JPH03127511A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

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JPH03127511A
JPH03127511A JP1267018A JP26701889A JPH03127511A JP H03127511 A JPH03127511 A JP H03127511A JP 1267018 A JP1267018 A JP 1267018A JP 26701889 A JP26701889 A JP 26701889A JP H03127511 A JPH03127511 A JP H03127511A
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JP
Japan
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level
stage
transistor
output
output signal
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Application number
JP1267018A
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Japanese (ja)
Inventor
Teruaki Harada
原田 輝昭
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH03127511A publication Critical patent/JPH03127511A/en
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Abstract

PURPOSE:To control an output signal through-rate by devising a conduction timing delay means to make two transistors(TRs) of a poststage circuit section conductive with a prescribed time from an input signal so as to suppress a through-current at a change in the output signal. CONSTITUTION:An output signal of a NOR gate 16 keeps an L level till a pre-stage PMOS TR 7 and a post-stage PMOS TR 10 are turned off and a pre-stage PMOS TR 8 is turned off and a potential at an output terminal 2 changes from an H level so far to the L level, and the output signal of the NOR gate 18 changes to the H level after the level of the output terminal 2 reaches an L level. Then a post-stage NMOS TR 11 on the other hand is not turned on before the output signal of the NOR gate 16 is not changed to the H level. Then the through-current is suppressed and the output signal through-rate is controlled by adjusting the size of the pre-stage NMOS TR 8 and the post-stage NMOS TR 11 properly.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、出力信号変化時の出力バッファ貫通電流を
抑制できるとともに、出力信号スルーレート値の制御も
可能な出力バッファ回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output buffer circuit that is capable of suppressing an output buffer through current when an output signal changes, and also capable of controlling an output signal slew rate value.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来の出力バッフ7回路を示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional output buffer 7 circuit.

図において、内部信号入力端子1はこの出力バッフ7回
路を含むシステムの内部から送られてくる内部信号を受
ける端子であり、出力端子2は上記内部信号に対応する
出力信号を外部に取り出すための端子である。正電位の
定電圧を供給する電源3−とグランド間にはPチャネル
形MO3tli界効里トランジスタ(以下、PMO5+
−ランジスタと略称する)4と、Nチャネル形MO5電
界効果トランジスタ(以下、NMO5)ランジスタと略
称する)5とが直列に接続され、これらのトランジスタ
4.5の接続点には出力端子2が接続されている。また
、内部信号入力端子1はインバータ6の入力端子に接続
され、インバータ6の出力端子はPMOSトランジスタ
4およびNMO3)ランジスタ5のゲートにそれぞれ接
続されている。
In the figure, internal signal input terminal 1 is a terminal for receiving an internal signal sent from inside the system including this output buffer 7 circuit, and output terminal 2 is a terminal for taking out an output signal corresponding to the above internal signal to the outside. It is a terminal. A P-channel type MO3tli field effect transistor (hereinafter referred to as PMO5+
- transistor 4.5 is connected in series with an N-channel MO5 field effect transistor (hereinafter referred to as NMO5 transistor) 5, and the output terminal 2 is connected to the connection point of these transistors 4.5. has been done. Further, the internal signal input terminal 1 is connected to the input terminal of an inverter 6, and the output terminal of the inverter 6 is connected to the gates of the PMOS transistor 4 and the NMO transistor 5, respectively.

上記C出力バッファ回路において、内部信号入力端子1
に与えられる内部信号はインバータ6で反転され、その
反転信号がPMO3)ランジスタ4およびNMOS)ラ
ンジスタ5のゲートに印加される。
In the above C output buffer circuit, internal signal input terminal 1
The internal signal applied to is inverted by an inverter 6, and the inverted signal is applied to the gates of PMO3) transistor 4 and NMOS) transistor 5.

内部信号がLレベルからHレベルに変化すると、PMO
3)ランジスタ4のゲート印加される信号はHレベルか
らLレベルと変化し、PMOSトランジスタ4はオフ状
態からオン状態に変化する。
When the internal signal changes from L level to H level, PMO
3) The signal applied to the gate of transistor 4 changes from H level to L level, and PMOS transistor 4 changes from OFF state to ON state.

このとき、NMOSトランジスタ5のゲートに印加され
る信号もHレベルからLレベルへと変化するので、NM
OSトランジスタ5はオン状態からオフ状態へと変化す
る。この動作によって出力端r2の電位はグランド電位
(Lレベル)がら電源3の電位(Hレベル)へと変化す
る。内部13号がHレベルからLレベルに変化する場合
には、上1把の場合と逆の動作によって出力端子2の電
位はHレベルからLレベルへと変化する。このよウニシ
て、内部信号入力端子1に与えられる内部信号にχ・l
応した信号が出力端子2から外部へと取り出される。
At this time, the signal applied to the gate of NMOS transistor 5 also changes from H level to L level, so NMOS
The OS transistor 5 changes from an on state to an off state. By this operation, the potential of the output terminal r2 changes from the ground potential (L level) to the potential of the power supply 3 (H level). When the internal signal No. 13 changes from H level to L level, the potential of output terminal 2 changes from H level to L level by the operation opposite to the above case. In this way, the internal signal applied to internal signal input terminal 1 is
A corresponding signal is taken out from the output terminal 2.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上述した従来の出カバッファ回v3では、P
MO5)ランジスタ4およびNMo5トランジスタ5の
ゲートにインバータ6の出力信号が同時に印加されるた
め、インバータ6の出力(= 号がHレベルからLレベ
ルに或いはLレベルからHレベルに変化する際、PMO
3)ランジスタ4とNMOSトランジスタ5の双方がオ
ン状態となるタイミングが生じることになり、このタイ
ミングおいて電源3からグランドへとPMO5)ランジ
スタ4およびNMO3)ランジスタ5を介して貫通電流
が流れる。
However, in the conventional output buffer time v3 mentioned above, P
Since the output signal of the inverter 6 is simultaneously applied to the gates of the MO5) transistor 4 and the NMo5 transistor 5, when the output signal of the inverter 6 changes from the H level to the L level or from the L level to the H level, the PMO
3) A timing occurs when both the transistor 4 and the NMOS transistor 5 are turned on, and at this timing, a through current flows from the power supply 3 to the ground via the PMO transistor 4 and the NMOS transistor 5.

通常、PMO3)ランジスタ4およびNMOSトランジ
スタ5は、外部負荷を駆動するために大サイズのものが
使用されることから、この場合の貫通電流は大きな値に
なる。このため、上記貫通電流に起因して電源3やグラ
ンドにノイズが発生し回路の誤動作を招くという問題点
があった。
Normally, the PMO transistor 4 and the NMOS transistor 5 are large in size to drive an external load, so the through current in this case becomes a large value. Therefore, there is a problem in that noise is generated in the power supply 3 and the ground due to the above-mentioned through-current, leading to malfunction of the circuit.

また、出力信号の変化が急峻なため、負荷のインダクタ
ンス成分による出力リンギングレベルも大きくなり、出
力端子2に接続される次段の素子などに誤動作を生じさ
せるという問題点もあった。
Furthermore, since the output signal changes abruptly, the output ringing level due to the inductance component of the load increases, causing a problem in that the next-stage element connected to the output terminal 2 malfunctions.

この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、出力信号変化時の貫通電流を抑制し、出力信
号スルーレート値も制御できる出力バッファ回路を得る
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to provide an output buffer circuit that can suppress the through current when the output signal changes and also control the output signal slew rate value.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係る出力バッファ回路は、高電位電源と低電
位電源との間に、人力信号の第1の論理レベルに応答し
て導通する第1のトランジスタと入力信号の第2の論i
1pレベルに応答して導通する第2のトランジスタとを
これらの順序で直列に接続するとともに、これら第1お
よび第2のトランジスタの接続点を出力端子に接続した
第手段回路部と、高電位電源と低電位電源との間に、人
力信号の第1の論理レベルに応答して導通ずる第3のト
ランジスタと人力信号の第2の論理レベルに応答して導
通する第4のトランジスタとをこれらの順序で直列に接
続するとともに、これら第3および第4のトランジスタ
の接続点を出力端子に接続した第2段回路部と、第3の
トランジスタの導通タイミングを第1のトランジスタの
導通タイミングよりも所定時間遅らせる第1の導通タイ
ミング遅延手段と、第4のトランジスタの導通タイミン
グを第2のトランジスタの導通タイミングよりも所定時
間遅らせる第2の導通タイミング遅延手段とを備えて構
成されている。
The output buffer circuit according to the present invention includes a first transistor that conducts in response to a first logic level of an input signal and a second logic level i of an input signal, which is connected between a high potential power source and a low potential power source.
a second transistor that conducts in response to the 1p level and connected in series in this order, and a connecting point of these first and second transistors connected to an output terminal; and a high potential power source. and a low potential power supply, a third transistor conductive in response to the first logic level of the human input signal, and a fourth transistor conductive in response to the second logic level of the human input signal. A second stage circuit section in which the third and fourth transistors are connected in series and the connection point of the third and fourth transistors is connected to the output terminal, and the conduction timing of the third transistor is set to a predetermined time relative to the conduction timing of the first transistor. The transistor is configured to include a first conduction timing delay means that delays the conduction timing of the fourth transistor by a predetermined period of time than the conduction timing of the second transistor.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、第2段回路部の第3および第4の
トランジスタの導通のタイミングが人力信号よりも所定
時間連れるので、第2段fil路部でのyiJff!電
流が抑制される。
In this invention, since the timing of conduction of the third and fourth transistors in the second stage circuit section is delayed by a predetermined time from the human input signal, yiJff! Current is suppressed.

また、第手段回路部の第1および第2のトランジスタと
第2段回路部の第3および第4のトランジスタとの間の
サイズを調整することによって出ノJolt流および出
力スルーレート値が調整される。
Further, the output Jolt current and the output slew rate value are adjusted by adjusting the sizes between the first and second transistors of the first stage circuit section and the third and fourth transistors of the second stage circuit section. Ru.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この発明による出力バッファ回路の一実施例
を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an output buffer circuit according to the present invention.

第1図において、内部信号入力端−F1.出力端r2お
よび電源3は上記従来回路と同一のらのである。すなわ
ち、内部信号入力端子1はこの出力・ぐツファ回路を含
むLSIからなるシステムの内部から送られてくる内部
信号を受けるための端子であり、出力端子2はその内部
信号に対応する出力信号を外部に取り出すための端子で
あり、電源3からは正電位の定電圧が供給される。
In FIG. 1, internal signal input terminal -F1. The output terminal r2 and the power supply 3 are the same as in the conventional circuit described above. That is, internal signal input terminal 1 is a terminal for receiving an internal signal sent from inside a system consisting of an LSI including this output/gutsfer circuit, and output terminal 2 is a terminal for receiving an output signal corresponding to the internal signal. This is a terminal for taking out to the outside, and a constant voltage of positive potential is supplied from the power supply 3.

電源3とグランド間には、論理レベルがLの信号をゲー
トに印加されてオン動作する前段用PMO5)ランジス
タフと、論理レベルがHのf4号をゲートに印加されて
オン動作する前段用NMOSトランジスタ8とが、これ
らの順序で電源3側からグランド側へと直列に接続され
るとともに、これら2つのトランジスタ7.8の接続点
が出力端P2に接続されて前段回路部9が構成されてい
る。
Between the power supply 3 and the ground, there are a front-stage PMO5) that turns on when a logic level L signal is applied to its gate, and a front-stage NMOS transistor that turns on when a logic level H signal is applied to its gate. 8 are connected in series from the power supply 3 side to the ground side in this order, and the connection point of these two transistors 7.8 is connected to the output terminal P2 to form the pre-stage circuit section 9. .

これとは別に、同じ電源3とグランド間には、後段用P
MOSトランジスタ1oと後段用NMOSトランジスタ
11とが、これらの順序で電源3側からグランド側へと
直列に接続されるとともに、これら2つのトランジスタ
10.11の接続点が出力端子2に接続されて後段回路
部12が構成されている。
Apart from this, between the same power supply 3 and ground, there is a P for the latter stage.
The MOS transistor 1o and the NMOS transistor 11 for the subsequent stage are connected in series from the power supply 3 side to the ground side in this order, and the connection point of these two transistors 10 and 11 is connected to the output terminal 2 for the subsequent stage. A circuit section 12 is configured.

一方、内部信号入力端子1は第1のインバータ13の入
力端子と第2のインバータ14の入力端rに接続され、
第1のインバータ13の出力端子は前段用PMOSトラ
ンジスタ7のゲートに、第2のインバータ14の出力端
子は前段用NMOSトランジスタ8のゲートにそれぞれ
接続されている。
On the other hand, the internal signal input terminal 1 is connected to the input terminal of the first inverter 13 and the input terminal r of the second inverter 14,
The output terminal of the first inverter 13 is connected to the gate of the PMOS transistor 7 for the front stage, and the output terminal of the second inverter 14 is connected to the gate of the NMOS transistor 8 for the front stage.

さらに、内部信号入力端子1と出力端子2は第1の導通
タイミング遅延手段としての2人力NANDゲート15
の各入力端子に接続されるとともに、第2の導通タイミ
ング遅延手段としての2人力NORゲート16の各入力
端子にもそれぞれ接続されている。2人力NANDゲー
ト15の出力端子は後段用PMOSトランジスタ10の
ゲートに、2人力NORゲート16の出力端子は後段用
NMOSトランジスタ11のゲートにそれぞれ接続され
ている。
Further, the internal signal input terminal 1 and the output terminal 2 are connected to a two-man NAND gate 15 as a first conduction timing delay means.
, and also connected to each input terminal of a two-man power NOR gate 16 as a second conduction timing delay means. The output terminal of the two-man NAND gate 15 is connected to the gate of the PMOS transistor 10 for the subsequent stage, and the output terminal of the two-man NOR gate 16 is connected to the gate of the NMOS transistor 11 for the subsequent stage.

次に上記出力バッファ回路の動作について説明する。Next, the operation of the output buffer circuit will be explained.

初期状態において、内部信号入力端r−1に人力される
内部(8号がLレベルとすると、このときインバータ1
3.14の出力信号はともにHレベルとなり、前段用P
MO3hランジスタフはオフ状態、前段用NMOSl−
ランジスタ8はオン状態となり、これらのトランジスタ
7.8の接続点つまり出力端子2の電位はグランド電位
(Lレベル)となる。このとき、NANDゲート15の
2人力もLレベルであるからNANDゲート15の出力
信号はHレベルで後段用PMO3)ランジスタ10はオ
フ状態であり、NORゲート16の2人力もLレベルで
あるからNORゲート16の出力信号はHレベルで後段
用NMO3)ランジスタ11はオン状態jこある。
In the initial state, if the internal signal (No. 8) input manually to the internal signal input terminal r-1 is at L level, then the
3. The output signals of 14 both become H level, and the P for the previous stage
MO3h Langstuff is off, NMOSl- for the front stage
The transistor 8 is turned on, and the potential at the connection point of these transistors 7.8, that is, the output terminal 2 becomes the ground potential (L level). At this time, since the output signal of the NAND gate 15 is also at L level, the output signal of the NAND gate 15 is at H level, and the downstream PMO3) transistor 10 is in the off state, and the output signal of the NOR gate 16 is also at L level, so the NOR The output signal of the gate 16 is at H level, and the NMO transistor 11 for the subsequent stage is in the on state.

内部信号がLレベルからHレベルへと変化すると、イン
バータ13.14の出力信号はHレベルからLレベルへ
と変化し、前段用PMO9+−ランジスタフはターンオ
ンし前段用NMOSトランジスタ8はターンオフする。
When the internal signal changes from the L level to the H level, the output signals of the inverters 13 and 14 change from the H level to the L level, the pre-stage PMO 9 + - Langstaff is turned on, and the pre-stage NMOS transistor 8 is turned off.

一方、NANDゲート15の出力信号は、前段用PMO
Sトランジスタ7がターンオンし前段用NMOSトラン
ジスタ8がターンオフしてから、これらのトランジスタ
7.8の接続点の電位がLレベルからHレベルに変化す
るまではHレベルを保持しており、トランジスタ7.8
の接続点の電位がHレベルに達して初めてLレベルに変
化する。
On the other hand, the output signal of the NAND gate 15 is
After the S transistor 7 is turned on and the pre-stage NMOS transistor 8 is turned off, the potential at the connection point of these transistors 7.8 is held at the H level until the potential changes from the L level to the H level. 8
It changes to L level only when the potential at the connection point reaches H level.

そして、後段用PMO3)ランジスタ10は、NAND
ゲート15の出力信号がLレベルに変化した時点で初め
てターンオンする。これに対し、NORゲート16の出
力信号は内部信号がLレベルからHレベルに変化すると
同時にHレベルからLレベルに変化するので、後段用N
MO3)ランジスタ11は前段用NMO3)ランジスタ
8と同時にターンオフする。
Then, the rear stage PMO3) transistor 10 is a NAND
It turns on for the first time when the output signal of the gate 15 changes to L level. On the other hand, the output signal of the NOR gate 16 changes from H level to L level at the same time as the internal signal changes from L level to H level.
MO3) transistor 11 is turned off at the same time as NMO3) transistor 8 for the previous stage.

したがって、内部信号のLレベルからHレベルへの変化
に対して、後段用PMO8)ランジスタ10のターンオ
ン時間は、前段用PMO3)ランジスタフを介して行わ
れる出力端子2への充電時間とNANDゲート15の出
力信号がHレベルからLレベルに変化するのに要する伝
搬遅延時間を合わせた分だけ、前段用NMOSトランジ
スタ8や後段用NMO5)ランジスタ11のターンオフ
時間より遅れることになる。
Therefore, when the internal signal changes from the L level to the H level, the turn-on time of the rear-stage PMO8) transistor 10 is determined by the charging time of the output terminal 2 performed via the front-stage PMO3) transistor and the turn-on time of the NAND gate 15. The turn-off time of the front-stage NMOS transistor 8 and the rear-stage NMOS transistor 11 is delayed by the sum of the propagation delay time required for the output signal to change from the H level to the L level.

このことから、前段用PMO3I−ランジスタフのサイ
ズを後段用PMO8)ランジスタ10のサイズよりも小
さくなるように予め調整しておくことによって、従来の
回路の場合に比べて貫JTI電流を抑制できることとな
る。
From this, by adjusting in advance the size of the front-stage PMO3I transistor 10 so that it is smaller than the size of the rear-stage PMO8) transistor 10, the through-JTI current can be suppressed compared to the case of conventional circuits. .

また、前段用PMOS)ランジスタフのターンオンで出
力端子2を先ずLレベルからHレベルに変化させておき
、しかる後に後段用PMOSトランジスタ10のターン
オンによって出力端J”2に大電流を供給する、つまり
大電流駆動補助ができるので、前段用PMOSトランジ
スタ7と後段用PMO5)ランジスタlOのサイズを適
切に調整することによって出力信号スルーレート値の制
御が可能で、かつ大電流駆動の可能な出力バッファ回路
とすることができる。
In addition, by turning on the front-stage PMOS transistor 10, the output terminal 2 is first changed from L level to H level, and then by turning on the rear-stage PMOS transistor 10, a large current is supplied to the output terminal J''2. Since current drive can be assisted, the output signal slew rate value can be controlled by appropriately adjusting the sizes of the front-stage PMOS transistor 7 and the rear-stage PMOS transistor 5), and the output buffer circuit is capable of driving a large current. can do.

次に、内部信号がHレベルからLレベルへと変化すると
、インバータ13.14の出力信号はLレベルからHレ
ベルへと変化し、前段用PMOSトランジスタ7はター
ンオフし前段用NMOS+−ランジスタ8はターンオン
する。
Next, when the internal signal changes from H level to L level, the output signals of inverters 13 and 14 change from L level to H level, turning off the PMOS transistor 7 for the front stage and turning on the NMOS +- transistor 8 for the front stage. do.

一方、NORゲーI・16の出力信号は、前段用PMO
3)ランジスタフおよび後段用PMO3)ランジスタ1
0がターンオフし、前段用NMOSトランジスタ8がタ
ーンオンして、出力端T2の電位がそれまでのHレベル
からLレベルに変化するまではLレベルを保持しており
、出力端T−2の電位がLレベルに達して初めてHレベ
ルに変化する。そして、後段用NMO5)ランジスタ1
1は、NORゲート16の出力信号がHレベルに変化し
た時点で初めてターンオンする。
On the other hand, the output signal of NOR game I・16 is
3) Langistoru and post-stage PMO 3) Langister 1
0 is turned off, the pre-stage NMOS transistor 8 is turned on, and the potential of the output terminal T2 remains at the L level until it changes from the H level to the L level, and the potential of the output terminal T-2 changes. It changes to H level only after reaching L level. And NMO5) transistor 1 for the rear stage
1 turns on for the first time when the output signal of the NOR gate 16 changes to H level.

したがって、内部信号のHレベルからLレベルへの変化
に対して後段用NMO3)ランジスタ11のターンオン
時間は、前段用NMOSトランジスタ8を介して行われ
る出力端子2からの放電時間とNORゲート16の出力
信号がLレベルからHレベルに変化するのに要する伝搬
遅延時間を合わせた分だけ、前段用PMOS)ランジス
タフや後段用PMOS)ランジスタ10のターンオフ1
1与間より迂れることになる。
Therefore, the turn-on time of the rear-stage NMOS transistor 11 when the internal signal changes from the H level to the L level is the discharge time from the output terminal 2 via the front-stage NMOS transistor 8 and the output of the NOR gate 16. The turn-off 1 of the front-stage PMOS transistor 10 and the rear-stage PMOS transistor 10 is calculated by the amount of propagation delay time required for the signal to change from L level to H level.
It will take more than 1 yoma.

このことから、この場合にも前段用NMOS)ランジス
タ8のサイズを後段用NMO5)ランジスタ11よりも
小さくなるように予め調整しておくことによって、従来
の回路の場合に比べて貫通電流を抑制できることになる
Therefore, in this case as well, by adjusting in advance the size of the NMOS transistor 8 for the front stage so that it is smaller than the NMOS transistor 11 for the rear stage, the through current can be suppressed compared to the case of the conventional circuit. become.

また、前段用NMOSトランジスタ8のターンオンで出
力端子2を先ずHレベルからLレベルに変化させておき
、しかる後に後段用NMO5)ランジスタ11のターン
オンによって出力端’f 2から大電流を吸い込む大電
流駆動補助ができるので、前段用NMO3)ランジスタ
8と後段用NMOSトランジスタ11のサイズを適切に
調整することによって出力信号スルーレート値の制御か
り能で、かつ大電流駆動の可能な出力バッファ回路とす
ることができる。
Also, by turning on the NMOS transistor 8 for the front stage, the output terminal 2 is first changed from H level to L level, and then, by turning on the NMOS transistor 11 for the rear stage, a large current is driven to suck a large current from the output terminal 'f2. By appropriately adjusting the size of the NMOS transistor 8 for the front stage and the NMOS transistor 11 for the rear stage, the output buffer circuit can be made capable of controlling the output signal slew rate value and capable of driving a large current. Can be done.

なお、上記実施例ではLSIからなるシステムに接続さ
れる外部負荷を駆動するための出力バッファ回路につい
て説明したが、本発明による出力バッファ回路はこれに
限らずLSI内部におけるクロックラインのような大容
量負荷を駆動するためのクロックトライバなどにも適用
可能である。
Note that in the above embodiment, an output buffer circuit for driving an external load connected to a system consisting of an LSI has been described, but the output buffer circuit according to the present invention is not limited to this, and can be applied to large-capacity devices such as clock lines inside an LSI. It can also be applied to a clock driver for driving a load.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば、出力段を前段回路部
と後段回路部の2段構成とし、導通タイミング遅延手段
によって後段回路部の2つのトランジスタが入力信号よ
りも所定時間遅れて導通するように構成したので、出力
段における貫通電流を抑制できるとともに、出力信号ス
ルーレート値の制御および出力信号リンギングレベルの
抑制をも行うことが可能となる。
As described above, according to the present invention, the output stage has a two-stage configuration of the front-stage circuit section and the rear-stage circuit section, and the two transistors in the rear-stage circuit section are turned on with a predetermined time delay from the input signal by the conduction timing delay means. With this configuration, it is possible to suppress the through current in the output stage, and also to control the output signal slew rate value and suppress the output signal ringing level.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明による出力バッファ回路の一実施例を
示す回路図、第2図は従来の出力バッファ回路を示す回
路図である。 図において、1は内部信号入力端r、2は出力・鳴子、
3は電源、7は前段用PMOSトランジスタ、8は前段
用NMO3)ランジスタ、9は前段回路部、10は後段
用PMOS)ランジスタ、11は後段用NMOSトラン
ジスタ、12は後段1111路部、13.14はインバ
ータ、15は2人力NANDゲート、16は2人力NO
Rゲートである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an output buffer circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional output buffer circuit. In the figure, 1 is the internal signal input terminal r, 2 is the output terminal,
3 is a power supply, 7 is a PMOS transistor for the front stage, 8 is an NMO3) transistor for the front stage, 9 is a front stage circuit section, 10 is a PMOS transistor for the rear stage, 11 is an NMOS transistor for the rear stage, 12 is a rear stage 1111 circuit section, 13.14 is an inverter, 15 is a 2-man powered NAND gate, 16 is a 2-man powered NO
This is the R gate. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)高電位電源と低電位電源との間に、入力信号の第
1の論理レベルに応答して導通する第1のトランジスタ
と前記入力信号の第2の論理レベルに応答して導通する
第2のトランジスタとをこれらの順序で直列に接続する
とともに、これら第1および第2のトランジスタの接続
点を出力端子に接続した第1段回路部と、 前記高電位電源と前記低電位電源との間に、前記入力信
号の第1の論理レベルに応答して導通する第3のトラン
ジスタと前記入力信号の第2の論理レベルに応答して導
通する第4のトランジスタとをこれらの順序で直列に接
続するとともに、これら第3および第4のトランジスタ
の接続点を前記出力端子に接続した第2段回路部と、 前記第3のトランジスタの導通タイミングを前記第1の
トランジスタの導通タイミングよりも所定時間遅らせる
第1の導通タイミング遅延手段と、前記第4のトランジ
スタの導通タイミングを前記第2のトランジスタの導通
タイミングよりも所定時間遅らせる第2の導通タイミン
グ遅延手段とを備える出力バッファ回路。
(1) Between a high potential power source and a low potential power source, a first transistor conductive in response to a first logic level of an input signal and a second transistor conductive in response to a second logic level of the input signal. a first stage circuit section in which the first and second transistors are connected in series in this order, and a connection point between the first and second transistors is connected to an output terminal; a third transistor that conducts in response to the first logic level of the input signal and a fourth transistor that conducts in response to the second logic level of the input signal are connected in series in this order; and a second stage circuit section in which the connection point of these third and fourth transistors is connected to the output terminal; An output buffer circuit comprising: a first conduction timing delay means for delaying the conduction timing; and a second conduction timing delay means for delaying the conduction timing of the fourth transistor by a predetermined period of time from the conduction timing of the second transistor.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03283915A (en) * 1990-03-30 1991-12-13 Nec Corp Output circuit
US5699000A (en) * 1995-03-30 1997-12-16 Nec Corporation Output buffer circuit for a semiconductor IC
JP2008263958A (en) * 2007-03-28 2008-11-06 Chiba Prefecture Structure for greening wall surface and wall surface-greening construction method

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