JPH0283811A - Production of thin film magnetic head - Google Patents
Production of thin film magnetic headInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、性能
の安定化に好適な製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a thin film magnetic head, and particularly to a method of manufacturing a thin film magnetic head suitable for stabilizing performance.
従来、薄膜磁気ヘッドのコイル等をめっき法で作製する
場合、特開昭４９−１１１３８６８号公報に記載のよう
に、めっき下地膜上に所定の形状にホトレジストパター
ンを形成した後に、露出しためつき下地膜上に電気めっ
き法で回路パターンを堆積した後。Conventionally, when manufacturing thin-film magnetic head coils and the like by plating, as described in JP-A-49-1113868, a photoresist pattern is formed in a predetermined shape on a plating base film, and then the exposed spots are removed. After depositing the circuit pattern by electroplating on the base film.
ホトレジストパターンを除去し、次いで、回路パターン
間から、めっき下地膜を除去する方法がある。There is a method of removing the photoresist pattern and then removing the plating base film from between the circuit patterns.
上記従来技術は、回路パターン間からめつき下地膜を除
去する工程において、回路パターンが同時にエツチング
される現象を生じる点、また、めっき下地膜の下部に形
成されている膜がエツチングされる現象を生じる点につ
いての考慮がされておらず、簿膜磁気ヘッドを作製する
上で、使用されるコイルの抵抗値がばらつく、あるいは
、磁気ギャップに用いられる絶縁膜の厚さが変動し、磁
気ヘッドの性能の変動を生じるという問題があった。In the above conventional technology, in the process of removing the plating base film from between the circuit patterns, the circuit patterns are etched at the same time, and the film formed under the plating base film is also etched. This is not taken into consideration, and when manufacturing a film magnetic head, the resistance value of the coil used may vary, or the thickness of the insulating film used for the magnetic gap may vary, which may affect the performance of the magnetic head. There was a problem that fluctuations occurred.
本発明の目的は、回路パターン間からめつき下−４＝
地膜を除去する工程におけるコイル抵抗値の変動、及び
、磁気ギャップに用いられる絶縁膜の厚さの変動を最小
限にすることにより、磁気ヘッドの性能を安定化するこ
とにある。The purpose of the present invention is to minimize the variation in coil resistance value during the process of removing the plating layer from between circuit patterns and the variation in the thickness of the insulating film used for the magnetic gap. The purpose is to stabilize the performance of the head.
上記目的は、めっき下地膜を除去する方法として、イオ
ンビームエツチング法、あるいは、スパッタエツチング
法等のドライエツチング法と、溶液を用いてエツチング
するウェットエツチング法を組み合わせた方法を用いる
ことにより達成される。The above objective is achieved by using a method that combines a dry etching method such as an ion beam etching method or a sputter etching method and a wet etching method in which etching is performed using a solution as a method for removing the plating base film. .
イオンビームエツチング法、あるいは、スパッタエツチ
ング法等のドライエツチング法は、高記録密度を達成す
る薄膜磁気ヘッドの様に、高さ数ミクロン以上、線間隔
数ミクロン以下というようなコイル線間のめつき下地膜
を除去するには、イオンビーム、あるいは、スパッタリ
ング粒子の直線性が良好なため、好適であるという特徴
がある。Dry etching methods such as ion beam etching or sputter etching are used to improve plating between coil wires with a height of several microns or more and line spacing of several microns or less, such as in thin-film magnetic heads that achieve high recording density. An ion beam or sputtered particles are suitable for removing the base film because they have good linearity.
また、ウェットエツチング法は、適当なエッチンダ液を
選択することにより、めっき下地膜を選択的にエツチン
グできるという特徴がある。Furthermore, the wet etching method is characterized in that by selecting an appropriate etching solution, the plating base film can be selectively etched.
以上の二つのエツチング方法を組み合わせることにより
、磁気ギャップ膜、あるいは、層間絶縁膜をほとんどエ
ツチングすることなく、めっき下地膜を除去することを
可能とする。By combining the above two etching methods, it is possible to remove the plating base film without substantially etching the magnetic gap film or the interlayer insulating film.
以下１本発明の一実施例を図面登用いて説明する。第１
図は、薄膜磁気ヘッドの導体コイルを作製する工程を示
したものである。（ａ）は、基板１上に下部磁性膜２、
磁気ギャップ膜３、及び、層間絶縁膜４を形成したもの
の断面図を示す。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure shows the process of manufacturing a conductor coil for a thin-film magnetic head. (a) shows a lower magnetic film 2 on a substrate 1,
A cross-sectional view of a structure in which a magnetic gap film 3 and an interlayer insulating film 4 are formed is shown.
（ｂ）は、めっき下地膜を形成し、その上にパターンめ
っき膜を形成するためのホトレジスト膜７のパターンを
作成し、そのパターン間にめっき膜８を堆積したもので
ある。次いで（ｃ）は、二層の金属膜により形成されて
いるめっき下地膜の第二Ｍ６を除去したところを示した
ものであり、（ｄ）はめつき下地膜の第−層５を除去し
たところを示したものである。このようにして、薄膜磁
気ヘッドのコイルを作成できる。In (b), a plating base film is formed, a pattern of a photoresist film 7 for forming a patterned plating film thereon is created, and a plating film 8 is deposited between the patterns. Next, (c) shows the state where the second M6 of the plating base film formed of two layers of metal films has been removed, and (d) the state where the -th layer 5 of the plating base film has been removed. This is what is shown. In this way, a coil for a thin film magnetic head can be created.
従来法において、たとえば、二層に形成されているめっ
き下地膜を、イオンビームエツチング法、あるいは、ス
パッタエツチング法等のドライエツチング法を用いて除
去すると、基板面内でのめつき下地膜残りを無くするた
めに、オーバーエツチングと呼ばれるエツチング時間を
下地膜除去に要する時間に加えて若干の時間を追加する
エツチング工程が必要となる。しかし、このオーバーエ
ツチング工程は、めっき下地膜を除去するだけではなく
、めっき下地膜の下層に形成されている磁気ギャップ膜
、あるいは、眉間絶縁膜がエツチングされる。この場合
、イオンビームエツチング法あるいはスパッタエツチン
グ法等のドライエツチング法を用いる場合、めっき下地
膜の第一層目の密着層として用いられるＴｉ膜、あるい
は、Ｃｒ膜のエツチング速度は磁気ギャップ膜として用
いられる。たとえば、Ａ１１ｚ○８膜、あるいは、Ｓｉ
Ｏ２膜のエツチング速度に対して充分速くはなく、その
ために磁気ギャップ膜の厚さが薄くなり、薄膜＝７−
磁気ヘッド素子を完成した場合の磁気ギャップ長が小さ
くなると同時に、その磁気ギャップ長が素子を作製した
基板の面内でばらつく、あるいは。In the conventional method, for example, when a two-layer plating base film is removed using a dry etching method such as an ion beam etching method or a sputter etching method, the remaining plating base film within the substrate surface is removed. In order to eliminate this problem, an etching process called over-etching is required in which an etching time is added to the time required to remove the underlying film. However, this over-etching process not only removes the plating base film, but also etches the magnetic gap film or the glabella insulating film formed under the plating base film. In this case, when using a dry etching method such as an ion beam etching method or a sputter etching method, the etching rate of the Ti film or Cr film used as the first adhesive layer of the plating base film is lower than that of the magnetic gap film. It will be done. For example, A11z○8 film or Si
The etching speed is not fast enough compared to the etching speed of the O2 film, and as a result, the thickness of the magnetic gap film becomes thinner. Variation within the plane of the substrate on which the device was fabricated, or
多数の基板で作製した場合に、基板相互間でばらつきを
生じる等の現象があり、その結果、完成した薄膜ヘッド
素子の性能のばらつきを生じ、工業的に生産する上で、
問題である。When manufacturing with a large number of substrates, there are phenomena such as variations between the substrates, resulting in variations in the performance of the completed thin film head element, which is difficult to produce industrially.
That's a problem.
また、イオンビームエツチング法、あるいは、スパッタ
エツチング法等のドライエツチング法を用いてめっき下
地膜を除去する場合、磁気ギャップ膜だけでなく１層間
絶縁膜も同時にエツチングされる。オーバーエツチング
により眉間絶縁膜がエツチングされると、テーパ形状で
磁気ギャップ部に接する部分の層間絶縁膜がエツチング
されることにより、磁気ギャップ部分に接する眉間絶縁
膜が後退するという現象を生じる。この場合、薄膜磁気
ヘッド素子を基板上に形成する時に、絶縁膜のテーパ部
分の先端位置が基板上での位置のばらつきが生じるため
、薄膜磁気ヘッド素子を作製する上で、その特性に影響
を与えるギャップ深さを一定にすることができず、その
結果、完成した薄膜ヘッド素子の性能のばらつきを生じ
、工業的に生産する上で、問題である。Furthermore, when the plating base film is removed using a dry etching method such as an ion beam etching method or a sputter etching method, not only the magnetic gap film but also the one-layer insulating film is etched at the same time. When the glabellar insulating film is etched by over-etching, the tapered part of the interlayer insulating film in contact with the magnetic gap portion is etched, resulting in a phenomenon in which the glabellar insulating film in contact with the magnetic gap portion recedes. In this case, when forming a thin film magnetic head element on a substrate, the tip position of the tapered part of the insulating film will vary in position on the substrate, which will affect the characteristics when manufacturing the thin film magnetic head element. The provided gap depth cannot be made constant, and as a result, the performance of the completed thin film head element varies, which is a problem in industrial production.
これに対し、ドライ法でめっき下地膜な除去するのに替
えて、ウェットエツチング法を用いる方法がある。しか
し、コイルをＣｕとし、めっき下地膜の第二層目をＣｕ
とした場合、コイル間の狭い部分へのＣｕエツチング液
が供給されても。On the other hand, instead of using a dry method to remove the plating base film, there is a method using a wet etching method. However, the coil is made of Cu, and the second layer of the plating base film is made of Cu.
In this case, even if the Cu etching solution is supplied to the narrow area between the coils.
Ｃｕコイルの側面でエツチング液中のエツチングする成
分が消費されるために、コイル間のめっき下地膜をエツ
チング除去するまでに、めっきによって形成されたＣｕ
コイル部分が大きくエツチングされてしまい、コイル抵
抗が高くなるという問題がある。Because the etching components in the etching solution are consumed on the sides of the Cu coils, the Cu formed by plating is removed by the time the plating base film between the coils is removed.
There is a problem that the coil portion is largely etched and the coil resistance increases.
本発明の一実施例として、めっき下地膜としてＴｉ−Ｃ
ｕの二層膜を用い、コイルとしてＣｕめつき膜を用いた
場合について示す。ここで、磁気ギャップ膜としてＡＱ
ｘＯｓ膜を、また、眉間絶縁膜として、ノボラック系の
ホトレジスト膜を焼成した膜を使用した場合について示
す。第２図に本実施例をプロセスと図面を用いて示す、
（ａ）に示すように、下地めっき膜１０上にＣｕめっき
膜１１を形成する。次いで、（ｂ）に示すように、ドラ
イエツチング法の一方法であるアルゴンガスを用いたイ
オンビームエツチング法でめっき下地膜第二層のＣｕ膜
１１を除去する。この時、基板１の全面の全素子のコイ
ルの間隙部分にめっき下地膜のＣｕを残さないようにす
るためには、平面部のＣｕ下地膜の除去に必要なエツチ
ング時間に対し、オーバーエツチング時間として３０％
を追加することが必要であることが実験的に確かめられ
た。この時、このオーバーエツチングによって、図中に
示された様にめっき下地膜第一層５のＴｉ膜が一部エッ
チングされる。しかし、Ｔｉ膜はすべての面において、
このオーバーエツチング後においても残存していること
が必要である。ここで、Ｔｉ膜１０が残存することが、
不必要な、磁気ギャップ膜、あるいは、層間絶縁膜４の
エツチングを防止することになる。従って、めっき下地
膜としてのＴ ｉ ｌｉ １０の厚さは、ある程度厚い
ことが必要となることが明らかであるが、本プロセスに
おいて厚さ２５ｎｍ以上あればよいことがわかった。次
いで、（Ｃ）に示すように、この残存しているＴｉ膜１
０をエツチング除去するが、この工程はウェットエツチ
ング法を採用する。Ｔｉ膜１０をエツチングできる液と
して、希弗酸液が知られているが、この場合に適用した
ところ、磁気ギャップ膜３を若干エツチングすることが
わかり、あまり、適当とは考えられない。これに対し、
下に示す過酸化水素系エツチング液を用いると、Ｔｉ膜
１ｏのエツチング速度に対し、第３図に示すように、Ｃ
ｕ膜１１．Ａｆｌｚｏａ９、ホトレジスト焼成膜７のエ
ツチング速度が十分小さく、Ｃｕ膜１１のイオンビーム
エツチング後に残存しているＴｉ膜１０をウェットエツ
チングしてもそ、の磁気ギャップ膜や層間絶縁膜をほと
んどエツチングすることなく、下地膜除去を可能とする
ことができることがわかった。ウェットエツチング時に
は、Ｃｕ膜１１の下のＴｉ膜１０がそのわきの部分から
エツチングされる現象、すなわち、アンダー力ットが生
じるが、このアンダーカットが大きいと。As an embodiment of the present invention, Ti-C is used as a plating base film.
A case is shown in which a two-layer film of U is used and a Cu-plated film is used as the coil. Here, AQ is used as the magnetic gap film.
A case will be shown in which an xOs film and a film obtained by baking a novolac-based photoresist film are used as the glabellar insulating film. FIG. 2 shows this embodiment using a process and drawings.
As shown in (a), a Cu plating film 11 is formed on a base plating film 10. Next, as shown in (b), the Cu film 11 as the second layer of the plating base film is removed by ion beam etching using argon gas, which is a method of dry etching. At this time, in order to prevent the Cu of the plating base film from remaining in the gaps between the coils of all elements on the entire surface of the substrate 1, an overetching time is required compared to the etching time required to remove the Cu base film on the flat surface. as 30%
It was experimentally confirmed that it is necessary to add At this time, due to this over-etching, the Ti film of the first layer 5 of the plating base film is partially etched as shown in the figure. However, the Ti film has
It is necessary that the film remains even after this over-etching. Here, the fact that the Ti film 10 remains
This prevents unnecessary etching of the magnetic gap film or interlayer insulating film 4. Therefore, it is clear that the thickness of T i li 10 as a plating base film needs to be thick to some extent, but it was found that in this process, it is sufficient to have a thickness of 25 nm or more. Next, as shown in (C), this remaining Ti film 1
0 is removed by etching, and this step employs a wet etching method. A dilute hydrofluoric acid solution is known as a solution capable of etching the Ti film 10, but when applied in this case, it was found that the magnetic gap film 3 was slightly etched, so it is not considered appropriate. In contrast,
When the hydrogen peroxide-based etching solution shown below is used, the etching rate of the Ti film 1o is changed as shown in FIG.
u membrane 11. Aflzoa 9, the etching rate of the fired photoresist film 7 is sufficiently low, and even if the Ti film 10 remaining after the ion beam etching of the Cu film 11 is wet-etched, the magnetic gap film and interlayer insulating film are hardly etched. It has been found that the base film can be removed. During wet etching, a phenomenon occurs in which the Ti film 10 below the Cu film 11 is etched from its side portions, that is, an undercut occurs, and if this undercut is large.
コイルパターンが層間絶縁膜４上から浮き上り取れてし
まうという現象が起きる。この場合、アンダーカット量
は、Ｔｉ膜１０が厚くなればなる程大きくなる傾向にあ
りＴｉ膜１０の膜厚はほぼ０．４ μｍ以下であればプ
ロセス上浮き上り取れてしまうことはない。尚、ここで
用いたエラチンここで、ＥＤＴ・２Ｎａはエチレンジア
ミン四酢酸二ナトリウム塩を示す。A phenomenon occurs in which the coil pattern is lifted off the top of the interlayer insulating film 4. In this case, the amount of undercut tends to increase as the Ti film 10 becomes thicker, and if the thickness of the Ti film 10 is approximately 0.4 μm or less, it will not be removed during the process. In addition, in the eratin used here, EDT.2Na indicates ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt.
本発明の他の実施例として、めっき下地膜として、Ｃｒ
−Ｃｕの二層膜を用い、コイルとして、Ｃｕめつき膜１
２を用いた場合について示す。ここで磁気ギャップ膜３
としてＡＱｚＯｘ膜９を、また、眉間絶縁膜４として、
ノボラック系のホトレジスト膜を焼成した場合について
示す。先に、Ｔｉ−Ｃｕ二層膜をめっき下地膜として用
いた実施例で示したと同様に、めっき下地膜第二層６の
Ｃｕ膜１１をドライエツチング法、たとえば、アルゴン
ガスを用いたイオンシリング法を用いてエツチング除去
する。この時、オーバーエツチング時間として３０％を
追加することにより、基板全面の全素子のコイルの間隙
部分にめっき下地膜の第二層６のＣｕ膜１１を除去する
ことができる。As another embodiment of the present invention, as a plating base film, Cr
-Cu plating film 1 is used as a coil using a two-layer film of Cu.
The case where 2 is used is shown below. Here, magnetic gap film 3
as the AQzOx film 9, and as the glabella insulating film 4,
A case in which a novolac-based photoresist film is fired is shown. Similar to the example shown earlier in which a Ti--Cu double layer film was used as the plating base film, the Cu film 11 of the second plating base film 6 was etched by a dry etching method, for example, an ion silling method using argon gas. Remove by etching. At this time, by adding 30% to the over-etching time, the Cu film 11 of the second layer 6 of the plating base film can be removed from the gap between the coils of all the elements on the entire surface of the substrate.
この時、このオーバーエツチングによりめっき下地膜第
一層５のＣｒ膜が一部エッチングされる。At this time, the Cr film of the first layer 5 of the plating base film is partially etched due to this over-etching.
しかし、Ｃｒ膜はすべての面において、このオーバーエ
ツチング後にも残存していることが必要である。ここで
、Ｃｒ膜が残存することは、磁気ギャップ膜３、あるい
は、層間絶縁膜４の不必要なエツチングを防止すること
になる。従って、めっき下地膜としてのＣｒ１ｉの厚さ
は、ある程度厚いことが必要であるが明らかであるが、
本プロセスで、２５ｎｍ程度あれば可能であった。従っ
て、めっき下地膜第一層５のＣｒ膜の厚さは、２５ｎｍ
以上あれば良い。次いで、この残存しているＣｒ膜をエ
ツチング除去するが、この工程はウェットエツチング法
を採用する。Ｃｒ膜をエツチングする溶液としては、た
とえば、硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液、また
は、これを主成分とする水溶液がある。しかし、この溶
液を用いてウェットエツチングすると、Ｃｕ膜とＣｒ膜
の間に局部電池反応を生じ、Ｃｕ膜がエツチングされる
が、Ｃｒ膜はエツチングされないことがわかった。この
局部電池反応を防止し、Ｃｕと共存するＣｒ膜のみをエ
ツチングする液としてフェリシアン化カリウムと水酸化
ナトリウム、あるいは、水酸化カリウム等のアルカリと
を混合した水溶液がある。しかし、この水溶液を用いて
エツチングしたところ、Ｃｕ膜１１はほとんどエツチン
グすること無く、Ｃｒ膜のみをエツチングし、コイルパ
ターンを作製できることがわかった。しかし、この時、
磁気ギャップ膜３であるＡＱｘＯｓ膜９がエツチングさ
れてしまい、完成した磁気ヘッドの磁気ギャップ長の寸
法が変動するという問題があることがわかった。この水
溶液をエツチング液として用いる場合、磁気ギャップ膜
３としては。However, the Cr film must remain on all surfaces even after this overetching. Here, the fact that the Cr film remains prevents unnecessary etching of the magnetic gap film 3 or the interlayer insulating film 4. Therefore, it is clear that the thickness of Cr1i as a plating base film needs to be thick to some extent;
In this process, it was possible to achieve a thickness of about 25 nm. Therefore, the thickness of the Cr film of the plating base film first layer 5 is 25 nm.
More than that is fine. Next, the remaining Cr film is removed by etching, and a wet etching method is used for this step. Examples of the solution for etching the Cr film include an aqueous solution of ceric ammonium nitrate or an aqueous solution containing this as a main component. However, it was found that when wet etching was performed using this solution, a local cell reaction occurred between the Cu film and the Cr film, and the Cu film was etched, but the Cr film was not etched. An aqueous solution containing potassium ferricyanide and sodium hydroxide or an alkali such as potassium hydroxide is available as a solution for preventing this local cell reaction and etching only the Cr film coexisting with Cu. However, when etching was performed using this aqueous solution, it was found that the Cu film 11 was hardly etched and only the Cr film was etched to form a coil pattern. However, at this time,
It has been found that there is a problem in that the AQxOs film 9, which is the magnetic gap film 3, is etched and the magnetic gap length of the completed magnetic head varies. When this aqueous solution is used as an etching solution, it is used as the magnetic gap film 3.
Ａ（１２０ｇ膜９に替えて、たとえば、５ｉｆｔ膜を用
いることにより、磁気ギャップ膜３がエツチングされず
、磁気ギャップ長の変動を防ぐことができる。Ａｆｌｚ
○８膜９を磁気ギャップ膜３とする場合。A (By using, for example, a 5ift film instead of the 120g film 9, the magnetic gap film 3 is not etched, and fluctuations in the magnetic gap length can be prevented.
○When the 8 film 9 is used as the magnetic gap film 3.
Ｃｒ膜の他のエツチング液は、塩酸の水溶液、塩化アル
ミニウムの水溶液、塩酸と硝酸を混合した水溶液を用い
ることができることがわかったので、これらの溶液を用
いることにより、磁気ギャップ膜３、あるいは、眉間絶
縁膜４をエツチングすることなしに、コイルパターンを
作製することができる。ここで、Ｃｒ膜の厚さは、Ｔｉ
−Ｃｕ二層膜をめっき下地膜として用いる場合の実施例
中で示した様に、あまり厚いとウェットエツチング時に
アンダーカットが発生し、コイルが浮き上ってしまうと
いう現象を生じる。そこで、Ｃｒ膜の厚さを０．４
μｍとして検討したところ、下地膜除去工程後にコイル
は浮き上らないことがわかった。It has been found that other etching solutions for the Cr film include an aqueous solution of hydrochloric acid, an aqueous solution of aluminum chloride, and an aqueous solution of a mixture of hydrochloric acid and nitric acid. By using these solutions, the magnetic gap film 3 or A coil pattern can be produced without etching the glabellar insulating film 4. Here, the thickness of the Cr film is
As shown in the example in which the -Cu two-layer film is used as a plating base film, if it is too thick, undercuts will occur during wet etching, resulting in the phenomenon that the coil will be lifted up. Therefore, the thickness of the Cr film was set to 0.4
When examined in μm, it was found that the coil did not float up after the base film removal process.
従って、Ｃｒ膜の厚さは０．４μｍ以下であればよいこ
とがわかった。Therefore, it was found that the thickness of the Cr film should be 0.4 μm or less.
めっきの下地膜の最下層の一層をウェットエツチングす
るエツチング液は、最下層のエツチング速度が、薄膜磁
気ヘッドを構成する磁気ギャップ膜３．及び、層間絶縁
膜４、及びめっきされたコイルの膜のエツチング速度に
対して、約五倍以上、可能であれば十倍以上あることが
望ましい６〔発明の効果〕
本発明によれば、めっき下地膜の除去時のめつき膜の減
少量の変動を小さくでき、かつ、磁気ギャップ膜、及び
、層間絶縁膜のエツチングを防止できるので５薄膜磁気
ヘツドのコイル抵抗値の安定化、磁気ギャップ長の寸法
の安定化、及び、ギャップ深さの寸法の安定化により、
性能ばらつきの小さい薄膜磁気ヘッドを提供することが
できる。The etching solution used to wet-etch the bottom layer of the base film for plating has an etching speed of the bottom layer of the magnetic gap film 3, which constitutes the thin-film magnetic head. The etching rate of the interlayer insulating film 4 and the plated coil film is desirably about five times or more, preferably ten times or more.6 [Effects of the Invention] It is possible to reduce fluctuations in the amount of reduction in the plating film when removing the base film, and to prevent etching of the magnetic gap film and interlayer insulating film, thereby stabilizing the coil resistance value and magnetic gap length of the 5-thin film magnetic head. By stabilizing the dimensions of and stabilizing the dimensions of the gap depth,
A thin film magnetic head with small performance variations can be provided.
第１図は本発明の一実施例のプロセスを示す断面図、第
２図は本発明の一実施例の断面図、第３図はエツチング
時間とエツチング深さを示す実験データ図である。
１・・・基板、２・・・下部磁性膜、３・・磁気ギャッ
プ膜。
４・・・層間絶縁膜、５・・・めっき下地膜の第−層、
６・・・めっき下地膜の第二層、７・・・ホトレジスト
膜。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a process according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an experimental data diagram showing etching time and etching depth. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Substrate, 2...Lower magnetic film, 3...Magnetic gap film. 4... Interlayer insulating film, 5... th layer of plating base film,
6... Second layer of plating base film, 7... Photoresist film.
Claims (1)
磁気ギャップ膜と、層間絶縁膜と、コイルと、上部磁性
膜と、保護膜とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、 前記コイルをめつき法で作製するに際し、めつき下地膜
の除去のために、最初にイオンビームエッチング法ある
いはスパッタエッチング法等のドライエッチング法を用
い、次いで、ウェットエッチング法を用いることにより
、前記めつき下地膜を除去し、前記コイルを作製するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を複数層の膜で
構成し、前記めつき下地膜の除去工程で、前記ドライエ
ッチング法により最下層である一層の膜の膜厚が当初形
成された膜の膜厚以下となるようにエッチングした後、
前記ウェットエッチング法を用いることにより最下層の
一層を除去することにより前記めつき下地膜を除去し、
コイルを作製することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 ３、特許請求の範囲第２項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を構成する膜の
最下層である一層の膜としてＴｉ膜を用いたことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記薄膜磁気ヘッ
ドの前記めつき下地膜を構成する膜の最下層であるＴｉ
膜の厚さを２５ｎｍから０．４μｍの範囲にしたことを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ５、特許請求の範囲第３項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を構成する膜の
最下層であるＴｉ膜をウェットエッチングする場合に、
使用する溶液中に、エチレンジアミン四酢酸塩、過酸化
水素、及び、アンモニアを含有する水溶液を用いること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ６、特許請求の範囲第２項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を構成する膜の
最下層である一層の膜としてＣｒ膜を用いたことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ７、特許請求の範囲第６項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を構成する膜の
最下層であるＣｒ膜の厚さを２５ｎｍから０．４μｍの
範囲にしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 ８、特許請求の範囲第６項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜を構成する膜の
最下層であるＣｒ膜をウェットエッチングする場合に、
使用する溶液中に、塩酸、塩化アルミニウム、あるいは
、塩酸と硝酸を含有する水溶液を用いることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ９、特許請求の範囲第６項において、 前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気ギャップ膜としてＳｉＯ
＿２膜を用い、前記薄膜磁気ヘッドの前記めつき下地膜
を構成する膜の最下層であるＣｒ膜をウェットエッチン
グする場合に、使用する溶液中に、フェリシアン化カリ
ウムとアルカリを含有する水溶液を用いることを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 １０、特許請求の範囲第２項において、 前記めつき下地膜の最下層の一層をウェットエッチング
するエッチング液として、最下層のエッチング速度が前
記薄膜磁気ヘッドを構成する前記磁気ギャップ膜及び前
記層間絶縁膜、及び、めつきされたコイルの膜のエッチ
ング速度が約五倍以上であるエッチング液を用いること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。[Claims] 1. A substrate used as a slider, a lower magnetic film,
In a method for manufacturing a thin film magnetic head including a magnetic gap film, an interlayer insulating film, a coil, an upper magnetic film, and a protective film, when the coil is manufactured by a plating method, for removing the plating base film. The thin film is characterized in that the plating base film is removed by first using a dry etching method such as an ion beam etching method or a sputter etching method, and then by using a wet etching method to produce the coil. A method of manufacturing a magnetic head. 2. In claim 1, the plating base film of the thin film magnetic head is composed of a plurality of layers, and in the step of removing the plating base film, the bottom layer is removed by the dry etching method. After etching so that the thickness of the film is less than the thickness of the originally formed film,
removing the plating base film by removing the bottom layer by using the wet etching method;
A method for manufacturing a thin film magnetic head, the method comprising manufacturing a coil. 3. A method for manufacturing a thin film magnetic head according to claim 2, characterized in that a Ti film is used as the bottom layer of the films constituting the plating base film of the thin film magnetic head. . 4. Claim 3, wherein Ti is the lowest layer of the film constituting the plating base film of the thin film magnetic head.
A method for manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that the thickness of the film is in the range of 25 nm to 0.4 μm. 5. In claim 3, when wet etching the Ti film that is the lowest layer of the film constituting the plating base film of the thin film magnetic head,
A method for manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that the solution used is an aqueous solution containing ethylenediaminetetraacetate, hydrogen peroxide, and ammonia. 6. A method for manufacturing a thin film magnetic head according to claim 2, characterized in that a Cr film is used as the bottom layer of the films constituting the plating base film of the thin film magnetic head. . 7. Claim 6, characterized in that the thickness of the Cr film, which is the lowest layer of the films constituting the plating base film of the thin-film magnetic head, is in the range of 25 nm to 0.4 μm. A method for manufacturing a thin film magnetic head. 8. In claim 6, when wet etching the Cr film that is the lowest layer of the film constituting the plating base film of the thin film magnetic head,
A method for manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that the solution used is an aqueous solution containing hydrochloric acid, aluminum chloride, or hydrochloric acid and nitric acid. 9. In claim 6, the magnetic gap film of the thin film magnetic head is made of SiO.
When wet-etching the Cr film, which is the lowest layer of the film constituting the plating base film of the thin-film magnetic head, using the _2 film, an aqueous solution containing potassium ferricyanide and an alkali is used in the solution used. A method for manufacturing a thin film magnetic head characterized by: 10. Claim 2, wherein an etching solution for wet etching a lowermost layer of the plating base film has an etching rate of the lowermost layer of the magnetic gap film and the interlayer insulating film constituting the thin film magnetic head. 1. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising using an etching solution having an etching rate of about five times or more for a film and a plated coil film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23499688A JPH0283811A (en) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | Production of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23499688A JPH0283811A (en) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | Production of thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283811A true JPH0283811A (en) | 1990-03-23 |
Family
ID=16979515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23499688A Pending JPH0283811A (en) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | Production of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283811A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213072A (en) * | 1991-05-28 | 1993-05-25 | Firma Carl Freudenberg | Valve actuating mechanism in the cylinder head of a combustion engine |
| JPH05159221A (en) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | Thin-film head and production thereof |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23499688A patent/JPH0283811A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213072A (en) * | 1991-05-28 | 1993-05-25 | Firma Carl Freudenberg | Valve actuating mechanism in the cylinder head of a combustion engine |
| JPH05159221A (en) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | Thin-film head and production thereof |
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