JPH03129749A - Inspection apparatus of bonding state of lead at tab - Google Patents

Inspection apparatus of bonding state of lead at tab

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JPH03129749A
JPH03129749A JP17899689A JP17899689A JPH03129749A JP H03129749 A JPH03129749 A JP H03129749A JP 17899689 A JP17899689 A JP 17899689A JP 17899689 A JP17899689 A JP 17899689A JP H03129749 A JPH03129749 A JP H03129749A
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JP
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lead
light
optical
light source
tab
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JP17899689A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiko Fukuchi
福地 康彦
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Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To inspect a bonding state at a connection part of a lead to a bump in a noncontact manner, surely and at high speed by a method wherein the lead is loaded with an optical pressure and a displacement amount of the lead caused by the loaded optical pressure is detected, compared with a threshold value and judged. CONSTITUTION:A face of a lead 3 in a position adjacent to a connection part of a bump 2 of a fixed TAB to a lead 3 is irradiated, by using a radiating optical system 8, with a laser beam guided by an optical fiber 3 via an introduction optical system 6 in a direction in which a bonding of the connection part is separated. By this constitution, the lead 3 is loaded with an optical pressure; the lead 3 loaded with the optical pressure is displaced in a direction of an arrow A according to whether a bonding state to the bump 2 is normal or not. When the bonding state is normal, a displacement amount of the lead 3 is equal to zero; when the bonding state is imperfect and defective, the bonding is destroyed when a strength of the bonding is small even when one part is bonded; the lead 3 is displaced. The displacement amount of the lead 3 is detected by using an interferometer which is composed of a laser light source 9, a half mirror 10, a total-reflection mirror 11 and a photodetector 12.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、TABにおけるリードとLSIチップ上のバ
ンプとの接続部の接合状態を検査する装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus for inspecting the bonding state of a connection between a lead in a TAB and a bump on an LSI chip.

[従来の技術] 従来TABにおけるリードとLSIチップ上のバンプと
の接続部の接合状態の検査は、光学顕微鏡を使用して目
視により検査する方法が実用に供されているが、ほかに
は超音波を利用する検査装置や光音響効果を利用する検
査装置等が研究段階としである程度で、まだ実用化の段
階までには至っていないのが実情である。
[Prior art] Conventionally, the bonding state of the connection between the leads and the bumps on the LSI chip in TAB has been inspected visually using an optical microscope, but there are other The reality is that inspection devices that use sound waves and inspection devices that use photoacoustic effects are only at the research stage and have not yet reached the stage of practical use.

[発明が解決しようとする課題] 半導体素子の高集積化に伴い、TABにおける各部品、
例えばシリコンチップやリード等は微小化が進み、同時
にリード間のピッチも微細化されて実装密度はますます
高密度化されてきているが、製品の高信頼性を確保する
ための前提条件の−っとして、TABにおけるリードと
LSIチップ上のバンプとの高密度化した接続部の接合
状態が良好であることが挙げられる。しかし、接合状態
の検査は、実装密度の高密度化によりますます時間と労
力とを要する困難な検査となってきており、従来の光学
顕微鏡を使用する検査においては、被検査部が外部から
wA察可能な、例えばリードとバンプとの間に目視可能
の間隙を有しているような明らかな接合不良の場合は容
易に検出可能であるが、前記接合部に外観上間隙がなく
目視によりその間隙が検出できないような場合は、接合
不良を確実に検出することは無理で、見落としにより検
査不良を発生することになる問題点を有する。この目視
検査は検査者の熟練度や体調などにより検査精度や検査
能率がばらつくことから、目視検査を容易にするため光
学顕微鏡とTVカメラを組合せた装置も使用されている
が、これにより検査者の疲労度は軽減されるものの上記
目視検査による問題点は解消されず、従って多数の製品
を連続的にしかも高速で自動検査されるべきTABに対
して信頼性を確保しつる検査装置とはなりえない問題点
を有していた。
[Problem to be solved by the invention] With the increasing integration of semiconductor devices, each component in TAB,
For example, silicon chips and leads are becoming increasingly miniaturized, and at the same time, the pitch between leads is also becoming finer, resulting in higher and higher packaging densities. One of the reasons for this is that the bonding state of the high-density connection between the TAB leads and the bumps on the LSI chip is good. However, inspection of the bonding state has become increasingly difficult and time-consuming and labor-intensive due to the increasing packaging density. For example, if there is an obvious bonding defect where there is a visible gap between the lead and the bump, it can be easily detected. If it cannot be detected, it is impossible to reliably detect a bonding defect, and there is a problem in that inspection defects may occur due to oversight. Since the accuracy and efficiency of this visual inspection vary depending on the skill level and physical condition of the inspector, equipment that combines an optical microscope and a TV camera is also used to facilitate visual inspection. Although the degree of fatigue of the TAB is reduced, the above-mentioned problems caused by visual inspection are not resolved, and therefore, it is not possible to use a TAB inspection device that ensures reliability for TAB, which should automatically inspect a large number of products continuously and at high speed. There were some problems that could not be solved.

また、前記研究段階にある超音波を利用する装置や光音
響効果を利用する検査装置においても、エネルギ入射の
関係から前記光学顕微鏡の場合と同様に、被検査対象で
ある接続部が検査者により外部からa察可能であること
が必要であり上記と同様の問題点を有していた。
In addition, in the above-mentioned research stage devices that utilize ultrasonic waves and inspection devices that utilize photoacoustic effects, the connection part to be inspected can be easily inspected by the inspector due to energy incidence, as in the case of the optical microscope. It is necessary to be able to detect it from the outside, and it has the same problems as above.

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、TABにおけ
るリードを光圧により非接触で変位させ。
In view of the problems of the prior art described above, the present invention displaces the leads in the TAB by optical pressure without contact.

該変位量を検出してしきい値と比較することにより、前
記接続部における接合不良部を高速で確実かつ容易に検
出することができるTABにおけるリードの接合状態検
査装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a TAB lead bonding state inspection device that can detect a bonding defect in the connection portion at high speed, reliably, and easily by detecting the amount of displacement and comparing it with a threshold value. do.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本発明のTABにおけるリー
ドの接合状態検査装置は、TABにおけるLSIチップ
のバンプとリードとの接続部の接合状態を検査する検査
装置において、前記リードに光圧を負荷させるための光
源と、該光源にて発生した光を導入光学系を介して導入
し該導入した光を前記接続部に近接した位置のリードの
面に導く光ファイバと、該光ファイバにより導かれた光
を照射して前記リード面に光圧を負荷させる射出光学系
とからなる光照射手段と、前記光圧により発生したリー
ドの変位量を検出する変位量検出手段と、該検出した変
位量をしきい値と比較判定する判定手段と、を備える構
成にしたものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an inspection device for inspecting the bonding condition of a lead in a TAB. , a light source for applying optical pressure to the lead, and an optical fiber that introduces the light generated by the light source through an introduction optical system and guides the introduced light to a surface of the lead located close to the connection part. a light irradiation unit comprising: a light irradiation system that applies light guided by the optical fiber to apply optical pressure to the lead surface; and a displacement detection unit that detects the amount of displacement of the lead caused by the optical pressure. and a determining means that compares and determines the detected displacement amount with a threshold value.

そして、上記光照射手段を、前記光ファイバを多数備え
、前記光源において発生する光を該多数の光ファイバに
分割し、分割した光を対応する多数のリードの面に同時
に照射する構成にすることが好ましい。
The light irradiation means is configured to include a large number of the optical fibers, to divide the light generated in the light source into the large number of optical fibers, and to simultaneously irradiate the surfaces of the corresponding large number of leads with the divided light. is preferred.

また、リードに光圧を負荷させるための光源を。Also, a light source to apply optical pressure to the lead.

レーザ光源により構成することが望ましい。It is preferable to use a laser light source.

[作用] TABにおけるフィルム面とLSIチップとを真空吸引
などの方法により検査用の台に固定し。
[Function] The film surface of the TAB and the LSI chip are fixed to the inspection table using a method such as vacuum suction.

LSIチップのバンプとリードとの接続部に近接した位
置のリードの面に、光源にて発生し導入光学系を介して
光ファイバに導かれた光を、前記接続部の接合が離れる
方向へ照射して光圧を負荷させる。光圧を負荷したリー
ドは、バンプとの接合状態に応じてその変位量を異にす
る。例えば、正常な接合状態の接続部における変位量は
零であるが、不完全な接合状態の接続部においては光圧
を受けてそのぶん変位する。この場合、フィルム面とL
SIチップとは台に固定されているため、光圧によって
はリードのみが変位させられるから、リードの変位量は
僅かであっても他の部分の変位と混同することなく変位
量検出手段により確実かつ容易に検出される。検出され
た変位量は判定手段に送られてしきい値と比較判定され
、前記接続部における接合状態の良否が検査される。
Light generated by a light source and guided to an optical fiber via an introduction optical system is irradiated onto the surface of a lead in the vicinity of a connection between a bump and a lead on an LSI chip in a direction in which the bond at the connection is separated. to apply optical pressure. The amount of displacement of the lead loaded with optical pressure varies depending on the state of connection with the bump. For example, the amount of displacement in a normally bonded connection portion is zero, but in an imperfectly bonded connection portion, the amount of displacement is the same amount due to the optical pressure. In this case, the film surface and L
Since the SI chip is fixed to a stand, only the leads are displaced depending on the optical pressure, so even if the amount of lead displacement is small, it can be reliably detected by the displacement detection means without being confused with the displacement of other parts. and easily detected. The detected amount of displacement is sent to a determining means, where it is compared with a threshold value, and the quality of the bonded state at the connection portion is inspected.

[実施例] 以下本発明の一実施例を第1図ないし第3図を参照して
説明する。第1図は本発明の検査装置を第3図の“ア″
部を検査する場合について説明する全体概要図、第2図
はTABの一例を示す平面図、第3図は第2図の■−■
断面図である。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 shows the inspection apparatus of the present invention in "A" in FIG.
Fig. 2 is a plan view showing an example of TAB, Fig. 3 is a diagram of ■-■ in Fig. 2.
FIG.

図において、1はLSIチップ、2はLSIチップ上に
接着されている多数のバンプ、3は多数のリードで、バ
ンプ2と1:1で接合されている。
In the figure, 1 is an LSI chip, 2 is a large number of bumps bonded on the LSI chip, and 3 is a large number of leads, which are bonded to the bumps 2 in a 1:1 ratio.

4はリード3と接着され、かつリード3を支持している
長尺のフィルムで、LSIチップ上と多数のり−ド3と
を接続して1単位となったものが一定のピッチで連続し
て多数配置されている。4aはフィルム4の両縁に連続
して、設けられているフィルム送り用の穴である。5は
リード3にレーザ光の光圧を負荷させるためのレーザ光
源、6はレーザ光[5にて発生したレーザ光を光ファイ
バ7に導入する導入光学系で、光ファイバ7は導入され
たレーザ光をバンプ2とリード3との接続部に近接した
位置のリード3の面に導く、8は光ファイバ7により導
かれたレーザ光を平行光または集束光にしてリード3に
照射する射出光学系で、該照射によりリード3に光圧が
負荷される。上記レーザ光源5.導入光学系6.光ファ
イバ7および射出光学系8により光照射手段が形成され
ている。
Reference numeral 4 denotes a long film that is bonded to and supports the leads 3, and is a long film that connects the top of the LSI chip and a large number of leads 3 to form one unit, which is continuous at a constant pitch. Many are placed. Reference numeral 4a denotes film feeding holes provided continuously on both edges of the film 4. 5 is a laser light source for loading the optical pressure of the laser beam onto the lead 3; 6 is an introduction optical system that introduces the laser beam generated by the laser beam [5 into the optical fiber 7; An emission optical system 8 guides the light to the surface of the lead 3 located close to the connection part between the bump 2 and the lead 3, and converts the laser light guided by the optical fiber 7 into parallel light or focused light and irradiates the lead 3. As a result of this irradiation, a light pressure is applied to the lead 3. The laser light source 5. Introduction optical system6. The optical fiber 7 and the exit optical system 8 form a light irradiation means.

9は前記負荷された光圧により変位するリード3の変位
量を検出するためのレーザ光源で、レーザ光g9からの
レーザ光は、ハーフミラ−10を介してバンプ2とリー
ド3との接続部に向けて照射されるようになっている。
Reference numeral 9 denotes a laser light source for detecting the amount of displacement of the lead 3 displaced by the applied optical pressure, and the laser light from the laser beam g9 is transmitted to the connecting portion between the bump 2 and the lead 3 via the half mirror 10. It is designed to be irradiated towards the target.

1工はレーザ光源9からのレーザ光がハーフミラ−10
で反射した光を受け、該光を全反射する全反射ミラー 
12は全反射ミラー11と相対させて配置されている光
検出器で、上記レーザ光源9.ハーフミラ−10゜全反
射ミラー11とともに干渉計を構成し、前記リード3の
変位量の検出手段となっている。光検出機12は図示し
ていない前記接続部の接合状態をしきい値と比較判定す
る判定手段に接続されている。
In the first construction, the laser light from the laser light source 9 is used as a half mirror 10.
A total reflection mirror that receives the light reflected by and totally reflects the light.
12 is a photodetector placed opposite to the total reflection mirror 11, and is connected to the laser light source 9. Together with the half mirror 10° total reflection mirror 11, it constitutes an interferometer, and serves as means for detecting the amount of displacement of the lead 3. The photodetector 12 is connected to determining means (not shown) that compares and determines the bonding state of the connection portion with a threshold value.

TABにおけるリードの接合状態の検査は、LSIチッ
プ1とフィルム4とを、図示していない検査用の台に真
空吸引などの方法により検査中移動しないように確実に
固定して行われる。固定されたTABのバンプ2とリー
ド3との接続部に近接した位置のリード3の面に、該接
続部の接合が離れる方向へ導入光学系6を介して光ファ
イバ7に導かれたレーザ光を射出光学系8より照射する
Inspection of the bonding state of the leads in TAB is performed by firmly fixing the LSI chip 1 and film 4 to an inspection table (not shown) using a method such as vacuum suction so that they do not move during the inspection. A laser beam is introduced into the surface of the lead 3 at a position close to the connection between the bump 2 of the fixed TAB and the lead 3 in a direction in which the bond at the connection is separated.The laser beam is guided to the optical fiber 7 via the optical system 6. is irradiated from the injection optical system 8.

この照射によりリード3に光圧が負荷され、光圧を負荷
されたリード3は、バンプ2との接合状態が正常か否か
に応じて図に示す矢印Aの方向に変位する。すなわち、
接合状態が正常である場合はリード3の変位量も零に等
しいが、接合状態が不完全で不良の場合はたとえ一部接
合していたとしてもその接合の強度が小さければ該接合
は破壊されてリード3は変位する。リード3の変位量は
、レーザ光g9.ハーフミラー10.全反射ミラー11
、光検出器12からなる干渉計により検出されるが、こ
の場合、TABのLSIチップ上とフィルム4とが検査
用の台に固定されていることから光圧による変位はり−
ド3のみとなり、たとえリード3の変位量が小さい場合
でも他の部分の変位と混同することなく確実かつ容易に
検出することが可能である。前記干渉計により検出され
たリード3の変位量は、図示しない判定手段に送られて
しきい値と比較判定され、接続部における接合状態の良
否が検査される。
This irradiation applies optical pressure to the lead 3, and the lead 3 loaded with the optical pressure is displaced in the direction of arrow A shown in the figure depending on whether the bonding state with the bump 2 is normal or not. That is,
If the bonding condition is normal, the amount of displacement of the lead 3 is equal to zero, but if the bonding condition is incomplete or defective, even if a portion of the bond is bonded, if the strength of the bond is small, the bond will be destroyed. As a result, lead 3 is displaced. The amount of displacement of the lead 3 is determined by the laser beam g9. Half mirror 10. Total reflection mirror 11
, is detected by an interferometer consisting of a photodetector 12. In this case, since the top of the TAB LSI chip and the film 4 are fixed to the inspection table, the displacement beam due to the optical pressure is detected.
Even if the amount of displacement of the lead 3 is small, it can be detected reliably and easily without being confused with the displacement of other parts. The amount of displacement of the lead 3 detected by the interferometer is sent to a determining means (not shown), where it is compared and determined with a threshold value, and the quality of the bonded state at the connection portion is inspected.

上記実施例においては、光源にレーザを使用したことに
より、レーザの有するパワーが大きい、指向性が大、制
御が容易などの特性から、リード3に対して例えば針な
どを作動させて直接リード3を加圧するような複雑な機
械的構成を用いることなく、一定値の光圧を非接触で負
荷させて接合状態の不完全接続部を変位させることが可
能となる。そして今後ますます微小化、微細化するであ
ろうリード3の一本一本に対してレーザ光のパワーを分
割して照射することが可能で、多数の接続部を同時に検
査することができる。さらにリードを含むTAB全体は
実機において使用中に温度上昇し、接続部における接合
が常温におけるよりも剥離しやすい状態になっているが
、レーザ光を使用する場合はリードを加熱しながら検査
することになるから、接続部は実際のTABの使用中の
温度に近い温度で検査されることになり信頼性の高い検
査にすることができる。なお、光源はレーザ光に限定す
るものではないのは勿論であり、レーザ光に近似の特性
を有する光源であればよい。
In the above embodiment, since a laser is used as a light source, the laser has characteristics such as high power, high directivity, and easy control. It becomes possible to displace an incompletely connected portion in a bonded state by applying a constant value of optical pressure without contact, without using a complicated mechanical structure that applies pressure to the bonded portion. It is also possible to divide the power of the laser beam and irradiate each of the leads 3, which are expected to become smaller and finer in the future, so that a large number of connections can be inspected simultaneously. Furthermore, the temperature of the entire TAB, including the leads, rises during use in actual equipment, making the bond at the connection part more likely to peel off than at room temperature; however, when using a laser beam, the lead should be heated while being inspected. Therefore, the connection part is inspected at a temperature close to the temperature at which the TAB is actually used, making it possible to conduct a highly reliable inspection. Note that the light source is of course not limited to laser light, and any light source having characteristics similar to laser light may be used.

また、上記実施例においては変位量検出手段に、リード
3に光圧を負荷させる光源5とは別のレーザ光源9を使
用する干渉計を使用したが、レーザ光′g9を使用せず
、レーザ光源5からのレーザ光がリード3にて反射する
反射光を利用し、該反射光の干渉縞の変化を解析測定す
る干渉計を使用する構成にしてもよい。
Further, in the above embodiment, an interferometer that uses a laser light source 9 different from the light source 5 that applies optical pressure to the lead 3 is used as the displacement detection means, but the laser beam 'g9 is not used and the laser beam It may be configured to use an interferometer that utilizes the reflected light of the laser beam from the light source 5 reflected by the lead 3 and analyzes and measures changes in the interference fringes of the reflected light.

[発明の効果コ 本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。
[Effects of the Invention] Since the present invention is configured as explained above, it produces the effects as described below.

リードに光圧を負荷させ、負荷した光圧により発生する
リードの変位量を検出してしきい値と比較判定する構成
にしたことにより、リードとバンプとの接続部における
接合状態を、非接触で確実かつ容易に、しかも高速で検
査することができる5そして光源において発生する光を
多数の光ファイバに分割し、分割した光を対応する多数
のリードに同時に照射する構成にしたことにより、微細
化された微小寸法のリードであっても容易かつ高速で検
査することができる。
By applying a light pressure to the lead, detecting the amount of lead displacement caused by the applied light pressure, and comparing it with a threshold value, it is possible to check the bonding state at the connection between the lead and the bump without contact. The light generated by the light source is split into multiple optical fibers, and the split light is irradiated onto a corresponding number of leads at the same time. Even small-sized leads can be inspected easily and at high speed.

さらに、光源をレーザ光源とすることにより、レーザ光
の特性から上記多数の光ファイバに対する分割を一層容
易にし、一方、検査中レーザ光によりリードを加熱する
ことになることから、実機により実際に使用中のTAB
の温度に近い温度で検査されることになり、検査の信頼
性を高めることができる。
Furthermore, by using a laser light source as the light source, the characteristics of laser light make it easier to split into the above-mentioned large number of optical fibers.On the other hand, since the leads are heated by the laser light during inspection, it is difficult to actually use them in actual equipment. TAB inside
Since the test will be performed at a temperature close to that of , the reliability of the test can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図はいずれも本発明に係わる検査装置の説明用図で、第
1図は第3図の゛ア″′部を検査する場合の検査装置の
一実施例を示す全体概要図、第2図はTABの一例を示
す平面図、第3図は第2図のm−m断面図である。 1・・・LSIチップ、2・・・バンプ、3・・・リー
ド、4・・・フィルム、5・・・光源、6・・・導入光
学系、7・・・光ファイバ、8・・・射出光学系、10
〜12・・・変位量検出手段(干渉計)。
The figures are all explanatory diagrams of the inspection device according to the present invention, and FIG. 1 is an overall schematic diagram showing an embodiment of the inspection device for inspecting the section A'' in FIG. 3, and FIG. A plan view showing an example of TAB, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line mm in FIG. 2. 1...LSI chip, 2...bump, 3...lead, 4...film, 5 ...Light source, 6...Introduction optical system, 7...Optical fiber, 8...Ejection optical system, 10
~12... Displacement detection means (interferometer).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、TABにおけるLSIチップのバンプとリードとの
接続部の接合状態を検査する検査装置において、前記リ
ードに光圧を負荷させるための光源と、該光源にて発生
した光を導入光学系を介して導入し該導入した光を前記
接続部に近接した位置のリードの面に導く光ファイバと
、該光ファイバにより導かれた光を照射して前記リード
面に光圧を負荷させる射出光学系とからなる光照射手段
と、前記光圧により発生したリードの変位量を検出する
変位量検出手段と、該検出した変位量をしきい値と比較
判定する判定手段と、を備えたことを特徴とするTAB
におけるリードの接合状態検査装置。 2、前記光照射手段は、前記光ファイバを多数備え、前
記光源において発生する光を該多数の光ファイバに分割
導入し、分割した光を対応する多数のリードの面に同時
に照射するように構成したことを特徴とする請求項1記
載のTABにおけるリードの接合状態検査装置。 3、前記光源を、レーザ光源により構成したことを特徴
とする請求項1または2記載のTABにおけるリードの
接合状態検査装置。
[Claims] 1. In an inspection device for inspecting the bonding state of a connection between a bump and a lead of an LSI chip in TAB, a light source for applying optical pressure to the lead and light generated by the light source are provided. an optical fiber that introduces the introduced light through an introduction optical system and guides the introduced light to the surface of the lead located close to the connection part, and irradiates the light guided by the optical fiber to apply optical pressure to the lead surface. A light irradiation means comprising an emission optical system to apply a load, a displacement detection means for detecting the amount of displacement of the lead generated by the light pressure, and a determination means for comparing and determining the detected displacement amount with a threshold value. TAB characterized by having
Lead bonding condition inspection device. 2. The light irradiation means includes a large number of the optical fibers, and is configured to divide and introduce the light generated in the light source into the large number of optical fibers, and simultaneously irradiate the surfaces of the corresponding large number of leads with the divided light. The device for inspecting the bonding state of leads in a TAB according to claim 1. 3. The device for inspecting the bonding state of leads in a TAB according to claim 1 or 2, wherein the light source is a laser light source.
JP17899689A 1989-07-13 1989-07-13 Inspection apparatus of bonding state of lead at tab Pending JPH03129749A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003106978A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Jasco Corp Optical radiation pressure measuring device

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JP2003106978A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Jasco Corp Optical radiation pressure measuring device

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