JPH03110798A - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ発生装置

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JPH03110798A
JPH03110798A JP1248617A JP24861789A JPH03110798A JP H03110798 A JPH03110798 A JP H03110798A JP 1248617 A JP1248617 A JP 1248617A JP 24861789 A JP24861789 A JP 24861789A JP H03110798 A JPH03110798 A JP H03110798A
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fins
plasma
fin
microwaves
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JP1248617A
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Ryohei Itaya
良平 板谷
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Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32266Means for controlling power transmitted to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マイクロ波プラズマ発生装置に関する。さら
に詳しくはマイクロ波の照射により発生するプラズマを
定位させることのできる構造の簡単なマイクロ波プラズ
マ発生装置に関する。
[従来の技術と発明が解決しようとする問題点]マイク
ロ波発信器とこのマイクロ発信器から発信したマイクロ
波を導波するマイクロ波導波管と原料ガスを有する放電
管とを備え、前記マイクロ波導波管により導波されるマ
イクロ波を前記放電管中の原料ガスに摺射することによ
り、プラズマを発生させるマイクロ波プラズマ発生装置
においては、前記放電管中でプラズマが発生すると、こ
のプラズマによりエネルギーが吸収されて、プラズマに
おけるマイクロ波の入射側の部位でマイクロ波のパワー
が最大になる。したがって、プラズマの発生位置がマイ
クロ波のパワーが最大になっている部位に変移し始め、
その変移の結果、遂には放電管にプラズマが接触して、
放電管が破損する。あるいは、放電管の代りにプラズマ
発生室にマイクロ波を導入するための窓を有するマイク
ロ波プラズマ発生装置においては、上述と同様の理由に
より、プラズマ発生位置がマイクロ波電界強度のより強
い部位に移動し、その結果プラズマが窓に接触して、熱
によって窓が破壊されるが、あるいはCVDにおいては
、導体または半導体が窓に付着する結果、マイクロ波が
窓に吸収されてプラズマ発生室への伝搬が阻止される等
により、最終的にはプラズマ生成が不可能になる。
かかる問題点を解消するための装置として、マイクロ波
発信器と、マイクロ波導波管と放電管と、マイクロ波の
進行方向に相対向して配置された、前記進行方向におけ
る前後動可能な反射板とを備えたマイクロ波プラズマ発
生装置がある。
この改良されたマイクロ波プラズマ発生装置においては
、放電管中における、入射するマイクロ波と前記反射板
により反射するマイクロ波との干渉により放電管中の所
定部位でマイクロ波の定常波を作り出し、もってプラズ
マの発生位置を定位させようとする。
しかしながら、このように前後動可能な反射板を設けて
も、電力を増加させるとプラズマはマイクロ波発振源に
むかって移動し、さらに長期間に亙るプラズマの形成に
ついては、放電管壁や、窓に物質が付着するためにマイ
クロ波の透過電力が変化し1発生するプラズマの位置が
変化することもある。
なお、反射板を使用する従来のマイクロ波プラズマ発生
装置においては、前記反射板を前後進させるための複雑
な駆動系が必要であり、装置全体が大掛かりで複雑にな
ると言う、派生的な問題点もある。
本発明は、前記事情に基ずいてなされたものである。
本発明の目的は、マイクロ波の照射により発生するプラ
ズマの発生位置をマイクロ波発振源にむかって移動しな
いように窓または放電管からプラズマを隔離し、一定に
保ち、窓や放電管の破損等を抑制することのできる、簡
単な構造のマイクロ波プラズマ発生装置に関する。
[前記課題を解決するための手段] 前記課題を解決するための本発明は、マイクロ波を原料
ガスに照射してプラズマを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置において、マイクロ波の進行方向に沿うととも
にマイクロ波の電界方向に直交する方向に延在する複数
のフィンを、マイクロ波の進行路途中に設けてなること
を特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置である。
次に本発明について図面を参照しながら詳細に説明する
なお、本発明は、説明に利用した図面に示される形状、
構造、組み合わせ等に限定されるものではない。
第1図に示すように、本発明の好適な一例であるマイク
ロ波プラズマ発生装置は、マイクロ波の進行路途中に、
マイクロ波の電界方向に直交する方向であり、かつマイ
クロ波の進行方向に沿って延在する複数のフィン1を、
マイクロ波の進行路途中に設けてなる。
第1図において、前記複数のフィン1は筐体2の内部に
配置され、この筐体2の一方から他方へとマイクロ波3
が導波する。そして、第1図中左側から導波してきたマ
イクロ波3が前記フィンlを通過して、フィンlの右側
に抜は出た場合に、フィン1の右側に原料ガスが存在す
るとき、マイクロ波3の照射により前記原料ガスが励起
してプラズマが発生する0発生したプラズマ内における
マイクロ波のパワーは、原料ガスにおけるマイクロ波3
の入射する部位において最大になるので。
発生したプラズマはマイクロ波エネルギーを吸収し、プ
ラズマ発生位置が前記フィンlに近付く。
そして、プラズマが前記フィン1に接触しても、このフ
ィンlの存在により、プラズマはフィンlを通過してフ
ィンlの反対側に通り抜けることができず、結局、この
フィン1によりプラズマの移動が阻止されて、プラズマ
の発生位置がフィン1におけるマイクロ波出口に固定さ
れる。
ここで、フィンをマイクロ波進行路途中に設けるとプラ
ズマの発生位置を固定することができるその理由を、以
下に述べる。
簡略に言うと、マイクロ波の進行途中に多数のフィンを
配置するのは、マイクロ波の進行路を複数に分割し、こ
れによりフィンの端部に接触するプラズマに損失を生ぜ
しめることによって、フィンとフィンとの間でプラズマ
を維持することができないようにすることにある。
具体的に言うと、第2図に示すように、マイクロ波の導
波する進行方向断面(進行方向断面の高さをLとする。
)をN枚のフィン1で分割するとする。マイクロ波の進
行方向は、第2図におl、%て、フィンの左側から右側
へと向かう、そして、電離衝突周波数をνlとし、イオ
ンの両極性拡散係数をDaとし、特性長をΔとすると、
プラズマを維持していくのに必要な条件は、 ν1≧Da/Δ2 で与えられる。これを変形すると、圧力をPとし、定数
をkとすると、 (FA)2≧k になる。
すなわち、Δの値が小さい程プラズマを維持することが
困難である。
マイクロ波の進行方向断面をフィンでN分割すると、前
記特性長は、 Δ=L/(πN) になる(分割しないときにはΔ=L/πである。)、シ
たがって、分割したフィン間でのプラズマの損失は、 Da / (L/πN) 2 = (Da π2 ) 
N2 /L2である(分割しなければ、Da / (L
/π)?=(Daπ2)/L2である。)、つまり、分
割によるプラズマ損失はN2倍に増える。また、分割し
たフィン間では、マイクロ波電力は、e E L / 
N になる(分割しなければeELである。なお、eは電子
の素電荷であり、Eは電界強度である。)。
これらの結果から理解されるように、マイクロ波の進行
途中に、その進行断面を分割する複数のフィンが挿入、
配置されていると、このフィンを通り抜けたマイクロ波
の照射により発生するプラズマは、前記フィンの内部お
よび内部の端部近傍においてN3倍維持されにくくなる
。したがって1発生したプラズマのマイクロ波の進行方
向に対する後退が前記フィンにより阻止され、マイクロ
波の入射、方向にプラズマが進行することがなくなるか
ら、プラズマの位置がフィンの近傍に固定されることに
なる。
このように本発明にあっては、マイクロ波の進行途中に
複数のフィンを配置し、しかもこのフィンを通過したマ
イクロ波を原料ガスに照射してプラズマを発生させる。
したがって、原料ガスに照射するマイクロ波のエネルギ
ーロスを出来るだけ小さくなるようにフィンの寸法を決
定するのが好ましい。
そうすると、フィンの厚みについてはその端部をナイフ
ェツジに形成する限り特に制限がないのであるが、実用
上は0.2〜5mmが好ましい。
フィンの厚みtが5mmよりはるかに大きくなると、フ
ィンの端面部がナイフェツジに形成されないときには、
その端面でマイクロ波の反射を惹起してフィンを通過し
たマイクロ波のエネルギーが減衰してしまう傾向になる
フィンとフィンとの間隔dは、使用するガスの圧力とマ
イクロ波を伝送する電力とに応じて決定される。すなわ
ち、圧力をP、プラズマ内のマイクロ波の電界強度をE
とするとき、d< (C/PE)[ただし、Cはガスの
種類により決定される定数である。]の関係を満たすよ
うに、間隔dが決定される0通常の使用状況では、間隔
dは2Cm以下であるのが望ましい、フィン同士の間隔
dが大きくなると、前述のようにマイクロ波の進行方向
断面を分割するフィンの枚数Nが小さくなって、フィン
間でのプラズマを維持し易くなる傾向にある。
もっとも、フィンの長さ(プラズマの進行方向に沿う長
さ)見は、フィンとフィンとの間でマイクロ波の定常波
が発生しないような長さであるならば特に制限がなく、
マイクロ波の波長に応じて、また、プラズマ損失の規模
等に応じて適宜に決定することができる。
また、フィンはその端部においてプラズマと接触する可
能性があり、またフィン間にプラズマが点灯する可能性
もあるので、フィンの材質は、高温度たとえば600℃
以上の温度に耐える耐熱性を有しているのが好ましい、
また、マイクロ波の導波に際してフィンに電荷が発生す
ることによるマイクロ波エネルギーのロスを低減するた
めに、フィンは導電性を有する材料で形成するのが好ま
しい、このような条件を満たす材質としては、たとえば
、モリブデン、ベリリウム、銅、銀、アルミニウム等の
金属、ステンレス等の合金、酸化アルミ(A交203)
、窒化ホウ素(BN)、ジルコニア(Z ro2)等の
セラミックスの表面に銀や銅等の良導電気メツキを施し
てなるもの等を挙げることができる。また、フィンがプ
ラズマに接触する側には、グラファイトのフィンを置く
こともできる。
フィンの配置については、進行するマイクロ波の電界方
向に直交する方向であり、かつマイクロ波の進行方向に
延在する方向に配置されるのであれば特に制限がない、
また、フィンは導波管中に配置されていてもよいし、ま
たプラズマ発生室たとえば放電管中に配置されていても
良い。
換言すると、フィンの形状およびその配置状態について
は、マイクロ波の進行断面形状、フィンの配置される部
位の形状等に応じて適宜に決定される。マイクロ波の電
界方向に直交していて、マイクロ波の進行断面を分割す
るように配置される限り如何様な形状および配置であっ
ても良いのである。
具体的には、断面方形の導波管中あるいはプラズマ発生
室中にフィンを配置するのであれば、第1図に示すよう
に、フィンlの形状は平面板になるであろうし、第3図
に示すように断面円形のマイクロ波導波管4あるいはプ
ラズマ発生室中であれば、配置されるフィン1の形状は
、第4図に示すように、マイクロ波の電界方向5に直交
すると共に軸心を通る平面に配置されるフィンlaは平
面形状であり、他のフィンlb、IQの形状は前記平面
形状のフィンlaから離れるフィン程曲率の大きな湾曲
した曲面状になっている。いずれにおいても、各フィン
la、lb、lcはマイクロ波の電界方向5に直交する
ように設計される。
なお、複数配列したフィンのプラズマ側先端部の形状は
、第1図に示すように各フィンlの先端部が同一平面に
あるように切り揃えたような形状であっても良いし、第
5図に示すように配列した各フィンlの先端部により形
成される形状が7字谷状、逆三角錐状等であっても良い
し、第6図に示すように、配列した各フィン1の先端部
により形成される形状が窪んだ球状であっても良いし、
U字谷状であっても良い、さらに、配列した各フィンの
先端部により形成される形状が、前記各形状の関係とは
逆になって、前方に突出する形状であっても良い。
本発明におけるフィンは、マイクロ波導波管中あるいは
プラズマ発生室中に配置されるに限らず、一端開口部が
マイクロ波導波管の先端部に接続されると共に他端開口
部がプラズマ発生室に接続されたアンテナホーン中に配
置されても良い。
アンテナホーンを使用すると、プラズマ発生室に円筒状
あるいは矩形状の導波管を単に接続しただけのマイクロ
波プラズマ発生装置に比べて、放射電磁波強度の空間分
布を調節することができるとともにインピーダンスのマ
ツチングを良好にすることができるという利点がある。
第7図に示すアンテナホーン6は、矩形導波管7の一端
開口部に石英製のマイクロ波入射窓部材8を介して結合
された一端開口部を有し、その−端開口部から台形状に
広がり、その途中からは矩形状に形成された筐体9と、
矩形状部分の内部に、マイクロ波の電界方向に直交する
方向に延在する複数のフィンlとで構成される。なお、
第7図に示すアンテナホーンにおいては、マイクロ波入
射窓部材8とフィン1の後端部とには一定の間隔、たと
えば0.5〜40mm程度の間隔が設けられていること
が望ましい。
また、本発明におけるアンテナホーンは、円筒状導波管
の一端開口部に石英製のマイクロ波入射窓部材を介して
結合された一端開口部を有し、その一端開口部から円錐
台形状に広がり、その途中からは大径の円筒状に形成さ
れた筐体と、大径の円筒状部分の内部に、マイクロ波の
電界方向に直交する方向に延在する複数の、第3図に示
すような形状を有するフィン1とで構成することもでき
る。
第8図に示すアンテナホーンlOは、矩形導波管11の
一端開口部に石英製のマイクロ波入射窓部材8を介して
結合された一端開口部を有し、その−端開口部から台形
状に広がり、その先端部において開口部を形成する筐体
12と、前記一端開口部から他端開口部に渡って前記筐
体体12内に配置される長尺のフィン1dと前記台形状
の筐体12内の途中から他端開口部に渡って配置される
短尺のフィン1eとを備え、前記長尺のフィンldと短
尺のフィン1eとはいずれもマイクロ波の電界方向に直
交する方向に延在し、しかも長尺のフィンldと短尺の
フィン1eとが交互に配列されてなる構造を有する。な
お、第8図に示すアンテナホーンにおいても、第7図に
示すアンテナホーンにおけるのと同様に、マイクロ波入
射窓部材8とフィン1dの後端部とには一定の間隔、た
とえば0.5〜40mm程度の間隔が設けられているこ
とが望ましい。
また、本発明におけるアンテナホーンは、筒状導波管の
一端開口部に石英製のマイクロ波入射窓部材を介して結
合された一端開口部を有し、その一端開口部から円錐台
形状に広がり、その先端部において開口部を形成する筐
体と、前記一端開口部から他端開口部に渡って前記筐体
体内に配置される長尺のフィンと前記円錐台形状の筐体
内の途中から他端開口部に渡って配置される短尺のフィ
ンとを備え、前記長尺のフィンと短尺のフィンとはいず
れもマイクロ波の電界方向に直交する方向に延在し、し
かも長尺のフィンと短尺のフィンとが交互に配列されて
なる構造にしても良い、この構造におけるフィンは第3
図に示す形状を有する。
以上に詳述したフィンを有するマイクロ波プラズマ発生
装置において使用されるプラズマ発生用の原料ガスとし
ては、空気、窒素、酸素、アルゴン、水素、メタン、−
酸化炭素、二酸化炭素、アルコール類、シラン、ジシラ
ン、ジボラン、ゲルマン、その他のフッ素、塩素、リン
等の炭素化合物または硫黄化合物や水素化物および有機
金属化合物等の、従来のマイクロ波プラズマ発生装置に
使用されているプラズマ発生用の原料ガス、またはそれ
らの混合原料ガスを使用することができる。
本発明のマイクロ波プラズマ発生装置は、はとんどすべ
てのガスをプラズマ化するのに有効であって、しかもプ
ラズマの定位を図ることができる。
[実施例] (実施例1) 第9図に示すマイクロ波プラズマ発生装置を構成した。
すなわち1箱型の真空チャンバー17がプラズマ発生室
とされ、この真空チャンバー17の側面に。
厚さ15mmのアクリル製の観察窓18が設けられ。
この観察窓1Bの内側にはマイクロ波のリーク防止用の
銅製金網19が張り付けられている。この真空チャンバ
ー17の一端面には、矩形のアンテナホーン20が接続
され、このアンテナホーン20内には4枚のフィン21
が並列されている。また、このアンテナホーン20には
小穴が開設されていて、フィン21間でプラズマが発生
しているかどうかを確認することができるようになって
いる。このアンテナホーン20の端部は石英ガラス22
を介してマイクロ波導波管23が接続されている。前記
真空チャンバー17には、排気装置に連なる排気管24
が接続され、また、プラズマ発生用の原料ガスを供給す
るための原料ガス供給管25が接続されている。
マイクロ波パワーを1kWにし、真空チャンバー17内
の圧力を10 、40 、150 torrにそれぞれ
変え、プラズマ発生用の原料ガスとしてアルゴンおよび
空気を各別に使用した。
また、アンテナホーン20内のフィン21の寸法は、厚
み0.5mm、長さ15m mである。
このような条件下にマイクロ波導波管23から2゜45
G Hzのマイクロ波を真空チャンバー17内の原料ガ
スに照射して、プラズマを発生させた。そして、プラズ
マの発生位置を観察した。観察の結果、プラグ・マの発
生位置は、アンテナホーン20の開口部の前方にあり、
フィン21とフィン21との間でプラズマが点灯するこ
とがなかった。
(比較例1) フィン21を配列していないアンテナホーン20を使用
した外は前記実施例1と同様に実施した。
プラズマの発生状態の観察の結果、圧力が150tor
rのときには、アンテナホーン20内でプラズマが発生
しており、圧力が40torrのときには、アンテナホ
ーン20内で発生するプラズマの位置は、150tor
rのときよりもさらに石英ガラスに接近し、圧力が10
torrのときには発生するプラズマの発生位置が石英
ガラスの極近傍であった。つまり、プラズマの発生位置
が圧力の変化と共に移動したことが観察された。
[発明の効果] 本発明によると、マイクロ波の照射により発生するプラ
ズマの発生位置を固定することができて、放電管や窓を
破壊したり、マイクロ波を遮断することのない、簡単な
構成のマイクロ波プラズマ発生装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一例を示す斜視図、第2図は本発
明装置の原理を説明するための説明図2fjS3図は本
発明装置の他の例を示す説明図、第4図は第3図に示す
本発明装置の他の例の断面説明図、第5図および第6図
は本発明装置におけるフィンの配列状態を説明する説明
図、第7図は本発明装置の一例におけるアンテナホーン
を示す一部切欠断面図、第8図は本発明装置の一例にお
けるアンテナホーンの他の例を示す一部切欠断面図、第
9図は本発明の実施例に使用したマイクロ波プラズマ発
生装置を示す説明図である。 1・争・フィン、3・・・マイクロ波、4・・・筒型導
波管、5・・・マイクロ波の電界方向、7・ψ・導波管

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マイクロ波を原料ガスに照射してプラズマを発生
    するプラズマ発生装置において、マイクロ波の進行方向
    に沿うとともにマイクロ波の電界方向に直交する方向に
    延在する複数のフィンを、マイクロ波の進行路途中に設
    けてなることを特徴とするマイクロ波プラズマ発生装置
  2. (2)前記フィンが導波管中に配置されてなる前記請求
    項1に記載のマイクロ波プラズマ発生装置。
JP1248617A 1989-09-25 1989-09-25 マイクロ波プラズマ発生装置 Pending JPH03110798A (ja)

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