JPH03102866A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH03102866A
JPH03102866A JP1240115A JP24011589A JPH03102866A JP H03102866 A JPH03102866 A JP H03102866A JP 1240115 A JP1240115 A JP 1240115A JP 24011589 A JP24011589 A JP 24011589A JP H03102866 A JPH03102866 A JP H03102866A
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JP
Japan
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potential
power supply
semiconductor integrated
vee2
integrated circuit
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Application number
JP1240115A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Sakai
酒井 敏昭
Hiroyuki Kadoi
角井 広幸
Hirotaka Yada
裕貴 矢田
Hisayoshi Oba
久芳 大庭
Takayuki Tsuru
鶴 隆行
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To allow a sufficient functional test in a wafer conduction regardless of the number of input/output pins by setting a potential of a plurality of source lines at a normal operating voltage, and the potential of another source line at a level less than the low output logic level and more than the normal operating voltage of an emitter follower, upon the functional test of a logic circuit. CONSTITUTION:An emitter follower EF1 consists of an npn transistor T4, whose collector is connected to the source line VCC and base to the collector of a transistor T2, and two terminal resistors RP1, RP2 connected to the emitter (OUT) of the transistor T4. One resistor RP1 is terminated to a source line VEE1, and the other resistor RP2 to a source line VEE2 of the second low potential. When the high output logic level of the emitter follower EE1 is VOH and the low one VOL, 0>VOH>VOL>VEE2>VEE1 holds in a functional test, and 0>VOH>VOL> VEE2>VEE1 holds in a practical use.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体集積回路、特に、ECL等の消費電力の大きいL
SIを試験する技術に関し、 入出力ビンの多少に関係なくウエハ状態で十分な機能試
験を行うことを目的とし、 論理回路にエミッタ・フォロワを含む半導体集積回路で
あって、前記エミッタ・フォロワの終端用抵抗器を複数
個有し、該複数個の抵抗器がそれぞれ終端される複数の
可変電位を有する電源ラインを備え、前記論理回路の機
能試験時に、前記複数の電源ラインの内の1つの電位を
通常使用電圧に設定し、他の電源ラインの電位を、前記
エミッタ・フォロワの低位の出力論理レベルより以下の
レベルで且つ前記通常使用電圧を越えるレベルに設定す
るよう構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Semiconductor integrated circuits, especially L with high power consumption such as ECL
Regarding the technology for testing SI, the purpose is to perform sufficient functional tests in wafer state regardless of the number of input/output bins, and the purpose is to test semiconductor integrated circuits that include an emitter follower in the logic circuit, and where the termination of the emitter follower is a plurality of power supply lines each having a plurality of variable potentials, each of which is terminated by a plurality of resistors, the potential of one of the plurality of power supply lines is is set to a normally used voltage, and the potentials of other power supply lines are set to levels below the lower output logic level of the emitter follower and above the normally used voltage.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、半導体集積回路に関し、特に、エミッタ結合
型論理回路(ECL)等の消費電力の大きい大規模集積
回路(LS1)を試験する技術に関する。
The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and in particular to a technique for testing large-scale integrated circuits (LS1) such as emitter-coupled logic circuits (ECLs) that consume large amounts of power.

近年のECL−LSIでは、高速化を維持するために、
ゲート当たりの電流/電力を低減することなく高集積化
を図ることが行われている。そのため、試験時において
も大電流/大電力を供給する必要がある。
In recent ECL-LSIs, in order to maintain high speed,
Efforts are being made to increase integration without reducing the current/power per gate. Therefore, it is necessary to supply large current/power even during testing.

〔従来の技術、および発明が解決しようとする課題〕[Prior art and problems to be solved by the invention]

従来のウエハ状態の試験(ウエハ・ブロービング・テス
ト)においては、プローブ針を備えたブローブ・カード
を用いて各チップに実際の使用状態と同様の電源(電流
)を供給し、各回路が正常に動作するか否かの機能試験
を行っている。
In the conventional wafer condition test (wafer blobbing test), a probe card equipped with a probe needle is used to supply power (current) to each chip in the same way as in the actual usage condition, and each circuit is tested normally. We are conducting functional tests to see if it works properly.

ところが、前述したように大電流/大電力化を行うと、
プローブ針を介して電流を供給しているために、該プロ
ーブ針に流せる電流には制限が課せられる。
However, as mentioned above, when increasing the current/power,
Since the current is supplied through the probe needle, a limit is imposed on the current that can be passed through the probe needle.

一方、この制限のためにプローブ針の本数を増やそうと
しても、物理的に配置できない等の理由により全体のプ
ローブ針の本数が制限され、そのため、入出力信号の数
を減らすことになる。これは、ランダム・ロジック回路
では集積度の向上に伴い入出力信号の数も増やさなけれ
ばならないという実態に反しており、問題となっていた
On the other hand, even if an attempt is made to increase the number of probe needles due to this limitation, the total number of probe needles will be limited due to reasons such as physical inability to arrange them, and as a result, the number of input/output signals will be reduced. This has been a problem because it goes against the reality that in random logic circuits, as the degree of integration increases, the number of input/output signals must also increase.

また、ウエハ状態でのプロービングで針の数を増やすに
はコストがかかり、しかも針自体を細く巳なければなら
ないので耐久性もなくなり、コストをさらに上げること
になる。
In addition, increasing the number of needles when probing a wafer is expensive, and the needles themselves must be made thinner, which reduces durability and further increases costs.

従って、入出力信号の数を確保した上で電流を供給する
ことができず、ウエハ状態では十分な機能試験を行うこ
とができなくなる。これは、次工程での歩留りの低下に
つながり、ひいてはコストを上げる要因ともなる。
Therefore, it is not possible to supply current while ensuring the number of input/output signals, and it becomes impossible to perform a sufficient functional test in the wafer state. This leads to a decrease in yield in the next process and is also a factor in increasing costs.

本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作され
たもので、入出力ピンの多少に関係なくウエハ状態で十
分な機能試験を行うことができる半導体集積回路を提供
することを目的としている。
The present invention was created in view of the problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that can perform a sufficient functional test in a wafer state regardless of the number of input/output pins.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記問題点を解決するため、本発明では、ECL回路等
で電流を多く必要とするエミッタ・フォロワの電流を機
能試験時には低減させている。
In order to solve the above problems, the present invention reduces the current of an emitter follower, which requires a large amount of current in an ECL circuit or the like, during a functional test.

従って本発明によれば、論理回路にエミッタ・フォロワ
を含む半導体集積回路であって、前記エミッタ・フォロ
ワの終端用抵抗器を複数個有し、該複数個の抵抗器がそ
れぞれ終端される複数の可変電位を有する電源ラインを
備え、前記論理回路の機能試験時に、前記複数の電源ラ
インの内の1つの電位を通常使用電圧に設定し、他の電
源ラインの電位を、前記エミッタ・フォロワの低位の出
力論理レベルより以下のレベルで且つ前記通常使用電圧
を越えるレベルに設定したことを特徴とする半導体集積
回路が提供される。
Therefore, according to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit including an emitter follower in a logic circuit, the semiconductor integrated circuit having a plurality of resistors for terminating the emitter follower, and a plurality of resistors each terminating the emitter follower. A power supply line having a variable potential is provided, and during a functional test of the logic circuit, one potential of the plurality of power supply lines is set to a normally used voltage, and the potential of the other power supply line is set to a low level of the emitter follower. There is provided a semiconductor integrated circuit characterized in that the output logic level is set to a level lower than the output logic level of the output voltage and a level higher than the normally used voltage.

〔作 用〕[For production]

上述した構成によれば、機能試験時に、1つの電源ライ
ン(Aとする)の電位は通常使用電圧に設定され、他の
電源ライン(Bとする)の電位は該通常使用電圧を越え
るレベルに設定される。従って、電源ラインBに緒端さ
れる抵抗器にかかる電圧は、電源ラインAに終端される
抵抗器にかかる電圧に比して小さくなるので、その抵抗
器に流れる電流は相対的に減少する。そのため、全体と
してエミッタ・フォロワで消費される電流/電力は低減
される。
According to the above-described configuration, during a functional test, the potential of one power supply line (denoted as A) is set to the normally used voltage, and the potential of the other power supply line (denoted as B) is set to a level exceeding the normally used voltage. Set. Therefore, the voltage applied to the resistor terminated in the power supply line B is smaller than the voltage applied to the resistor terminated in the power supply line A, so that the current flowing through the resistor is relatively reduced. Therefore, the overall current/power consumed by the emitter follower is reduced.

これによって、たとえ人出力ピンが多く、実使用時の電
流(電力)消費が大きいLSIでも、電源ピンを増やす
ことなくウエハ状態で十分な機能試験を行うことが可能
となり、また、プローブ用の針の制限を緩和することが
できる。
As a result, even if the LSI has many output pins and consumes a large amount of current (power) during actual use, it is possible to conduct sufficient functional tests in the wafer state without increasing the number of power supply pins. restrictions can be relaxed.

なお、本発明の他の構成上の特徴および作用の詳細につ
いては、添付図面を参照しつつ以下に記述される実施例
を用いて説明する。
Note that other structural features and details of the operation of the present invention will be explained using the embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には本発明の一実施例としてのECL回路の構成
が示される。
FIG. 1 shows the configuration of an ECL circuit as an embodiment of the present invention.

本実施例の回路は、カレント・スイッチCSWとエミッ
ク・フォロヮIEFI とから構戊されている。
The circuit of this embodiment is composed of a current switch CSW and an emic follower IEFI.

カレント・スイッチCSttlは、人力信号INおよび
基準信号Vrefにそれぞれ応答するエミッタ結合され
た1対のnpn型トランジスタT1、 T2と、高電位
の電源5 インVCC’(=OV, GND)  t!
= } ランジスタT1,T2の各コレクタの間に接続
された抵抗器RC1、 RC2と、トランジスタT1.
T2の共通エミッタと第1の低電位の電源ラインvEE
1 (=−4.5V)の間に接続された定電流源(定電
圧信号vCSに応答するnpn型トランジスタT3およ
び抵抗器RE)  とから構成されている。
The current switch CSttl consists of a pair of emitter-coupled npn transistors T1 and T2 that respond to a human input signal IN and a reference signal Vref, respectively, and a high potential power supply VCC' (=OV, GND) t!
= } Resistors RC1 and RC2 connected between the respective collectors of transistors T1 and T2, and transistors T1.
Common emitter of T2 and first low potential power supply line vEE
1 (=-4.5V) (an npn type transistor T3 and a resistor RE that respond to a constant voltage signal vCS).

エミッタ・フォロワEFIは、コレクタが電源ラインv
CCに接続されベースがトランジスタT2のコレクタに
接続されたnpn型トランジスタT4と、該トランジス
タT4のエミッタ (出力OMIT)に接続された2つ
の終端用抵抗器RP1、 RP2とから構成されている
。一方の抵抗器RPI は電源ラインVEEIに終端さ
れ、他方の抵抗器RP2は第2の低電位の電源ラインV
EB2に終端されている。
In the emitter follower EFI, the collector is the power line V
It consists of an npn type transistor T4 connected to CC and whose base is connected to the collector of the transistor T2, and two terminating resistors RP1 and RP2 connected to the emitter (output OMIT) of the transistor T4. One resistor RPI is terminated to the power supply line VEEI, and the other resistor RP2 is terminated to the second low potential power supply line V
Terminated to EB2.

エミッタ・フォロワEFIの高位の出力論理レベルをV
OI{ 、低位の出力論理レベルをV[I1、とすると
、抵抗器RP1、 RP2にそれぞれ流れる電流L,I
2は、以下の式で表される。
Set the high output logic level of the emitter follower EFI to V
OI{ , assuming that the low output logic level is V[I1, the currents L and I flowing through the resistors RP1 and RP2, respectively
2 is expressed by the following formula.

(a)出力論理レベルがVDHの時 1, = (VOH−VEE1)/RPI・・・・・・
(1)I2=(VOH−VEE2)/RP2 ・−・・
・−(2)(b)出力論理レベルがVOLの時 1、=(VOL−VEB1)/RPI −=−=−(3
)12=(VOt,−VEE2)/RP2 −・・−・
・(4)第1の低電位の電源ラインの電位VEEIは、
実使用時の電源電圧(通常使用電圧)となる。また、第
2の低電位の電源ラインの電位VEE2は、本回路の機
能試験時には低位の出力論理レベルVOLより辺下のレ
ベルで且つ通常使用電圧(VEE1)を越えるレベルに
設定され、実使用時においては該通常使用電圧に設定さ
れる。
(a) When the output logic level is VDH, 1, = (VOH-VEE1)/RPI...
(1) I2=(VOH-VEE2)/RP2 ・-・・
-(2)(b) When the output logic level is VOL, 1, =(VOL-VEB1)/RPI -=-=-(3
)12=(VOt, -VEE2)/RP2 -...
・(4) The potential VEEI of the first low potential power supply line is
This is the power supply voltage during actual use (normally used voltage). Furthermore, the potential VEE2 of the second low potential power supply line is set to a level below the low output logic level VOL and above the normally used voltage (VEE1) during the functional test of this circuit, and during actual use. is set to the normally used voltage.

すなわち、機能試験時においては、 0 >VOH >VOL ≧VE[E2)VEEI−=
(5)の関係があり、実使用時においては、 0  >VOH  >VOL  >VEE2=VBE1
−(6)の関係がある。
That is, during the functional test, 0 > VOH > VOL ≧VE [E2) VEEI-=
There is the relationship (5), and in actual use, 0 > VOH > VOL > VEE2 = VBE1
- There is the relationship (6).

終端用抵抗器RPI. RP2は、必ずしも同じ抵抗値
である必要はないが、並列に同電位VEALに接続され
た時には実使用時の抵抗値となるように設定される。
Termination resistor RPI. RP2 does not necessarily have to have the same resistance value, but is set to have the resistance value in actual use when connected in parallel to the same potential VEAL.

通常使用電圧の電源ラインVEEIに#端される抵抗器
RPIは、機能試験が行える限りの大きな抵抗値に設定
される。これによって、試験時に抵抗器RPIに流れる
電流rIを小さくすることができる。
The resistor RPI connected to the power supply line VEEI of the normally used voltage is set to a resistance value as large as possible to perform a functional test. This makes it possible to reduce the current rI flowing through the resistor RPI during testing.

なお、実使用時には高速で動作させるために電流IIを
大きくするが、低速での機能試験時には電流I1は小さ
くても支障はない。
In actual use, the current II is increased in order to operate at high speed, but there is no problem even if the current I1 is small during a function test at low speed.

一方、試験時において電源ラインVEE2の電位は電源
ラインVIEBIの電位よりも高く設定されるので、抵
抗器RP2の両端にかかる電圧を相対的に小さくするこ
とができ、それ.にょって該抵抗器RP2に流れる電流
I2を小さく抑制することができる。
On the other hand, since the potential of the power supply line VEE2 is set higher than the potential of the power supply line VIEBI during the test, the voltage applied across the resistor RP2 can be made relatively small. Therefore, the current I2 flowing through the resistor RP2 can be suppressed to a small value.

従って、全体としてエミッタ・フォロワBFI テ消費
される電流/電力は低減される。特に、V6B2=vO
シとすれば(式(4)参照)、出力論理レベルがVOL
の時には抵抗器RP2に流れる電流I2は0となり、消
費電流/電力はさらに低減される。
Therefore, the overall current/power consumed by the emitter follower BFI is reduced. In particular, V6B2=vO
(see equation (4)), the output logic level is VOL
At the time, the current I2 flowing through the resistor RP2 becomes 0, and the current/power consumption is further reduced.

前述した式(1)〜(6)より、試験時の実使用時に対
する電流比は、以下の式で表される。
From equations (1) to (6) described above, the current ratio during testing to that during actual use is expressed by the following equation.

電流比= 1 − 2 RPI (VEEI−VEE2
)/(RPI +RP2)/ ( 2 VEEI − 
VOI{ − VOL)従って、#端用抵抗器RP1、
 RP2の各抵抗値を適宜選択すれば、第2図に示され
るように、電,涼ラインVEE2の電位の変化に対して
電流比を様々に変えることができる。
Current ratio = 1 - 2 RPI (VEEI - VEE2
)/(RPI +RP2)/(2 VEEI −
VOI{-VOL) Therefore, # end resistor RP1,
By appropriately selecting each resistance value of RP2, the current ratio can be varied in response to changes in the potential of the electric and cooling lines VEE2, as shown in FIG.

なお、第5図には本実施例の回路構成と対比させるため
に従来形のECL回路の一構戒例が示される。
Incidentally, FIG. 5 shows an example of a conventional ECL circuit for comparison with the circuit structure of this embodiment.

従来形においては、エミッタ・フォロワ叶の終端用抵抗
器Rpとそれに対応する電源ラインVEBは1系統のみ
であるため、実使用時の高速化のために抵抗器Rpの抵
抗値を小さく設定してしまうと、試験時においては大電
流が流れるため、従来技術で説明したような種々の問題
点が生じる。逆に、抵抗器Rpの抵抗値を大きく設定し
てしまうと、実際の動作時においては流れる電流が少な
くなるため、高速化が阻害される。つまり、試験時と実
使用時の双方に対して便宜を図ることができるような適
切な抵抗値を選択することができない。
In the conventional type, there is only one emitter/follower leaf termination resistor Rp and the corresponding power supply line VEB, so the resistance value of resistor Rp is set to a small value to increase the speed in actual use. In this case, a large current flows during the test, which causes various problems as described in the related art. On the other hand, if the resistance value of the resistor Rp is set to a large value, the current flowing during actual operation will decrease, which will impede speeding up. In other words, it is not possible to select an appropriate resistance value that is convenient for both testing and actual use.

これに対し本実施例では、エミッタ・フオロワの#端用
抵抗器とそれに対応する電源ラインは2系統設けられて
いるので、従来形に見られたような不都合を解消するこ
とができる。
On the other hand, in this embodiment, two systems are provided for the resistor for the # end of the emitter follower and the power supply line corresponding thereto, so that the inconvenience seen in the conventional type can be solved.

なお、上述した実施例ではエミッタ・フォロワ[EF1
の抵抗器RPIが終端される電源ラインとカレント・ス
イッチCSlilのエミッタ抵抗Rεが接続される電源
ラインは同じ電位VIEEIとなっているが、例えば第
3図に一変形例として示されるように、エミッタ抵抗R
E用として第3の低電位の電源ラインVEE3 (<V
BE1)を別に設けてもよい。
Note that in the embodiment described above, the emitter follower [EF1
The power supply line terminated with the resistor RPI and the power supply line connected with the emitter resistance Rε of the current switch CSlil are at the same potential VIEEI. Resistance R
A third low potential power supply line VEE3 (<V
BE1) may be provided separately.

第4図は他の変形例を示すもので、エミッタ・フォロワ
BF2が、終端用抵抗器RP1、 RP2と共に定電流
源を構成するnpn型トランジスタT5を有している場
合の回路構成を示す。
FIG. 4 shows another modification, and shows a circuit configuration in which the emitter follower BF2 has an npn type transistor T5 that constitutes a constant current source together with the terminating resistors RP1 and RP2.

この場合、試験時において第2の低電位の電源ラインの
電位VεE2をトランジスタT5のエミッタ電位VEと
等しくなるよう(VEE2=Vε)設定すれば、抵抗器
RP2に流れる電流I2は0となるので、より簡単に効
果を上げることができる。
In this case, if the potential VεE2 of the second low-potential power supply line is set to be equal to the emitter potential VE of the transistor T5 (VEE2=Vε) during the test, the current I2 flowing through the resistor RP2 becomes 0. You can increase your effectiveness more easily.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、人出力ピンが多く
、実使用時の電流(電力)消費が大きいLSIでも、電
源ピンを増やすことなくウエノ\状態で十分な機能試験
を行うことができ、プローブ用の針の制限を緩和するこ
とができる。また、同じピン数の場合には、より人出力
ピンの多いLSIの試験が可能となる。
As explained above, according to the present invention, even for LSIs with many output pins and large current (power) consumption during actual use, sufficient functional tests can be performed in the normal state without increasing the number of power supply pins. , the restrictions on probe needles can be relaxed. Furthermore, in the case of the same number of pins, it is possible to test an LSI with more human output pins.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例としてのECL回路の構成を
示す回路図、 第2図は第1図実施例の効果を説明するためのグラフ、 第3図は第1図実施例の第1の変形例の構成を示す回路
図、 第4図は第1図実施例の第2の変形例の構成を示す回路
図、 第5図は従来形のECL回路の一構成例を示す回路図、 である。 (符号の説明) EF1、 EF2・・・エミッタ・フォロワ、RP1、
 RP2・・・#端用抵抗器、VEB1、 VEE2 
− ’14m 5 イ:’ (電位) 、VOL・・・
低位の出力論理レベル、 T5・・・(定電流源を構成する)トランジスタ、VB
・・・(トランジスタT5の)エミッタ電位。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an ECL circuit as an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph for explaining the effect of the embodiment in FIG. 1, and FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a second modification of the embodiment shown in FIG. 1; FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a conventional ECL circuit. , is. (Explanation of symbols) EF1, EF2...emitter follower, RP1,
RP2...# end resistor, VEB1, VEE2
- '14m 5 I:' (Potential), VOL...
Low output logic level, T5...transistor (constituting a constant current source), VB
...Emitter potential (of transistor T5).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、論理回路にエミッタ・フォロワ(EF1、EF2)
を含む半導体集積回路であって、 前記エミッタ・フォロワの終端用抵抗器を複数個(RP
1、RP2)有し、 該複数個の抵抗器がそれぞれ終端される複数の可変電位
(VEE1、VEE2)を有する電源ラインを備え、前
記論理回路の機能試験時に、前記複数の電源ラインの内
の1つの電位(VEE1)を通常使用電圧に設定し、他
の電源ラインの電位(VEE2)を、前記エミッタ・フ
ォロワの低位の出力論理レベル(VOL)より以下のレ
ベルで且つ前記通常使用電圧(VEE1)を越えるレベ
ルに設定したことを特徴とする半導体集積回路。 2、前記通常使用電圧(VEE1)に設定された電源ラ
インに終端される抵抗器(RP1)は、機能試験が行え
る範囲内で他の終端用抵抗器(RP2)に比して大きな
抵抗値に設定されていることを特徴とする請求項1に記
載の半導体集積回路。 3、前記論理回路の機能試験時に、前記他の電源ライン
の電位(VEE2)が前記エミッタ・フォロワ(EFI
)の低位の出力論理レベル(VOL)に設定されること
を特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。 4、前記エミッタ・フォロワ(EF2)は、前記終端用
抵抗器と共に定電流源を構成するトランジスタ(T5)
を有し、前記論理回路の機能試験時に、前記他の電源ラ
インの電位(VEE2)が該トランジスタのエミッタ電
位(VE)に設定されることを特徴とする請求項2に記
載の半導体集積回路。
[Claims] 1. Emitter followers (EF1, EF2) in logic circuit
A semiconductor integrated circuit including a plurality of termination resistors (RP) of the emitter follower.
1, RP2), and includes a power supply line having a plurality of variable potentials (VEE1, VEE2) where the plurality of resistors are respectively terminated, and when testing the function of the logic circuit, one of the plurality of power supply lines One potential (VEE1) is set to the normally used voltage, and the potential of the other power supply line (VEE2) is set to a level below the lower output logic level (VOL) of the emitter follower and at the normally used voltage (VEE1). ) A semiconductor integrated circuit characterized by being set at a level exceeding ). 2. The resistor (RP1) that is terminated to the power line set to the normal operating voltage (VEE1) has a resistance value larger than that of the other terminating resistor (RP2) within the range where the functional test can be performed. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit is set. 3. When testing the function of the logic circuit, the potential of the other power supply line (VEE2) is set to the emitter follower (EFI).
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the semiconductor integrated circuit is set to a low output logic level (VOL) of ). 4. The emitter follower (EF2) is a transistor (T5) that constitutes a constant current source together with the terminating resistor.
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the potential (VEE2) of the other power supply line is set to the emitter potential (VE) of the transistor during a functional test of the logic circuit.
JP1240115A 1989-09-18 1989-09-18 Semiconductor integrated circuit Pending JPH03102866A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04303940A (en) * 1991-04-01 1992-10-27 Nec Corp Semiconductor device

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JPH04303940A (en) * 1991-04-01 1992-10-27 Nec Corp Semiconductor device

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