JPH0313318B2 - - Google Patents
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- JPH0313318B2 JPH0313318B2 JP63286433A JP28643388A JPH0313318B2 JP H0313318 B2 JPH0313318 B2 JP H0313318B2 JP 63286433 A JP63286433 A JP 63286433A JP 28643388 A JP28643388 A JP 28643388A JP H0313318 B2 JPH0313318 B2 JP H0313318B2
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- G02F1/1524—Transition metal compounds
- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、酸化イリジウム膜の製造方法に関す
る。
る。
従来の技術及びその問題点
正または負の電荷をもつイオンの注入により薄
膜状物体が変色もしくは発、消色する現象は、エ
レクトロクロミズムと呼ばれ、この現象は、例え
ばエレクトロクロミツク素子に利用されている。
電解酸化発色性を示す無機材料としては、酸化イ
リジウム、酸化ロジウム、酸化ニツケル、酸化コ
バルト等の金属酸化物が知られている。この中で
も、酸化イリジウムは応答速度が早い、化学的安
定性に優れている等の利点を備えているので、最
も活発にその研究が行われている。従来、酸化イ
リジウム膜を作製する方法としては、陽極酸化法
と反応性スパツタリング法とが知られているが、
両者には共に解決すべき問題点がある。陽極酸化
法は、スパツタリング法または真空蒸着法を用い
て基板状に形成したイリジウム膜を、硝酸溶液中
で陽極酸化することによつて酸化イリジウム膜と
する方法であり、表示面積が大きい場合には、表
示面全面にわたつて均質な酸化イリジウム膜を得
られないという欠点があり、更に、硝酸溶液中に
イリジウムが溶出することや酸化イリジウムの形
成に長時間を要するという欠点もある。
膜状物体が変色もしくは発、消色する現象は、エ
レクトロクロミズムと呼ばれ、この現象は、例え
ばエレクトロクロミツク素子に利用されている。
電解酸化発色性を示す無機材料としては、酸化イ
リジウム、酸化ロジウム、酸化ニツケル、酸化コ
バルト等の金属酸化物が知られている。この中で
も、酸化イリジウムは応答速度が早い、化学的安
定性に優れている等の利点を備えているので、最
も活発にその研究が行われている。従来、酸化イ
リジウム膜を作製する方法としては、陽極酸化法
と反応性スパツタリング法とが知られているが、
両者には共に解決すべき問題点がある。陽極酸化
法は、スパツタリング法または真空蒸着法を用い
て基板状に形成したイリジウム膜を、硝酸溶液中
で陽極酸化することによつて酸化イリジウム膜と
する方法であり、表示面積が大きい場合には、表
示面全面にわたつて均質な酸化イリジウム膜を得
られないという欠点があり、更に、硝酸溶液中に
イリジウムが溶出することや酸化イリジウムの形
成に長時間を要するという欠点もある。
また、反応性スパツタリング法には、酸化イリ
ジウム膜を得る最適成膜速度が10〓／分と非常に
遅いため、表示素子として必要な厚さの薄膜、例
えば900〓程度の膜厚の酸化イサジウム膜を得る
ためには１時間以上を要する欠点があつた。
ジウム膜を得る最適成膜速度が10〓／分と非常に
遅いため、表示素子として必要な厚さの薄膜、例
えば900〓程度の膜厚の酸化イサジウム膜を得る
ためには１時間以上を要する欠点があつた。
更に、かかる方法の他に、イリジウム膜を加熱
することによつて、酸化イリジウム膜を得ること
は原理的には可能である。しかしながら、酸化イ
リジウム膜は、300℃以上で加熱すると結晶化し
て、エレクトロクロミツク特性が失われるという
問題点があり、一方、イリジウム単体を300℃以
下で加熱しても酸化イリジウム膜を得ることはで
きない。
することによつて、酸化イリジウム膜を得ること
は原理的には可能である。しかしながら、酸化イ
リジウム膜は、300℃以上で加熱すると結晶化し
て、エレクトロクロミツク特性が失われるという
問題点があり、一方、イリジウム単体を300℃以
下で加熱しても酸化イリジウム膜を得ることはで
きない。
このような点を改善した方法として、金属イリ
ジウムと炭素とからなる複合膜を250℃程度で加
熱酸化することによる酸化イリジウム膜の製造が
知られている（特公昭62−57707号）。しかしなが
ら、この方法によつて得られる酸化イリジウム膜
は、電気化学的に完全に消色できず、消色時にい
わゆる「消え残り」が生じるという欠点があり、
表示素子として用いる場合に、その表示品位を低
くするので改善が必要である。
ジウムと炭素とからなる複合膜を250℃程度で加
熱酸化することによる酸化イリジウム膜の製造が
知られている（特公昭62−57707号）。しかしなが
ら、この方法によつて得られる酸化イリジウム膜
は、電気化学的に完全に消色できず、消色時にい
わゆる「消え残り」が生じるという欠点があり、
表示素子として用いる場合に、その表示品位を低
くするので改善が必要である。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記した如き問題点に鑑みて、鋭
意研究を重ねてきた。その結果、金属イリジウム
と炭素とからなる複合膜を加熱酸化した後、これ
を電気化学的酸化−還元過程の繰り返しにより電
解酸化して得られる酸化イリジウム膜は、酸化状
態において発色する「電解酸化発色性」を有する
とともに、消色時の透過率が非常に高く、「消え
残り」がほとんど生じないことを見出した。
意研究を重ねてきた。その結果、金属イリジウム
と炭素とからなる複合膜を加熱酸化した後、これ
を電気化学的酸化−還元過程の繰り返しにより電
解酸化して得られる酸化イリジウム膜は、酸化状
態において発色する「電解酸化発色性」を有する
とともに、消色時の透過率が非常に高く、「消え
残り」がほとんど生じないことを見出した。
即ち、本発明は、金属イリジウムと炭素とから
なる複合膜を加熱酸化して得た酸化イリジウム膜
に、交流電位を連続的に印加して電解酸化を行な
うことを特徴とする酸化イリジウム膜の製造方法
に係る。
なる複合膜を加熱酸化して得た酸化イリジウム膜
に、交流電位を連続的に印加して電解酸化を行な
うことを特徴とする酸化イリジウム膜の製造方法
に係る。
本発明で用いる金属イリジウムと炭素とからな
る複合膜を加熱酸化して得られる酸化イリジウム
膜は、特公昭62−57707号に記載された方法に従
つて作製することができる。該方法を詳述すると
以下の通りである。
る複合膜を加熱酸化して得られる酸化イリジウム
膜は、特公昭62−57707号に記載された方法に従
つて作製することができる。該方法を詳述すると
以下の通りである。
まず、基板上にイリジウム−炭素複合膜を形成
させる。
させる。
イリジウム−炭素複合膜の形成は、公知の薄膜
製造において一般に採用されている真空下での蒸
着法、例えば電子ビーム蒸着法、またはスパツタ
リング法等により行うことができる。より具体的
には、（）イリジウムと炭素とを別々の蒸発源
から電子ビームを用いて蒸発させ、同一基板上に
被合膜を形成させる電子ビーム二元蒸着法、（）
黒鉛るつぼにイリジウムを収容し、電子ビームを
用いてイリジウムとともに炭素を蒸発させ、基板
上に複合膜を形成させる方法、（）炭素上にイ
リジウムを配置したものをターゲツトとして、ア
ルゴンガス中でスパツタリングを行うことにより
複合膜を形成させる方法等が挙げられる。但し、
イリジウム−炭素複合膜はこれ等の例示した方法
だけではなく、他の方法によつても形成され得る
ことはいうまでもない。
製造において一般に採用されている真空下での蒸
着法、例えば電子ビーム蒸着法、またはスパツタ
リング法等により行うことができる。より具体的
には、（）イリジウムと炭素とを別々の蒸発源
から電子ビームを用いて蒸発させ、同一基板上に
被合膜を形成させる電子ビーム二元蒸着法、（）
黒鉛るつぼにイリジウムを収容し、電子ビームを
用いてイリジウムとともに炭素を蒸発させ、基板
上に複合膜を形成させる方法、（）炭素上にイ
リジウムを配置したものをターゲツトとして、ア
ルゴンガス中でスパツタリングを行うことにより
複合膜を形成させる方法等が挙げられる。但し、
イリジウム−炭素複合膜はこれ等の例示した方法
だけではなく、他の方法によつても形成され得る
ことはいうまでもない。
イリジウムと炭素の組成比は、イリジウムの炭
素に対する割合（原子比）が0.05〜0.30程度であ
ることが好ましく、蒸発源を制御することによつ
て、任意の組成比のイリジウム−炭素複合膜を得
ることが可能である。イリジウムと炭素の組成比
が上記範囲外となる場合には、加熱酸化におい
て、該複合膜からの炭素の脱離が不充分となり、
透過率を低い膜しか得られないので好ましくな
い。該複合膜の膜厚は、通常100〜2000〓程度が
適当である。
素に対する割合（原子比）が0.05〜0.30程度であ
ることが好ましく、蒸発源を制御することによつ
て、任意の組成比のイリジウム−炭素複合膜を得
ることが可能である。イリジウムと炭素の組成比
が上記範囲外となる場合には、加熱酸化におい
て、該複合膜からの炭素の脱離が不充分となり、
透過率を低い膜しか得られないので好ましくな
い。該複合膜の膜厚は、通常100〜2000〓程度が
適当である。
イリジウム−炭素複合膜を形成させるための基
板としては、導電性を有する材料、例えば金属の
他に、ガラス、磁気、合成樹脂等の非導電性材料
も使用可能であるが、電解酸化過程において、通
電の必要があるので、非導電性基板を用いる場合
には、基板上に予め透明導電膜、導電性金属膜等
を設けることが好ましい。
板としては、導電性を有する材料、例えば金属の
他に、ガラス、磁気、合成樹脂等の非導電性材料
も使用可能であるが、電解酸化過程において、通
電の必要があるので、非導電性基板を用いる場合
には、基板上に予め透明導電膜、導電性金属膜等
を設けることが好ましい。
次いで、基板上に形成されたイリジウム−炭素
複合膜を加熱酸化する。加熱酸化雰囲気は、酸化
イリジウムが形成される酸化雰囲気であれば特に
限定されるものではなく、通常、大気中で加熱す
ればよく、その他、例えば酸素富化雰囲気、酸素
及び水蒸気富化雰囲気等でもよい。加熱温度は、
225〜350℃程度、好ましくは240〜260℃程度とす
る。加熱時間は、通常５〜30分間程度、好ましく
は10〜20分間程度とすればよい。
複合膜を加熱酸化する。加熱酸化雰囲気は、酸化
イリジウムが形成される酸化雰囲気であれば特に
限定されるものではなく、通常、大気中で加熱す
ればよく、その他、例えば酸素富化雰囲気、酸素
及び水蒸気富化雰囲気等でもよい。加熱温度は、
225〜350℃程度、好ましくは240〜260℃程度とす
る。加熱時間は、通常５〜30分間程度、好ましく
は10〜20分間程度とすればよい。
上記した方法によつて、金属イリジウムと炭素
とからなる複合膜を加熱酸化することができる。
とからなる複合膜を加熱酸化することができる。
本発明では、上記した方法によつて加熱酸化し
て得た酸化イリジウム膜に対して、電気化学的酸
化−還元過程を繰り返すことによつて電解酸化を
行なう。このような方法で電解酸化を行なうこと
によつて、加熱酸化したイリジウム膜中に残存す
る金属イリジウムの酸化が進行して均一な酸化イ
リジウム膜が形成され、これにより「消え残り」
の現象が著るしく減少するものと推測される。こ
れに対して、酸化電位のみを付与して陽極酸化を
行なう場合には、残存する金属イリジウムの酸化
が十分には進行せず「消え残り」を充分に減少さ
せることはできない。
て得た酸化イリジウム膜に対して、電気化学的酸
化−還元過程を繰り返すことによつて電解酸化を
行なう。このような方法で電解酸化を行なうこと
によつて、加熱酸化したイリジウム膜中に残存す
る金属イリジウムの酸化が進行して均一な酸化イ
リジウム膜が形成され、これにより「消え残り」
の現象が著るしく減少するものと推測される。こ
れに対して、酸化電位のみを付与して陽極酸化を
行なう場合には、残存する金属イリジウムの酸化
が十分には進行せず「消え残り」を充分に減少さ
せることはできない。
本発明における電解酸化は、通常の金属イリジ
ウムの陽極酸化に用いられる公知の各種水溶液中
で行なうことができ、例えば硝酸水溶液、水酸化
ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、過塩
素酸リチウム水溶液、過塩素酸リチウムと水酸化
リチウムとの嵌合水溶液等を用いることができ
る。これらの水溶液の濃度は特に限定はなく、通
常の金属イリジウムの陽極酸化用電解液と同程度
の濃度とすればよく、例えば、0.1〜１モル／
程度の硝酸水溶液、0.05〜0.2モル／程度、好
ましくは、0.1モル程度の水酸化ナトリウム水
溶液、0.05〜0.2モル／程度、好ましくは、0.1
モル／程度の炭酸ナトリウム水溶液、0.1〜1.0
モル／程度、好ましくは1.0モル／程度の過
塩素酸リチウム水溶液、0.1〜1.0モル／程度、
好ましくは1.0モル／程度の過塩素酸リチウム
水溶液と0.05〜0.2モル／程度、好ましくは0.1
モル／程度の水酸化リチウムとの混合水溶液等
を用いることができる。
ウムの陽極酸化に用いられる公知の各種水溶液中
で行なうことができ、例えば硝酸水溶液、水酸化
ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、過塩
素酸リチウム水溶液、過塩素酸リチウムと水酸化
リチウムとの嵌合水溶液等を用いることができ
る。これらの水溶液の濃度は特に限定はなく、通
常の金属イリジウムの陽極酸化用電解液と同程度
の濃度とすればよく、例えば、0.1〜１モル／
程度の硝酸水溶液、0.05〜0.2モル／程度、好
ましくは、0.1モル程度の水酸化ナトリウム水
溶液、0.05〜0.2モル／程度、好ましくは、0.1
モル／程度の炭酸ナトリウム水溶液、0.1〜1.0
モル／程度、好ましくは1.0モル／程度の過
塩素酸リチウム水溶液、0.1〜1.0モル／程度、
好ましくは1.0モル／程度の過塩素酸リチウム
水溶液と0.05〜0.2モル／程度、好ましくは0.1
モル／程度の水酸化リチウムとの混合水溶液等
を用いることができる。
電解酸化の方法としては、上記した加熱酸化イ
リジウム膜に対して、交流電位を繰り返し印加す
る方法を適用すればよく、このような方法を適用
することによつて、加熱酸化イリジウム膜中に残
存する金属イリジウムの酸化を充分に進行させる
ことができる。
リジウム膜に対して、交流電位を繰り返し印加す
る方法を適用すればよく、このような方法を適用
することによつて、加熱酸化イリジウム膜中に残
存する金属イリジウムの酸化を充分に進行させる
ことができる。
印加する交流電位の上限は、使用する電解液の
種類に応じて適宜決定すればよく、通常、使用す
る電解液での水素発生電位を基準として、＋
1.25Vから＋1.6V程度の範囲の電位を上限とすれ
ばよい。また、印加する交流電位の下源は、使用
する電解液での水素発生電位を基準として、一
0.1Vから＋0.25V程度の範囲とすることが適当で
ある。
種類に応じて適宜決定すればよく、通常、使用す
る電解液での水素発生電位を基準として、＋
1.25Vから＋1.6V程度の範囲の電位を上限とすれ
ばよい。また、印加する交流電位の下源は、使用
する電解液での水素発生電位を基準として、一
0.1Vから＋0.25V程度の範囲とすることが適当で
ある。
本発明では、加熱酸化後の複合膜に対して上記
した交流電位を連続的に引火する方法によつて電
解酸化を行なう。電位走査の方法は、特に限定は
なく、三角波、正弦波等の各種波形の連続波によ
り電位走査する方法、或いは矩形波によりパルス
状の電位を印加する方法などを適用できる。電位
走査の周波数は、連続波の場合には、通常0.033
〜0.5Hz程度、好ましくは0.05〜0.1Hz程度とすれ
ばよく、矩形波の場合には0.1〜1.0Hz程度、好ま
しくは0.3〜0.7Hz程度とすればよい。
した交流電位を連続的に引火する方法によつて電
解酸化を行なう。電位走査の方法は、特に限定は
なく、三角波、正弦波等の各種波形の連続波によ
り電位走査する方法、或いは矩形波によりパルス
状の電位を印加する方法などを適用できる。電位
走査の周波数は、連続波の場合には、通常0.033
〜0.5Hz程度、好ましくは0.05〜0.1Hz程度とすれ
ばよく、矩形波の場合には0.1〜1.0Hz程度、好ま
しくは0.3〜0.7Hz程度とすればよい。
電解液は、50℃程度まで加熱して用いてもよい
が、液温が高くなるとイリジウムが溶出し易くな
るので、通常、10〜25℃程度の室温で用いること
が適当である。
が、液温が高くなるとイリジウムが溶出し易くな
るので、通常、10〜25℃程度の室温で用いること
が適当である。
電解酸化時間は、膜の厚さに応じて適宜調節す
ればよく、100〓〜2000〓程度の酸化イリジウム
膜では、通常１〜30分間程度、好ましくは５〜25
分間程度とすればよい。電解時間が短かすぎる場
合には、加熱酸化膜中に残存する金属イリジウム
の酸化が不充分となり、一方電解時間が長くなる
と膜のエツチングが進行するので注意が必要であ
る。尚、矩形波によるパルス電位により電解酸化
する場合には、連続波により電解酸化する場合と
比べて、酸化速度が速くなるが、膜のエツチング
の進行も速くなるので、膜厚100〜2000〓程度の
場合には、電解時間を１〜５分間程度とすること
が好ましい。
ればよく、100〓〜2000〓程度の酸化イリジウム
膜では、通常１〜30分間程度、好ましくは５〜25
分間程度とすればよい。電解時間が短かすぎる場
合には、加熱酸化膜中に残存する金属イリジウム
の酸化が不充分となり、一方電解時間が長くなる
と膜のエツチングが進行するので注意が必要であ
る。尚、矩形波によるパルス電位により電解酸化
する場合には、連続波により電解酸化する場合と
比べて、酸化速度が速くなるが、膜のエツチング
の進行も速くなるので、膜厚100〜2000〓程度の
場合には、電解時間を１〜５分間程度とすること
が好ましい。
本発明によつて得られる酸化イリジウム膜は、
顕著な電解酸化発色性を示すので、エレクトロク
ロミツク素子、薄膜電池等として極めて有用であ
る。
顕著な電解酸化発色性を示すので、エレクトロク
ロミツク素子、薄膜電池等として極めて有用であ
る。
発明の効果
本発明によれば、以下の如き効果が奏される。
(1) 優れたエレクトロクロミズムを示す酸化イリ
ジウム膜を形成することができる。
ジウム膜を形成することができる。
(2) 得られる酸化イリジウム膜は、消色時の「消
え残り」が極めて少なく、高いコントラスト比
を有するものである。
え残り」が極めて少なく、高いコントラスト比
を有するものである。
(3) イリジウム膜を陽極酸化する従来法に比べ
て、短い処理時間で酸化イリジウム膜を形成で
き、しかも電解液中へのイリジウムの溶出が少
なく、有効にイリジウムを利用できる。
て、短い処理時間で酸化イリジウム膜を形成で
き、しかも電解液中へのイリジウムの溶出が少
なく、有効にイリジウムを利用できる。
実施例
以下、実施例を示し、本発明を特徴とするとこ
ろをより一層明らかにする。
ろをより一層明らかにする。
実施例 １
イリジウム粉末を黒鉛るつぼに入れ、加速電圧
6KV、ミツシヨン電流180〜200ｍＡ、真空度１
〜３×10-5トールの条件下に、電子ビーム蒸着を
行なうことにより、酸化スズ透明電極上に、厚さ
約1000〓のイリジウム−炭素複合膜（イリジウ
ム：炭素（原子比）＝１：10〜１：５程度）を形
成させた。
6KV、ミツシヨン電流180〜200ｍＡ、真空度１
〜３×10-5トールの条件下に、電子ビーム蒸着を
行なうことにより、酸化スズ透明電極上に、厚さ
約1000〓のイリジウム−炭素複合膜（イリジウ
ム：炭素（原子比）＝１：10〜１：５程度）を形
成させた。
次いで、この複合膜を大気中250℃で10分間加
熱して、加熱酸化イリジウム膜を形成させた。得
られた加熱酸化イリジウム膜を0.5モル／の硝
酸水溶液中に浸漬し、飽和甘コウ電極を基準電位
として、−0.25〜1.25Vの範囲で、周波数0.033Hz
（周期30秒）の三角波を印加し、70回電位走査を
行なうことによつて電解酸化を行ない、酸化イリ
ジウム膜を得た。
熱して、加熱酸化イリジウム膜を形成させた。得
られた加熱酸化イリジウム膜を0.5モル／の硝
酸水溶液中に浸漬し、飽和甘コウ電極を基準電位
として、−0.25〜1.25Vの範囲で、周波数0.033Hz
（周期30秒）の三角波を印加し、70回電位走査を
行なうことによつて電解酸化を行ない、酸化イリ
ジウム膜を得た。
得られた酸化イリジウム膜を硫酸水溶液中に浸
漬し、飽和甘コウ電極を基準電極として、１〜−
0.2Vの範囲で電位を走査させたところ、薄膜の
発消色が認められた。第１図は、電位走査を行な
つたときの電流密度変化、第２図は電位走査を行
なつたときの透過率変化を示す。電位走査速度は
100ｍｖ／秒とし、透過率の測定は、633nｍの波
長で行なつた。尚、酸化イリジウム膜を浸漬する
前に測定した電解セルの透過率を1.0とした。
漬し、飽和甘コウ電極を基準電極として、１〜−
0.2Vの範囲で電位を走査させたところ、薄膜の
発消色が認められた。第１図は、電位走査を行な
つたときの電流密度変化、第２図は電位走査を行
なつたときの透過率変化を示す。電位走査速度は
100ｍｖ／秒とし、透過率の測定は、633nｍの波
長で行なつた。尚、酸化イリジウム膜を浸漬する
前に測定した電解セルの透過率を1.0とした。
図中、実線は、電解酸化を行なつた薄膜につい
ての測定結果、破線は、加熱酸化のみで電解酸化
を行なつていない薄膜についての測定結果を示
す。第１図から、電解前に比べて、電解後では、
特に0.4〜1.0Vの範囲で膜に流れる電流密度が増
加しており、着消色に寄与する酸化イリジウムの
量が増加していることが判る。また、第２図から
判るように、電解酸化を行なつた薄膜では、消色
時の透過率が非常に高くなり、一方着色時の透過
率については、電解酸化の有無によりほとんど差
異はなかつた。このため、電解酸化を行なつた薄
膜のコントラスト比（消色時の透過率／着色時の
透過率）は、2.1という大きな値となつた。第２
図では、電解セルの透過率を1.0としているが、
使用した酸化スズ透明電極は完全に透明ではなく
酸化スズ透明電極そのものの硫酸水溶液中での透
過率は88％程度であるので、電解酸化後の酸化イ
リジウム膜自体の消色時の透過率は0.93であつ
た。
ての測定結果、破線は、加熱酸化のみで電解酸化
を行なつていない薄膜についての測定結果を示
す。第１図から、電解前に比べて、電解後では、
特に0.4〜1.0Vの範囲で膜に流れる電流密度が増
加しており、着消色に寄与する酸化イリジウムの
量が増加していることが判る。また、第２図から
判るように、電解酸化を行なつた薄膜では、消色
時の透過率が非常に高くなり、一方着色時の透過
率については、電解酸化の有無によりほとんど差
異はなかつた。このため、電解酸化を行なつた薄
膜のコントラスト比（消色時の透過率／着色時の
透過率）は、2.1という大きな値となつた。第２
図では、電解セルの透過率を1.0としているが、
使用した酸化スズ透明電極は完全に透明ではなく
酸化スズ透明電極そのものの硫酸水溶液中での透
過率は88％程度であるので、電解酸化後の酸化イ
リジウム膜自体の消色時の透過率は0.93であつ
た。
また、電解酸化の前後の薄膜中のイリジウムの
蛍光Ｘ線強度比を測定したところ、電解酸化後の
強度比は約0.98であり、電解酸化による硫酸溶液
中へのイリジウムの溶出が非常に少ないことが判
つた。
蛍光Ｘ線強度比を測定したところ、電解酸化後の
強度比は約0.98であり、電解酸化による硫酸溶液
中へのイリジウムの溶出が非常に少ないことが判
つた。
実施例 ２
周波数0.067Hz（周期15秒）の三角波により電
位を印加し、電位走査回数を70回とする以外は実
施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製し
た。
位を印加し、電位走査回数を70回とする以外は実
施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作製し
た。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は1.9であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.99であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は1.9であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.99であつ
た。
実施例 ３
周波数0.167Hz（周期６秒）の三角波により電
位を印加し、電位走査回数を150回とする以外は、
実施例１と同様にして、酸化イリジウム膜を作製
した。
位を印加し、電位走査回数を150回とする以外は、
実施例１と同様にして、酸化イリジウム膜を作製
した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.84であり、コントラ
スト比は1.8であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.99であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.84であり、コントラ
スト比は1.8であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.99であつ
た。
実施例 ４
周波数0.033Hz（周期30秒）の正弦波により電
位を印加し、電位走査回数を26回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
位を印加し、電位走査回数を26回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.94であり、コントラ
スト比は2.0であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は、0.96であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.94であり、コントラ
スト比は2.0であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は、0.96であつ
た。
実施例 ５
周波数0.067Hz（周期15秒）の正弦波により電
位を印加し、電位走査回数を50回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
位を印加し、電位走査回数を50回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は2.1であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.97であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は2.1であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.97であつ
た。
実施例 ６
周波数0.167Hz（周期６秒）の正弦波により電
位を印加し、電位走査回数を60回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
位を印加し、電位走査回数を60回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は2.0であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.97であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.93であり、コントラ
スト比は2.0であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.97であつ
た。
実施例 ７
周波数0.5Hz（周期２秒）の矩形波により電位
を印加し、電位走査回数を100回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
を印加し、電位走査回数を100回とすること以外
は、実施例１と同様にして酸化イリジウム膜を作
製した。
得られた酸化イリジウム膜の酸化スズ透明電極
に対する消色時の透過率は0.92であり、コントラ
スト比は2.1であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.95であつ
た。
に対する消色時の透過率は0.92であり、コントラ
スト比は2.1であつた。また、電解酸化前後の膜
中のイリジウムの蛍光Ｘ線強度比は0.95であつ
た。
第１図は、実施例１における電解酸化前後の酸
化イリジウム膜の電位変化による電流密度変化を
示すグラフであり、第２図は、実施例１における
電解酸化前後の酸化イリジウム膜の電位変化によ
る透過率変化を示すグラフである。
化イリジウム膜の電位変化による電流密度変化を
示すグラフであり、第２図は、実施例１における
電解酸化前後の酸化イリジウム膜の電位変化によ
る透過率変化を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 金属イリジウムと炭素とからなる複合膜を加
熱酸化して得た酸化イリジウム膜に、交流電位を
連続的に印加して電解酸化を行なうことを特徴と
する酸化イリジウム膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286433A JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
| US07/420,061 US5030331A (en) | 1988-11-11 | 1989-10-11 | Process for preparing iridium oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63286433A JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133599A JPH02133599A (ja) | 1990-05-22 |
| JPH0313318B2 true JPH0313318B2 (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=17704323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63286433A Granted JPH02133599A (ja) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | 酸化イリジウム膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5030331A (ja) |
| JP (1) | JPH02133599A (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2777677B2 (ja) * | 1990-12-13 | 1998-07-23 | 工業技術院長 | 酸化イリジウム膜／金属接合体の製造方法 |
| US5520851A (en) * | 1993-11-12 | 1996-05-28 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
| US6052271A (en) * | 1994-01-13 | 2000-04-18 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric capacitor including an iridium oxide layer in the lower electrode |
| US5798134A (en) * | 1994-10-11 | 1998-08-25 | Agency Of Industrial Science & Technology | Process for producing nickel oxide film |
| US5702575A (en) * | 1995-01-27 | 1997-12-30 | Chiron Diagnostics Corporation | Method of preparing an electrochemical planar metal/metal oxide electrode |
| US5958196A (en) * | 1995-06-01 | 1999-09-28 | Upscale Water Technologies, Inc. | Planar carbon fiber and noble metal oxide electrodes and methods of making the same |
| US5935392A (en) * | 1995-06-01 | 1999-08-10 | Upscale Water Technologies, Inc. | Electrodes for electrolytic removal of nitrates from water, methods of making same, and apparatus incorporating said electrodes |
| US5798860A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-25 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
| US20030031928A1 (en) * | 1999-05-20 | 2003-02-13 | Saint-Gobain Vitrage | Electrochemical device |
| US6586260B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-07-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Single c-axis PGO thin film electrodes having good surface smoothness and uniformity and methods for making the same |
| US6863792B1 (en) * | 2001-10-11 | 2005-03-08 | The Ohio State University | Method of making electrochemical detectors based on iridium oxide |
| US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
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