JPH0284356U - - Google Patents
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- JPH0284356U JPH0284356U JP16414788U JP16414788U JPH0284356U JP H0284356 U JPH0284356 U JP H0284356U JP 16414788 U JP16414788 U JP 16414788U JP 16414788 U JP16414788 U JP 16414788U JP H0284356 U JPH0284356 U JP H0284356U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state laser
- active medium
- laser active
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
Description
第１図はこの考案の一実施例による半導体レー
ザ励起固体レーザ装置を示す斜視図、第２図は同
装置の断面図、第３図は従来の装置を示す斜視図
、第４図は同装置の断面図である。 図において、１は活性媒質、２は第１の斜面、
３は第２の斜面、４は底面、５は半導体レーザア
レー、６は反射鏡、７はヒートシンク、８は第１
の反射鏡、９は第２の反射鏡、１０は光路、１１
は第３の反射鏡、１２は第４の反射鏡、１３は端
面、１４は光路、１５は複合鏡である。なお、各
図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ザ励起固体レーザ装置を示す斜視図、第２図は同
装置の断面図、第３図は従来の装置を示す斜視図
、第４図は同装置の断面図である。 図において、１は活性媒質、２は第１の斜面、
３は第２の斜面、４は底面、５は半導体レーザア
レー、６は反射鏡、７はヒートシンク、８は第１
の反射鏡、９は第２の反射鏡、１０は光路、１１
は第３の反射鏡、１２は第４の反射鏡、１３は端
面、１４は光路、１５は複合鏡である。なお、各
図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 固体レーザ活性媒質と、上記固体レーザ活性媒
質の底面に略平行となるように取り付けられた上
記固体レーザ活性媒質を励起する手段である半導
体レーザアレーと、上記固体レーザ活性媒質の上
部の面に略平行となるように取り付けられた反射
鏡と、上記反射鏡レーザアレーに取り付けられた
ヒートシンクと、上記固体レーザ活性媒質を内部
に含みレーザ共振器を構成するための部分反射鏡
と、１００％反射鏡とを備えた半導体レーザ励起
固体レーザ装置において、上記固体レーザ活性媒
質の一方の端面は上記固体レーザ活性媒質の屈折
率をｎ（＞１）としたとき底面に対する角度が概
略――ｔａｎ−１ｎとなるよう斜面で、上記斜面
に向かい合うもう一方の端面は上記固体レーザ活
性媒質の底面に略垂直で１００％反射幕が取り付
けられており、上記斜面の前方に部分反射鏡と上
記部分反射鏡の下部に１００％反射鏡を付加した
複合鏡を配したことを登録する半導体レーザ励起
固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414788U JPH0284356U (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414788U JPH0284356U (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284356U true JPH0284356U (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=31449502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16414788U Pending JPH0284356U (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284356U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013546A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP16414788U patent/JPH0284356U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013546A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体レーザ装置 |
| JP2010034413A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体レーザ装置 |
| EP2312706A1 (en) * | 2008-07-30 | 2011-04-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state laser device |
| EP2312706A4 (en) * | 2008-07-30 | 2013-06-26 | Hamamatsu Photonics Kk | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE |
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