JPH03157658A - ホトレジストの塗布方法 - Google Patents
ホトレジストの塗布方法Info
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- JPH03157658A JPH03157658A JP29842789A JP29842789A JPH03157658A JP H03157658 A JPH03157658 A JP H03157658A JP 29842789 A JP29842789 A JP 29842789A JP 29842789 A JP29842789 A JP 29842789A JP H03157658 A JPH03157658 A JP H03157658A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回転塗布装置で特に半導体集積回路製造にお
けるシリコンウェハへのホトレジスト塗布、またはコン
パクトディスク、ビデオ・ディスク等のマスクリングに
使用されるガラス原盤へのホトレジスト塗布を行うホト
レジストの塗布方法に関する。
けるシリコンウェハへのホトレジスト塗布、またはコン
パクトディスク、ビデオ・ディスク等のマスクリングに
使用されるガラス原盤へのホトレジスト塗布を行うホト
レジストの塗布方法に関する。
Ｃ従来の技術〕
半導体集積回路（ＬＳＩ）の製造においては、たとえば
シリコンウェハに感光剤であるホトレジストを塗布し、
マスクを用いて露光、現像、エツチングを行って、パタ
ーニングして回路を形成する。また、コンパクト・ディ
スク、ビデオ・ディスク等のマスクリングにおいては、
表面を研磨したガラス原盤にホトレジストを塗布し、信
号で変調したレーザ光で記録し、現像して信号ビットを
形成する。
シリコンウェハに感光剤であるホトレジストを塗布し、
マスクを用いて露光、現像、エツチングを行って、パタ
ーニングして回路を形成する。また、コンパクト・ディ
スク、ビデオ・ディスク等のマスクリングにおいては、
表面を研磨したガラス原盤にホトレジストを塗布し、信
号で変調したレーザ光で記録し、現像して信号ビットを
形成する。
そのため、回転塗布装置は第３図の概略構成図に示す構
成になっている。
成になっている。
図において、筺体工を仕切板２によって塗布室３と収納
室７に分け、仕切ｌｌ１２の略中央部に駆動モータ４の
駆動力を伝達する回転軸１５を遊挿するための孔８を設
けである。そして塗布室３に突出した回転軸１５に回転
台１３を装着し、基板１６を載置している０回転台１３
の周囲には、回転台１３を囲うように隔壁２７を配設し
、塗布室３の筺体ｌに排気用ダクト２２を設け、排気扇
５によって強制的に排気している。また塗布室３にはホ
トレジストを塗布するための中空を有する塗布アーム２
３があり、先端部にノズル２４を設け、他端は柔軟性の
ある管２５と接続して筺体ｌの外部よりホトレジスト溶
液を供給している。また仕切板２より立設するアームベ
ース２６に塗布アーム２３が回転自在に支持され、先端
のノズル２４が回転台１３の中心部から隔壁２７の外側
まで基板１６と間隔をもって可動する。
室７に分け、仕切ｌｌ１２の略中央部に駆動モータ４の
駆動力を伝達する回転軸１５を遊挿するための孔８を設
けである。そして塗布室３に突出した回転軸１５に回転
台１３を装着し、基板１６を載置している０回転台１３
の周囲には、回転台１３を囲うように隔壁２７を配設し
、塗布室３の筺体ｌに排気用ダクト２２を設け、排気扇
５によって強制的に排気している。また塗布室３にはホ
トレジストを塗布するための中空を有する塗布アーム２
３があり、先端部にノズル２４を設け、他端は柔軟性の
ある管２５と接続して筺体ｌの外部よりホトレジスト溶
液を供給している。また仕切板２より立設するアームベ
ース２６に塗布アーム２３が回転自在に支持され、先端
のノズル２４が回転台１３の中心部から隔壁２７の外側
まで基板１６と間隔をもって可動する。
このように構成された回転塗布装置においては、回転台
１３に基板１６を載置し、回転台１３を回転させ基板１
６の中央部にノズル２４を移動してホトレジスト溶液を
所定量だけ滴下し、遠心力によってホトレジスト溶液を
基板１６を全面にわたって塗り広げてホトレジスト膜を
形成させるものである。
１３に基板１６を載置し、回転台１３を回転させ基板１
６の中央部にノズル２４を移動してホトレジスト溶液を
所定量だけ滴下し、遠心力によってホトレジスト溶液を
基板１６を全面にわたって塗り広げてホトレジスト膜を
形成させるものである。
このように、回転している基板１６上のホトレジスト溶
液は、回転数に応じた遠心力を受けて基板１６の外周に
向かって塗り広げられて行く。そして回転数とホトレジ
スト溶液の粘度に見合った厚さのホトレジスト膜が基板
１６上に形成され、余分のホトレジスト溶液は基板１６
の周辺から飛散していく。
液は、回転数に応じた遠心力を受けて基板１６の外周に
向かって塗り広げられて行く。そして回転数とホトレジ
スト溶液の粘度に見合った厚さのホトレジスト膜が基板
１６上に形成され、余分のホトレジスト溶液は基板１６
の周辺から飛散していく。
以上の如くして基板表面が清浄な場合は欠陥のないホト
レジスト膜が基板表面に形成される。
レジスト膜が基板表面に形成される。
従来使用されているホトレジスト溶液は、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート（以下セロソルブ
アセテートと呼ぶ）単独、またはそれにキシレン、酢酸
ブチルを混合した混合溶剤で希釈された非親水性の溶液
のため、基板表面が疎水性の場合はホトレジストが基板
表面に良く濡れ広がり均一なホトレジスト膜を形成する
ことができる。しかしながら部分的に基板表面に吸着水
等が存在すると、その部分が親水性のためホトレジスト
との濡れが悪くなり、第４図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うな塗布膜に気泡の発生、塗布むら、ピンホール等の欠
陥を生じる。
コールモノエチルエーテルアセテート（以下セロソルブ
アセテートと呼ぶ）単独、またはそれにキシレン、酢酸
ブチルを混合した混合溶剤で希釈された非親水性の溶液
のため、基板表面が疎水性の場合はホトレジストが基板
表面に良く濡れ広がり均一なホトレジスト膜を形成する
ことができる。しかしながら部分的に基板表面に吸着水
等が存在すると、その部分が親水性のためホトレジスト
との濡れが悪くなり、第４図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うな塗布膜に気泡の発生、塗布むら、ピンホール等の欠
陥を生じる。
そのため回転台上に着脱自在に固定されて回転する基板
表面に、ナフトキノンジアジドを感光基としノボラック
樹脂との縮合または混合したポジ型ホトレジストを、エ
チレングリコールモノエチルエーテルアセテート、キシ
レン、酢酸ブチルの混合溶剤で希釈したホトレジスト溶
液の液流をノズルによって注ぐ手段と、遠心力を利用し
て前記ホトレジスト溶液を基板上に塗り広げて塗布膜を
形成させる手段とを有するホトレジストの塗布方法にお
いて、前記ノズル内部に超音波振動子を内設し、前記混
合溶剤にイソプロピルアルコールを添加したホトレジス
ト溶液に超音波振動を付与しながら塗布することを特徴
としたものである。
表面に、ナフトキノンジアジドを感光基としノボラック
樹脂との縮合または混合したポジ型ホトレジストを、エ
チレングリコールモノエチルエーテルアセテート、キシ
レン、酢酸ブチルの混合溶剤で希釈したホトレジスト溶
液の液流をノズルによって注ぐ手段と、遠心力を利用し
て前記ホトレジスト溶液を基板上に塗り広げて塗布膜を
形成させる手段とを有するホトレジストの塗布方法にお
いて、前記ノズル内部に超音波振動子を内設し、前記混
合溶剤にイソプロピルアルコールを添加したホトレジス
ト溶液に超音波振動を付与しながら塗布することを特徴
としたものである。
したがって、超音波を重畳しながら塗布液を基板に流下
することによって、吸着水等が存在しても、超音波のエ
ネルギーにより基板表面の吸着水は、塗布溶液中のイソ
プロピルアルコール中に溶解吸収され、基板表面と塗布
液との濡れが良くなるので全面に均一に濡れ広がり、欠
陥の発生を免れることができる。
することによって、吸着水等が存在しても、超音波のエ
ネルギーにより基板表面の吸着水は、塗布溶液中のイソ
プロピルアルコール中に溶解吸収され、基板表面と塗布
液との濡れが良くなるので全面に均一に濡れ広がり、欠
陥の発生を免れることができる。
以下本発明の一実施例を第１図の概略構成図によって説
明する。
明する。
図において、ガラス原盤１６を回転台１３の上に固定し
、モータ４により回転させる。次に回転しているガラス
原盤１６の表面上にセロソルブアセテート８５％、イソ
プロビール１５％の混合溶剤で希釈したホトレジストを
パイプ２５を通し、超音波振動子を設えたノズル３０か
ら流下する。
、モータ４により回転させる。次に回転しているガラス
原盤１６の表面上にセロソルブアセテート８５％、イソ
プロビール１５％の混合溶剤で希釈したホトレジストを
パイプ２５を通し、超音波振動子を設えたノズル３０か
ら流下する。
そしてガラス原盤１６の外周から内周重心部へ移動して
ガラス原盤全面にホトレジストを流下する。
ガラス原盤全面にホトレジストを流下する。
このとき超音波発振器３６の出力を第２図の概略構成図
に示すノズル３０の超音波振動子３１に印加してホトレ
ジストに超音波振動を付与する。このとき使用する超音
波の周波数は１．５ＭＨｚで出力はＩＯＷである。
に示すノズル３０の超音波振動子３１に印加してホトレ
ジストに超音波振動を付与する。このとき使用する超音
波の周波数は１．５ＭＨｚで出力はＩＯＷである。
次に全面にホトレジストが行き渡ったならば、回転数を
あげて回転させ、ガラス原盤゛上にレジスト膜を形成さ
せる。この様にホトレジストに超音波を重畳させなか、
ホトレジストを塗布すれば欠陥のないＡ品質のホトレジ
スト１１９が形成される。
あげて回転させ、ガラス原盤゛上にレジスト膜を形成さ
せる。この様にホトレジストに超音波を重畳させなか、
ホトレジストを塗布すれば欠陥のないＡ品質のホトレジ
スト１１９が形成される。
尚、使用する超音波の周波数は８００Ｋｌｌｚから２Ｍ
ｌＩ２の範囲で、超音波発振器の出力はＩＷから２０Ｗ
程度が適当である。
ｌＩ２の範囲で、超音波発振器の出力はＩＷから２０Ｗ
程度が適当である。
又超音波の付１７されたホトレジストの液流は、ガラス
原盤１６０表面まで連続的な流れが得られるように注出
圧力が調整されており、超音波振動を効率よくガラス原
盤の表面に伝わるようにしている。尚、混合溶剤として
は上記に限られることなく、セロソルブアセテート６０
へ・８０％、（ソプロビルアルコール１０〜２０％、キ
シレン０〜１０％、酢酸ブチル０〜１０％の混合溶剤と
しても良い。
原盤１６０表面まで連続的な流れが得られるように注出
圧力が調整されており、超音波振動を効率よくガラス原
盤の表面に伝わるようにしている。尚、混合溶剤として
は上記に限られることなく、セロソルブアセテート６０
へ・８０％、（ソプロビルアルコール１０〜２０％、キ
シレン０〜１０％、酢酸ブチル０〜１０％の混合溶剤と
しても良い。
本発明によれば、超音波の振動エネルギ及び塗布液中の
イソプロピルアルコールにより塗布液が基板面まで浸透
して欠陥のない塗布膜が得られる。
イソプロピルアルコールにより塗布液が基板面まで浸透
して欠陥のない塗布膜が得られる。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は第１
図の部分拡大図、第３図は従来例を示す概略構成図、第
４図（ａ）、 （ｂｌは問題点を説明する説明図である
。 ３０・・・ノズル ３１・・・超音波振動子 ３６・・・超音波発振器
図の部分拡大図、第３図は従来例を示す概略構成図、第
４図（ａ）、 （ｂｌは問題点を説明する説明図である
。 ３０・・・ノズル ３１・・・超音波振動子 ３６・・・超音波発振器
Claims (1)
- 回転台上に着脱自在に固定されて回転する基板表面に
、ナフトキノンジアジドを感光基としノボラック樹脂と
の縮合または混合したポジ型ホトレジストを、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、キシレン、
酢酸ブチルの混合溶剤で希釈したホトレジスト溶液の液
流をノズルによって注ぐ手段と、遠心力を利用して前記
ホトレジスト溶液を基板上に塗り広げて塗布膜を形成さ
せる手段とを有するホトレジストの塗布方法において、
前記ノズル内部に超音波振動子を内設し、前記混合溶剤
にイソプロピルアルコールを添加したホトレジスト溶液
に超音波振動を付与しながら塗布することを特徴とする
ホトレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298427A JPH0670961B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ホトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298427A JPH0670961B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ホトレジストの塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157658A true JPH03157658A (ja) | 1991-07-05 |
| JPH0670961B2 JPH0670961B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=17859564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298427A Expired - Lifetime JPH0670961B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | ホトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670961B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511538B1 (en) | 1998-10-29 | 2003-01-28 | Applied Materials, Inc. | Film deposition method and apparatus for semiconductor devices |
| KR100475731B1 (ko) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트분사제어시스템 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185322A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Nec Corp | フオトレジスト塗布装置 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298427A patent/JPH0670961B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185322A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Nec Corp | フオトレジスト塗布装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475731B1 (ko) * | 1997-09-13 | 2005-07-05 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트분사제어시스템 |
| US6511538B1 (en) | 1998-10-29 | 2003-01-28 | Applied Materials, Inc. | Film deposition method and apparatus for semiconductor devices |
| WO2004084286A1 (ja) * | 1998-10-29 | 2004-09-30 | Yuichi Wada | 半導体デバイスの成膜方法及び成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670961B2 (ja) | 1994-09-07 |
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