JPH0310207A - Mode shape converter and production thereof - Google Patents

Mode shape converter and production thereof

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JPH0310207A
JPH0310207A JP1144988A JP14498889A JPH0310207A JP H0310207 A JPH0310207 A JP H0310207A JP 1144988 A JP1144988 A JP 1144988A JP 14498889 A JP14498889 A JP 14498889A JP H0310207 A JPH0310207 A JP H0310207A
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JP
Japan
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waveguide
mode shape
optical device
substrate
shape converter
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JP1144988A
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Inventor
Tatsuya Sakano
坂野 達也
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Fujikura Ltd
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Fujikura Ltd
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Abstract

PURPOSE:To decrease the coupling loss between an optical device and an optical fiber by forming a waveguide on the same substrate as the substrate for the optical device and decreasing the thickness of the waveguide toward the end part on the optical device side. CONSTITUTION:The waveguide 5 formed on the same substrate 1 as the substrate for the optical device is so formed that the thickness thereof decreases continuously or stepwise toward and optical device forming region. The section of the waveguide 5 of the mode shape converter is, therefore, of a flat shape in the coupling part of the optical device and the mode shape converter and can be made into substantially the same shape as the sectional shape of the waveguide of the optical circuit; therefore, the coupling property of the optical device and the mode shape converter is high. On the other hand, the thickness at the end of the waveguide 5 of the mode shape converter on the side opposite to the optical device is relatively large and the sectional shape thereof is nearly circular and, therefore, the coupling property between the optical fiber and the mode shape converter is high. The coupling loss between the optical device and the optical fiber is lowered in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は光通信及び光情報処理等の分野において光スィ
ッチ及び光変調器等の基板型光デバイスと光ファイバと
の間に配置され、両者を光学的に接続するモード形状変
換器及びその製造方法に関し、機能デバイスの性能を損
なわず、光ファイバとの結合性を向上させたモード形状
変換器及びその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Fields of Application] The present invention is used in the fields of optical communications and optical information processing, when the present invention is arranged between a substrate-type optical device such as an optical switch or an optical modulator and an optical fiber. The present invention relates to a mode shape converter that optically connects an optical fiber and a method of manufacturing the same, and a mode shape converter that improves coupling with an optical fiber without impairing the performance of a functional device and a method of manufacturing the same.

[従来の技術] 一般に基板型光デバイスにより構成される光回路の導波
路(光導波路)はSi又はLiN?〕03等の低屈折率
物質からなる基板」−の所定領域に、スパッタリング法
又はCVD法等の方法を使用して、高屈折率物質を被着
して形成されている。
[Prior Art] In general, the waveguide (optical waveguide) of an optical circuit constituted by a substrate-type optical device is made of Si or LiN. ] A high refractive index material is deposited on a predetermined region of a substrate made of a low refractive index material such as 03 using a method such as a sputtering method or a CVD method.

また、Ti又はA1等には前記低屈折率物質からなる基
板中に侵入すると物質の屈折率を高くする作用があり、
前記基板の所定領域にこのTi又はA1等を不純物とし
て拡散導入することにより導波路を形成する方法も使用
されている。
Furthermore, Ti, A1, etc. have the effect of increasing the refractive index of the substance when it enters the substrate made of the low refractive index substance,
A method is also used in which a waveguide is formed by diffusing and introducing Ti or A1 as an impurity into a predetermined region of the substrate.

しかし、いずれの方法においても、導波路はその幅方向
に比して厚さ方向の寸法を小さくする必要がある。例え
ば、スパッタリング法又はCVD法により基板上に高屈
折率物質を堆積して導波路を形成しようとすると、この
堆積層を微細加工する必要上、導波路の厚さを厚くする
ことができない。また、不純物を拡散させる拡散型先導
波路では、不純物拡散速度が基板の結晶方向に依存しな
いとすると、必然的に導波路は幅方向に比して厚さ方向
の長さが短くなる。このため、基板型光デ。
However, in either method, the waveguide needs to be smaller in its thickness direction than in its width direction. For example, when attempting to form a waveguide by depositing a high refractive index material on a substrate by sputtering or CVD, the thickness of the waveguide cannot be increased because the deposited layer must be microfabricated. In addition, in a diffusion-type guiding waveguide that diffuses impurities, assuming that the impurity diffusion rate does not depend on the crystal direction of the substrate, the length of the waveguide in the thickness direction is inevitably shorter than that in the width direction. For this reason, substrate-type optical devices.

バイスの導波路からの出射スポット形状(モード形状)
は扁平な形状となっている。
Outgoing spot shape (mode shape) from the vice waveguide
has a flat shape.

一方、この基板型光デバイスの導波路と接続される光フ
ァイバの出射スポット形状は円形である。
On the other hand, the output spot shape of the optical fiber connected to the waveguide of this substrate type optical device is circular.

このため、基板型光デバイスの導波路と光ファイバとを
、例えば、バットジヨイント法により直接接合すると、
両者のモード形状の違いに起因して光信号の結合損失が
発生する。そこで、このモード結合損失を回避するため
に、モード形状変換器が使用されている。
For this reason, if the waveguide of a substrate-type optical device and an optical fiber are directly joined by, for example, the butt joint method,
Coupling loss of optical signals occurs due to the difference in mode shape between the two. Therefore, mode shape converters are used to avoid this mode coupling loss.

第4図は従来のモード形状変換器を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional mode shape converter.

従来のモード形状変換器はファイバ型であり、高屈折率
物質からなるコア11とこのコア11の周面を被覆する
低屈折率物質からなるクラッド層12とにより構成され
ている。そして、コア11の一方の端部の形状は円形で
あり、他方の端部の形状は光回路の導波路の断面と同一
の矩形形状となっている。
A conventional mode shape converter is of a fiber type and is composed of a core 11 made of a high refractive index material and a cladding layer 12 made of a low refractive index material covering the circumferential surface of the core 11. One end of the core 11 has a circular shape, and the other end has a rectangular shape that is the same in cross section as the waveguide of the optical circuit.

このモード形状変換器は、第5図に示すように、前記一
方の端部を光ファイバと連結し、他方の端部を光回路の
導波路と連結して使用する。これにより、光デバイスと
光ファイバとの間の結合損失を低減できる。
As shown in FIG. 5, this mode shape converter is used with one end connected to an optical fiber and the other end connected to a waveguide of an optical circuit. Thereby, coupling loss between the optical device and the optical fiber can be reduced.

[発明が解決しようとする課題] 5 しかしながら、上述した従来のファイバ型モード形状変
換器は基板に形成される光デバイスとは別体をなし、別
の工程で製造する必要がある。また、光デバイスと同一
の基板に製作することができないため、光デバイスと光
ファイバとを結合するためには、光デバイスとモード形
状変換器との間及びモード形状変換器と光ファイバとの
間で光軸を合わせる必要があり、光軸を合わせるための
工程が2回必要であるので、作業が極めて煩雑である。
[Problems to be Solved by the Invention] 5 However, the above-described conventional fiber-type mode shape converter is a separate body from the optical device formed on the substrate, and needs to be manufactured in a separate process. In addition, since it cannot be manufactured on the same substrate as the optical device, in order to couple the optical device and the optical fiber, it is necessary to connect the optical device and the mode shape converter and between the mode shape converter and the optical fiber. It is necessary to align the optical axes, and the process for aligning the optical axes is required twice, making the work extremely complicated.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
光デバイスと同一の基板に同一の工程で製作することが
可能であり、製造工程が簡素化されると共に、光デバイ
スと光ファイバとを結合する際の光軸合わせが1回だけ
でよいモード形状変換器及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of such problems, and includes:
A mode shape that can be manufactured on the same substrate and in the same process as the optical device, which simplifies the manufacturing process and requires only one optical axis alignment when coupling the optical device and optical fiber. The object of the present invention is to provide a converter and a method for manufacturing the same.

[課題を解決するための手段] 本願の第1発明に係るモード形状変換器は、基板型光デ
バイスと光ファイバとを接続するモード=6− 形状変換器において、前記光デバイスが形成されている
基板と同一の基板に形成され、前記光デバイスの形成領
域に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少してい
る導波路を有し、この導波路の前記光デバイス側の端部
が前記光デバイスと結合されていることを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] A mode shape converter according to the first invention of the present application is a mode shape converter for connecting a substrate type optical device and an optical fiber, in which the optical device is formed. It has a waveguide formed on the same substrate as the substrate and whose thickness decreases continuously or stepwise toward the formation region of the optical device, and the end of the waveguide on the optical device side is It is characterized in that it is combined with the optical device.

本願の第2発明に係るモード形状変換器の製造方法は、
その拡散導入領域の屈折率を高くする不純物を含有する
拡散源層を基板上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
に又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程
と、前記拡散源層から前記不純物を前記基板及び上部ク
ラッド層に拡散させて導波路を形成する工程とををする
ことを特徴とする。
The method for manufacturing a mode shape converter according to the second invention of the present application includes:
A step of forming a diffusion source layer containing an impurity that increases the refractive index of the diffusion introduction region in a predetermined region on the substrate, and a step of forming the diffusion source layer on the substrate so that the layer thickness increases continuously toward one end of the diffusion source layer. Alternatively, the method may include the steps of forming an upper cladding layer that decreases in steps, and diffusing the impurity from the diffusion source layer into the substrate and the upper cladding layer to form a waveguide.

本願の第3発明に係るモード形状変換器の製造方法は、
基板上に下部クラッド層を形成する工程と、拡散導入領
域の屈折率を高くする不純物を含有する拡散源層を前記
下部クラッド層上の所定領域に形成する工程と、この拡
散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が連続的
又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する工程と
、前記拡散源層から前記不純物を前記下部クラッド層及
び上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する工程と
ををすることを特徴とする。
The method for manufacturing a mode shape converter according to the third invention of the present application includes:
forming a lower cladding layer on the substrate; forming a diffusion source layer containing an impurity that increases the refractive index of the diffusion introduction region in a predetermined region on the lower cladding layer; forming an upper cladding layer whose layer thickness decreases continuously or stepwise toward one end; and diffusing the impurity from the diffusion source layer into the lower cladding layer and the upper cladding layer to form a waveguide. and a step of forming.

[作用コ 本発明に係るモード形状変換器は光デバイスと同一の基
板に形成されており、導波路はその厚さが光デバイス形
成領域に向かって連続的又は段階的に減少している。こ
れにより、光デバイスとモード形状変換器との結合部に
おいて、モード形状変換器の導波路の断面は扁平形状と
なり、光回路の導波路の断面形状と実質的に同一にする
ことができる。このため、光デバイスとモード形状変換
器との結合性が高い。
[Operation] The mode shape converter according to the present invention is formed on the same substrate as the optical device, and the thickness of the waveguide decreases continuously or stepwise toward the optical device formation region. As a result, at the coupling portion between the optical device and the mode shape converter, the waveguide of the mode shape converter has a flat cross-sectional shape, and can be made substantially the same as the cross-sectional shape of the waveguide of the optical circuit. Therefore, the coupling between the optical device and the mode shape converter is high.

一方、モード形状変換器の導波路における前記光デバイ
スの反対側の端部の厚さが比較的厚いため、その断面形
状は円形又は円形に近い形状である。このため、この端
部に連結される光ファイバとモード形状変換器との間の
結合性も高い。従って、光デバイスと光ファイバとの間
の結合損失を低減できる。
On the other hand, since the end of the waveguide of the mode shape converter opposite the optical device is relatively thick, its cross-sectional shape is circular or nearly circular. Therefore, the coupling between the optical fiber connected to this end and the mode shape converter is also high. Therefore, coupling loss between the optical device and the optical fiber can be reduced.

また、本発明においては、モード形状変換器の先導波路
を光デバイスと同一の基板に形成しであるので、軸合わ
せは前記先導波路と光ファイバとの間のみで足り、軸合
わせ作業を簡素化できる。
Furthermore, in the present invention, since the leading waveguide of the mode shape converter is formed on the same substrate as the optical device, alignment is only required between the leading waveguide and the optical fiber, which simplifies the alignment work. can.

一方、本発明方法においては、基板又はクラ・yド層に
拡散導入された場合にその拡散導入領域の屈折率を高く
する作用を有する不純物を含有する拡散源層を基板(請
求項2の場合)又はクラ・ソト層(請求項3の場合)上
の所定領域に形成する。
On the other hand, in the method of the present invention, a diffusion source layer containing an impurity that has the effect of increasing the refractive index of the diffusion region when diffused into the substrate or the cladding layer is used as the substrate (in the case of claim 2). ) or in a predetermined area on the Kura Soto layer (in the case of claim 3).

このような不純物としては、T i+ AI及びGe等
の金属並びにこれらの金属酸化物がある。
Such impurities include metals such as T i+ AI and Ge, and oxides of these metals.

この不純物の層(拡散源層)上にモード形状変換器形成
領域の一方の端部に向かってその層厚が連続的又は段階
的に減少する上部クラッド層を形成する。その後、前記
不純物を基板又は下部クラッド層及び上部クラッド層中
に拡散させて導波路を形成する。
An upper cladding layer is formed on this impurity layer (diffusion source layer), the layer thickness of which decreases continuously or stepwise toward one end of the mode shape converter forming region. Thereafter, the impurity is diffused into the substrate or into the lower cladding layer and the upper cladding layer to form a waveguide.

この場合、不純物は上下方向に拡散して所定の9 厚さの導波路が形成されるが、前記一方の端部の近傍に
おいては、上部クラッド層の層厚が薄いため、不純物は
上部クラッド層の表面まで到達する。
In this case, the impurities are diffused in the vertical direction to form a waveguide with a predetermined thickness of 9 mm, but near the one end, the layer thickness of the upper cladding layer is thin, so the impurities are diffused in the upper cladding layer. reach the surface.

従って、形成された導波路はその厚さが前記一方の端部
に向かって減少しており、この端部における断面は扁平
な形状になる。このため、基板型光デバイスの導波路と
の結合性が優れている。また、導波路の他方の端部にお
ける断面は、導波路の厚さが厚いため、円形又は円形に
近い形状となる。
Therefore, the thickness of the formed waveguide decreases toward the one end, and the cross section at this end becomes flat. Therefore, the coupling property with the waveguide of the substrate type optical device is excellent. Furthermore, the cross section at the other end of the waveguide has a circular or nearly circular shape because the waveguide is thick.

このため、光ファイバとの結合性も良好である。Therefore, the coupling property with the optical fiber is also good.

なお、光デバイスの導波路を不純物拡散により形成する
場合、本発明方法は、光デバイスと同一の基板に光デバ
イスの製造工程と同一の工程で実施することが可能であ
る。
Note that when a waveguide of an optical device is formed by impurity diffusion, the method of the present invention can be carried out on the same substrate as the optical device in the same process as the manufacturing process of the optical device.

[実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第1図(a)乃至(C)は本発明の第1の実施例方法を
工程順に示す断面図である。
FIGS. 1(a) to 1(C) are cross-sectional views showing the method of the first embodiment of the present invention in the order of steps.

先ず、第1図(a)に示すように、Si基板10 を例えば温度が1100°Cの酸水素火炎中に35時間
保持することにより、SiO2からなる仮クラッド層2
を形成する。この仮クラッド層2の層厚は例えば、約4
μmである。この仮クラッド層2」二にTiをスパッタ
リングした後、ホトリングラフィを使用して所定領域以
外のTiを選択的に除去し、例えば幅が6μm1厚さが
200人の帯状のTi/iW3を形成する。
First, as shown in FIG. 1(a), a temporary cladding layer 2 made of SiO2 is formed by holding the Si substrate 10 in an oxyhydrogen flame at a temperature of 1100°C for 35 hours, for example.
form. The layer thickness of this temporary cladding layer 2 is, for example, about 4
It is μm. After sputtering Ti on this temporary cladding layer 2, Ti is selectively removed from areas other than the predetermined areas using photolithography to form a band-shaped Ti/iW3 with a width of 6 μm and a thickness of 200 mm, for example. do.

次に、第1図(b)に示すように、仮クラッド層2及び
Ti層層上上、シャドーマスクスパッタリング法を使用
することにより、基板の一方の端部側が厚くなる。よう
に0乃至1μmの範囲で連続的に層厚を変化させてSi
O2からなる上部クラッド層4を形成する。
Next, as shown in FIG. 1(b), one end of the substrate is thickened by using a shadow mask sputtering method on the temporary cladding layer 2 and the Ti layer. By continuously changing the layer thickness in the range of 0 to 1 μm, Si
An upper cladding layer 4 made of O2 is formed.

次いで、第1図(C)に示すように、酸水素火炎中で7
時間保持してTi層3がら仮クラッド層2及び上部クラ
ッド層4にTiを拡散させて導波路5を形成する。
Then, as shown in Figure 1 (C), 7
Ti is diffused from the Ti layer 3 into the temporary cladding layer 2 and the upper cladding layer 4 for a certain period of time to form a waveguide 5.

第2図は実際に上述の方法により形成したモード形状変
換器を示す斜視図である。このようにして形成したモー
ド形状変換器の導波路5の一方の端部におけるモード形
状は、幅が7μm1深さが4μmであり、他方の端部に
おけるモード形状は幅が7μm1深さが2.5μmであ
った。
FIG. 2 is a perspective view showing a mode shape converter actually formed by the above method. The mode shape at one end of the waveguide 5 of the mode shape converter thus formed has a width of 7 μm and a depth of 4 μm, and the mode shape at the other end has a width of 7 μm and a depth of 2.0 μm. It was 5 μm.

次に、本発明の第2の実施例方法について説明する。Next, a second embodiment method of the present invention will be described.

先ず、LiNbO3基板上にスパッタリング法を使用し
て金属Tiを600人の厚さに堆積する。
First, metallic Ti is deposited to a thickness of 600 nm on a LiNbO3 substrate using a sputtering method.

そして、リフトオフ法により帯状の領域にのみTi層を
残存させる。
Then, the Ti layer is left only in the band-shaped region by a lift-off method.

次に、基板上及びTi層上にシャドーマスクスパッタリ
ング法を使用してL i N b O3を0乃至1μm
の範囲で連続的に層厚を変化させて堆積し、上部クラッ
ド層を形成する。
Next, a shadow mask sputtering method was used to deposit LiNbO3 on the substrate and the Ti layer in a thickness of 0 to 1 μm.
The upper cladding layer is formed by depositing the layer with a layer thickness that is continuously changed within the range of .

次いで、温度カ月050°Cの不活性ガス中で6時間保
持してTiをL i N b 03基板及び上部クラッ
ド層中に′熱拡散させて導波路を形成する。この第2の
実施例方法も第1の実施例と同様の効果を奏する。
Next, Ti is thermally diffused into the L i N b 03 substrate and the upper cladding layer by holding it in an inert gas at a temperature of 050° C. for 6 hours to form a waveguide. The method of this second embodiment also has the same effects as the first embodiment.

実際に上述の方法で形成したモード形状変換器の導波路
のモード形状は、その一方の端部において幅が9μm1
深さが7μmであり、他方の端部において幅が9μm1
深さが5.6μmの楕円状であった。
The mode shape of the waveguide of the mode shape converter actually formed by the above method has a width of 9 μm at one end.
7μm deep and 9μm wide at the other end
It had an elliptical shape with a depth of 5.6 μm.

また、同様の条件で第3図に示すようにモード形状変換
器の導波路の延長上に方向性結合器光スィッチ(光回路
)を同時に形成したところ、光スィッチのスイッチ性能
は従来と変わらず、光ファイバとの結合損失が2.0d
B改善された光スィッチが得られた。
Furthermore, when a directional coupler optical switch (optical circuit) was simultaneously formed on the extension of the waveguide of the mode shape converter as shown in Figure 3 under similar conditions, the switching performance of the optical switch remained unchanged. , coupling loss with optical fiber is 2.0d
B. An improved optical switch was obtained.

[発明の効果] 以上説明したように本発明に係るモード形状変換器は、
光デバイスと同一の基板に形成されており、光デバイス
側の端部に向かって導波路の厚さが減少しているから、
モード形状変換器と光回路との結合部における光回路の
導波路の断面形状とモード形状変換器の導波路の断面形
状とを実質的に同一にすることができる。このため、光
デバイスとの結合性が向上する。また、モード形状変換
器の他端部における導波路の厚さを厚くすること13− ができるため、この他端部における導波路断面形状を円
形又は円形に近い形状とすることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, the mode shape converter according to the present invention has the following effects:
It is formed on the same substrate as the optical device, and the thickness of the waveguide decreases toward the end on the optical device side.
The cross-sectional shape of the waveguide of the optical circuit at the coupling portion between the mode shape converter and the optical circuit can be made substantially the same as the cross-sectional shape of the waveguide of the mode shape converter. Therefore, the connectivity with optical devices is improved. Furthermore, since the thickness of the waveguide at the other end of the mode shape converter can be increased, the cross-sectional shape of the waveguide at the other end can be circular or nearly circular.

このため、光ファイバとの結合性も向上する。これによ
り、光デバイスと光ファイバとの間の結合損失が少ない
と共に、1回の軸合わせて光ファイバと光デバイスとを
結合できる。
Therefore, the coupling performance with the optical fiber is also improved. Thereby, the coupling loss between the optical device and the optical fiber is small, and the optical fiber and the optical device can be coupled with one axis alignment.

また、本発明方法によれば、拡散源層上にその一方の端
部に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少する上
部クラッド層を形成し、この上部クラッド層に拡散源層
から不純物を拡散させて導波路を形成するから、上述の
モード形状変換器を光回路の機能デバイスと同一の工程
で容易に製造することができる。
Further, according to the method of the present invention, an upper cladding layer whose thickness decreases continuously or stepwise toward one end thereof is formed on the diffusion source layer, and from the diffusion source layer to the upper cladding layer. Since the waveguide is formed by diffusing impurities, the mode shape converter described above can be easily manufactured in the same process as the functional device of the optical circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)乃至(c)は本発明の第1の実施例方法を
工程順に示す断面図、第2図は同じくその完成したモー
ド形状変換器を示す斜視図、第3図は本発明の第2の実
施例方法により完成したモード形状変換器により光ファ
イバと光回路とを結合した状態を示す模式的側面図、第
4図は従来の4− モード形状変換器を示す斜視図、第5図は従来のモード
形状変換器により光ファイバと光回路とを結合した状態
を示す模式的側面図である。 1;基板、2;仮クラッド層、3;Ti層、4;上部ク
ラッド層、5;導波路、11:コア、12;クラッド層
FIGS. 1(a) to (c) are cross-sectional views showing the method according to the first embodiment of the present invention in the order of steps, FIG. 2 is a perspective view showing the completed mode shape converter, and FIG. FIG. 4 is a schematic side view showing a state in which an optical fiber and an optical circuit are coupled by a mode shape converter completed by the method of the second embodiment; FIG. 4 is a perspective view showing a conventional 4-mode shape converter; FIG. 5 is a schematic side view showing a state in which an optical fiber and an optical circuit are coupled by a conventional mode shape converter. 1: Substrate, 2: Temporary cladding layer, 3: Ti layer, 4: Upper cladding layer, 5: Waveguide, 11: Core, 12: Cladding layer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板型光デバイスと光ファイバとを接続するモー
ド形状変換器において、前記光デバイスが形成されてい
る基板と同一の基板に形成され、前記光デバイスの形成
領域に向かってその厚さが連続的又は段階的に減少して
いる導波路を有し、この導波路の前記光デバイス側の端
部が前記光デバイスと結合されていることを特徴とする
モード形状変換器。
(1) In a mode shape converter that connects a substrate-type optical device and an optical fiber, the mode shape converter is formed on the same substrate on which the optical device is formed, and its thickness increases toward the formation area of the optical device. 1. A mode shape converter comprising a waveguide that decreases continuously or stepwise, and an end of the waveguide on the optical device side is coupled to the optical device.
(2)その拡散導入領域の屈折率を高くする不純物を含
有する拡散源層を基板上の所定領域に形成する工程と、
この拡散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が
連続的に又は段階的に減少する上部クラッド層を形成す
る工程と、前記拡散源層から前記不純物を前記基板及び
上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する工程とを
有することを特徴とするモード形状変換器の製造方法。
(2) forming in a predetermined region on the substrate a diffusion source layer containing an impurity that increases the refractive index of the diffusion introduction region;
forming an upper cladding layer on the diffusion source layer, the layer thickness of which decreases continuously or stepwise toward one end; and transferring the impurities from the diffusion source layer to the substrate and the upper cladding layer. 1. A method for manufacturing a mode shape converter, comprising the step of: diffusing into a waveguide to form a waveguide.
(3)基板上に下部クラッド層を形成する工程と、拡散
導入領域の屈折率を高くする不純物を含有する拡散源層
を前記下部クラッド層上の所定領域に形成する工程と、
この拡散源層上にその一方の端部に向かってその層厚が
連続的又は段階的に減少する上部クラッド層を形成する
工程と、前記拡散源層から前記不純物を前記下部クラッ
ド層及び上部クラッド層に拡散させて導波路を形成する
工程とを有することを特徴とするモード形状変換器の製
造方法。
(3) forming a lower cladding layer on the substrate; and forming a diffusion source layer containing an impurity that increases the refractive index of the diffusion introduction region in a predetermined region on the lower cladding layer;
forming an upper cladding layer on the diffusion source layer, the layer thickness of which decreases continuously or stepwise toward one end; and transferring the impurities from the diffusion source layer to the lower cladding layer and the upper cladding layer. 1. A method for manufacturing a mode shape converter, comprising the step of diffusing into a layer to form a waveguide.
(4)前記拡散源層はTi、Al及びGeからなる群か
ら選択された金属又はその酸化物であることを特徴とす
る請求項2又は3に記載のモード形状変換器の製造方法
(4) The method for manufacturing a mode shape converter according to claim 2 or 3, wherein the diffusion source layer is a metal selected from the group consisting of Ti, Al, and Ge or an oxide thereof.
(5)前記上部クラッド層はLiNbO_3、LiTa
O_3、Al_2O_3及びSiO_2からなる群から
選択された透明誘電体であることを特徴とする請求項2
乃至4のいずれか1項に記載のモード形状変換器の製造
方法。
(5) The upper cladding layer is made of LiNbO_3, LiTa
Claim 2 characterized in that the transparent dielectric material is selected from the group consisting of O_3, Al_2O_3 and SiO_2.
5. A method for manufacturing a mode shape converter according to any one of items 4 to 4.
(6)前記基板はSiからなり、前記下部クラッド層は
この基板を熱酸化させて形成することを特徴とする請求
項3乃至5のいずれか1項に記載のモード形状変換器の
製造方法。(7)前記導波路はLiNbO_3中にTi
を拡散させて形成されたことを特徴とする請求項1に記
載のモード形状変換器。
(6) The method for manufacturing a mode shape converter according to any one of claims 3 to 5, wherein the substrate is made of Si, and the lower cladding layer is formed by thermally oxidizing the substrate. (7) The waveguide is made of Ti in LiNbO_3.
2. The mode shape converter according to claim 1, wherein the mode shape converter is formed by diffusing.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06214137A (en) * 1993-01-20 1994-08-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Connecting structure of optical waveguide array and optical fiber array
JP2002328244A (en) * 2001-05-01 2002-11-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical component
FR2854469A1 (en) * 2003-04-01 2004-11-05 Cit Alcatel Semiconductor optical device e.g. semiconductor optical amplifier, manufacturing method, involves forming semiconductor layer comprising uniform thickness in one zone and varying thickness in another zone, above protection layer
JP2006284961A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Optical modulator

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