JPH028724A - 圧力検出装置 - Google Patents

圧力検出装置

Info

Publication number
JPH028724A
JPH028724A JP15888688A JP15888688A JPH028724A JP H028724 A JPH028724 A JP H028724A JP 15888688 A JP15888688 A JP 15888688A JP 15888688 A JP15888688 A JP 15888688A JP H028724 A JPH028724 A JP H028724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
area
fluid
sensor
diaphragm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15888688A
Other languages
English (en)
Inventor
Chiharu Tsunoishi
千春 角石
Tatsuya Arai
達哉 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP15888688A priority Critical patent/JPH028724A/ja
Publication of JPH028724A publication Critical patent/JPH028724A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は圧力検出装置の構造に関するものである。
従来、流体圧力の検出、測定をする圧力検出装置、例え
ば、半導体圧力センサについて、流体圧力のXA置内へ
の導入方式は被測定圧力値に応じて、各種のものの内か
ら、選択して使用される。それらの方式の従来構造を第
1図、第2図、及び第3]21に夫々、示す、第11X
Iは直接裏面導入型の圧力検出装置の断面構造図であり
51はセンサ部、2は台座、3はステム、4は圧力導入
パイプ、5は流体導入口、6はセンサ部1の裏側、A、
Bは接合面である。第1図において、流体導入口5から
被測定流体を導入し、センサ部1の裏側に直接、圧力を
作用せしめる。センサ部1は本実施例では、シリコン等
の半導体材料に裏1!I 6となる凹所を設けてダイア
フラムを形成し、表側にピエゾ抵抗等を設ける。
第1図の構造において高圧の流体を直接、裏(!l 6
に導入する方式では、センサ部lと台座2の接合面Aや
、台座2とステム3の接合面Bに引張り応力が強く作用
し、はく跋による損傷を生ずるため、通常50 K g
 / c rt?以下の圧力の検出、測定に用いられる
。第2図は直接表面導入型の圧力検出装置の断面1I9
I造図であり、第1図と同一符号は同一部分を示す、第
2図においては図の上部を高圧側の流体導入口5とし、
センサ部lの表側がら流体を導入し、歪を与えるように
するため、接合面A、及びBを加圧する方向になし、は
く離の恐れがない、しかしながら、導入する流体が直接
、ピエゾ抵抗等の要部を設けたセンサ部lの表側に接触
するため、流体を非腐食性、電気的絶縁性のものに限定
する必要がある。なお、7は外装ケースである。
第31には間接導入型の圧力検出装置の断面構造図であ
り、第2図と同一符号は同一部分を示す、第3図におい
ては、8のシールダイアフラムと外装ケース7で形成す
る空間に、センサ部lを9の封入液で包囲するため、流
体がセンサ部1に直接接触しないので、流体の性質の限
定を生じにくく、いろいろな流体の圧力を検出出来る。
しかしながら、シールダイアフラム8の溶接、封入液9
の封入の工程が必要となり、作業が厄介で、高価となる
本発明は、従来装置の欠点を解消し、比較的高圧の圧力
検出装置を簡単な構造で安価に提供することを目的とす
る。
以IJに、本発明の実施例として第4図に(a) (b
)に示す断面構造図及び説明図を基に説明する第4図(
a)のセンサ一部1の裏面6の面fa S 。
は圧力導入口面fa S oよりも面積S1分だけ大き
くなっている。測定圧力は、裏面6全体をy方向に押し
」ユげるごとく働くと同時に、ダイヤフラム対向面7を
マイナスy方向へ押し下げるごとく働く、(第4図b)
この為センサ1を台座2に対してy方向に引きはがす力
の合力Fは F = S D x  P −S 、  x P=(S
o   5p)xp =so xp ■式 となる、(Pは測定圧力を表わす、) ■式より明白な様に、第4図(a)で示された本発明の
センサ一部においては、力Fは圧力導入口Soによって
のみ決まる為、高圧の圧力測定においても接合面A、B
の強度範囲内にSoを調整する事により、接合面A、B
にはく離による損傷が起る事はない。この為、接合面A
、Bの強度の制約の観点から、第3図の方式を取る必要
のあったより高圧力の圧力検出素子においても、第1と
同様なセンサー裏面への直接的圧力導入方式が採用出来
る為、構造及び工程が簡略化されるので、より安価な圧
力検出素子の供給を可能にする事が出来る。
以上のごとく、本発明によって圧力検出装置の構成部品
間の接合手段の選択を容易とし、従って、高圧流体の圧
力検出装置に適用して、特に効果があり、更に被測定流
体の性質に制限されない。
構造簡雫で、安価に製造し得るもので、産業上の利用効
果大なるものである。
体導入口、6は1の裏側、7は外装ケース、8はシール
ダイアフラム、9は封入液、10はダイアフラム対向面
、A、Bは接合面である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板の主表面にゲージ抵抗を形成すると共
    に、前記主表面と反対面にダイヤフラム部を形成するた
    めの凹部を設けた圧力検出装置において前記ダイヤフラ
    ム面積よりも凹部開口部面積を小さくしたことを特徴と
    する圧力検出装置。
  2. (2)凹部開口側に圧力導入管を設置した特許請求の範
    囲第(1)項記載の圧力検出装置。
JP15888688A 1988-06-27 1988-06-27 圧力検出装置 Pending JPH028724A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15888688A JPH028724A (ja) 1988-06-27 1988-06-27 圧力検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15888688A JPH028724A (ja) 1988-06-27 1988-06-27 圧力検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH028724A true JPH028724A (ja) 1990-01-12

Family

ID=15681534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15888688A Pending JPH028724A (ja) 1988-06-27 1988-06-27 圧力検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH028724A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100908425B1 (ko) * 2008-08-12 2009-07-21 한국해양연구원 해조류를 이용한 바이오에탄올 제조용 고압 액화 추출물 및이의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5944634A (ja) * 1982-09-07 1984-03-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5944634A (ja) * 1982-09-07 1984-03-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100908425B1 (ko) * 2008-08-12 2009-07-21 한국해양연구원 해조류를 이용한 바이오에탄올 제조용 고압 액화 추출물 및이의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3697917A (en) Semiconductor strain gage pressure transducer
US8230745B2 (en) Wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process
US7559244B2 (en) Arrangement or provision of a sensor or probe for the measuring of a condition in a pipe or the like
JP2656566B2 (ja) 半導体圧力変換装置
KR20080093434A (ko) 실리콘 프릿으로 접착된 캡을 구비한 압력 센서
EP1329726A3 (en) Method for detecting physical contact between a probe and a liquid surface
JPH03185325A (ja) 半導体圧力センサ
EP0753728A3 (en) Semiconductor differential pressure measuring device
US5520054A (en) Increased wall thickness for robust bond for micromachined sensor
EP2128583A2 (en) Pressure-sensor apparatus
US7661317B2 (en) High pressure transducer having an H shaped cross-section
US6467354B1 (en) Anodically bonded, gas impervious cavity structures fabricated in silicon
US7107853B2 (en) Pressure transducer for measuring low dynamic pressures in the presence of high static pressures
US7428844B2 (en) Pressure sensor
JPH028724A (ja) 圧力検出装置
EP0903568A3 (en) Method for manufacturing a pressure measure device equipped with a resonating element
KR102365216B1 (ko) 측정 챔버 내 유체 매체의 압력을 검출하기 위한 압력 센서
JP2654184B2 (ja) 半導体湿度センサ
JPH04267566A (ja) 高圧用半導体圧力センサ
JP3414203B2 (ja) 半導体圧力検出装置
JPS62291533A (ja) 圧力検出器
JPH028723A (ja) 圧力検出装置
JP2001124645A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6461641A (en) Semiconductor pressure sensor
JPH04194718A (ja) 差圧測定装置