growth can be used. Among these, the precipitation method, in which a synthetic resin substrate is immersed in a supersaturated hydrofluorosilicic acid solution of silicon dioxide to deposit a silicon dioxide film, is easy to work with and can form a uniform and dense film. Particularly preferred.

この析出法については、特開昭61−12734号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液とは、ケ
イフフ化水素酸溶液に二酸化ケイ素(シリカゲル、エア
ロジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物等)
を溶解させたのち、水または試薬(ホウ酸、塩化アルミ
ニウム等)を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とした
ものである。この処理液に合成樹脂基板を接触させれば
よい。接触は、合成樹脂基板を処理液中に浸漬するか、
合成樹脂基板表面に処理液を流下させる等の方法がある
が、均一な被膜を形成するためには浸漬法が好ましい。
As for this precipitation method, a known method disclosed in detail in JP-A-61-12734 can be applied. A supersaturated hydrofluorosilicic acid solution of silicon dioxide is a hydrofluoric acid solution containing silicon dioxide (silica gel, Aerosil, silica glass, other silicon dioxide-containing substances, etc.)
After dissolving the silicon dioxide, water or a reagent (boric acid, aluminum chloride, etc.) is added to create a supersaturated state of silicon dioxide. The synthetic resin substrate may be brought into contact with this treatment liquid. Contact can be made by immersing the synthetic resin substrate in the processing solution, or
Although there are methods such as allowing a treatment liquid to flow down onto the surface of the synthetic resin substrate, a dipping method is preferable in order to form a uniform film.

処理液中のケイフッ化水素酸の濃度は、1〜2モル/2
が好ましく、特に2モル/lより濃いケイフッ化水素酸
水溶液に二酸化ケイ素を飽和させたのち、水で希釈して
1〜2モル/lの濃度としたものが、被膜形成速度が速
く、効率よく被覆がおこなえるので好ましい。過飽和状
態とするためにホウ酸を添加する場合の添加量は、処理
液中のケイフン化水素酸1モルに対してIXIO−”〜
40XIO−”モル、好ましくは1.2X10−”〜1
0XIO−”モルの範囲であることが、速く均質な被膜
を形或する上で望ましい。
The concentration of hydrofluorosilicic acid in the treatment liquid is 1 to 2 mol/2
It is preferable to use a hydrofluorosilicic acid aqueous solution with a concentration of more than 2 mol/l to saturate silicon dioxide and then dilute it with water to a concentration of 1 to 2 mol/l. It is preferable because it can be coated. When adding boric acid to create a supersaturated state, the amount added is IXIO-” to 1 mole of hydrosilicic acid in the treatment solution.
40XIO-" moles, preferably 1.2X10-" to 1
A range of 0xIO-'' moles is desirable for forming a fast and homogeneous coating.

合成樹脂基板を処理液に浸漬している間に、連続的にホ
ウ酸水溶液を添加混合し、また、処理液を循環させ、フ
ィルターでろ過することが、均質な被膜を効率よく得る
ために好ましい。二酸化ケイ素の供給源としてシリカゲ
ルを使用する場合には、孔径1.5μm以下のフィルタ
ーが、その他シリカガラス等を用いた場合には、孔径l
Oμm以下のフィルターが好ましい。
While the synthetic resin substrate is immersed in the treatment solution, it is preferable to continuously add and mix the boric acid aqueous solution, circulate the treatment solution, and filter it with a filter in order to efficiently obtain a homogeneous film. . When using silica gel as a source of silicon dioxide, a filter with a pore size of 1.5 μm or less is used; when using other materials such as silica glass, a filter with a pore size of l
A filter with a diameter of 0 μm or less is preferable.

また、処理液を浸漬槽に入れて、合成樹脂基板と接触さ
せる場合には、浸漬中の戒形体表面において、処理液が
層流となって流れるようにすることが、むらのない均質
な被膜を形或するために好ましい。
In addition, when placing the treatment liquid in an immersion tank and bringing it into contact with the synthetic resin substrate, it is important to allow the treatment liquid to flow in a laminar flow on the surface of the object being immersed to form an even and homogeneous coating. Preferable for shaping.

二酸化ケイ素の被膜の膜厚は、特に限定されず、適宜定
めることができるが、通常数100人〜数1000人程
度で表面改質の目的を達威することができる。
The thickness of the silicon dioxide film is not particularly limited and can be determined as appropriate, but usually several hundred to several thousand people can accomplish the purpose of surface modification.

本発明においては、合成樹脂基板と二酸化ケイ素被膜と
の密着性は、特に問題ないが、、合成樹脂基板と二酸化
ケイ素被膜との密着性をさらに強固なものにするために
、前もって合成樹脂基板の表面に密着性を向上させるた
めのブライマー層を形成したり、基板表面処理をしたり
してもよい。
In the present invention, there is no particular problem with the adhesion between the synthetic resin substrate and the silicon dioxide coating, but in order to further strengthen the adhesion between the synthetic resin substrate and the silicon dioxide coating, it is necessary to A brimer layer may be formed on the surface to improve adhesion, or the substrate surface may be treated.

プライマ層に用いる材料や表面処理方法は特に限定され
るものではない。
The material and surface treatment method used for the primer layer are not particularly limited.

例えば、プライマ一層としては、下記式[1コで示され
る有機ケイ素化合物が挙げられる。
For example, examples of the primer layer include organosilicon compounds represented by the following formula [1].

(R’ ).Si (R” )4−n  [1](式中
、R’は炭素数1〜6の炭化水素基、メタクリロキシ基
、エポキシ基、アミノ基、メルヵプト基、イソシアノ基
、フッ素または塩素を有する有機基から選ばれ、R2は
アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、塩素原子から
選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよく、nは
0〜4の整数を示す。) 上記式[1]で示される有機化合物の具体例としては、
トリメチルメトキシシラン、ジメヂルジメトキシシラン
、メチルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
フエニルメチルジメトキシシラン、フエニルトリメトキ
シシラン、T−アミノプロピルトリエトキシシラン、T
−メタクリロキシプ口ビルトリメトキシシラン、N− 
(β−アミノエチル)一γ−アくノプロピルトリエトキ
シシラン、N−ビス−(β−ヒドロキシェチルーTーア
ミノプロピルトリエトキシシラン、N−(βーアミノエ
チル)一T−アミノプロピル(メチル)ジメトキシシラ
ン、T〜クロロプロピルトリメトキシシラン、T−メル
カプトプロビルトリメトキシシラン、3,3.3−トリ
フルオロプロピルトリメトキシシラン、T−グリドキシ
プロビルトリメトキシシラン、β一(3,4−エポキシ
シク口ヘキシル)エチルトリメトキシシラン、メチルト
リクロロシラン、ジメチルク口ロシラン、トリメチルク
ロロシラン、テトラクロロシラン等を挙げることができ
る。
(R'). Si (R")4-n [1] (wherein R' is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a methacryloxy group, an epoxy group, an amino group, a mercapto group, an isocyano group, an organic group having fluorine or chlorine) (R2 is selected from an alkoxy group, an alkoxyalkoxy group, and a chlorine atom, and may be the same or different from each other, and n represents an integer of 0 to 4.) Organic compound represented by the above formula [1] As a specific example,
Trimethylmethoxysilane, dimedyldimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, tetraethoxysilane,
Phenylmethyldimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, T-aminopropyltriethoxysilane, T
-Methacryloxypyltrimethoxysilane, N-
(β-aminoethyl)-γ-acnopropyltriethoxysilane, N-bis-(β-hydroxyethyl-T-aminopropyltriethoxysilane, N-(β-aminoethyl)-T-aminopropyl(methyl)dimethoxy) Silane, T~chloropropyltrimethoxysilane, T-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3,3.3-trifluoropropyltrimethoxysilane, T-glydoxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxysilane) Examples include hexyl)ethyltrimethoxysilane, methyltrichlorosilane, dimethylchlorosilane, trimethylchlorosilane, and tetrachlorosilane.

または、ケイ素化合物が下記式[2]で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。
Alternatively, the silicon compound may be an organosilicon compound represented by the following formula [2].

R4−− S i( O O R’)−     [ 
2 ](式中、Rは互いに同一または相異なっていても
よく、炭素数1〜6の炭化水素基、ビニル基、メタクリ
ロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ
素または塩素を有する有機基を示し、R゛は互いに同一
または相異なっていてもよく、アルキル基、アシル基ま
たはアリールアルキル基を示し、mはl〜4の整数を示
す。) 上記式[2]で示される有機化合物の具体例としては、
ビニルトリス(t.−ブチルパーオキシ)シラン、ビニ
ルトリス(キュメンバーオキシ)シラン、ビニルトリス
(アセチルバーオキシ)シラン、ビニルトリス(ペンゾ
イルパーオキシ)シラン、ビニルトリス(ラウロイルパ
ーオキシ)シラン、γ−グリシドキシブロピルトリス(
t−プチルパーオキシ)シラン、γ−グリシドキシプ口
ピルトリス(t−キュメンバーオキシ)シラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリス(t−アセチルパーオキシ)
シラン、T−グリシドキシプロピルトリス(t−ラウロ
イルバーオキシ)シラン、T−グリシドキシプロビルト
リス(t−ペンゾイルバーオキシ)シラン、γ−メタク
リ口キシプロピルトリス(t−プチルバーオキシ)シラ
ン、T−メタクリロキシブロピルトリス(L−キュメン
バーオキシ)シラン、T−メタクリロキシプロビルトリ
ス(t−アセチルパーオキシ)シラン、γ−メタクリロ
キシプロピルトリス(t−ラウロイルパーオキシ)シラ
ン、T−メタクリロキシブロビルトリス(t−ペンゾイ
ルバーオキシ)シラン等を挙げることかできる。
R4-- Si(O O R')- [
2] (wherein R may be the same or different from each other, and is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyl group, a methacryloxy group, an epoxy group, an amino group, a mercapto group, an organic group having fluorine or chlorine) and R' may be the same or different from each other and represent an alkyl group, an acyl group, or an arylalkyl group, and m represents an integer of 1 to 4.) of the organic compound represented by the above formula [2] As a specific example,
Vinyltris(t.-butylperoxy)silane, vinyltris(cumemberoxy)silane, vinyltris(acetylbaroxy)silane, vinyltris(penzoylperoxy)silane, vinyltris(lauroylperoxy)silane, γ-glycidoxybropyl Tris (
t-butylperoxy)silane, γ-glycidoxypropyltris(t-cumemberoxy)silane, γ-glycidoxypropyltris(t-acetylperoxy)
Silane, T-glycidoxypropyltris(t-lauroylveroxy)silane, T-glycidoxypropyltris(t-penzoylveroxy)silane, γ-methacrylicpropyltris(t-butylveroxy)silane , T-methacryloxypropyltris(L-cumemberoxy)silane, T-methacryloxypropyltris(t-acetylperoxy)silane, γ-methacryloxypropyltris(t-lauroylperoxy)silane, T- Methacryloxybrobyltris(t-penzoylveroxy)silane and the like can be mentioned.

または、ケイ素化合物が下記式[3]で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。
Alternatively, the silicon compound may be an organosilicon compound represented by the following formula [3].

(R夏 ) 7 l H.=CH−S i  (OR” ) 3−.   [
3](式中、Rl は炭素数1〜6の炭化水素基、R2
はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ
基から選ばれ、互いに同一または相異なっていてもよく
、nは0〜3の整数を示す.)上記式[3]で示される
有機化合物の具体例としては、トリエトキシ(ビニル)
シラン、トリメトキシ(ビニル)シラン、エトキシ(ジ
メチル)ビニルシラン、ジメトキシ(メチル)ビニルシ
ラン、ジエトキシ(メチル)ビニルシラン、ジメトキシ
(アセトキシ)ビニルシラン、ト.リプトキシ(ビニル
)シラン、トリアセトキシ(ビニル)シラン、トリス(
β−メトキシエトキシ)ビニルシラン等を挙げることが
できる。
(R summer) 7 l H. =CH−S i (OR”) 3−. [
3] (wherein, Rl is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, R2
are selected from an alkoxy group, an alkoxyalkoxy group, and an acetoxy group, and may be the same or different from each other, and n represents an integer of 0 to 3. ) Specific examples of the organic compound represented by the above formula [3] include triethoxy (vinyl)
Silane, trimethoxy(vinyl)silane, ethoxy(dimethyl)vinylsilane, dimethoxy(methyl)vinylsilane, diethoxy(methyl)vinylsilane, dimethoxy(acetoxy)vinylsilane, t. Liptoxy (vinyl) silane, triacetoxy (vinyl) silane, tris(
Examples include β-methoxyethoxy)vinylsilane.

または、ケイ素化合物が下記式[4]で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる. (R4 ) Hz ”C  C  O  R”  S i  (OR
’ ) 3−+1R’  O            
  [4コ(式中、R1は水素原子またはメチル基、R
2【1炭素数1〜5の(−CH.−)基、R1はアルニ
キシ基、アルコキシアルコキシ基、アセトキシ志から選
ばれ、互いに同一または相異なっていて{よく、R4は
炭素数1〜6の炭化水素基であり、nはO〜3の整数を
示す。) 上記式[4]で示される有機化合物の具体例としては、
T−メタクリ口キシプ口ビル(トリメトキシ)シラン、
T−メタクリ口キシプ口ピル(シメトキシ)シラン、γ
−メククリ口キシフ゜ロピ几(トリエトキシ)シラン、
T−メタクリ口キシブロビル(ジエトキシ)メチルシラ
ン等を挙げることができる。
Alternatively, the silicon compound may be an organosilicon compound represented by the following formula [4]. (R4) Hz “C C O R” S i (OR
' ) 3-+1R' O
[4 (wherein R1 is a hydrogen atom or a methyl group, R
2 [1 to 5 carbon atoms (-CH.-) group, R1 is selected from alkoxy group, alkoxyalkoxy group, acetoxy group, and are the same or different from each other. It is a hydrocarbon group, and n represents an integer of O to 3. ) Specific examples of the organic compound represented by the above formula [4] include:
T-methacrylate (trimethoxy)silane,
T-methoxysilane, γ
-Mekkuri mouth fluoropiol (triethoxy) silane,
Examples include T-methacrylate oxybrobyl(diethoxy)methylsilane.

または、ケイ素化合物が下記式[5]で示される有機ケ
イ素化合物が挙げられる。
Alternatively, the silicon compound may be an organosilicon compound represented by the following formula [5].

(以下余白) (式中、R’ ,R”は同種または異種のアルコキシ基
、アルコキシアルコキシ基または塩素原子で、R3、R
4は置換または非置換の一価の炭化水素基であり、Aは
二価の炭化水素基、酸素原子または硫黄原子を含有する
二価の有機基から選ばれ、mおよびnは1〜3の整数を
示す。) 上記式[5コで示される有機化合物の具体例としては、
1,1,3.3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメ
チルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン等を挙げるこ
とができる。
(Left below) (In the formula, R', R'' are the same or different alkoxy groups, alkoxyalkoxy groups or chlorine atoms, R3, R
4 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, A is selected from a divalent hydrocarbon group, a divalent organic group containing an oxygen atom or a sulfur atom, and m and n are 1 to 3; Indicates an integer. ) Specific examples of organic compounds represented by the above formula [5] include:
Examples include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisilane, hexamethyldisiloxane, and the like.

これらの有機ケイ素化合物は、それぞれ単独で、あるい
は複数組み合わせて用いることができる。
These organosilicon compounds can be used alone or in combination.

また、プライマ層を形成する化合物の他の例として、少
なくとも1つのアミノ基を有する化合物、例えば脂肪族
第1アミン、脂肪族第2アミン、脂肪族第3アミン、脂
肪族不飽和アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、アミ
ノアルコール等が挙げられる。
Other examples of compounds forming the primer layer include compounds having at least one amino group, such as aliphatic primary amines, aliphatic secondary amines, aliphatic tertiary amines, aliphatic unsaturated amines, and alicyclic amines. Examples include formula amines, aromatic amines, amino alcohols, and the like.

これら少なくともIっのアミノ基を有する化合物の具体
的例としては、例えば、メチルアミン、ジメチルアミン
、エチルアミン、ジェチルアミン、イソブロビルアミン
、プロビルアミン、ジブロピルアミン、プチルアミン、
ジイソプ口ピルアミン、イソブチルアミン、sec−プ
チルアミン、tert−プチルアミン、ジブチルアミン
、ジイソブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルア
ミン、2−エチルへキジルアミン、アリルアミン、アニ
リン、トルイジン、シクロヘキシルアミン、エチレンジ
アミン、ブロビレンジアミン、ジエチレントリアミン、
1.6−へキサジアくン、1.3−プロパンジアミン等
脂肪族アミンや芳香族アミン、脂環式アミン等を挙げる
ことができる。また、アミノアルコールとしては、異な
った炭素原子に第17ミノ基もしくは第27ミノ基と水
酸基を有する化合物であって、具体的には、モノエタノ
ールアミン、2−アミノプロパン−1−オール、1−ア
ミノプロパン−2−オール、3−アミノプ口パン−1−
オール、1−アミノブタン−2−オール、2一アミノブ
クン−2−オール、ジエタノールアξン、N−エチルエ
タノールアミン等を挙げることができる。これらのア≧
ノ基を有する化合物は、1種または2種以上を使用する
ことができる。
Specific examples of these compounds having at least I amino groups include methylamine, dimethylamine, ethylamine, diethylamine, isobrobylamine, probylamine, dibropylamine, butylamine,
Diisobutylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, dibutylamine, diisobutylamine, pentylamine, dipentylamine, 2-ethylhexylamine, allylamine, aniline, toluidine, cyclohexylamine, ethylenediamine, brobylenediamine, diethylenetriamine,
Examples include aliphatic amines such as 1,6-hexadiamine and 1,3-propanediamine, aromatic amines, and alicyclic amines. In addition, the amino alcohol is a compound having a 17th amino group or a 27th amino group and a hydroxyl group on different carbon atoms, and specifically, monoethanolamine, 2-aminopropan-1-ol, 1-amino alcohol, etc. Aminopropan-2-ol, 3-aminopropan-1-
Examples include ol, 1-aminobutan-2-ol, 2-aminobucun-2-ol, diethanolamine, N-ethylethanolamine, and the like. These a≧
One type or two or more types of compounds having a group can be used.

前記有機ケイ素化合物あるいは少なくとも1つのア旦ノ
基を有する化合物からなるブライマー層は、有機溶剤等
に溶解した溶液をそのまま合成樹脂基板上に塗布したり
、合成樹脂基板をその溶液中に浸漬すればよい。さらに
、本発明においては、通常用いられるプラズマ重合法に
より、前記化合物のプラズマ重合膜を形成してもよい。
The brimer layer made of the organosilicon compound or a compound having at least one adanyl group can be formed by applying a solution dissolved in an organic solvent or the like directly onto a synthetic resin substrate, or by immersing the synthetic resin substrate in the solution. good. Furthermore, in the present invention, a plasma polymerized film of the above compound may be formed by a commonly used plasma polymerization method.

また、本発明においては、前記合成樹脂基板の表面を酸
性溶液で処理して、その表面改質をおこなってもよく、
かかる酸性溶液としては、例えば、モノクロロ酢酸、ジ
クロロ酢酸、酢酸、ギ酸、ブロピオン酸、アセト酢酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、塩酸、硫酸、リン
酸、硫酸クロム酸、クロム酸等の酸を、メタノール、エ
タノール等のアルコール類や水等の溶媒に溶解した溶液
が挙げられる。
Further, in the present invention, the surface of the synthetic resin substrate may be treated with an acidic solution to modify the surface,
Such acidic solutions include, for example, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, acetic acid, formic acid, propionic acid, acetoacetic acid,
Examples include solutions in which acids such as trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, chromic acid sulfate, and chromic acid are dissolved in alcohols such as methanol and ethanol, and solvents such as water.

また、本発明においては、前記合成樹脂基板の表面をプ
ラズマ処理等の表面改質処理をおこなってもよく、かか
る処理を行なうことにより、前記プライマー層を形成し
た場合と同様二酸化ケイ素被膜と合成樹脂基板との密着
性をさらに向上することができる。
In addition, in the present invention, the surface of the synthetic resin substrate may be subjected to surface modification treatment such as plasma treatment, and by performing such treatment, the silicon dioxide coating and the synthetic resin are formed in the same way as when forming the primer layer. Adhesion to the substrate can be further improved.

[作用1 本発明によれば、光磁気記録媒体の補助基板としてその
表面を二酸化ケイ素被膜で被覆した合成樹脂基板を用い
たので、光磁気記録媒体を軽量化することができ、した
がってスピンドルモータの負担を少なくし、光磁気ディ
スクドライブをコンパクト化することができる。
[Function 1] According to the present invention, since a synthetic resin substrate whose surface is coated with a silicon dioxide film is used as an auxiliary substrate of the magneto-optical recording medium, the weight of the magneto-optical recording medium can be reduced, and therefore the weight of the spindle motor can be reduced. The load can be reduced and the magneto-optical disk drive can be made more compact.

また、本発明によれば、補助基板としてその表面を二酸
化ケイ素被膜で被覆した合成樹脂基板を用いたので、光
磁気ディスクの熱伝導率を小さくすることができ、した
がってデータ書き込み時において、レーザー光源を照射
することにより光磁気記録媒体の温度を上昇させる際に
、温度が上昇しやすく、このためレーザー光源のパワー
を小さくすることかできる。
Further, according to the present invention, since a synthetic resin substrate whose surface is coated with a silicon dioxide film is used as an auxiliary substrate, the thermal conductivity of the magneto-optical disk can be reduced, and therefore, when writing data, the laser light source When the temperature of the magneto-optical recording medium is raised by irradiating it, the temperature tends to rise, and therefore the power of the laser light source can be reduced.

また、本発明によれば、補助基板としてその表面を二酸
化ケイ素被膜で被覆した合成樹脂基板を用いたので、該
合成樹脂基板の吸湿を非常に小さくすることができるた
め、光磁気記録媒体の形状変化を著しく小さくすること
ができる。また、合成樹脂基板の表面が緻密な二酸化ケ
イ素被膜で被覆されているので、大幅な耐擦傷性効果を
付与することができる。
Further, according to the present invention, since a synthetic resin substrate whose surface is coated with a silicon dioxide film is used as an auxiliary substrate, the moisture absorption of the synthetic resin substrate can be extremely reduced. Changes can be significantly reduced. Furthermore, since the surface of the synthetic resin substrate is coated with a dense silicon dioxide film, it is possible to impart a significant scratch resistance effect.

また、本発明において、前記に例示したような有機ケイ
素化合物やアミノ化合物からなるプライマー層を介在さ
せてその表面を二酸化ケイ素被膜で被覆した合成樹脂基
板を用いれば、二酸化ケイ素被膜と合成樹脂基板との間
の密着性をさらに向上させることができるため、高温高
湿の環境下でも長期にわたって形状変化や耐擦傷性のみ
ならず、記録・再生特性がすぐれた光磁気記録媒体を提
供することができる。
In addition, in the present invention, if a synthetic resin substrate whose surface is coated with a silicon dioxide film with a primer layer made of an organosilicon compound or an amino compound as exemplified above is used, the silicon dioxide film and the synthetic resin substrate can be used. Since the adhesion between the two layers can be further improved, it is possible to provide a magneto-optical recording medium that not only has shape change and scratch resistance over a long period of time, but also has excellent recording and reproducing characteristics even in high temperature and high humidity environments. .

[実施例] 以下、本発明について実施例を挙げてさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものは
ない。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited only to these Examples.

実施例1 ポリカーボネート樹脂からなる合成樹脂基板(直径13
0mm、厚さ1.2mm)の両面に、ビニルトリス(ペ
ンゾイルパーオキシ)シランのn−ヘキサン溶液(濃度
1重量%)をスピンコーターで塗布し、次いで60″C
の熱風にて3分間の加熱乾燥を行なった.乾燥後のビニ
ルトリス(ペンゾイルパーオキシ)シランの膜厚は約4
0人であった.このプライマー処理を行なった合成樹脂
基板の全面に、特開昭61−12734号公報に記載さ
れているのと同様の二酸化ケイ素被膜製造装置を用いて
、二酸化ケイ素被膜を析出させた.すなわち、二酸化ケ
イ素被膜製造装置は、外槽と内槽からなる浸漬槽を有し
、内槽と外槽の間には水が満たしてある。この水は温度
が35゜Cとなるようにヒーターで加熱され、かつ温度
分布が均一になるように攪拌機で攪拌されている.内槽
は前部、中部、後部からなり各部には工業用シリカゲル
粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケイ素を溶
解、飽和させた2.0モル/lの濃度のケイフッ化水素
酸水溶液を水を用いて倍に希釈した3lの反応液を満た
してある。ここで、循環ポンプを作動させ内槽後部の反
応液を一定量ずつ放出してフィルターでろ過し、内槽前
部へ戻す処理液循環を開始した。
Example 1 Synthetic resin substrate made of polycarbonate resin (diameter 13
A solution of vinyltris(penzoylperoxy)silane in n-hexane (concentration 1% by weight) was coated on both sides of the sheet (1.2 mm thick and 1.2 mm thick) using a spin coater, and then heated at 60"C.
The material was dried by heating with hot air for 3 minutes. The film thickness of vinyltris(penzoylperoxy)silane after drying is approximately 4
There were 0 people. A silicon dioxide film was deposited on the entire surface of the primer-treated synthetic resin substrate using a silicon dioxide film manufacturing apparatus similar to that described in JP-A-61-12734. That is, the silicon dioxide film manufacturing apparatus has a dipping tank consisting of an outer tank and an inner tank, and the space between the inner tank and the outer tank is filled with water. This water is heated with a heater to a temperature of 35°C, and stirred with a stirrer to make the temperature distribution uniform. The inner tank consists of a front part, a middle part, and a rear part, and each part is filled with an aqueous solution of hydrofluorosilicic acid at a concentration of 2.0 mol/l, in which silicon dioxide is dissolved and saturated, using industrial silica gel powder as a source of silicon dioxide. It is filled with 3 liters of reaction solution diluted twice using At this point, the circulation pump was activated to discharge a certain amount of the reaction liquid from the rear of the inner tank, filter it with a filter, and start circulating the treated liquid back to the front of the inner tank.

その後、0.5モル/lのホウ酸水溶液を連続的に内槽
後部に滴下して10時間保持した.この状態で反応液は
適度な二酸化ケイ素過飽和度を有する処理液となった。
Thereafter, a 0.5 mol/l boric acid aqueous solution was continuously dropped into the rear part of the inner tank and maintained for 10 hours. In this state, the reaction solution became a treatment solution having an appropriate degree of silicon dioxide supersaturation.

ここでフィルターの絶対除去率を1.5μmおよび処理
液循環量を240mf/分(処理液全量が約3lである
ので、循環量は8%/分である)に調整した そして、前記合成樹脂基板を内槽中部に垂直に浸漬し、
前記条件(0.5モル/lのホウ酸水溶液を0.2ml
l分で添加し、8%/分の循環を行い、1.5μmのフ
ィルターでろ過する)で3時間保持した. 得られた二酸化ケイ素被覆層の膜厚は約900人であっ
た。
Here, the absolute removal rate of the filter was adjusted to 1.5 μm and the processing liquid circulation rate was adjusted to 240 mf/min (since the total amount of processing liquid was about 3 liters, the circulation rate was 8%/min). immersed vertically in the middle of the inner tank,
The above conditions (0.2 ml of 0.5 mol/l boric acid aqueous solution
1 min, circulated at 8%/min, and filtered through a 1.5 μm filter) for 3 hours. The thickness of the obtained silicon dioxide coating layer was approximately 900 mm.

また、ポリカーボネート樹脂からなる透明基板(直径1
30mm,厚さ1.2mm)の上に、誘電体層(SiA
jl!ON)/記録層(TbFeCO)/保護層(Si
A/!ON)をこの順にスパッタリング法で積層して光
磁気記録層を形成し、さらにその光磁気記録層の上に接
着剤層(アクリル系ホットメルト、膜厚60μm)を介
して、上記二酸化ケイ素被膜を被覆した合成樹脂基板を
貼り合わせ、光磁気記録媒体を作威した。
In addition, a transparent substrate made of polycarbonate resin (diameter 1
30 mm, thickness 1.2 mm), a dielectric layer (SiA
jl! ON)/recording layer (TbFeCO)/protective layer (Si
A/! ON) were laminated in this order by sputtering to form a magneto-optical recording layer, and then the silicon dioxide film was applied on top of the magneto-optical recording layer via an adhesive layer (acrylic hot melt, film thickness: 60 μm). The coated synthetic resin substrates were bonded together to create a magneto-optical recording medium.

得られた光磁気記録媒体を、7 8 0 nm半導体レ
ーザーを光源とする光磁気ディスクドライブに装着し、
記録時のレーザー光の出力の最適値を測定した。ここで
、記録時のレーザー光の出力の最適値は、搬送波(C)
と、2次高調波(CZ、d)が最大となるときのレーザ
ー光の出力である。また、併せて、耐久性試験を行なっ
た。その結果を表1に示す。
The obtained magneto-optical recording medium is installed in a magneto-optical disk drive using a 780 nm semiconductor laser as a light source,
The optimum value of laser light output during recording was measured. Here, the optimum value of the laser light output during recording is the carrier wave (C)
is the output of the laser beam when the second harmonic (CZ, d) is maximum. In addition, a durability test was also conducted. The results are shown in Table 1.

実施例2 合成樹脂基板にプライマー処理を行なわなかった以外は
、実施例1と同様にして光磁気記録媒体を得、同様に評
価した。
Example 2 A magneto-optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1, except that the synthetic resin substrate was not subjected to primer treatment, and evaluated in the same manner.

比較例1 合成樹脂基板のかわりに金属基板として、Al(膜厚0
.5mm)を用いて、実施例1と同様にして光磁気記録
媒体を得、同様に評価した。
Comparative Example 1 Al (film thickness 0) was used as a metal substrate instead of a synthetic resin substrate.
.. 5 mm), a magneto-optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1, and evaluated in the same manner.

比較例2 合成樹脂基板を用いない以外は、実施例lと同様にして
光磁気記録媒体を得、同様に評価した。
Comparative Example 2 A magneto-optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1, except that a synthetic resin substrate was not used, and evaluated in the same manner.

(以下、余白) 表1 [注コ※C/Nは初期値をOとした. ※※反りは初期値をOとし、記録層側が凸になる向きの
反りを+(プラス)とした。
(The following is the margin) Table 1 [Note: The initial value of C/N is O. **The initial value of the warp was O, and the warp in the direction in which the recording layer side became convex was + (plus).

表1から明らかのように、本発明の光情報記録媒体は、
すぐれた耐久性を示し、その耐久性は補助基板として金
属基板を有する場合と比べて、全く遜色なかった。
As is clear from Table 1, the optical information recording medium of the present invention includes:
It exhibited excellent durability, and its durability was comparable to that of a case in which a metal substrate was used as an auxiliary substrate.

また、本実施例で用いたビニルトリス(ペンゾイルバー
オキシ)シラン以外に、例えばトリメトキシ(ビニル)
シランをアルゴンガスを導入したガラス製ベルジャー中
にて、プラズマ重合させた合成樹脂基板、モノエタノー
ルアミンのイソブタノール溶液を塗布乾燥した合成樹脂
基板、モノクロ口酢酸のイソプロビル溶液で浸漬処理し
た合成樹脂基板等について、本実施例と同様の光磁気記
録媒体を作威して、同様の評価を実施したところ、実施
例とほぼ同じ結果を得ることができた。
In addition to vinyltris(penzoylveroxy)silane used in this example, for example, trimethoxy(vinyl)silane
A synthetic resin substrate that has been plasma polymerized with silane in a glass bell jar with argon gas introduced, a synthetic resin substrate that has been coated with an isobutanol solution of monoethanolamine and dried, and a synthetic resin that has been immersed in an isoprobil solution of monochrome acetic acid. When a magneto-optical recording medium similar to that of this example was used for the substrate, etc., and the same evaluation was carried out, almost the same results as in this example were obtained.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、補助基板として
その表面を二酸化ケイ素被膜で被覆した合成樹脂基板を
用いたので、形状変化が少なく、衝撃に強く、長期安定
性がすぐれ、かつ軽量で小さいパワーのレーザー光で記
録・再生が可能な光磁気記録媒体を提供することができ
るという効果を奏することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, since a synthetic resin substrate whose surface is coated with a silicon dioxide film is used as an auxiliary substrate, there is little change in shape, strong impact resistance, and long-term stability. It is possible to provide a magneto-optical recording medium that is excellent in weight, lightweight, and capable of recording and reproducing information using a low-power laser beam.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透明基板と、前記透明基板上に形成された、1ま
たは複数の光磁気記録層と、前記光磁気記録層上に設け
られた合成樹脂基板とを少なくとも有する光磁気記録媒
体であって、前記合成樹脂基板の表面に二酸化ケイ素被
膜が形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
(1) A magneto-optical recording medium having at least a transparent substrate, one or more magneto-optical recording layers formed on the transparent substrate, and a synthetic resin substrate provided on the magneto-optical recording layer, . A magneto-optical recording medium, characterized in that a silicon dioxide film is formed on the surface of the synthetic resin substrate.
(2)前記合成樹脂基板を二酸化ケイ素の過飽和状態の
ケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し、合成樹脂基板の全面
に二酸化ケイ素被膜を析出させることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体の製造方法。
(2) The synthetic resin substrate is immersed in a supersaturated hydrofluorosilicic acid solution of silicon dioxide to deposit a silicon dioxide film on the entire surface of the synthetic resin substrate. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium.
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