JPH0291156A - 高度に促進した耐候試験下に低下したラジカルの生成を有するポリアリーレンスルフイド混合物 - Google Patents
高度に促進した耐候試験下に低下したラジカルの生成を有するポリアリーレンスルフイド混合物Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
- C08K5/37—Thiols
- C08K5/375—Thiols containing six-membered aromatic rings
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- C08K5/41—Compounds containing sulfur bound to oxygen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリアリーレンスルフィド(PAS)、好まし
くはポリフェニレンスルフィド(p P S)、及びピ
レン類の混合物に関する。本発明の混合物は高度に促進
した耐候試験(UV照射)下に低下したラジカルの生成
を示す。
くはポリフェニレンスルフィド(p P S)、及びピ
レン類の混合物に関する。本発明の混合物は高度に促進
した耐候試験(UV照射)下に低下したラジカルの生成
を示す。
ポリアリーレンスルフィド及びその製造は公知である(
たとえば米国特許第3,354.129号、ヨーロッパ
特許公開第171021号参照)。
たとえば米国特許第3,354.129号、ヨーロッパ
特許公開第171021号参照)。
ポリアリーレンスルフィド樹脂は、その熱安定性、耐溶
剤性、耐炎性及びその他の性質において、多くの熱可塑
性プラスチックよりもすぐれている。
剤性、耐炎性及びその他の性質において、多くの熱可塑
性プラスチックよりもすぐれている。
しかしながら、それらは、特に酸素の存在において、紫
外線(U V)照射に対する低い安定性を示す。それ故
、たとえば、PASの成形品、フィルム及び繊維は、外
部使用に対しては限られた範囲で適するのみである。
外線(U V)照射に対する低い安定性を示す。それ故
、たとえば、PASの成形品、フィルム及び繊維は、外
部使用に対しては限られた範囲で適するのみである。
PASは、他のプラスチックと同様に、重量で少なくと
も10%のカーボンブラックで安定化することができる
(たとえば、日本特許公開第100139号参照)。こ
のようなPAS配合物の欠点は、それらが黒色の部品に
対してのみ使用できるにすぎないこと及びそれらがポリ
アリーレンスルフィドのきわめて良好な電気絶縁性を害
するということを含んでいる。
も10%のカーボンブラックで安定化することができる
(たとえば、日本特許公開第100139号参照)。こ
のようなPAS配合物の欠点は、それらが黒色の部品に
対してのみ使用できるにすぎないこと及びそれらがポリ
アリーレンスルフィドのきわめて良好な電気絶縁性を害
するということを含んでいる。
PASは銅(I)ハロゲン化物の添加によって安定化で
きるということもまた公知である(たとえば、ドイツ特
許公開第3617138号参照)。
きるということもまた公知である(たとえば、ドイツ特
許公開第3617138号参照)。
しかしながら、PPS中の硫黄化合物は銅化合物によっ
て暗色化を生じる。たとえば、ジブチルジチオカルバミ
ン酸ニッケルのようなニッケル含有安定剤も同様な挙動
を示す。(たとえば、米国特許第4.413.081号
参照)。
て暗色化を生じる。たとえば、ジブチルジチオカルバミ
ン酸ニッケルのようなニッケル含有安定剤も同様な挙動
を示す。(たとえば、米国特許第4.413.081号
参照)。
その上、PPSは、遅延硬化によって、たとえば、すず
カルボン酸塩及び酸化物(たとえばヨーロッパ特許第9
4038号参照)、立体障害をもつフェノール(たとえ
ばヨーロツ/<特許Wg94092号参照)、N−アセ
チル化アミノトリアゾール(たとえばヨーロッパ特許第
94091号参照)の添加によって、加工中に安定化す
ることができる。
カルボン酸塩及び酸化物(たとえばヨーロッパ特許第9
4038号参照)、立体障害をもつフェノール(たとえ
ばヨーロツ/<特許Wg94092号参照)、N−アセ
チル化アミノトリアゾール(たとえばヨーロッパ特許第
94091号参照)の添加によって、加工中に安定化す
ることができる。
残念ながら、この添加剤は、ラジカルに基づく損傷への
保護を全く与えない。紫外線に対する不適切な安定性(
結合の切断)の直接的な尺度は、照射下のラジカルの濃
度を測定することによって取得することができる。テト
ラメチルピペリジンをPPS安定剤として使用した場合
(たとえば米国特許第4.370.430号参照)のこ
の方法によって、ラジカル生成の低下は全く認められな
かった。
保護を全く与えない。紫外線に対する不適切な安定性(
結合の切断)の直接的な尺度は、照射下のラジカルの濃
度を測定することによって取得することができる。テト
ラメチルピペリジンをPPS安定剤として使用した場合
(たとえば米国特許第4.370.430号参照)のこ
の方法によって、ラジカル生成の低下は全く認められな
かった。
ここに、ポリアリーレンスルフィド、好ましくはポリフ
ェニレンスルフィド、と選択したピレン類の混合物は、
空気中のUV照射下に、従来の方法で処理した非安定化
製品よりも著しく低いラジカル生成速度を示すことが見
出された。
ェニレンスルフィド、と選択したピレン類の混合物は、
空気中のUV照射下に、従来の方法で処理した非安定化
製品よりも著しく低いラジカル生成速度を示すことが見
出された。
かくして本発明は
A)重量で99.1〜90%のポリアリーレンスルフィ
ド、好ましくはポリフェニレンスルフィド、 B)重量で0.1〜10%の式Iに相当するピレン 式中で X1〜x4は相互に無関係に−5−R基、水素、F%C
Q、Br、I、ニトロ基又はスルホン酸基あるいはその
アルカリ(Na、K)塩を表わし、但し置換基X1〜X
′の中の二つのみを水素とすることができ、且つRはC
1〜Cttアルキル、C,〜C1,シクロアルキル、C
7〜C,アラルキル又はアルキルアリール、C6〜C1
,アリール、好ましくはフェニルを表わし;アリール基
は場合よっては置換(たとえば、ハロゲン、01〜C,
アルキルなどにより)してあってもよい、 及び C)任意的に、成分A+Hの重量の合計に基づいて、重
量で0.01〜100%のその他の添加剤 の混合物に関するものである。
ド、好ましくはポリフェニレンスルフィド、 B)重量で0.1〜10%の式Iに相当するピレン 式中で X1〜x4は相互に無関係に−5−R基、水素、F%C
Q、Br、I、ニトロ基又はスルホン酸基あるいはその
アルカリ(Na、K)塩を表わし、但し置換基X1〜X
′の中の二つのみを水素とすることができ、且つRはC
1〜Cttアルキル、C,〜C1,シクロアルキル、C
7〜C,アラルキル又はアルキルアリール、C6〜C1
,アリール、好ましくはフェニルを表わし;アリール基
は場合よっては置換(たとえば、ハロゲン、01〜C,
アルキルなどにより)してあってもよい、 及び C)任意的に、成分A+Hの重量の合計に基づいて、重
量で0.01〜100%のその他の添加剤 の混合物に関するものである。
基−5−R中の置換基Rの例はメチル、エチル、イソプ
ロピル、n−ブチル、5ee−ブチル、tertブチル
、n−アミル、イソアミル、2−エチルヘキシル、ドデ
シル、パルミチル、ステアリル、シクロヘキシル、ベン
ジル、フェニル、クレシル、クロロフェニル、ニトロフ
ェニル、ナフチルである。
ロピル、n−ブチル、5ee−ブチル、tertブチル
、n−アミル、イソアミル、2−エチルヘキシル、ドデ
シル、パルミチル、ステアリル、シクロヘキシル、ベン
ジル、フェニル、クレシル、クロロフェニル、ニトロフ
ェニル、ナフチルである。
本発明における使用に対して適するピレン類は公知であ
り且つピレンのハロゲン化(ドイツ特許公開第3.53
2,882号、リービッヒス アナーレン デル ヒエ
ミー 531,2(I937))、ニトロ化又はスルホ
ン化によって製造することができる。
り且つピレンのハロゲン化(ドイツ特許公開第3.53
2,882号、リービッヒス アナーレン デル ヒエ
ミー 531,2(I937))、ニトロ化又はスルホ
ン化によって製造することができる。
チオエーテル基含有ピレンは、1.2,6.8−テトラ
ハロピレンを極性非プロトン溶剤中で相当するメルカプ
チドと反応させることによって製造する(たとえばドイ
ツ特許公告第3,814.534号参照)。
ハロピレンを極性非プロトン溶剤中で相当するメルカプ
チドと反応させることによって製造する(たとえばドイ
ツ特許公告第3,814.534号参照)。
本発明による混合物は、場兄よっては、成分A十Bの重
量の合計に基づいて、重量で0.01〜lOO%の、た
とえば、ガラス繊維、炭素繊維、タルク、炭酸カルシウ
ム又は硫酸カルシウムなどのような、標準的な充填剤を
含有することができる。
量の合計に基づいて、重量で0.01〜lOO%の、た
とえば、ガラス繊維、炭素繊維、タルク、炭酸カルシウ
ム又は硫酸カルシウムなどのような、標準的な充填剤を
含有することができる。
本発明による混合物は、UV光(> 305 nm)の
照射下に未安定化ポリアリーレンスルフィドよりも低い
ラジカル生成速度(−110℃においてESRによって
測定)を示すという利点を有している。力)<シて、そ
れらは、jことえば、日光のような気候の影響にさらさ
れる成形製品を成形するために加工することができる。
照射下に未安定化ポリアリーレンスルフィドよりも低い
ラジカル生成速度(−110℃においてESRによって
測定)を示すという利点を有している。力)<シて、そ
れらは、jことえば、日光のような気候の影響にさらさ
れる成形製品を成形するために加工することができる。
実施例
比較例
44Pa(306℃、1000s−つの溶融粘度を有す
るlOIのポリ−p−フェニレンスルフィドから溶融物
を調製する。フランダム スクレーバーを使用して、こ
の溶融物からPPSフレークをかき取り、ESR管(直
径3 lIlm)中に入れ、その中でそれを、空気中で
一110℃において、短波長成分(< 305 nm)
がフィルターにより除去しである500ワツト水銀灯で
照射する。低温は照射によって生じるラジカルのその後
の反応を防止する。
るlOIのポリ−p−フェニレンスルフィドから溶融物
を調製する。フランダム スクレーバーを使用して、こ
の溶融物からPPSフレークをかき取り、ESR管(直
径3 lIlm)中に入れ、その中でそれを、空気中で
一110℃において、短波長成分(< 305 nm)
がフィルターにより除去しである500ワツト水銀灯で
照射する。低温は照射によって生じるラジカルのその後
の反応を防止する。
60分で生じるラジカルと30分で生じるラジカルの間
の差をラジカル生成速度の尺度として使用する。差:1
82 (比較値) 実施例1 107のPPSと0.59の1.3.6.8−ピレンテ
トラスルホン酸、Na、塩から溶融したブロックを調製
する。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:
126゜ 実施例2 102のPPSと0.52の1.3.6.8−テトラブ
ロモピレンから溶融したブロックを調製する。
の差をラジカル生成速度の尺度として使用する。差:1
82 (比較値) 実施例1 107のPPSと0.59の1.3.6.8−ピレンテ
トラスルホン酸、Na、塩から溶融したブロックを調製
する。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:
126゜ 実施例2 102のPPSと0.52の1.3.6.8−テトラブ
ロモピレンから溶融したブロックを調製する。
その後の手順は比較例に記すとおりである。
差: 104゜
実施例3
102のPPSと0.52の1.3.6.8−テトラメ
チルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:13
0゜ 実施例4 101のppsと0.52の1.3,6.8−テトラエ
チルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:16
9゜ 実施例5 11のPPSと0.52の1.3.6.8−テトラフェ
ニルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差=74
゜ 実施例6 10、?のPPSと0.5.?の1.3.6−ドリブロ
モピレンから溶融したブロックを調製する。その後の手
順は比較例に記すとおりである。
チルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:13
0゜ 実施例4 101のppsと0.52の1.3,6.8−テトラエ
チルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差:16
9゜ 実施例5 11のPPSと0.52の1.3.6.8−テトラフェ
ニルメルカプトピレンから溶融したブロックを調製する
。その後の手順は比較例に記すとおりである。差=74
゜ 実施例6 10、?のPPSと0.5.?の1.3.6−ドリブロ
モピレンから溶融したブロックを調製する。その後の手
順は比較例に記すとおりである。
差:65゜
実施例7
10、?のppsと0.52の1.3,6.8−テトラ
クロロピレンから溶融したブロックを調製する。
クロロピレンから溶融したブロックを調製する。
その後の手順は比較例に記すとおりである。
差=134゜
本発明の主な特徴及び態様を記すと次のとおりである。
1.A)重量で99.9〜90%のポリアリ−L/ 7
7. ルフイト、好ましくはポリフェニレンスルフィ
ド、 B)重量で0.1〜10%の式(I)のピレン式中で x l、、、 x 4は相互に無関係に基−3−R,水
素、F、CQ%B「、■、ニトロ基又はスルホン酸基あ
るいはそのアルカリ(Na、K)塩を表わし、但し置換
基X I、、 X 4の中の二つのみを水素とすること
ができ、且つ RはC,−WC,、アルキル、C6〜CXZシクロアル
キル、c1〜C,アラルキル又はアルキルアリール、C
,〜C,アリール、好ましくはフェニルを表わし、アリ
ール基は場合よっては置換(ハロダン%C1〜C,アル
キルなどにより)置換してあってもよい、 及び C)任意的に、成分A+Hの重量の合計に基づいて、重
量で0.0l−100%のその他の添加剤 の混合物。
7. ルフイト、好ましくはポリフェニレンスルフィ
ド、 B)重量で0.1〜10%の式(I)のピレン式中で x l、、、 x 4は相互に無関係に基−3−R,水
素、F、CQ%B「、■、ニトロ基又はスルホン酸基あ
るいはそのアルカリ(Na、K)塩を表わし、但し置換
基X I、、 X 4の中の二つのみを水素とすること
ができ、且つ RはC,−WC,、アルキル、C6〜CXZシクロアル
キル、c1〜C,アラルキル又はアルキルアリール、C
,〜C,アリール、好ましくはフェニルを表わし、アリ
ール基は場合よっては置換(ハロダン%C1〜C,アル
キルなどにより)置換してあってもよい、 及び C)任意的に、成分A+Hの重量の合計に基づいて、重
量で0.0l−100%のその他の添加剤 の混合物。
2、ポリ−p−フェニレンスルフィドをポリアリーレン
スルフィドとして使用する、上記1に記載の混合物。
スルフィドとして使用する、上記1に記載の混合物。
3.1.3.6−1〜リブロモピレンをピレンとして使
用する、上記lに記載の混合物。
用する、上記lに記載の混合物。
4、成形製品の製造のだめの上記lに記載の混合物の使
用。
用。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、A)重量で99.9〜90%のポリアリーレンスル
フイド、好ましくはポリフエニレンスルフイド、 B)重量で0.1〜10%の式( I )のピレン▲数式
、化学式、表等があります▼( I ) 式中で X^1〜X^4は相互に無関係に基−S−R、水素、F
、Cl、Br、I、ニトロ基又はスルホ ン酸基あるいはそのアルカリ(Na、K)塩を表わし、
但し置換基X^1〜X^4の中の二つのみは水素とする
ことができ、且つ RはC_1〜C_2_2アルキル、C_6〜C_2_2
シクロアルキル、C_7〜C_2_2アラルキル又はア
ルキルアリール、C_6〜C_1_4アリール、好まし
くはフェニルを表わし、アリール基は場合よっては(ハ
ロゲン、C_1〜C_4アルキルなどにより)置換して
あつてもよい、 及び C)任意的に、成分A+Bの重量の合計に基づいて、重
量で0.01〜100%のその他の添加剤 の混合物。 2、成形製品の製造のための特許請求の範囲第1項記載
の混合物の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3827644A DE3827644A1 (de) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Polyarylensulfid-mischungen mit verringerter radikalbildung bei ultrakurzbewitterung |
DE3827644.5 | 1988-08-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0291156A true JPH0291156A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=6360879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1205841A Pending JPH0291156A (ja) | 1988-08-16 | 1989-08-10 | 高度に促進した耐候試験下に低下したラジカルの生成を有するポリアリーレンスルフイド混合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4952624A (ja) |
EP (1) | EP0355002A3 (ja) |
JP (1) | JPH0291156A (ja) |
DE (1) | DE3827644A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014506232A (ja) * | 2010-10-15 | 2014-03-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子のための化合物 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5258442A (en) * | 1989-10-31 | 1993-11-02 | Tosoh Corporation | Polyphenylene sulfide resin composition |
DE4025783A1 (de) * | 1990-08-15 | 1992-02-20 | Bayer Ag | Mischungen aus polyarylensulfiden, nitroarylmethyliden-ketonen, glasfasern und gegebenenfalls weiteren fuellstoffen |
DE4106124A1 (de) * | 1991-02-27 | 1992-09-03 | Bayer Ag | Pas mit verminderter schwimmhautbildung und guten mechanischen eigenschaften |
WO2005108335A1 (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 3,8-ジハロゲノ-1,6-置換ピレン及びその製造方法 |
KR20130050929A (ko) * | 2010-03-22 | 2013-05-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 폴리아릴렌 설파이드 조성물 |
CA2792930A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyarylene sulfide-containing polymer melt |
US8846857B2 (en) | 2011-09-21 | 2014-09-30 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solution phase processing of polyarylene sulfide |
US9394430B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-07-19 | Ticona Llc | Continuous fiber reinforced polyarylene sulfide |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3557218A (en) * | 1965-10-20 | 1971-01-19 | Geigy Chem Corp | Polysubstituted dihydropyrenes |
JPS5640445A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-16 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Dust collector |
DE3532882A1 (de) * | 1985-09-14 | 1987-03-26 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von 1,3,6,8-tetrabrompyren |
DE3814165A1 (de) * | 1988-04-27 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Hochmolekulare polyarylensulfide und verfahren zu ihrer herstellung |
-
1988
- 1988-08-16 DE DE3827644A patent/DE3827644A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-08-03 US US07/389,267 patent/US4952624A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-03 EP EP19890114313 patent/EP0355002A3/de not_active Withdrawn
- 1989-08-10 JP JP1205841A patent/JPH0291156A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014506232A (ja) * | 2010-10-15 | 2014-03-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子のための化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0355002A2 (de) | 1990-02-21 |
US4952624A (en) | 1990-08-28 |
DE3827644A1 (de) | 1990-02-22 |
EP0355002A3 (de) | 1991-07-17 |
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