JPH028724A - 圧力検出装置 - Google Patents
圧力検出装置Info
- Publication number
- JPH028724A JPH028724A JP15888688A JP15888688A JPH028724A JP H028724 A JPH028724 A JP H028724A JP 15888688 A JP15888688 A JP 15888688A JP 15888688 A JP15888688 A JP 15888688A JP H028724 A JPH028724 A JP H028724A
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- pressure
- area
- fluid
- sensor
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- Pending
Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 18
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧力検出装置の構造に関するものである。
従来、流体圧力の検出、測定をする圧力検出装置、例え
ば、半導体圧力センサについて、流体圧力のXA置内へ
の導入方式は被測定圧力値に応じて、各種のものの内か
ら、選択して使用される。それらの方式の従来構造を第
1図、第2図、及び第3]21に夫々、示す、第11X
Iは直接裏面導入型の圧力検出装置の断面構造図であり
51はセンサ部、2は台座、3はステム、4は圧力導入
パイプ、5は流体導入口、6はセンサ部1の裏側、A、
Bは接合面である。第1図において、流体導入口5から
被測定流体を導入し、センサ部1の裏側に直接、圧力を
作用せしめる。センサ部1は本実施例では、シリコン等
の半導体材料に裏1!I 6となる凹所を設けてダイア
フラムを形成し、表側にピエゾ抵抗等を設ける。
ば、半導体圧力センサについて、流体圧力のXA置内へ
の導入方式は被測定圧力値に応じて、各種のものの内か
ら、選択して使用される。それらの方式の従来構造を第
1図、第2図、及び第3]21に夫々、示す、第11X
Iは直接裏面導入型の圧力検出装置の断面構造図であり
51はセンサ部、2は台座、3はステム、4は圧力導入
パイプ、5は流体導入口、6はセンサ部1の裏側、A、
Bは接合面である。第1図において、流体導入口5から
被測定流体を導入し、センサ部1の裏側に直接、圧力を
作用せしめる。センサ部1は本実施例では、シリコン等
の半導体材料に裏1!I 6となる凹所を設けてダイア
フラムを形成し、表側にピエゾ抵抗等を設ける。
第1図の構造において高圧の流体を直接、裏(!l 6
に導入する方式では、センサ部lと台座2の接合面Aや
、台座2とステム3の接合面Bに引張り応力が強く作用
し、はく跋による損傷を生ずるため、通常50 K g
/ c rt?以下の圧力の検出、測定に用いられる
。第2図は直接表面導入型の圧力検出装置の断面1I9
I造図であり、第1図と同一符号は同一部分を示す、第
2図においては図の上部を高圧側の流体導入口5とし、
センサ部lの表側がら流体を導入し、歪を与えるように
するため、接合面A、及びBを加圧する方向になし、は
く離の恐れがない、しかしながら、導入する流体が直接
、ピエゾ抵抗等の要部を設けたセンサ部lの表側に接触
するため、流体を非腐食性、電気的絶縁性のものに限定
する必要がある。なお、7は外装ケースである。
に導入する方式では、センサ部lと台座2の接合面Aや
、台座2とステム3の接合面Bに引張り応力が強く作用
し、はく跋による損傷を生ずるため、通常50 K g
/ c rt?以下の圧力の検出、測定に用いられる
。第2図は直接表面導入型の圧力検出装置の断面1I9
I造図であり、第1図と同一符号は同一部分を示す、第
2図においては図の上部を高圧側の流体導入口5とし、
センサ部lの表側がら流体を導入し、歪を与えるように
するため、接合面A、及びBを加圧する方向になし、は
く離の恐れがない、しかしながら、導入する流体が直接
、ピエゾ抵抗等の要部を設けたセンサ部lの表側に接触
するため、流体を非腐食性、電気的絶縁性のものに限定
する必要がある。なお、7は外装ケースである。
第31には間接導入型の圧力検出装置の断面構造図であ
り、第2図と同一符号は同一部分を示す、第3図におい
ては、8のシールダイアフラムと外装ケース7で形成す
る空間に、センサ部lを9の封入液で包囲するため、流
体がセンサ部1に直接接触しないので、流体の性質の限
定を生じにくく、いろいろな流体の圧力を検出出来る。
り、第2図と同一符号は同一部分を示す、第3図におい
ては、8のシールダイアフラムと外装ケース7で形成す
る空間に、センサ部lを9の封入液で包囲するため、流
体がセンサ部1に直接接触しないので、流体の性質の限
定を生じにくく、いろいろな流体の圧力を検出出来る。
しかしながら、シールダイアフラム8の溶接、封入液9
の封入の工程が必要となり、作業が厄介で、高価となる
。
の封入の工程が必要となり、作業が厄介で、高価となる
。
本発明は、従来装置の欠点を解消し、比較的高圧の圧力
検出装置を簡単な構造で安価に提供することを目的とす
る。
検出装置を簡単な構造で安価に提供することを目的とす
る。
以IJに、本発明の実施例として第4図に(a) (b
)に示す断面構造図及び説明図を基に説明する第4図(
a)のセンサ一部1の裏面6の面fa S 。
)に示す断面構造図及び説明図を基に説明する第4図(
a)のセンサ一部1の裏面6の面fa S 。
は圧力導入口面fa S oよりも面積S1分だけ大き
くなっている。測定圧力は、裏面6全体をy方向に押し
」ユげるごとく働くと同時に、ダイヤフラム対向面7を
マイナスy方向へ押し下げるごとく働く、(第4図b)
この為センサ1を台座2に対してy方向に引きはがす力
の合力Fは F = S D x P −S 、 x P=(S
o 5p)xp =so xp ■式 となる、(Pは測定圧力を表わす、) ■式より明白な様に、第4図(a)で示された本発明の
センサ一部においては、力Fは圧力導入口Soによって
のみ決まる為、高圧の圧力測定においても接合面A、B
の強度範囲内にSoを調整する事により、接合面A、B
にはく離による損傷が起る事はない。この為、接合面A
、Bの強度の制約の観点から、第3図の方式を取る必要
のあったより高圧力の圧力検出素子においても、第1と
同様なセンサー裏面への直接的圧力導入方式が採用出来
る為、構造及び工程が簡略化されるので、より安価な圧
力検出素子の供給を可能にする事が出来る。
くなっている。測定圧力は、裏面6全体をy方向に押し
」ユげるごとく働くと同時に、ダイヤフラム対向面7を
マイナスy方向へ押し下げるごとく働く、(第4図b)
この為センサ1を台座2に対してy方向に引きはがす力
の合力Fは F = S D x P −S 、 x P=(S
o 5p)xp =so xp ■式 となる、(Pは測定圧力を表わす、) ■式より明白な様に、第4図(a)で示された本発明の
センサ一部においては、力Fは圧力導入口Soによって
のみ決まる為、高圧の圧力測定においても接合面A、B
の強度範囲内にSoを調整する事により、接合面A、B
にはく離による損傷が起る事はない。この為、接合面A
、Bの強度の制約の観点から、第3図の方式を取る必要
のあったより高圧力の圧力検出素子においても、第1と
同様なセンサー裏面への直接的圧力導入方式が採用出来
る為、構造及び工程が簡略化されるので、より安価な圧
力検出素子の供給を可能にする事が出来る。
以上のごとく、本発明によって圧力検出装置の構成部品
間の接合手段の選択を容易とし、従って、高圧流体の圧
力検出装置に適用して、特に効果があり、更に被測定流
体の性質に制限されない。
間の接合手段の選択を容易とし、従って、高圧流体の圧
力検出装置に適用して、特に効果があり、更に被測定流
体の性質に制限されない。
構造簡雫で、安価に製造し得るもので、産業上の利用効
果大なるものである。
果大なるものである。
体導入口、6は1の裏側、7は外装ケース、8はシール
ダイアフラム、9は封入液、10はダイアフラム対向面
、A、Bは接合面である。
ダイアフラム、9は封入液、10はダイアフラム対向面
、A、Bは接合面である。
Claims (2)
- (1)半導体基板の主表面にゲージ抵抗を形成すると共
に、前記主表面と反対面にダイヤフラム部を形成するた
めの凹部を設けた圧力検出装置において前記ダイヤフラ
ム面積よりも凹部開口部面積を小さくしたことを特徴と
する圧力検出装置。 - (2)凹部開口側に圧力導入管を設置した特許請求の範
囲第(1)項記載の圧力検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15888688A JPH028724A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15888688A JPH028724A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 圧力検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH028724A true JPH028724A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15681534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15888688A Pending JPH028724A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 圧力検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH028724A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100908425B1 (ko) * | 2008-08-12 | 2009-07-21 | 한국해양연구원 | 해조류를 이용한 바이오에탄올 제조용 고압 액화 추출물 및이의 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5944634A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15888688A patent/JPH028724A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5944634A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100908425B1 (ko) * | 2008-08-12 | 2009-07-21 | 한국해양연구원 | 해조류를 이용한 바이오에탄올 제조용 고압 액화 추출물 및이의 제조방법 |
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