JPH0283678A - Data processing system developing method - Google Patents

Data processing system developing method

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JPH0283678A
JPH0283678A JP63235920A JP23592088A JPH0283678A JP H0283678 A JPH0283678 A JP H0283678A JP 63235920 A JP63235920 A JP 63235920A JP 23592088 A JP23592088 A JP 23592088A JP H0283678 A JPH0283678 A JP H0283678A
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JP
Japan
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data processing
nonvolatile memory
output
signal
data
Prior art date
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Pending
Application number
JP63235920A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Akao
赤尾 泰
Shiro Baba
馬場 志朗
Terumi Sawase
沢瀬 照美
Yoshimune Hagiwara
萩原 吉宗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To flexibly and easily respond to the change of the operating specification and the function of a data processing system by writing required data on a nonvolatile storage element included in a logic function block corresponding to a function requested to the system. CONSTITUTION:A single chip microcomputer 1 is constituted of a processor 5, a programmable logic array 6, and an input/output port 7, and respective block is connected with a common bus 8. In the case of necessitating the change of the operating specification or the function of the system on the middle way of a developing process when the data processing system is comprised by setting a semiconductor integrated circuit for data processing including an electrically loadable logic function block or a nonvolatile memory block as a key component, information with respect to the hardware-oriented logic function of the logic function block and the nonvolatile memory block are programmed electrically on the nonvolatile storage element corresponding to their change. In such a way, it is possible to respond to the change of the operating specification or the function of the system.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はデータ処理システムさらにはマイクロコンピュ
ータシステムの構成方法に係り、例えばシステム開発途
上におけるソフトウェアプロゲラの修正やシステムの機
能変更への対応に適用して有効な技術に関するものであ
る。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method of configuring a data processing system and furthermore a microcomputer system, and is useful, for example, in responding to modifications to software programs or changes in system functions during system development. It relates to techniques that can be applied and are effective.

〔従来技術〕[Prior art]

CPU (セントラル・プロセッシング・ユニット)を
中心に所要の周辺回路を1つの半導体基板に形成して成
るシングルチップマイクロコンピュータをキーコンポー
ネントとして、配線基板上に構成されるマイクロコンピ
ュータ応用システムは、その制御目的に応じ、データの
格納やデータ通イ目。
A microcomputer application system constructed on a wiring board has a single-chip microcomputer as a key component consisting of a central processing unit (CPU) and necessary peripheral circuits formed on a single semiconductor substrate, and its control purpose is Depending on the data storage and data visibility.

さらにはモータ駆動並びに表示制御などのためのハード
ウェアを実現するため、専用LSI、さらにはPAL 
(プログラマブル・アレイ・ロジック)やPLD (プ
ログラマブル・ロジック・デバイス)のようなプログラ
マブルデバイス、そしてTTL回路などが搭載される。
Furthermore, in order to realize hardware for motor drive and display control, dedicated LSI and even PAL
It is equipped with programmable devices such as (programmable array logic) and PLD (programmable logic device), and TTL circuits.

ところで、このようなマイクロコンピュータ応用システ
ムを開発するとき、ソフトウェアプログラムの変更やバ
グの修正に当たっては当該プログラムを保有するメモリ
に修正を加えなければならない。このようなソフトウェ
アプログラムの修正・変更対象とされるメモリを内蔵す
るシングルチップマイクロコンピュータにあっては、当
該メモリをEPROM化し、これを外部からの信号制御
に基づいて書き込み制御可能とする構成が時開昭和60
−198667号公報に開示されている。
By the way, when developing such a microcomputer application system, when changing a software program or fixing a bug, it is necessary to modify the memory that holds the program. For single-chip microcomputers that have a built-in memory that is subject to modification or modification of such software programs, it is often necessary to convert the memory into an EPROM and write to it in a manner that can be controlled based on external signal control. 1986
It is disclosed in Japanese Patent No.-198667.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上記したEPROM化されたプログラムメモ
リを持つシングルチップマイクロコンピュータの外部に
PALやPLD、さらにはTTL回路などにより構成さ
れた外部ロジックをハードウェアとするマイクロコンピ
ュータ応用システムを構成するとき、その開発途上にお
いてシステムの動作仕様や機能の変更に伴ってハードウ
ェアの修正が必要になった場合には、外部ロジックとし
てのプログラマブルデバイスのプログラム変更、また、
ゲートアレイで構成されるハードウェアに対してはその
マスクパターンの変更によるLSIの作り直し、さらに
は配線基板における配線パターンの変更などが必、要に
なり、マイクロコンピュータ応用システム開発途上にお
けるシステムの動作仕様や機能変更への対応が遅れてし
まう。
By the way, when configuring a microcomputer application system that uses external logic such as PAL, PLD, or TTL circuits as hardware outside the single-chip microcomputer that has the program memory in the form of EPROM, the development If it becomes necessary to modify the hardware due to changes in the operating specifications or functions of the system, we will modify the program of the programmable device as external logic, or
For hardware composed of gate arrays, it is necessary to rebuild the LSI by changing the mask pattern, and also to change the wiring pattern on the wiring board. and response to functional changes will be delayed.

一方、今日マイクロコンピュータ応用システムの多機能
化さらには小型化が進むなかで各種周辺機能をオン・チ
ップ化したシングルチップマイクロコンピュータのよう
データ処理LSIのそれらシステムへの応用はますます
拡大される傾向にあり、これにしたがってシングルチッ
プマイクロコンピュータは、インタフェース回路、タイ
マ・カウンタ、入出力制御回路、制御プログラムを格納
するROM、さらにはサブプロセッサなど、外部メモリ
や外部ロジックとしても構成可能な各種周辺機能を内蔵
するに至っている。このような状況下において、斯るシ
ングルチップマイクロコンピュータをキーコンポーネン
1〜とするマイクロコンピュータ応用システムを構成す
るときその開発途上においてシステムの動作仕様や機能
の部分的変更が必要になった場合、シングルチップマイ
クロコンピュータに内蔵される周辺機能特にハードウェ
ア的な論理機能部分が固定されていると、その要求を満
足するには1つの半導体基板に各種機能ブロックが形成
されて成るシングルチップマイクロコンピュータの性質
上、それ全体の設8F変更や製造のためのマスクパター
ンの変更などを行わなければならなくなり、マイクロコ
ンピュータ応用システム開発途上におけるシステムの動
作仕様や機能変更に対する迅速且つ簡jl、な対応が採
れなくなり、シングルチップマイクロコンピュータの多
機能化をも抑制することになるという問題点のあること
が本発明者によって明らかにされた。
On the other hand, as today's microcomputer application systems become more multifunctional and more compact, the application of data processing LSIs to these systems, such as single-chip microcomputers that incorporate various peripheral functions on-chip, tends to expand. Accordingly, single-chip microcomputers are equipped with various peripheral functions that can be configured as external memory or external logic, such as interface circuits, timers/counters, input/output control circuits, ROM that stores control programs, and even subprocessors. It has come to be built-in. Under these circumstances, when configuring a microcomputer application system in which such a single-chip microcomputer is the key component 1, if it becomes necessary to partially change the operating specifications or functions of the system during the development process, single-chip microcomputers may be used as key components. If the peripheral functions built into a chip microcomputer, especially the hardware-like logic functions, are fixed, the characteristics of a single-chip microcomputer, in which various functional blocks are formed on a single semiconductor substrate, are required to satisfy these requirements. Moreover, it would be necessary to change the entire configuration and mask patterns for manufacturing, making it impossible to quickly and easily respond to changes in system operation specifications and functions during the development of microcomputer application systems. The inventor of the present invention has revealed that there is a problem in that it also inhibits multifunctionalization of single-chip microcomputers.

本発明の目的は、データ処理システムの動作仕様や機能
の変更に対して柔軟にさらには容易に対応することがで
きるデータ処理システムの開発方法を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a method for developing a data processing system that can flexibly and easily respond to changes in the operating specifications and functions of the data processing system.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子に
対する芹き込み状態に応じて所要の論理機能を実現し得
る論理機能ブロックとCPUブロックとを1つの半導体
基板に形成して成るデータ処理用半導体集積回路を利用
してデータ処理システムを構成するにあたり、当該シス
テムに要求される機能に応じて上記論理回路ブロックに
含まれる不揮発性記憶素子に所要のデータを書き込むよ
うにするものである。このとき、データ処理システムの
動作仕様や機能変更に応じて上記論理機能ブロックに含
まれる不揮発性記憶素子を書き換えるステップ、或いは
その変更機能を論理回路ブロックの記憶情報に反映させ
た同一構造の新たなデータ処理用半導体集積回路に交換
するステップ、また、電気的に書き込み可能な不揮発性
記憶素子を含む不揮発性メモリブロックにデータ処理シ
ステムに要求される機能に応じたソフトウェアプログラ
ムを書き込むステップ、そして、データ処理システムの
機能変更に応じて上記不揮発性メモリブロックに含まれ
る不揮発性記憶素子を書き換えるステップ、或いはその
変更機能を不揮発性メモリブロックの記憶情報に反映さ
せた同一構造の新たなデータ処理用半導体集積回路に交
換するステップを含めることができる。
That is, a semiconductor integrated circuit for data processing is formed on a single semiconductor substrate with a logic function block and a CPU block that can realize a required logic function depending on the write state of an electrically writable non-volatile memory element. When constructing a data processing system using circuits, required data is written into the nonvolatile memory elements included in the logic circuit block according to the functions required of the system. At this time, there is a step of rewriting the non-volatile memory element included in the logic function block in accordance with the operational specifications and function changes of the data processing system, or writing a new one with the same structure in which the changed function is reflected in the storage information of the logic circuit block. a step of replacing the semiconductor integrated circuit with a data processing semiconductor integrated circuit; a step of writing a software program in accordance with the functions required of the data processing system into the nonvolatile memory block including an electrically writable nonvolatile memory element; A step of rewriting the non-volatile memory element included in the non-volatile memory block in accordance with a change in the function of the processing system, or a new semiconductor integrated circuit for data processing with the same structure in which the changed function is reflected in the storage information of the non-volatile memory block. A step may be included to replace the circuit.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、電気的に書き込み可能な論理機
能ブロックや不揮発性メモリブロックなどを含むデータ
処理用半導体集積回路をキーコンポーネントとしてデー
タ処理システムを構成するときその開発途上においてシ
ステムの動作仕様や機能の変更が必要になった場合、論
理機能ブロックのハードウェア的な論理機能や不揮発性
メモリブロックの情報をその変更に応じて不揮発性記憶
素子に電気的にプログラムすることにより、そのような
要求に対する迅速且つ簡単な対応が採れ、これにより、
システム動作仕様や機能の変更に対して柔軟にさらには
容易に対応することができるデータ処理システムの開発
方法を達成するものである。
According to the above means, when configuring a data processing system using a data processing semiconductor integrated circuit including an electrically writable logic function block, a non-volatile memory block, etc. as a key component, the operating specifications of the system can be adjusted during the development process. When a change in functionality becomes necessary, such a request can be handled by electrically programming the hardware logical function of the logical function block and the information in the non-volatile memory block into the non-volatile storage element according to the change. A quick and easy response can be taken, and as a result,
The objective is to achieve a data processing system development method that can flexibly and easily respond to changes in system operation specifications and functions.

〔実 施 例〕〔Example〕

第1図には本発明に係るデータ処理システムの開発方法
を適用した一実施例であるプリンタコントローラシステ
ムの概略ブロック図が示される。
FIG. 1 shows a schematic block diagram of a printer controller system which is an embodiment to which the data processing system development method according to the present invention is applied.

同図に示されるプリンタコントローラシステム]−00
0は、ホストコンピュータとインタフェースしながらプ
リンタの機械的部分を制御すものであり、シングルチッ
プマイクロコンピュータ1を中心に、例えばドノトプリ
ンタヘツ1−のドツトを印字データに従って駆動するた
めのヘット1へライバ10o1、プリンタヘッドを印字
方向に移動させるためのキャリッジリターンモータドラ
イバ1002、印字されるべき用紙などの媒体を移動さ
せるためのラインフィードモータドライバ1003など
が1つのボードに搭載されて成る。シングルチップマイ
クロコンピュータ1はセントロニクスインタフェースや
シリアルインタフェースを介してホストコンピュータか
ら印字データを受は取り、この印字データに応じて上記
ヘッド1ヘライバ1001を制御して媒体に印字する。
Printer controller system shown in the figure]-00
0 controls the mechanical parts of the printer while interfacing with the host computer, and uses a single-chip microcomputer 1 to control, for example, the dots in the printer head 1 to drive the dots according to print data. A driver 10o1, a carriage return motor driver 1002 for moving the printer head in the printing direction, a line feed motor driver 1003 for moving a medium such as paper to be printed, etc. are mounted on one board. The single-chip microcomputer 1 receives print data from a host computer via a Centronics interface or a serial interface, controls the head 1 driver 1001 according to this print data, and prints on a medium.

印字動作中におけるキャリッジリターンモータドライバ
1002やラインフィードモータドライバ1003はシ
ングルチップマイクロコンピュータ1に含まれるタイマ
などの出力やプリンタの機械的部分で検出される位置検
出信号、さらにはパネルスイッチからの入力などに基づ
いて駆動制御され、また、必要に応じて所要の情報をプ
リンタのパネルに表示制御したりする。尚、ヘッドドラ
イバ1001に与えられる印字データは、シングルチッ
プマイクロコンピユータ1から出力されるデータやアド
レスに基づいてインタフェースアダプタのようなLSI
を介して与えるようにしてもよく、また、外部からの位
置検出信号やパネルスイッチ入力、さらにはパネル表示
制御出力についてもそのインタフェースアダプタのよう
なLSIを介してやりとりするようにできる。そしてプ
リンタコントローラシステム1000にはシングルチッ
プマイクロコンピュータ1によってアクセス可能な拡張
用RAMを設けておくこともできる。
During printing, the carriage return motor driver 1002 and line feed motor driver 1003 receive outputs from timers included in the single-chip microcomputer 1, position detection signals detected by mechanical parts of the printer, and inputs from panel switches. The drive is controlled based on the information, and the display of required information on the printer panel is controlled as necessary. The print data given to the head driver 1001 is sent to an LSI such as an interface adapter based on the data and address output from the single-chip microcomputer 1.
Alternatively, external position detection signals, panel switch inputs, and even panel display control outputs can be exchanged via an LSI such as an interface adapter. The printer controller system 1000 can also be provided with an expansion RAM that can be accessed by the single-chip microcomputer 1.

第2図には上記シングルチップマイクロコンピュータ1
の一例が示される。同図に示されるシングルチップマイ
クロコンピュータ1はシリコンのような1個の半導体基
板に、論理動作制御ブロックとしてのCPU (セント
ラル・プロセッシング・ユニット)2.RAM (ラン
ダム・アクセス・メモリ)3、及びROM (リード・
オンリ・メモリ)4から成るプロセッサ5と、可変論理
構造の論理機能ブロックの一例としてのPLA (プロ
グラマブル・ロジック・アレイ)6.及び入出力ポート
(単にIloとも記す)7で構成され、夫々のブロック
は共通バス8にて接続される。また、上記PLA6は信
号線9,10によりl107及びCPU2に直接結合さ
れる。
Figure 2 shows the single-chip microcomputer 1 mentioned above.
An example is shown. A single-chip microcomputer 1 shown in the figure has a CPU (central processing unit) 2. RAM (random access memory) 3, and ROM (read memory)
(only memory) 4; and a PLA (programmable logic array) 6, which is an example of a logic function block with a variable logic structure. and an input/output port (also simply referred to as Ilo) 7, and each block is connected by a common bus 8. Further, the PLA 6 is directly coupled to l107 and the CPU 2 via signal lines 9 and 10.

上記ROM4はシングルチップマイクロコンピュータ1
のソフトウェアとしての動作プログラムを格納するため
のものであり、上記PLA6はシングルチップマイクロ
コンピュータ1のハードウェアの一部をプログラマブル
に実現するための論理機能ブロックとされ、このPLA
6は電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子を含んで
いる。
The above ROM4 is a single chip microcomputer 1
The PLA 6 is a logical function block for programmably realizing a part of the hardware of the single-chip microcomputer 1.
6 includes an electrically writable non-volatile memory element.

第3図には上記PLA6の構成を中心とした第2図のシ
ングルチップマイクロコンピュータの詳細な一例が示さ
れる。
FIG. 3 shows a detailed example of the single-chip microcomputer shown in FIG. 2, centering on the configuration of the PLA 6 described above.

上記PLA6はAND (論理積)面20.OR(論理
和)面21、出力ラッチ22、入力ラッチ23、及びセ
レクタ24の各回路と、夫々の回路間を結線するための
配線により構成される。プロセッサ5とPLA6との接
続は、プロセッサ5で生成される信号をPLA6の入力
ラッチ23に入力するための制御信号NIA8a、アド
レスバス8b、データバス8cで行われる。シングルチ
ップマイクロコンピュータ1の外部とのインタフェース
はデータバス8Cと接続されている出力ポードアa、入
出カポ−ドアb、入力ポードアCにより行われる。PL
A6の入力ラッチ23への入力は、上記制御信号線8a
、アドレスバス8b、データバス8c、入力ポードアc
の出カフ0c、出力セレクタ24の出力9cとされ、こ
の入力ラッチ23の出力はAND面20へ供給される。
The above PLA6 is an AND (logical product) surface 20. It is composed of circuits such as an OR (logical sum) plane 21, an output latch 22, an input latch 23, and a selector 24, and wiring for connecting the respective circuits. The connection between the processor 5 and the PLA 6 is made by a control signal NIA8a for inputting a signal generated by the processor 5 to the input latch 23 of the PLA6, an address bus 8b, and a data bus 8c. The single-chip microcomputer 1 is interfaced with the outside by an output port door a, an input/output port door b, and an input port door C, which are connected to the data bus 8C. P.L.
The input to the input latch 23 of A6 is the control signal line 8a.
, address bus 8b, data bus 8c, input port c
output cuff 0c and output 9c of the output selector 24, and the output of this input latch 23 is supplied to the AND plane 20.

AND面20の出力はOR面面上1入力とされ、OR面
面上1出力は出力ラッチ22しこ与えられる。出力ラッ
チ22の出力22aはセレクタ24に与えられると共に
、その一部の信号22bはAND面20の入力とされる
。セレクタ24の出力のうち9a、9bは夫々出力ポー
ドアa、入出カポ−ドアbの入力とされ、出力9Cはデ
ータバス8Cに結合されている。
The output of the AND plane 20 is one input on the OR plane, and one output on the OR plane is given to the output latch 22. The output 22a of the output latch 22 is given to the selector 24, and a part of the signal 22b is input to the AND plane 20. Outputs 9a and 9b of the selector 24 are input to the output port a and the input/output port door b, respectively, and the output 9C is coupled to the data bus 8C.

第4図には上記AND面20の一例が示される。FIG. 4 shows an example of the AND surface 20.

このAND面20は、特に制限されないが、紫外線消去
型の電気的に書き込み可能なチャンネル注入構造のよう
なEPROM (エレクトリカリ・プログラマブル・リ
ード・オンリ・メモリ)構成用の不揮発性記憶素子を含
んで構成される。このAND面20は、4人力(工。〜
I3)に対して4つの独立した論理積出力(A、−A3
)を得る構成とされる。このAND面2oには8行4列
で上記不揮発性記憶素子M (0,O)〜M (7,3
)をマトリクス配置して成るメモリセルアレイ40を含
む。ここで電気的に書き込み可能なEPROM構成用の
不揮発性記憶素子それ自体の構成は既に公知であるから
その詳細な説明については省略するが、当該不揮発性記
憶素子のしきい値電圧が1[V]程度の比較的低いレベ
ルにある状態を消去状態、そして、5[v]程度の比較
的高いレベルにある状態を書き込み状態と定義する。
This AND plane 20 may include non-volatile storage elements for EPROM (Electrically Programmable Read Only Memory) configurations such as, but not limited to, ultraviolet erasable electrically programmable channel injection structures. configured. This AND surface 20 is made by 4 people.
I3) with four independent AND outputs (A, -A3)
). On this AND surface 2o, the nonvolatile memory elements M (0, O) to M (7, 3
) is arranged in a matrix. Here, since the configuration of the nonvolatile memory element itself for the electrically writable EPROM configuration is already known, a detailed explanation thereof will be omitted, but the threshold voltage of the nonvolatile memory element is 1 [V A state at a relatively low level of about 5 [V] is defined as an erase state, and a state at a relatively high level of about 5 [V] is defined as a write state.

不揮発性記憶素子への書き込みは行単位で4ビツトづつ
行われる。即ち、書き込みデータを書き込み端子00〜
D、に与え1選択線S。−83のうち1つをハイレベル
のような選択レベルにすると共に、書き込み信号WEを
ハイレベルにし、書き込み端子Vpに書き込み電圧(例
えば12.5 [V])を与える。このとき入カニ。〜
■3の状態により正論理を書き込むか負論理を書き込む
かが決まる。
Writing to the nonvolatile memory element is performed row by row, 4 bits at a time. That is, the write data is written to the write terminals 00~
D, given one selection line S. -83 is set to a selection level such as high level, the write signal WE is set to high level, and a write voltage (for example, 12.5 [V]) is applied to the write terminal Vp. At this time, crab was added. ~
■Whether to write positive logic or negative logic is determined by the state of 3.

例えば入力■。を例にすると、入力■。がハイレベルと
されるときにはワード線W。Pが選択され、また、入カ
ニ。がローレベルとされるときにはワード線W。nが選
択とされる。選択されたワード線にゲート電極が結合さ
れた不揮発性記憶素子のゲート電極には抵抗Rj  (
j=。〜7)を介して書き込み電圧が与えられる。書き
込み端子D0〜D。
For example, input ■. For example, input ■. When the word line W is set to high level. P is selected and crab enters again. When the word line W is set to low level. n is selected. A resistor Rj (
j=. A write voltage is applied via 7). Write terminals D0 to D.

に書き込みデータを受ける電圧変換回路W、〜W3は書
き込みデータレベルがハイレベルである場合に書き込み
に必要なドレイン電圧を発生して、夫々データ線d。−
d、に与える。これにより、消去状態を初期状態とする
不揮発性記憶素子は、ワード線が選択されてハイレベル
の書き込みデータが与えられた場合に書き込み状態とさ
れ、それ以外のものは消去状態を維持する。
Voltage converting circuits W, -W3 which receive write data on the data lines d generate drain voltages necessary for writing when the write data level is high level, respectively. −
d. As a result, the nonvolatile memory element whose initial state is the erased state is put into the write state when a word line is selected and high-level write data is applied, and the other nonvolatile memory elements maintain the erased state.

このような書き込み動作によりメモリセルアレイ40に
含まれる不揮発性記憶索子M (0,O)〜M (7,
3)のプログラムが行われる。
Through such a write operation, the nonvolatile memory elements M (0, O) to M (7,
The program 3) is carried out.

プログラムされたAND面20を論理動作させる場合に
は、書き込み端子Vpに回路の電源電圧(もしくは接地
電圧)を与えると共に、書き込み信号WEをローレベル
にし、そして信号81〜S。
When the programmed AND plane 20 is to perform a logical operation, the power supply voltage (or ground voltage) of the circuit is applied to the write terminal Vp, the write signal WE is set to low level, and the signals 81 to S are applied.

を全でハイレベルとする。これにより、入カニ。are all at a high level. This allows you to enter the crab.

〜■、のレベルに従ってワード線が選択され、選択され
たワード線にゲート電極が結合される不揮発性記憶素子
のプログラム状態に応じたデータレベルがデータ線d。
A word line is selected according to the levels of ~■, and the data line d has a data level corresponding to the programmed state of the nonvolatile memory element whose gate electrode is coupled to the selected word line.

−d、を介してセンスアンプSAl]〜SA、で検出さ
れ、この結果として、センスアンプ5Ao−’SA、か
らは、論理積出力A。−Ajが得られる。
As a result, the sense amplifier 5Ao-'SA outputs an AND output A. -Aj is obtained.

第5図には第3図に含まれるOR面21の一例が示され
る。このOR面21は、論理積出力A。。
FIG. 5 shows an example of the OR plane 21 included in FIG. 3. This OR surface 21 is a logical product output A. .

A1を2人力とするオア回路ORI、論理積出力A2.
A、を2人力とするオア回路OR2,オア回路OR4,
○R2の出力を2人力とするオア回路OR3、オア回路
ORIとオア回路○R3の出力を選択する出力選択回路
50により構成される。
OR circuit ORI with two-man power for A1, AND output A2.
OR circuit OR2, OR circuit OR4, where A is powered by two people,
It is composed of an OR circuit OR3 which outputs the output of R2 by two people, an output selection circuit 50 which selects the output of the OR circuit ORI and the OR circuit R3.

上記選択回路50の入力信号51がハイレベルにされる
と、トランジスタ゛r1がオン状態にされると共にトラ
ンジスタT2がオフ状態にされ、OR而面1は以下の論
理式で示される論理和出力O8,○、を得る。
When the input signal 51 of the selection circuit 50 is set to high level, the transistor r1 is turned on and the transistor T2 is turned off, and the OR plane 1 is outputted by the logical sum output O8, ○ is obtained.

○、=Ao+Aよ O工=A2+A。○、=Ao+A O engineering=A2+A.

また、上記選択回路50の入力信号51がローレベルに
されると、トランジスタT1がオフ状態にされると共に
トランジスタT2がオン状態にされ、OR面21は以下
の論理式で示される論理和出力0゜、O□を得る。
Further, when the input signal 51 of the selection circuit 50 is set to a low level, the transistor T1 is turned off and the transistor T2 is turned on, and the OR plane 21 outputs a logical sum of 0 as shown by the following logical formula.゜, O□ is obtained.

Oo ” A o + A x + A x + A 
30、=A2+A。
Oo ” A o + A x + A x + A
30,=A2+A.

第3図に示されるシングルチップマイクロコンピュータ
1は、入力ラッチ23及びセレクタ24を切り換え制御
することにより例えば第6図に示される態様で動作可能
とされる。
The single-chip microcomputer 1 shown in FIG. 3 can operate in the manner shown in FIG. 6, for example, by switching and controlling the input latch 23 and the selector 24.

第6図(A)に示される態様は、第3図の入力う名チ2
3の入力としてバス8a〜8cの情報を選択し、セレク
タ24の出力をボート7a、7bに与えるようにするこ
とにより、プロセッサ5の出力をPLA6で変換処理し
てシングルチップマイクロコンピュータ1の外部に出力
するものである。
The aspect shown in FIG. 6(A) is the input name 2 of FIG.
By selecting the information on the buses 8a to 8c as the inputs of the processor 3 and giving the output of the selector 24 to the ports 7a and 7b, the output of the processor 5 is converted by the PLA 6 and sent to the outside of the single-chip microcomputer 1. This is what is output.

第6図(B)に示される態様は、入力ラッチ23の入力
としてボート7b、7cの出力を選択し、セレクタ24
の出力として出力9cを選択することにより、シングル
チップマイクロコンピュータ1の外部から与えられる信
号をPLA6で変換処理してプロセッサ5に与えるもの
である。
In the embodiment shown in FIG. 6(B), the outputs of the boats 7b and 7c are selected as inputs to the input latch 23, and the selector 24
By selecting the output 9c as the output of the single-chip microcomputer 1, a signal applied from the outside of the single-chip microcomputer 1 is converted by the PLA 6 and is applied to the processor 5.

第6図(C)に示される態様は、入力ラッチ23の入力
としてバス88〜8cの情報を選択し。
In the embodiment shown in FIG. 6(C), information on buses 88 to 8c is selected as input to the input latch 23.

セレクタ24の出力もバス8cに与えるようにすること
により、プロセッサ5の出力をPLA6で変換処理して
再びプロセッサ5に戻すというものである。
By supplying the output of the selector 24 to the bus 8c, the output of the processor 5 is converted by the PLA 6 and returned to the processor 5 again.

第6図(D)に示される態様は、入力ラッチ23の入力
としてポーh7b、7cの出力を選択し、セレクタ24
の出力として出力9a、9bを選択することにより、プ
ロセッサ5とは無関係に、シングルチップマイクロコン
ピュータ1の外部から与えられる信号をP L A、 
6で変換処理して再びシングルチップマイクロコンピュ
ータ1の外部に出力するというものである。
In the embodiment shown in FIG. 6(D), the outputs of ports h7b and 7c are selected as inputs of the input latch 23, and the selector 24
By selecting outputs 9a and 9b as the outputs of PLA,
6, the data is converted and output again to the outside of the single-chip microcomputer 1.

尚、上記第6図(A)〜(D)に夫々示される態様を2
つ以上を組合せることも可能である。例えば上記第6図
(A)と(B)に示される態様の組合せでは、PLA6
の入力を分割し、一方をプロセッサ5の出力(8a〜8
C)、他方を外部からの人力(7b、7c)とし、PL
A6の出力も分割して、一方をプロセッサ5の入力(8
c)。
Note that the embodiments shown in FIGS. 6(A) to 6(D) above are
It is also possible to combine two or more. For example, in the combination of the embodiments shown in FIGS. 6(A) and (B) above, PLA6
divides the input of the
C), the other is external human power (7b, 7c), and PL
The output of A6 is also divided, and one side is connected to the input of processor 5 (8
c).

他方を外部への出力(7a、7b)とすることもできる
The other can also be output to the outside (7a, 7b).

以上説明したシングルチップマイクロコンピュータ1を
利用してプリンタコントローラシステム1000を構成
する場合、紫外線消去形の電気的に書き込み可能な不揮
発性記憶素子を含むP L A6に対しては、プリンタ
コントローラシステム100oに要求される機能に応じ
てその論理構成即ち不揮発性記憶素子に対するプログラ
ム状態を決定する。シングルチップマイクロコンピュー
タ1を窓付きのパッケージに封入し、当該窓から紫外線
を照射して記憶情報を消去した後に、新たに論理情報を
電気的に書き直すことにより、シングルチップマイクロ
コンピュータ1におけるハードウェアの一部を担うP 
L A 6の論理の変更や誤りの修正がシングルチップ
マイクロコンピュータ1上で可能になり、シングルチッ
プマイクロコンピュータ1はプリンタコントローラシス
テム1000の動作仕様や機能の変更に対して柔軟に対
応することができるようになる。しかもそのような変更
に対してシングルチップマイクロコンピュータ1は繰返
し利用可能になる。窓付きパッケージに封入されていな
い場合には必要な論理情報を訃き込んだ構造の同じ新た
なシングルチップマイクロコンピュータに変更すればよ
い。
When configuring the printer controller system 1000 using the single-chip microcomputer 1 described above, the printer controller system 100o will be The logical configuration, ie, the program state for the nonvolatile memory element, is determined depending on the required function. By enclosing the single-chip microcomputer 1 in a package with a window, erasing the stored information by irradiating ultraviolet rays through the window, and then electrically rewriting new logic information, the hardware in the single-chip microcomputer 1 can be changed. P plays a part
It becomes possible to change the logic of L A 6 and correct errors on the single-chip microcomputer 1, and the single-chip microcomputer 1 can flexibly respond to changes in the operational specifications and functions of the printer controller system 1000. It becomes like this. Furthermore, the single-chip microcomputer 1 can be used repeatedly for such changes. If the microcomputer is not packaged in a windowed package, it can be replaced with a new single-chip microcomputer with the same structure but with the necessary logical information.

尚、PLA6の不揮発性記憶素子は電気的に書き込み消
去可能なMNOS (メタル・ナイ1へライド・オキサ
イド・セミコンダクタ)やフローティングゲート型のE
EI)ROM(エレクトリカリ・イレーザブル・アンド
・プログラマブル・リード・オンリ・メモリ)構成用の
不揮発性記憶素Pを利用することもできる。
The non-volatile memory element of PLA6 is an electrically programmable and erasable MNOS (Metal Nyride Oxide Semiconductor) or a floating gate type E.
EI) A non-volatile memory element P for ROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) configuration can also be used.

次に可変論理構造の論理機能ブロックとしてプロセッサ
構造のプログラマブル論理回路すなわちサブプロセッサ
を付加して構成されたシングルチップマイクロコンピュ
ータについて説明する。このシングルチップマイクロコ
ンピュータ1は、第7図に示されるように、第2図に示
される構成に対し、共通バス8、P L A 6、及び
l107に接続するサブプロセッサ100を付加して成
る。
Next, a single-chip microcomputer constructed by adding a programmable logic circuit having a processor structure, that is, a subprocessor, as a logic function block with a variable logic structure will be described. As shown in FIG. 7, this single-chip microcomputer 1 is constructed by adding a sub-processor 100 connected to the common bus 8, PLA 6, and 1107 to the configuration shown in FIG.

第8図には上記サブプロセッサ100の構成例と、サブ
プロセッサ100.PLA6、l107、共通バス8間
の接続関係が示される。
FIG. 8 shows an example of the configuration of the sub-processor 100 and the sub-processor 100. The connection relationship between the PLA 6, l107, and common bus 8 is shown.

サブプロセッサ100は命令を格納するためのROM 
101、このROM 101の格納情報に基づいて制御
信号を発生するための制御回路1.02、ROM 10
 Lをアクセスするための次のアドレスを保持するアド
レスラッチ103.第1、第2、そして第3のデータバ
ス104、】−05、]−06に接続されたALU (
算術論理演算ユニット)107、レジスタファイル10
8、P S G (プログラマブルシーケンシャルジェ
ネレータ)109、このPSG109で制御されるST
R(ステータスレジスタ)110.上記サブプロセッサ
]−〇〇と共通バス8を接続するためのBIF (バス
インタフェース回路)111により構成される。
The sub-processor 100 is a ROM for storing instructions.
101, a control circuit 1.02 for generating a control signal based on the information stored in this ROM 101, ROM 10
Address latch 103.L holding the next address for accessing L. ALU (
arithmetic logic unit) 107, register file 10
8. PSG (Programmable Sequential Generator) 109, ST controlled by this PSG 109
R (Status Register) 110. The above sub-processor]-〇〇 is constituted by a BIF (bus interface circuit) 111 for connecting the common bus 8.

上記PLA6は配線112aにより共通バス8に、そし
て配線112bにより1107に夫々結線されると共に
、配線112cによりサブプロセッサ100の制御回路
102で発生される制御信号102aに、配線112d
によりステータスレジスタ110の出力110aに、及
びl107からALU107に入力される信号107a
に夫々接続される。
The PLA 6 is connected to the common bus 8 by a wiring 112a and to the common bus 1107 by a wiring 112b, and is connected to a control signal 102a generated by the control circuit 102 of the sub-processor 100 by a wiring 112c to a wiring 112d.
The signal 107a is input to the output 110a of the status register 110 and from l107 to the ALU 107.
are connected to each.

上記PSGLO9、ROMl0I、及びPLA6は上記
したような電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子に
て構成される。したがって、第7図に示されるシングル
チップマイクロコンピュータ1においても、それらPS
G109、ROM 101、及びPLA6に含まれる不
揮発性記憶素子はプリンタコントローラシステム100
0に要求される機能に応じてその論理構成が決定される
The PSGLO9, ROM10I, and PLA6 are constructed of electrically writable nonvolatile memory elements as described above. Therefore, even in the single-chip microcomputer 1 shown in FIG.
The nonvolatile memory elements included in G109, ROM 101, and PLA6 are part of printer controller system 100.
Its logical configuration is determined according to the functions required for the 0.

そして、シングルチップマイクロコンピュータ1のパッ
ケージに形成されている窓から紫外線を照射して記憶情
報を消去した後に、新たに論理情報を電気的に書き直す
ことにより、シングルチップマイクロコンピュータ1に
おけるハードウェアや論理機能の一部を担うPLA6.
PSG109゜ROMl01などの論理の変更や誤りの
修正が可能になり、シングルチップマイクロコンピュー
タ1はプリンタコントローラシステム100oの仕様や
機能の変更に対して柔軟に対応することができるように
なる。
Then, after erasing the stored information by irradiating ultraviolet rays through the window formed in the package of the single-chip microcomputer 1, new logic information is electrically rewritten, and the hardware and logic in the single-chip microcomputer 1 are erased. PLA6, which plays a part of the function.
It becomes possible to change the logic and correct errors in the PSG 109° ROM 101, etc., and the single-chip microcomputer 1 can flexibly respond to changes in the specifications and functions of the printer controller system 100o.

第9図にはチップ内部にソフトウェアプログラムを格納
するためのROM4をEPROM化したシングルチップ
マイクロコンピュータ1の一例が示される。
FIG. 9 shows an example of a single-chip microcomputer 1 in which the ROM 4 for storing a software program inside the chip is converted into an EPROM.

第9図においてシングルチップマイクロコンピュータ1
は、CPU2、ソフトウェアプログラムを格納するため
の電気的に書き込み可能な不揮発性メモリブロックとし
てのEPROMのようなROM4 (以下単にこのRO
M4を不揮発性メモリブロック4とも記す)、制御信号
生成回路500、上記サブプロセッサやPLAなどを構
成するプログラマブル論理回路900などの機能モジュ
ールを含んで成る。上記CPU2、不揮発性メモリブロ
ック4、プログラマブル論理回路900などはアドレス
バス41やデータバス42と接続され。
In Figure 9, single-chip microcomputer 1
is a CPU 2, a ROM 4 (hereinafter simply referred to as this ROM) such as an EPROM as an electrically writable non-volatile memory block for storing software programs.
M4 is also referred to as a nonvolatile memory block 4), a control signal generation circuit 500, and a programmable logic circuit 900 that constitutes the sub-processor, PLA, etc., and other functional modules. The CPU 2, nonvolatile memory block 4, programmable logic circuit 900, etc. are connected to an address bus 41 and a data bus 42.

特に、アドレスバス41とCPU2との間にはスイッチ
素子61が介在され、データスバス42とCPU2との
間にはスイッチ素子62、不揮発性メモリブロック4と
データバス42との間にはスイッチ素子63、そしてプ
ログラマブル論理回路900とデータバス42との間に
はスイッチ素子63が介在されている。アドレスバス4
1は、出カバソファとして機能するような3ステートト
ライバ72や、入カバソファとして機能するようなイン
バータ82及び3ステートインバータ65を介して信号
線519によりシングルチップマイクロコンピュータ1
の外部とインタフェース可能にされている。同様にデー
タバス42は出力バッファとして機能するような3ステ
ー1〜ドライバ71や、入力バッファとして機能するよ
うなインバータ81及び3ステートインバータ64を介
して信号5518によりシングルチップマイクロコンピ
ュータ1の外部とインタフェース可能にされている。
In particular, a switch element 61 is interposed between the address bus 41 and the CPU 2, a switch element 62 is interposed between the data bus 42 and the CPU 2, and a switch element 63 is interposed between the nonvolatile memory block 4 and the data bus 42. , and a switch element 63 is interposed between the programmable logic circuit 900 and the data bus 42. address bus 4
1 is connected to the single-chip microcomputer 1 by a signal line 519 via a 3-state driver 72 that functions as an output sofa, an inverter 82 and a 3-state inverter 65 that function as an input sofa.
It is possible to interface with the outside world. Similarly, the data bus 42 is interfaced with the outside of the single-chip microcomputer 1 by a signal 5518 via the 3-stage 1 to driver 71 that function as output buffers, and the inverter 81 and 3-state inverter 64 that function as input buffers. is made possible.

上記制御信号生成回路500には、データ転送制御のた
めの制御信号5101〜5104がCPU2から与えら
れると供に、シングルチップマイクロコンピュータ1の
動作モードなどを指示するための制御信号5111,5
121,513.5122がシングルチップマイクロコ
ンピュータ1の外部から与えられる。このような各種信
号が与えられる制御信号生成回路500は、CPU2゜
不揮発性メモリブロック4.プログラマブル論理回路9
00とデータバス42やアドレスバス41゜さらには信
号線518,519との間でのデータ転送タイミングを
制御するための制御信号520〜528を生成する。尚
、制御信号生成回路5゜Oから外部に出力される信号5
]、4,515は外部に対するリード・サイクル、ライ
ト・サイクルを意味する信号であり、また、不揮発性メ
モリブロック4及びプログラマブル論理回路900には
それらに含まれる不揮発性記憶素子の書き込みに必要な
高電圧などを外部から共通に与えるための信号線516
が結合されている。
The control signal generation circuit 500 is supplied with control signals 5101 to 5104 for data transfer control from the CPU 2, and control signals 5111 and 5104 for instructing the operation mode of the single-chip microcomputer 1.
121, 513, and 5122 are given from outside the single-chip microcomputer 1. The control signal generation circuit 500 to which such various signals are applied is connected to the CPU 2°, the nonvolatile memory block 4. Programmable logic circuit 9
Control signals 520 to 528 are generated to control data transfer timing between 00 and data bus 42, address bus 41°, and signal lines 518 and 519. Note that the signal 5 output from the control signal generation circuit 5°O to the outside
], 4,515 are signals indicating external read cycles and write cycles, and the nonvolatile memory block 4 and programmable logic circuit 900 have high voltage signals necessary for writing to the nonvolatile memory elements included therein. Signal line 516 for commonly applying voltage etc. from the outside
are combined.

第9図に示されるシングルチップマイクロコンピュータ
1においては、データバス42及び71へレスバス41
に共通に接続されている不揮発性メモリブロック4とプ
ログラマブル論理回路900は同一アドレス空間に配置
されている。したがって、不揮発性メモリブロック4と
プログラマブル論理回路900に対する書き込み処理に
際してアドレス空間を切り換えるための特別な処理や回
路構成は必要とされず、夫々に割り当てられているアド
レスを指定することにより、同一の制御もしくは同一の
シーケンスによりそれらに含まれる所要の不揮発性記憶
素子に対して書き込みとベリファイ処理を簡単に行うこ
とができる。この結果、共通の書き込み装置を利用する
ことができ、また、内蔵されるCPU2を使う場合にも
書き込みやベリファイ処理を同一シーケンスで行うこと
ができる。
In the single-chip microcomputer 1 shown in FIG.
The nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900, which are commonly connected to each other, are arranged in the same address space. Therefore, no special processing or circuit configuration is required to switch the address space when writing to the nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900, and by specifying the addresses assigned to each, the same control can be achieved. Alternatively, write and verify processing can be easily performed on required nonvolatile memory elements included therein using the same sequence. As a result, a common writing device can be used, and even when using the built-in CPU 2, writing and verify processing can be performed in the same sequence.

第10図には第9図に示される制御信号生成回路500
の一例が示される。この制御信号生成回路500は、特
に制限されないが、AND面51とORRb2Oて硝酸
される。このAND1眉51は縦方向の6本の信号線が
夫々論理積出力信号線とされ、縦方向の信号線に交わる
横方向の信号線の内○印で示される交点に対応する横方
向の信号線の入力に対して論理積を採った結果が該当す
る論理積出力とされ、例えば、縦方向の論理積出力信号
線に交わる○印で示される横方向の信号線の入力が全て
ハイレベルである場合に該当する縦方向の論理積出力信
号線の出力がハイレベルとされる。AND面における6
本の論理積出力信号線はORRb2O入力とされ、この
縦方向の6本の入力信号線と交わる横方向の論理和出力
信号線には。
FIG. 10 shows a control signal generation circuit 500 shown in FIG.
An example is shown. Although this control signal generation circuit 500 is not particularly limited, the AND plane 51 and the ORRb2O are nitrated. This AND1 eyebrow 51 has six vertical signal lines each serving as an AND output signal line, and a horizontal signal corresponding to the intersection point indicated by a circle among the horizontal signal lines that intersect with the vertical signal line. The result of performing logical product on the line inputs is the corresponding logical product output. For example, if all the inputs on the horizontal signal lines marked with a circle that intersect with the vertical logical product output signal line are at high level. In a certain case, the output of the corresponding vertical AND output signal line is set to high level. 6 on the AND side
The logical product output signal line of this book is set as the ORRb2O input, and the horizontal logical sum output signal line that intersects with the six vertical input signal lines.

○印で示される交点に対応する縦方向の入力信号線の入
力に対して論理和を採った結果が論理和出力とされ1例
えば、横方向の論理和出力信号線に交わるO印で示され
る縦方向の入力信号線の入力が1つでもハイレベルであ
る場合に該当する横方向の論理和出力信号線の出力がハ
イレベルとされる。
The result of ORing the inputs of the vertical input signal lines corresponding to the intersections indicated by ○ marks is the OR output.1For example, it is indicated by the O mark that intersects with the horizontal OR output signal lines. If even one input to the vertical input signal line is at high level, the output from the corresponding horizontal OR output signal line is set to high level.

外部から与えられる制御信号513がローレベルのとき
、その反転信号5131をO印の交点に受ける論理積出
力信号線5291.5292.5293.5296には
、CPU2から出力される制御信号5101〜5104
のレベルを有効とする論理積出力が得られる。この状態
で制御信号5101  (TRI)、5104  (E
xtM)がハイレベルのとき、論理積出力信号線529
1がハイレベルとなって外部デバイスリードモードが設
定される。当該動作モードにおいては、外部に対するリ
ード・サイクルを意味する制御信号514(TR3)が
ハイレベルにアサートされると共に、制御信号520.
527.528もハイレベルにアサートされる。ハイレ
ベルの制御信号520はスイッチ素子61をオン状態に
制御し、且つハイレベルの制御信号528は3ステート
ドライバ72を出力動作可能に制御することにより、C
PU2から出力されるアドレス信号はアドレスバス41
及び信号線519を介して外部に出力される。
When the control signal 513 applied from the outside is at a low level, the AND output signal lines 5291.5292.5293.5296 which receive the inverted signal 5131 at the intersection of the O marks are connected to the control signals 5101 to 5104 output from the CPU 2.
A logical AND output is obtained that makes the level of . In this state, control signals 5101 (TRI), 5104 (E
xtM) is at a high level, the AND output signal line 529
1 becomes high level and external device read mode is set. In this operating mode, the control signal 514 (TR3) indicating an external read cycle is asserted to a high level, and the control signals 520 .
527.528 are also asserted high. The high-level control signal 520 controls the switch element 61 to be in the ON state, and the high-level control signal 528 controls the 3-state driver 72 to enable output operation.
The address signal output from PU2 is the address bus 41.
and is output to the outside via a signal line 519.

このアドレス信号と制御信号514に応答する図示しな
い外部被アクセスモジュールが出力するデータは、外部
から信号線518に与えられると共に、上記ハイレベル
の制御信号527にてオン動作される3ステートインバ
ータ64からデータバス42に与えられて、CPU2に
読み込まれる。
Data output by an external accessed module (not shown) in response to the address signal and control signal 514 is externally applied to the signal line 518 and is also supplied from the three-state inverter 64 turned on by the high-level control signal 527. It is applied to the data bus 42 and read into the CPU 2.

この外部デバイスリートモードにおいて、制御信号52
4はローレベルにされているから、外部がらデータバス
42に取り込まれたデータが不揮発性メモリブロック4
やプログラマブル論理回路900の動作によって撹乱さ
れることはない。
In this external device read mode, the control signal 52
4 is set to low level, the data fetched from the outside to the data bus 42 is transferred to the nonvolatile memory block 4.
and the operation of the programmable logic circuit 900.

上記制御信号513がローレベルのときに制御信号51
02 (TWO,)、5104 (ExtM)がハイレ
ベルにされると、出力信号、l1t5292がハイレベ
ルとなって外部デバイスライトモードが設定される。当
該動作モードにおいては、外部に対するライト・サイク
ルを意味する制御信号515 (TW3)がハイレベル
にアサ−1へされると共に、制御信号520.521.
526.528もハイレベルにアサートされる。これに
より、CPU2から出力されるアドレス信号は上記同様
オン動作されるスイッチ素子61、出力動作可能に制御
される3ステートドライバ72、及び信号線519を介
して外部に出力されると共に、CP U 2から出力さ
れる暑き込みデータが、ハイレベルの制御信号521に
てオン動作されるスイッチ素子62、データバス42.
ハイレベルの制御信号526で出力動作可能に制御され
る3ステートドライバ71、及び信号線518を介して
外部に与えられ、これによって外部の被アクセスモジュ
ールへの書き込みが行われる。
When the control signal 513 is at a low level, the control signal 51
When 02 (TWO,) and 5104 (ExtM) are set to high level, the output signal l1t5292 becomes high level and external device write mode is set. In this operation mode, the control signal 515 (TW3), which means a write cycle to the outside, is asserted to high level and the control signals 520, 521 .
526.528 is also asserted high. As a result, the address signal output from the CPU 2 is outputted to the outside via the switch element 61 which is turned on in the same manner as described above, the 3-state driver 72 which is controlled to enable output operation, and the signal line 519, and is also output from the CPU 2 to the outside. The hot weather data output from the switch element 62, which is turned on by the high-level control signal 521, and the data bus 42.
It is applied to the outside via the 3-state driver 71 controlled to be able to output by a high-level control signal 526 and the signal line 518, thereby writing to an external accessed module.

上記制御信号513がローレベルのとき制御信号510
1 (TRI)、5103 (IntM)がハイレベル
の状態では出力信号線5293がハイレベルとなって内
部デバイス読み込みモードが設定される。当該動作モー
ドにおいては、制御信号520.522 (TR,)、
524がハイレベルにアサートされる。これによりCP
U2から出力されるアドレス信号はスイッチ素子61を
介してアドレスバス41に与えられ、不揮発性メモリブ
ロック4のアドレス信号426又はプログラマブル論理
回路900のアドレス信号5172とされる。同時に制
御信号522により不揮発性メモリブロック4及びプロ
グラマブル論理回路900にはリード動作が指示される
。このとき不揮発性メモリブロック4及びプログラマブ
ル論理回路900はリニアな同一アドレス空間に配置さ
れているため、双方にアドレス信号が与えられてもその
アドレス信号に従って何れか一方だけがデータの読み出
しを行い、読み出されたデータはスイッチ素子63又は
66の何れか一方を介してデータバス42に与えられる
。CPU2はこのようにしてデータバス42に出力され
たデータを信号線423から読み込む。
When the control signal 513 is low level, the control signal 510
1 (TRI) and 5103 (IntM) are at high level, the output signal line 5293 becomes high level and the internal device read mode is set. In this operating mode, the control signals 520.522 (TR,),
524 is asserted high. This allows C.P.
The address signal output from U2 is applied to the address bus 41 via the switch element 61, and is used as the address signal 426 of the nonvolatile memory block 4 or the address signal 5172 of the programmable logic circuit 900. At the same time, the control signal 522 instructs the nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900 to perform a read operation. At this time, since the nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900 are arranged in the same linear address space, even if an address signal is given to both, only one of them reads data according to that address signal. The output data is applied to the data bus 42 via either switch element 63 or 66. The CPU 2 reads the data outputted to the data bus 42 in this way from the signal line 423.

上記制御信号513がローレベルのとき制御信号510
2 (TWl、)、5103 (Int、M)がハイレ
ベルの状態では、出力信号線5296がハイレベルとな
って内部デバイス書き込みモードが設定される。当該動
作モードにおいては、制御信号520,521,523
  (TW4)がハイレベルにアサートされる。これに
よりCP U 2から出力されるアドレス信号はスイッ
チ素子6】を介してアドレスバス41に与えられると供
に、CPU2から出力される書き込みデータがスイッチ
素p62を介してデータバス42に与えられ、さらにプ
ログラマブル論理回路900にはライト動作が指示され
る。これによりアドレス信号によって指定されるプログ
ラマブル論理回路900の所要アドレスにデータが傅き
込まれる。
When the control signal 513 is low level, the control signal 510
2 (TWl,) and 5103 (Int, M) are at high level, the output signal line 5296 is at high level, and the internal device write mode is set. In this operating mode, the control signals 520, 521, 523
(TW4) is asserted to high level. As a result, the address signal output from the CPU 2 is applied to the address bus 41 via the switch element 6], and the write data output from the CPU 2 is applied to the data bus 42 via the switch element p62. Further, programmable logic circuit 900 is instructed to perform a write operation. As a result, data is loaded into the required address of the programmable logic circuit 900 specified by the address signal.

一方、制御信号513がハイレベルのとき、その反転信
号5131を○印の交点に受ける論理積出力信号152
91.5292.5293.5296は、CPU2から
出力される制御信号5101〜5104のレベルとは無
関係にローレベルにネゲートされ、これにより制御信号
520,521は常時ローレベルに制御されて、CPU
2によるデータバス42、アドレスバス41へのデータ
とアドレスの出力が実質的に不可能にされる。すなわち
、CPU2はアドレスバス41及びデータバス42から
切り離される。この状態で制御信号5121  (TR
2)がハイレベルにされると、論理積出力信号線529
4がハイレベルとなって外部からのアクセスに基づくリ
ードモードが設定される。この動作モートはEPROM
ライタなどによる書き込み後におけるベリファイのため
のデスl−読み出しに利用される。当該動作モードにお
いては、制御信号522 (TR4)、524,525
.526がハイレベルにアサ−1へされる。これにより
、外部から信号線519に供給されるアドレス信号が、
制御信号525により動作可能な状態に制御された3ス
テートインバータ65を介してアドレスバス41に与え
られ、このアドレス信号はアドレスバス41から信号線
426及び5172を介して不揮発性メモリブロック4
及びプログラマブル論理回路900に与えられる。不揮
発性メモリブロック4及びプログラマブル論理回路90
0には制御信号522によりリード動作が指示されると
供に、制御信号524により不揮発性メモリブロック4
及びプログラマブル論理回路900のデータ出力端子が
データバス41に接続される。したがって、外部から供
給されるアドレス信号に応答して不揮発性メモリブロッ
ク4又はプログラマブル論理回路900の何れか一方が
リド動作を行うことにより、読み出すべき所要データが
データバス42に与えられる。データバス42に与えら
れた読み出しデータは、ハイレベルの制御信号526に
より出力動作可能に制御される3ステートトライバ71
を介して信号線518に与えられて外部に読み出される
On the other hand, when the control signal 513 is at a high level, the AND output signal 152 receives its inverted signal 5131 at the intersection of the circles.
91.5292.5293.5296 are negated to low level regardless of the levels of control signals 5101 to 5104 output from the CPU 2, so that the control signals 520 and 521 are always controlled to low level, and the CPU
2 to output data and addresses to the data bus 42 and address bus 41 is substantially disabled. That is, the CPU 2 is disconnected from the address bus 41 and data bus 42. In this state, the control signal 5121 (TR
2) is set to high level, the AND output signal line 529
4 becomes high level, and a read mode based on external access is set. This operating mode is EPROM
It is used for desl-reading for verification after writing by a writer or the like. In this operating mode, control signals 522 (TR4), 524, 525
.. 526 is set to high level and asserted to 1. As a result, the address signal supplied from the outside to the signal line 519 is
The address signal is applied to the address bus 41 via the 3-state inverter 65 controlled to be operable by the control signal 525, and this address signal is sent to the nonvolatile memory block 4 from the address bus 41 via signal lines 426 and 5172.
and to programmable logic circuit 900. Nonvolatile memory block 4 and programmable logic circuit 90
0, the read operation is instructed by the control signal 522, and the nonvolatile memory block 4 is read by the control signal 524.
and a data output terminal of programmable logic circuit 900 are connected to data bus 41. Therefore, when either the nonvolatile memory block 4 or the programmable logic circuit 900 performs a read operation in response to an address signal supplied from the outside, the required data to be read is provided to the data bus 42. The read data given to the data bus 42 is transmitted to the 3-state driver 71 which is controlled to be able to output by a high-level control signal 526.
The signal is applied to the signal line 518 via the signal line 518 and read out to the outside.

制御信号513がハイレベルのときに制御信号5122
 (TW2)がハイレベルにされると、出力信号線52
95がハイレベルになって外部からのアクセスに基づく
書き込みモードが設定される。
When the control signal 513 is at high level, the control signal 5122
(TW2) is set to high level, the output signal line 52
95 becomes high level, and a write mode based on external access is set.

この動作モードはEPROMライタによる書き込みに際
して利用される。当該動作モードにおいては、制御信号
525,527がハイレベルにアサートされる。これに
より、外部から信号線519に供給されるアドレス信号
が、制御信号525により動作可能な状態に制御された
3ステートインバータ65を介してアドレスバス41に
与えられ、このアドレス信号はアドレスバス41から信
号線426及び5171を介して不揮発性メモリブロッ
ク4及びプログラマブル論理回路900に与えられる。
This operating mode is used when writing by an EPROM writer. In this operating mode, control signals 525 and 527 are asserted to a high level. As a result, the address signal supplied from the outside to the signal line 519 is supplied to the address bus 41 via the 3-state inverter 65 which is controlled to be operable by the control signal 525, and this address signal is supplied from the address bus 41 to the address bus 41. It is applied to the nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900 via signal lines 426 and 5171.

また、外部から信号線518に供給されるデータが、制
御信号527により動作可能な状態に制御された3ステ
ートインバータ64を介してデータバス42に与えられ
、このデータはデータバス42から信号線424及び5
171を介して不揮発性メモリブロック4及びプログラ
マブル論理回路900に与えられる。この状態で外部端
子から信号線516に書き込みのための高電圧が与えら
れると、アドレス信号により指定される不揮発性メモリ
ブロック4又はプログラマブル論理回路900の所定ア
ドレスにおける不揮発性記憶素子に上記書き込みデータ
が書き込まれる。上記書き込み高電圧はEPROMのよ
うな単体メモリLSIに対応じて10〜25[V]程度
の書き込み動作に充分な電圧とされる。
Further, data supplied from the outside to the signal line 518 is supplied to the data bus 42 via the 3-state inverter 64 controlled to be operable by the control signal 527, and this data is transferred from the data bus 42 to the signal line 424. and 5
171 to nonvolatile memory block 4 and programmable logic circuit 900. When a high voltage for writing is applied from the external terminal to the signal line 516 in this state, the write data is written to the nonvolatile memory element at a predetermined address of the nonvolatile memory block 4 or programmable logic circuit 900 specified by the address signal. written. The write high voltage is set to be a voltage sufficient for a write operation of about 10 to 25 [V] corresponding to a single memory LSI such as an EPROM.

なお、電気的に書き込み消去可能なEEPROM構成用
不揮発性記憶素子にて上記不揮発性メモリブロック4及
びプログラマブル論理回路900を構成する場合には、
信号線516を介して消去、書き込み電圧を与えるよう
にしてもよいし、また、書き込み電圧や消去電圧を内部
昇圧回路で形成してもよい。
In addition, when the nonvolatile memory block 4 and the programmable logic circuit 900 are configured with an electrically writable and erasable nonvolatile memory element for EEPROM configuration,
Erasing and writing voltages may be applied via the signal line 516, or the writing voltage and erasing voltage may be generated by an internal booster circuit.

第9図に示されるシングルチップマイクロコンピュータ
1においても、それらに含まれる不揮発性メモリブロッ
ク4及びプログラマブル論理回路900の不揮発性記憶
素子はプリンタコントロールシステム1000に要求さ
れる動作仕様や機能に応じてその論理構成が決定される
。シングルチップマイクロコンピュータ1のパッケージ
に形成されている窓から紫外線を照射して記憶情報を消
去した後に、新たに論理情報を電気的に書き直すことに
より、シングルチップマイクロコンピュータ1における
ハードウェアの一部を担うプログラマブル論理回路90
0の論理の変更や誤りの修正、さらには不揮発性メモリ
ブロック4に格納されるプログラムの変更やバグに対す
る修正が可能になり、シングルチップマイクロコンピュ
ータ1はプリンタコントロールシステム1000の仕様
や機能の変更に対して柔軟に対応することができるよう
になる。窓付きパッケージに封入されていない場合には
、必要な論理情報を書き込んだ構造の回し新たなシング
ルチップマイクロコンピュータに交換すればよい。
In the single-chip microcomputer 1 shown in FIG. 9 as well, the nonvolatile memory block 4 and the nonvolatile memory elements of the programmable logic circuit 900 included therein are adjusted according to the operational specifications and functions required of the printer control system 1000. A logical configuration is determined. After erasing the stored information by irradiating ultraviolet rays through the window formed in the package of the single-chip microcomputer 1, a part of the hardware in the single-chip microcomputer 1 can be erased by electrically rewriting new logic information. Programmable logic circuit 90
It is now possible to change the logic of 0, correct errors, change the program stored in the non-volatile memory block 4, and correct bugs. You will be able to respond flexibly. If the microcomputer is not enclosed in a windowed package, it can be replaced with a new single-chip microcomputer with the necessary logical information written in it.

第1−1図には上記プログラマブル論理回路900の詳
細な一例が図示される。
A detailed example of the programmable logic circuit 900 is illustrated in FIG. 1-1.

第11図において91は不揮発性記憶素子を含んで成る
NORアレイ、961〜963は論理モジュール、94
61〜9463はセレクタ、9433はセンスアンプ、
9434は書き込み回路、9431.9432はアドレ
スデコーダ、941はデータレジスタ、942はアト1
ノスレジスタ、9435はマルチプレクサである。
In FIG. 11, 91 is a NOR array including nonvolatile memory elements, 961 to 963 are logic modules, and 94
61 to 9463 are selectors, 9433 is a sense amplifier,
9434 is a write circuit, 9431.9432 is an address decoder, 941 is a data register, 942 is an at 1
Nos register 9435 is a multiplexer.

」二記論理モジュール961はNORゲート922、フ
リップフロップ921、セレクタ923及び924、出
力ドライバ925.ANDゲート926及び927で構
成される。NORアレイ91はそれに含まれる複数個の
不揮発性記憶素子に対する書き込みプログラム状態に応
じた論理構成を。
''The second logic module 961 includes a NOR gate 922, a flip-flop 921, selectors 923 and 924, an output driver 925. It is composed of AND gates 926 and 927. The NOR array 91 has a logical configuration according to write program states for a plurality of nonvolatile memory elements included therein.

採ることができる。論理モジュール961〜963は、
NORアレイ91の論理構成に従って出力される信号に
対し、セレクタ923,924の選択動作条件やフリッ
プフロップ921の状態に応じて、さらにその論理をプ
ログラマブルに変更したりするもので、NORアレイ9
1と共に可変構造論理を構成する。論理モジュール96
1〜963は、信号線5171〜5173を経由してデ
ータバス42及びアドレスバス41と間接的にインタフ
ェース可能にされると供に、端子991〜993を介し
てシングルチップマイクロコンビュータ1の外部とデー
タを入出力することができるようになっている。上記制
御信号513がローレベルの場合にはデータ入出力の対
象は論理モジュール961〜963内部のフリップフロ
ップ921とされ、また、制御信号513がハイレベル
の場合には、NORアレイ91のN OR論理を構成す
る不揮発性記憶素子に対する書き込み・読み出しが可能
とされる。
You can take it. The logic modules 961 to 963 are
The logic of the signal output according to the logic configuration of the NOR array 91 is further changed programmably according to the selection operating conditions of the selectors 923 and 924 and the state of the flip-flop 921.
1 constitutes a variable structure logic. logic module 96
1 to 963 can be indirectly interfaced with the data bus 42 and address bus 41 via signal lines 5171 to 5173, and can also interface with the outside of the single chip microcomputer 1 via terminals 991 to 993. can be input and output. When the control signal 513 is at a low level, the data input/output target is the flip-flop 921 inside the logic modules 961 to 963, and when the control signal 513 is at a high level, the NOR logic of the NOR array 91 is input/outputted. It is possible to write to and read from the nonvolatile memory elements that constitute the .

制御信号513がローレベルにされて上記内部デバイス
読み込みモードが設定されるとき、CI)U2から出力
されるアドレス信号はアドレスバス111から信号線5
172に与えられる。このアドレス信号は71−レスレ
ジスタ942にセットされた後ANDゲー1〜951を
介してアドレスデコーダ9432に供給され、このアド
レスデコーダ9432でデコードされる。このアドレス
デコーダ9432は、人力アドレス信号に応じて論理モ
ジュール961〜963の中から1つを選択したりする
選択信号を形成する。尚、その選択レベルはハイレベル
とされる。アドレスデコーダ9432の出力選択信号5
310は論理モジュールのANDゲート926に供給さ
れる。このA、 N Dゲート926には当該動作モー
ドにおいてハイレベルの上記制御信号522も供給され
ている。このANDゲート926からは、セレクタ92
3.出力ドライバ925を介してフリップフロップ92
1のデータが出力され、この出力データは信号線531
1、セレクタ9435を通って信号線5173からデー
タバス42に読み出される。
When the control signal 513 is set to low level and the internal device read mode is set, the address signal output from CI) U2 is transferred from the address bus 111 to the signal line 5.
172. After this address signal is set in the 71-less register 942, it is supplied to the address decoder 9432 via AND gates 1 to 951, and is decoded by the address decoder 9432. This address decoder 9432 forms a selection signal for selecting one of the logic modules 961 to 963 in response to a manual address signal. Note that the selection level is set to high level. Output selection signal 5 of address decoder 9432
310 is provided to an AND gate 926 of the logic module. The A and ND gates 926 are also supplied with the control signal 522 at a high level in the relevant operation mode. From this AND gate 926, the selector 92
3. Flip-flop 92 via output driver 925
1 data is output, and this output data is sent to the signal line 531.
1, is read out from the signal line 5173 to the data bus 42 through the selector 9435.

上記制御信号513がローレベルにされて上、記内部デ
バイス書き込みモードが設定されると、CP U 2か
ら出力されるアドレス信号が信号線5172に、そして
データが信号線5171に!jえられる。これにより、
データはA N I)ゲート95;3を経由して論理モ
ジュールのANlつゲー1−927に供給される。この
ANDゲート927には当該動作モードにおいてハイレ
ベルの上記制御信号523が供給されていると共に、ア
ドレス信号のデコード結果に応じた選択信号がアドレス
デコーダ9432から供給されている。したがって、そ
のアドレス信号によって指定されるフリップフロップ9
21にCP U 2の出力データが書き込み可能どされ
る。
When the control signal 513 is set to low level and the internal device write mode is set, the address signal output from the CPU 2 is sent to the signal line 5172, and the data is sent to the signal line 5171! I can get it. This results in
Data is provided to the logic module AN1 gates 1-927 via AN1) gates 95;3. This AND gate 927 is supplied with the control signal 523 at a high level in the relevant operation mode, and is also supplied with a selection signal from the address decoder 9432 in accordance with the decoding result of the address signal. Therefore, the flip-flop 9 specified by that address signal
The output data of the CPU 2 can be written into the memory 21.

上記制御信号513がハイレベルにされて外部アクセス
に基づく書き込みモードが設定されると、アドレスレジ
スタ942の出力はA N l)ゲート952を介して
アドレスデコーダ943]に(llされる。このアドレ
スデコーダ9431は入力アドレス信号に応じてNOR
アレイ91のワード線986〜989の何れかを選択す
る。CP U2がら信号線5171に与えられたデータ
はデータレジスタ941にセットされ、ANDゲー+−
954を介して書き込み回路9434に供給される。外
部から書き込み高電圧が与えられるタイミングに同期し
て、書き込みデータがセレクタ9461〜9463に与
えられる。アドレスデコーダ9431のセレクタ選択信
号5312は入力アドレス信号に応じてビット線981
〜985を選択し、選択されたビット線に書き込みデー
タが与えられ、これにより、不揮発性記憶素子への書き
込みが行われる。このとき論理モジュール内部のセレク
タ924は信号513によりその出力がハイインピーダ
ンス状態に制御され、これによって、論理モジュールか
らワードIV!986〜989に不所望な信号が混入さ
れることを抑止する。
When the control signal 513 is set to a high level and a write mode based on external access is set, the output of the address register 942 is sent to the address decoder 943 via the gate 952. 9431 performs NOR according to the input address signal.
One of word lines 986-989 of array 91 is selected. The data given to the signal line 5171 from the CPU 2 is set in the data register 941, and the data is input to the AND gate +-.
954 to the write circuit 9434. Write data is applied to selectors 9461 to 9463 in synchronization with the timing at which a write high voltage is applied from the outside. The selector selection signal 5312 of the address decoder 9431 is applied to the bit line 981 according to the input address signal.
985 is selected, write data is applied to the selected bit line, and thereby writing to the nonvolatile memory element is performed. At this time, the selector 924 inside the logic module has its output controlled to a high impedance state by the signal 513, thereby causing the word IV! This prevents undesired signals from being mixed into 986-989.

上記制御信号513がハイレベルにされて外部アクセス
に基づく読み出しモードが設定される場合には、書き込
みモードと同様に、アドレスデコーダ9431で指定さ
れたNORアレイ91のビット線データがセレクタ94
61〜9463を経由してセンスアンプ9433に供給
され、セレクタ9435を介して信号41A51.73
に読み出される。
When the control signal 513 is set to a high level to set a read mode based on external access, the bit line data of the NOR array 91 specified by the address decoder 9431 is transferred to the selector 94, similarly to the write mode.
61 to 9463 to the sense amplifier 9433, and the signal 41A51.73 is supplied to the sense amplifier 9433 via the selector 9435.
is read out.

以上のように外部から与えられる制御信号5]3がロー
レベルのときには論理モジュール961〜963内部の
フリップフロップ921とのデータの入出力が行われ、
また制御信号513がハイレベルの状態では不揮発性記
憶素子で成るNORアレイ91に対する外部からのアク
セスに基づく書き込み・読み出しが行われる。NORア
レイ91に電気的に書き込み・消去可能な不揮発性記憶
素子を用いる場合には、消去回路を追加することにより
書き込みと同様の回路構成で消去動作も行うことができ
る。
As described above, when the control signal 5]3 applied from the outside is at a low level, data is input/output to and from the flip-flops 921 inside the logic modules 961 to 963.
Furthermore, when the control signal 513 is at a high level, writing and reading are performed based on external access to the NOR array 91 made up of nonvolatile storage elements. If a nonvolatile memory element that can be electrically written to and erased is used in the NOR array 91, an erasing operation can also be performed with the same circuit configuration as writing by adding an erasing circuit.

尚、プログラマブル論理回路900の構成が変わっても
、例えばNORアレイ91が複数個ある場合や論理モジ
ュール961〜963の内部の論理の構造が異なる場合
、フリップフロップ921の個数が異なる場合、また論
理モジュール961〜963から外部端子への信号線9
91〜993が存在しない場合などにおいても、シング
ルチップマイクロコンピュータのCPU2と外部端子か
らのアクセスを可能とするには本実施例同様の構成を採
用することができる。
Note that even if the configuration of the programmable logic circuit 900 changes, for example, if there are multiple NOR arrays 91, if the internal logic structure of the logic modules 961 to 963 differs, if the number of flip-flops 921 differs, or if the logic module Signal line 9 from 961 to 963 to external terminal
Even in the case where 91 to 993 do not exist, a configuration similar to this embodiment can be adopted to enable access from the CPU 2 of the single-chip microcomputer and external terminals.

以上の説明に従うと、第9図に示されるシングルチップ
マイクロコンピュータ1のプログラマブル論理回路90
0には、第4図のPLA6、第8図のサブプロセッサ1
00、更に第11図に示される回路を可変論理構造とし
ての論理機能ブロックとして含めることができるが、こ
のプログラマブル論理回路900と不揮発性メモリブロ
ック4とは、特に制限されないが、同一アドレス空間に
リニアに配置することができる。
According to the above explanation, the programmable logic circuit 90 of the single-chip microcomputer 1 shown in FIG.
0 includes PLA6 in FIG. 4 and subprocessor 1 in FIG.
00, and the circuit shown in FIG. 11 can be included as a logic function block as a variable logic structure, but this programmable logic circuit 900 and nonvolatile memory block 4 may be linearly arranged in the same address space, although this is not particularly limited. can be placed in

第12図には、同一アドレス空間上におけるプログラマ
ブル論理回路900と不揮発性メモリブロック4のアド
レスマツピング状態の一例が示される。第12図に従え
ば、不揮発性メモリブロック4には、0OOOH〜3 
F F F Hまでのアドレスが割り当てられ、プログ
ラマブル論理回路90oには、4000H−7FFFH
*で(7)7ドレスが割り当てられている。このように
プログラマブル論理回路900と不揮発性メモリブロッ
ク4を同一アドレス空間に配置しておくことにより、双
方に対してシングルチップマイクロコンピュータ1の外
部から異なるアドレスを与えてやることによって書き込
みやテスト読み出しを行うことができる。
FIG. 12 shows an example of an address mapping state between the programmable logic circuit 900 and the nonvolatile memory block 4 in the same address space. According to FIG. 12, the nonvolatile memory block 4 contains 0OOOH to 3
Addresses up to F F F H are assigned, and the programmable logic circuit 90o has addresses from 4000H to 7FFFH.
*(7) 7 dresses are assigned. By arranging the programmable logic circuit 900 and the nonvolatile memory block 4 in the same address space in this way, writing and test reading can be performed by giving different addresses to both from outside the single-chip microcomputer 1. It can be carried out.

また、書き込み及びベリファイのためのテスト読み出し
に必要なアドレスやデータ、制御信号、タイミングなど
を、標準の単体EPROMと概ね同一にすることにより
、言い換えるなら、単体EPROMやEE P ROM
をプログラムしたりするためのEPROMライタのよう
な書き込み装置の一般的な仕様に合わせておくことによ
り、その汎用書き込み装置をそのまま用いて書き込み並
びにベリファイ処理を行うことが可能になる。そして。
In addition, by making the addresses, data, control signals, timing, etc. necessary for writing and test reading for verification almost the same as standard single EPROMs, in other words, single EPROMs and EE PROMs
By adapting to the general specifications of a writing device such as an EPROM writer for programming, it becomes possible to perform writing and verify processing using the general-purpose writing device as is. and.

制御信号513がハイレベルにされて外部からのアクセ
スによる書き込み/読み出しモードが設定されるとき、
プログラマブル論理回路900と不揮発性メモリブロッ
ク4が共通接続されているアドレスバス41及びデータ
バス42は、スイッチ素子61.62のようなゲートに
よりCPU2から分断される。したカミって、当該動作
モードにおいてシングルチップマイクロコンピュータ1
は、機能上単体のEPROMのような不揮発性メモリL
SIと同様に見える。言い換えるなら、1”:PROM
ライタにとってこれとインタフェース可能な外部端子が
見えるようになる。
When the control signal 513 is set to high level to set the write/read mode by external access,
Address bus 41 and data bus 42 to which programmable logic circuit 900 and nonvolatile memory block 4 are commonly connected are separated from CPU 2 by gates such as switch elements 61 and 62. In the operating mode, the single-chip microcomputer 1
is functionally a non-volatile memory L like a single EPROM.
Looks similar to SI. In other words, 1”:PROM
The writer will now see an external terminal that can interface with this.

第13図にはデータ書き込み及びベリファイのためのテ
スト読み出しに必要なタイミングチャートが示される。
FIG. 13 shows a timing chart necessary for data writing and test reading for verification.

EPROMのような電気的に書き込み可能な不揮発性半
導体記憶装置に対する書き込み及びテスト読み出しのた
めの汎用EPROMライタは、特に制限されないが、電
源電圧Vcc、アドレス信号、データ入出力方向を指示
するアウトプッI−イネーブル信号OE、書き込み用高
電圧Vpp、チップの選択/非選択を指示するためのチ
ップイネーブル信号CEを出力すると共に、読み出しデ
ータの入力並びに書き込みデータの出力を行う。斯るE
PROMライタにおいて、書き込み動作時には、アラ1
ヘプツトイネーブル信号OEがハイレベル、チップイネ
ーブル信号CEがローレベル、そして書き込み電圧VP
Pの出力端子が12.5[V]のような高電圧にされる
。一方、ベリファイのためのテスト読み出し時には、ア
ウトプットイネーブル信号OEがローレベル、チップイ
ネーブル信号CEがローレベル、そして書き込み電圧V
PPの出力端子が電源電圧Vccに呼応する5[V]程
度の電圧にされる。
A general-purpose EPROM writer for writing and test reading to an electrically writable non-volatile semiconductor memory device such as an EPROM is equipped with a power supply voltage Vcc, an address signal, and an output I-- which instructs data input/output direction, although it is not particularly limited. It outputs an enable signal OE, a write high voltage Vpp, and a chip enable signal CE for instructing chip selection/non-selection, and also inputs read data and outputs write data. Such E
In the PROM writer, during write operation, the error 1
The chip enable signal OE is at high level, the chip enable signal CE is at low level, and the write voltage VP
The output terminal of P is set to a high voltage such as 12.5 [V]. On the other hand, during test read for verification, the output enable signal OE is at low level, the chip enable signal CE is at low level, and the write voltage V
The output terminal of PP is set to a voltage of about 5 [V] corresponding to the power supply voltage Vcc.

このようなEPROMライタと第9図に示されるような
シングルチップマイクロコンピュータ1は、両者の外部
端子の数や配置の相違に対して双方の必要な端子を接続
するための図示しないアダプタを介して電気的に結合さ
れる。
Such an EPROM writer and the single-chip microcomputer 1 as shown in FIG. electrically coupled.

例えばこのアダプタにより、チップイネーブル信号CE
の反転信号が第9図に示される制御信号513として与
えられ、書き込み電圧Vpp又は電源電圧Vccが選択
的に第9図の信号線516に供給され、アウトプットイ
ネーブル信号OEの反転レベルが第9図の制御信号51
21として、またこのアウトプットイネーブル信号○E
が第9図の制御信号5122として与えられ、アドレス
信号が第9図の信号線519に与えられる。そしてEP
ROMライタのデータ入出力端子が第9図の信号線51
8にインタフェースされ、さらに電g電圧Vccがシン
グルチップマイクロコンピュータ1の図示しない電源端
子に与えられる。また、制御信号生成回路500の内部
において制御信号5121が図示しないインバータによ
り制御信号5122の反転レベル信号とされ当該制御信
号5122だけが直接外部端子から与えられる構成にな
っている場合には当該外部端子にアウトプットイネーブ
ル信号OEを直接与えるようにすることができる。或い
は、上記アダプタ上の電源電圧Vccをハイレベルの制
御信号513として与え、アウトプットイネーブル信号
OEとチップイネーブル信号CEに対してアダプタ上で
NOR論理を採った結果を制御信号5121とし、アウ
トプットイネーブル信号OEの反転レベルとチップイネ
ーブル信号CEに対してアダプタ上でNOR論理を採っ
た結果を制御信号5122としてシングルチップマイク
ロコンピュータに与えるようにして、その他の接続関係
を上記同様にすることもできる。
For example, with this adapter, the chip enable signal CE
The inverted signal of output enable signal OE is given as the control signal 513 shown in FIG. 9, the write voltage Vpp or the power supply voltage Vcc is selectively supplied to the signal line 516 of FIG. Control signal 51 in the figure
As 21, this output enable signal ○E
is given as control signal 5122 in FIG. 9, and an address signal is given to signal line 519 in FIG. And EP
The data input/output terminal of the ROM writer is the signal line 51 in Figure 9.
Furthermore, the electric voltage Vcc is applied to a power supply terminal (not shown) of the single-chip microcomputer 1. Furthermore, if the control signal generation circuit 500 is configured such that the control signal 5121 is converted into an inverted level signal of the control signal 5122 by an inverter (not shown) and only the control signal 5122 is directly applied from an external terminal, the external terminal The output enable signal OE can be directly applied to the output enable signal OE. Alternatively, the power supply voltage Vcc on the adapter is applied as a high-level control signal 513, and the result of performing NOR logic on the adapter on the output enable signal OE and the chip enable signal CE is set as the control signal 5121, and the output enable signal 5121 is set as the control signal 5121. It is also possible to apply NOR logic on the adapter to the inverted level of the signal OE and the chip enable signal CE, and provide the result to the single-chip microcomputer as the control signal 5122, and the other connection relationships can be the same as described above.

このようにシングルチップマイクロコンピュータ1をE
PROMライタに接続した状態で5 [Vコ程度の電源
電圧V c cがシングルチップマイクロコンピュータ
1に印加されると、当該シングルチップマイクロコンピ
ュータ1は動作可能になる。
In this way, the single-chip microcomputer 1 can be
When a power supply voltage Vcc of about 5V is applied to the single-chip microcomputer 1 while connected to a PROM writer, the single-chip microcomputer 1 becomes operational.

その後不揮発性メモリブロック4又はプログラマブル論
理回路900に対して書き込みすべきアドレスのアドレ
ス情報がEPROMライタから出力され、アウトプット
イネーブル信号OEがハイレベルにネゲートされたまま
で、且つ、12[V]程度の書き込み高電圧VPPが出
力され、そしてチップイネーブル信号CEがローレベル
にアサ−1〜される。これにより、上記アドレス情報で
選択される所要の不揮発性記憶素子にデータの書き込み
が開始される。チップイネーブル信号CEをローレベル
にアサートする期間はEPROM構成用の不揮発性記憶
素子の特性によって決まるが、例えば1m5ec程度で
ある。チップイネーブル信号CEがハイレベルにネゲー
トされると共に、シングルチップマイクロコンピュータ
1の信号線516に供給されていた書き込み電圧VPP
が電源電圧vccに戻されることにより、当該書き込み
モードが終了される。
After that, the address information of the address to be written to the nonvolatile memory block 4 or the programmable logic circuit 900 is output from the EPROM writer, and the output enable signal OE remains negated at a high level and the voltage of about 12 [V] is output. Write high voltage VPP is output, and chip enable signal CE is asserted to low level. As a result, writing of data to the required nonvolatile memory element selected by the address information is started. The period during which the chip enable signal CE is asserted to a low level is determined by the characteristics of the nonvolatile memory element for the EPROM configuration, and is, for example, about 1 m5ec. When the chip enable signal CE is negated to a high level, the write voltage VPP supplied to the signal line 516 of the single-chip microcomputer 1 decreases.
The write mode is ended by returning the voltage to the power supply voltage vcc.

アウトプットイネーブル信号○Eをローレベルにアサー
トすると共に、書き込みに利用したアドレス信号を出力
したまま、チップイネーブル信号CEをローレベルにア
サートすると、当該アドレス信号で選択される不揮発性
記憶素子のデータがシングルチップマイクロコンピュー
タ1から出力される。この読み出しデータが書き込みデ
ータに一致する否かを判定することにより書き込み動作
によりデータが正常に書き込まれたか否かというベリフ
ァイ処理が行われる。
When the output enable signal ○E is asserted to low level and the chip enable signal CE is asserted to low level while the address signal used for writing is output, the data in the nonvolatile memory element selected by the address signal is It is output from the single-chip microcomputer 1. By determining whether the read data matches the write data, a verify process is performed to determine whether data has been correctly written by the write operation.

このようにして必要なデータの書き込み並びにベリファ
イが行われると、シングルチップマイクロコンピュータ
1は、その書き込み状態によって達成される論理に依存
したデータ処理が実行可能になる。
When the necessary data is written and verified in this way, the single-chip microcomputer 1 becomes able to execute data processing depending on the logic achieved by the written state.

第14図にはマイクロプログラム制御を採用したCPU
2を含むシングルチップマイクロコンピュータの例が示
される。
Figure 14 shows a CPU that uses microprogram control.
An example of a single-chip microcomputer including 2 is shown.

第14図のシングルチップマイクロコンピュータにおい
ては、不揮発性記憶素子を含む装置としてマイクロプロ
グラム格納用のEPROM (以下単にマイクロEPR
OMとも記す)600と、複数のマクロ命令で成るよう
な動作プログラムを記憶するためのEPROM624を
1つの半導体基板に有している。
In the single-chip microcomputer shown in FIG.
A single semiconductor substrate includes an OM (also referred to as OM) 600 and an EPROM 624 for storing an operation program consisting of a plurality of macro instructions.

CP U 2に含まれるマイクロEPROM600は、
アドレスバス41及びデータバス42に信号線653,
652で接続されている書き込み回路601と、アドレ
スバス41及びデータバス42に信号線651,650
で接続されているデス1〜読み出し回路603と、デー
タバス42に接続されている命令フェッチ回路602の
夫々に接続され、更に命令制御動作時に上記マイクロE
 F R0M600のマイクロ命令を読み取るための読
み出し回路604に接続される。読み出し回路(504
から出力されるマイクロ命令は制御回路607に与えら
れてデコードされ、これによって生成された制御信号が
演算回路605や命令フェッチ回路602、並びにアド
レス発生回路606などの動作を制御する。上記アドレ
ス発生回路606は信号線648を介してマクロ命令の
アドレスをアドレスバス41に与える。このCP U 
2はタロツク信号φに同期動作される。
The micro EPROM600 included in CPU 2 is
A signal line 653 is connected to the address bus 41 and the data bus 42,
Signal lines 651 and 650 are connected to the write circuit 601 connected to address bus 41 and data bus 42 by 652.
and the instruction fetch circuit 602 connected to the data bus 42, and furthermore, during the instruction control operation, the micro E
It is connected to a read circuit 604 for reading microinstructions of the F R0M 600. Readout circuit (504
The microinstructions outputted from the control circuit 607 are supplied to the control circuit 607 and decoded, and the control signals generated thereby control the operations of the arithmetic circuit 605, the instruction fetch circuit 602, the address generation circuit 606, and the like. The address generation circuit 606 supplies the address of the macro instruction to the address bus 41 via a signal line 648. This CPU
2 is operated in synchronization with the tarlock signal φ.

不揮発性メモリブロック4は、夫々アドレスバス41、
データバス42に接続された読み出し回路621、書き
込み回路622、テスト読み出し回路623、及びそれ
らに接続されたE I) ROM624で構成される。
The non-volatile memory blocks 4 each have an address bus 41,
It is composed of a read circuit 621 connected to the data bus 42, a write circuit 622, a test read circuit 623, and an E I ROM 624 connected thereto.

また、上記読み出し回路621はプロセッサ2の制御回
路607にも接続される。71〜レスバス4】及びデー
タバス42はタロツク信号φでi!il制御されるバス
プリチャージ回路671に信号線654,655により
接続され、更にアドレスバス41は信号線612、入力
回路608、及び信号線611を介してシングルチップ
マイクロコンピュータの外部とインタフェースされる。
Further, the readout circuit 621 is also connected to the control circuit 607 of the processor 2 . 71 to response bus 4] and data bus 42 are connected to i! by the tarlock signal φ. The address bus 41 is connected to a bus precharge circuit 671 which is controlled by signal lines 654 and 655, and is further interfaced with the outside of the single-chip microcomputer via a signal line 612, an input circuit 608, and a signal line 611.

また、データバス42は信号線G −1−4、入出力回
路609.並びに信号線61;3を介してシングルチッ
プマイクロコンピュータの外部とインタフェース可能に
されている。
Further, the data bus 42 includes signal lines G-1-4, input/output circuits 609. It is also possible to interface with the outside of the single-chip microcomputer via a signal line 61;3.

外部からの制御信号線61.0に接続された制御信号生
成回路500の出力630〜639は、命令制御動作と
、マイクロE P ROM 600 、 E PROM
624への書き込みやテスト動作を制御するために、上
記各回路に接続される。
Outputs 630 to 639 of the control signal generation circuit 500 connected to the external control signal line 61.0 are used for command control operation, micro EPROM 600, EPROM
In order to control writing to 624 and test operations, it is connected to each of the above circuits.

上記マイクロEPROM600への書き込みは、制御信
号入力線6]0に書き込みモード信号が与えられること
により設定され、この状態では制御信号生成回路500
の出力630〜639のうち、書き込み回路601の制
御信号636、入力回路・608の制御信号638、入
出力回路609の制御信号639だけが有効になり、そ
の他の信号はネゲート状態に制御される。すなわち、C
P 1.J 2、不揮発性メモリブロック4、及びバス
プリチャージ回路671からデータバス42及びアドレ
スバス41への出力は禁止され、上記各バス41.42
はgき込み回路601を介してマイクロIE P RO
M600への書き込みだけに使用される。入力回路60
8の外部接続線611にマイクロE P ROM600
を構成する不揮発性記憶素子群から所要の素子を選択す
るためのアドレス情報が与えられ、入力方向に制御され
た入出力回路609の外部接続線613からは、上記ア
ドレス情報で選択される記憶素子への書き込みデータが
与えられ、更に制御入力線610に書き込み信号が与え
られる。これにより、外部アドレス信号で指定されたマ
イクロEPROM600の所定アドレスに所要のマイク
ロ命令情報が書き込まれる。
Writing to the micro EPROM 600 is set by applying a write mode signal to the control signal input line 6]0, and in this state, the control signal generation circuit 500
Of the outputs 630 to 639, only the control signal 636 of the write circuit 601, the control signal 638 of the input circuit 608, and the control signal 639 of the input/output circuit 609 are enabled, and the other signals are controlled to a negated state. That is, C
P1. Output from J 2, nonvolatile memory block 4, and bus precharge circuit 671 to data bus 42 and address bus 41 is prohibited, and each of the above buses 41.42
micro IEP RO via the input circuit 601
Used only for writing to M600. Input circuit 60
Micro E P ROM600 is connected to the external connection line 611 of 8.
The external connection line 613 of the input/output circuit 609, which is controlled in the input direction, is provided with address information for selecting a desired element from a group of nonvolatile memory elements constituting the memory element. Write data is applied to the control input line 610, and a write signal is applied to the control input line 610. As a result, required microinstruction information is written to the predetermined address of the micro EPROM 600 specified by the external address signal.

書き込み動作が正しく行われた否かのテス1へは。For test 1, whether or not the write operation was performed correctly.

制御入力線610にマイクロE P ROM 600に
デス1〜読み出しのためのモード信号が与えられること
により行われる。当該動作モードが設定されると、制御
信号生成回路500の出力(330〜();39のうち
、テスト読み出し回路603の制御イ11号635.入
力回路608の制御信号638、入出力回路609の制
御信号639が有効になる。
This is performed by applying a mode signal for reading from the micro EPROM 600 to the control input line 610. When the operation mode is set, the outputs of the control signal generation circuit 500 (330 to (); among 39, the control signal 11 of the test readout circuit 603 635, the control signal 638 of the input circuit 608, and the control signal 638 of the input/output circuit 609) Control signal 639 becomes valid.

これにより、外部入力線611にアドレス信号が与えら
れ、制御入力線6]−〇にマイクロIE P r< 0
M600のテスl〜ス読み出しのためのモード信号が与
えられると、入出力回路609は出力方向に制御され、
選択されたマイクロEPROM600の読み出しデータ
がテスト読み出し回路603、接続線650、データバ
ス42、接続線614゜入出力回路609を介して外部
接続線613に出力される。これにより外部ではベリフ
ァイが可能になる。
As a result, an address signal is applied to the external input line 611, and the micro IEP r<0 is applied to the control input line 6]-〇.
When a mode signal for reading the test of M600 is given, the input/output circuit 609 is controlled in the output direction,
The read data of the selected micro EPROM 600 is output to the external connection line 613 via the test read circuit 603, connection line 650, data bus 42, connection line 614° input/output circuit 609. This allows verification externally.

不揮発性メモリブロック4の不揮発性記憶素子群624
への書き込み、及びテス]へ読み出しも、上記のマイク
ロEPROM600の書き込み、テスト読み出しと同様
に制御信号生成回路500からの制御信号により書き込
み回路622、テスト読み出し回路623、入力回路6
08、及び入出力回路609を制御して行う。
Nonvolatile memory element group 624 of nonvolatile memory block 4
Similarly to the writing and test reading of the micro EPROM 600, the writing circuit 622, the test reading circuit 623, and the input circuit 6 are controlled by the control signal from the control signal generation circuit 500.
08 and the input/output circuit 609.

ノーマルモード即ち命令制御動作時における半導体集積
回路の動作はクロックφに同期して例えば次のように行
われる。CPU2のアドレス発生回路606で発生され
たアドレス情報がアドレスバス41を介して不揮発性メ
モリブロック4の読み出し回路621に送られると、C
PU2の制御回路607からの読み出し信号線671の
信号に基づいて不揮発性記憶素子群624から所定のマ
クロ命令が読み出され、データバス42を介して命令フ
ェッチ回路602に取り込まれる。命令フェッチ回路6
02に保持されている情報がマイクロEPROM600
に与えられ、その情報に基づきマイクロEPROM60
0がアドレシングされ、それに応じてマイクロ命令が読
み出し回路604に読み出される。
The operation of the semiconductor integrated circuit in the normal mode, that is, during instruction control operation, is performed in synchronization with the clock φ, for example, as follows. When the address information generated by the address generation circuit 606 of the CPU 2 is sent to the read circuit 621 of the nonvolatile memory block 4 via the address bus 41, the C
A predetermined macro instruction is read from the nonvolatile memory element group 624 based on a signal on the read signal line 671 from the control circuit 607 of the PU 2, and is fetched into the instruction fetch circuit 602 via the data bus 42. Instruction fetch circuit 6
The information held in 02 is micro EPROM600
micro EPROM60 based on that information.
0 is addressed and the microinstruction is read into read circuit 604 accordingly.

この読み出された情報がCPU2内部などの制御情報と
される。読み出し回路604で読み出されたマイクロ命
令は制御回路607に入力されてデコードされ、これに
基づいて演算回路605、アドレス発生回路606、命
令フェッチ回路602、メモリ読み出し回路621など
の制御が行われる。また、斯る命令制御動作では、デー
タバス42及びアドレスバス41は、クロック信号φに
同期して動作するバスプリチャージ回路671によりプ
リチャージされ、シングルチップマイクロコンピュータ
の一連の動作はCPU2に供給されるクロック信号φに
同期される。上記CPU2のテスト読み出し回路603
と読み出し回路604の並列出力ビツト数は等しい必要
はなく、また、本実施例ではテスト読み出し回路603
からの並列出力ビツト数はデータバス42のピント数と
等しくなっている。
This read information is used as control information inside the CPU 2, etc. The microinstruction read out by the readout circuit 604 is input to the control circuit 607 and decoded, and based on this, the arithmetic circuit 605, address generation circuit 606, instruction fetch circuit 602, memory readout circuit 621, etc. are controlled. In addition, in such an instruction control operation, the data bus 42 and address bus 41 are precharged by a bus precharge circuit 671 that operates in synchronization with the clock signal φ, and a series of operations of the single-chip microcomputer is supplied to the CPU 2. It is synchronized with the clock signal φ. Test readout circuit 603 of the CPU2
The number of parallel output bits of the readout circuit 604 and the test readout circuit 604 do not need to be equal.
The number of parallel output bits from the data bus 42 is equal to the number of pins on the data bus 42.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが本発明はそれに限定されるものでは
なくその要旨を逸脱しない範囲において種々変更するこ
とができる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above based on examples, the present invention is not limited thereto and can be modified in various ways without departing from the gist thereof.

例えば電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子に対す
る書き込み状態に応じて所要の論理機能を実現し得る論
理機能ブロックの構成、並びにソフトウェアプログラム
を蓄えるための不揮発性メモリブロックの構成、並びに
それらに含まれる電気的に書き込み可能な不揮発性記憶
素子の構成や、それらに対してデータを書き込むための
処理内容は上記実施例に限定されず適宜変更することが
できる。
For example, the configuration of a logic function block that can realize a required logic function depending on the write state of an electrically writable nonvolatile memory element, the configuration of a nonvolatile memory block for storing a software program, and the configuration of a nonvolatile memory block that is included therein. The configuration of the electrically writable nonvolatile memory element and the processing details for writing data thereto are not limited to the above embodiments and can be modified as appropriate.

また、上記実施例に適用したEPROM構成用の電気的
に書き込み可能な不揮発性記憶素子を含むシングルチッ
プマイクロコンピュータのようなデータ処理用半導体集
積回路は必ずしも紫外線により情報を消去if能な窓付
きパッケージに封入されたものに限定されず、1回限り
の書き込みだけを許容する形式であってもよい。この場
合には、全く同し構造のシングルチップマイクロコンピ
ュータを用いこれに新たな情報を書き込んでシステムに
搭載すれば、システムの開発途上における動作仕様や機
能変更に対して構造の同じシングルチップマイクロコン
ピュータで対処することができる。
Furthermore, the semiconductor integrated circuit for data processing, such as the single-chip microcomputer that includes an electrically writable nonvolatile memory element for the EPROM configuration applied to the above embodiment, is not necessarily packaged in a windowed package that can erase information with ultraviolet light. The information is not limited to those enclosed in a ``book'', and may be of a format that allows writing only once. In this case, if you use a single-chip microcomputer with the exact same structure, write new information into it, and install it in the system, a single-chip microcomputer with the same structure will be able to handle changes in operating specifications and functions during system development. can be dealt with.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるプリンタコントロー
ラシステムの開発に適用した場合について説明したが、
本発明はそれに限定されず、マイクロコンピュータ応用
システムなど各種データ処理システムの開発に適用する
ことができる。
The above explanation has mainly been about the case where the invention made by the present inventor is applied to the development of a printer controller system, which is the field of application that formed the background of the invention.
The present invention is not limited thereto, and can be applied to the development of various data processing systems such as microcomputer application systems.

本発明は少なくとも電気的に書き込み可能な論理機能ブ
ロックや不揮発性メモリブロックを保有するデータ処理
用半導体集積回路を用いる条件のものに適用することが
できる。
The present invention can be applied to conditions in which a data processing semiconductor integrated circuit having at least an electrically writable logic function block and a nonvolatile memory block is used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子に
対する書き込み状態に応じて所要の論理機能を実現し得
る論理機能ブロックや、電気的に書き込み可能な不揮発
性記憶素子を含む不揮発性メモリブロック、及びCPU
ブロックを1つの半導体基板に形成して成るデータ処理
用半導体集積回路を利用してデータ処理システムを構成
するにあたり、当該システムに要求される機能やその機
能の変更に応じ、上記論理回路ブロックに所要のデータ
を書き込んだり、また、不揮発性メモリブロックに所要
のソフトウェアプログラムを書き込むステップを実行す
ることにより、データ処理システムの開発途上において
その動作仕様や機能の変更が必要になった場合、そのよ
うな要求に対する迅速且つ簡単な対応が採れると共に柔
軟に対処することができるという効果がある。
That is, a logic function block that can realize a required logic function depending on the writing state of an electrically writable nonvolatile memory element, a nonvolatile memory block that includes an electrically writable nonvolatile memory element, and a CPU.
When configuring a data processing system using a semiconductor integrated circuit for data processing in which blocks are formed on a single semiconductor substrate, the required functions of the logic circuit block are By performing the steps of writing data to the non-volatile memory block or writing the required software programs to the non-volatile memory block, changes to the operating specifications or functionality of the data processing system may become necessary during the development of the data processing system. This has the advantage of being able to respond quickly and easily to requests, as well as being able to respond flexibly.

そして、データ処理システムのキーコンボーネン1−と
されるようなデータ処理用半導体集積回路に各種周辺機
能がオンチップ化される傾向にある今日において、デー
タ処理システムの動作仕様や機能の変更対象となる回路
部分が当該データ処理用半導体集積回路に含まれること
が多くなると予想される。斯る状況下において当該デー
タ処理用半導体集積回路に内蔵されるプログラマブルな
論理構造としての論理回路ブロックに対して書き込みを
行うステップを実行してシステムの動作仕様や機能変更
に対処すると、キーコンポーネントとされるデータ処理
用半導体集積回路の外部に設けられているLSIや回路
に対する変更個所が相対的に少なくなり、データ処理シ
ステムの開発時間の短縮や開発コストの低減にも大いに
寄与することができるという効果がある。
Nowadays, there is a tendency for various peripheral functions to be integrated into on-chip semiconductor integrated circuits for data processing, which are considered to be the key components of data processing systems, and the operating specifications and functions of data processing systems are subject to change. It is expected that more and more circuit parts will be included in the data processing semiconductor integrated circuit. Under such circumstances, if the step of writing to the logic circuit block, which is a programmable logic structure built into the data processing semiconductor integrated circuit, is executed to deal with changes in the operating specifications and functions of the system, key components and There are relatively few changes to be made to the LSI and circuits provided outside the data processing semiconductor integrated circuit, which can greatly contribute to shortening the development time and cost of data processing systems. effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るデータ処理システムの開発方法を
適用した一実施例であるプリンタコントローラシステム
の概略ブロック図、 第2図はプリンタコントローラシステムに含まれるシン
グルチップマイクロコンピュータの一例を示すブロック
図、 第3図は論理機能ブロックの一例であるPI、Aの構成
を中心とした他のシングルチップマイクロコンピュータ
のブロック図。 第4図は第3図のP L AにおけるAND面の一例を
示す回路図、 第5図は第3図のP L AにおけるOR面の一例を示
す回路図、 第6図(A)〜(D)は第3図に示されるシングルチッ
プマイクロコンピュータにおけるPLAとIloに着目
した場合の動作態様説明図、第7図は論理機能ブロック
の一例であるサブプロセッサを備えたシングルチップマ
イクロコンピュータのブロック図。 第8図は第7図に示されるサブプロセッサの一例を示す
ブロック図、 第9図は不揮発性メモリブロックの一例としてEPRO
M化したプログラムメモリを備えたシングルチップマイ
クロコンピュータのブロック図、第10図は第9図のシ
ングルチップマイクロコンぐユータに含まれる制御信号
生成回路の一例を示す論理図、 第11図は論理機能ブロックの他の例を示すブロック図
、 第12図は論理機能ブロックと不揮発性メモリブロック
のアドレスマツピング状態の一例を示す説明図、 第13図は第9図に示されるシングルチップマイクロコ
ンピュータにおいてそれに含まれる論理機能ブロックと
不揮発性メモリブロックに対するデータ書き込み及びベ
リファイのためのテスlへ読み出し動作に必要なタイミ
ングの一例を示すタイミングチャート。 第14図はマイクロプログラム制御を採用したシングル
チップマイクロコンピュータの例を示すブロック図であ
る。 1・・・シングルチップマイクロコンピュータ、2・・
CPU、4・・不揮発性メモリブロック、5・・・プロ
セッサ、6−PLA、7  (7a、7b、7c)−I
 / O120・A N D 面、2]、−OR面、4
】・・アドレスバス、42・・・データバス、91・N
ORアレイ、500・・制御信号生成論理、900・プ
ログラマブル論理回路、1000・・プリンタコン1〜
〇−ラシステム、1001・・/\ラッドライバ、10
02・・キャリッジリターンモータドライバ1003・
・・ラインフィードモータドライバ。 第 図 第 図 AOA+ 2A3 第 図 第 図 (C) (D) 第 図 第 図 41アトルスノ\・Z 第 図 第 O 図 二一一一−一一一一一へ 52θrめ
FIG. 1 is a schematic block diagram of a printer controller system that is an example of applying the data processing system development method according to the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing an example of a single-chip microcomputer included in the printer controller system. , FIG. 3 is a block diagram of another single-chip microcomputer centered on the configuration of PI and A, which are examples of logical function blocks. FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the AND surface in the PLA of FIG. 3, FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the OR surface of the PLA of FIG. 3, and FIGS. D) is an explanatory diagram of the operation mode when focusing on PLA and Ilo in the single-chip microcomputer shown in FIG. 3, and FIG. 7 is a block diagram of a single-chip microcomputer equipped with a sub-processor, which is an example of a logical function block. . FIG. 8 is a block diagram showing an example of the subprocessor shown in FIG. 7, and FIG. 9 is a block diagram showing an example of the subprocessor shown in FIG.
A block diagram of a single-chip microcomputer equipped with an M program memory, FIG. 10 is a logic diagram showing an example of a control signal generation circuit included in the single-chip microcomputer shown in FIG. 9, and FIG. 11 shows logic functions. FIG. 12 is an explanatory diagram showing an example of the address mapping state of the logical function block and non-volatile memory block; FIG. 13 is a block diagram showing another example of the block; FIG. 5 is a timing chart showing an example of the timing required for writing data to the included logical function blocks and nonvolatile memory blocks and reading data to the test I for verification. FIG. 14 is a block diagram showing an example of a single-chip microcomputer that employs microprogram control. 1... Single-chip microcomputer, 2...
CPU, 4...Nonvolatile memory block, 5...Processor, 6-PLA, 7 (7a, 7b, 7c)-I
/ O120・A N D plane, 2], -OR plane, 4
]...Address bus, 42...Data bus, 91.N
OR array, 500... Control signal generation logic, 900, Programmable logic circuit, 1000... Printer controller 1~
〇-La System, 1001.../\Rad Driver, 10
02... Carriage return motor driver 1003...
...Line feed motor driver. Figure Figure AOA+ 2A3 Figure Figure (C) (D) Figure Figure 41 Atrusno \・Z Figure Figure O Figure 2111-11111 52θr

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子に対する
書き込み状態に応じて所要の論理機能を実現し得る論理
機能ブロックとこの論理機能ブロックを利用して論理動
作を実行させる論理動作制御ブロックとを1つの半導体
基板に形成して成るデータ処理用半導体集積回路と、こ
のデータ処理用半導体集積回路の制御を受ける単数もし
くは複数の被制御回路ブロックとによって、データ処理
システムを開発するにあたり、当該システムに要求され
る機能に応じて上記論理機能ブロックに含まれる不揮発
性記憶素子に所要のデータを書き込むことを特徴とする
データ処理システムの開発方法。 2、データ処理システムの機能変更に応じたデータを論
理機能ブロックに含まれる不揮発性記憶素子に書き込み
前に不揮発性性記憶素子の情報を消去するステップを有
する請求項1記載のデータ処理システムの開発方法。 3、データ処理システムの機能変更に応じてデータ処理
用半導体集積回路を、その機能変更に応じたデータを論
理機能ブロックの不揮発性記憶素子に書き込んだ新たな
データ処理用半導体集積回路に交換するステップを含む
請求項1記載のデータ処理システムの開発方法。 4、上記データ処理用半導体集積回路は電気的に書き込
み可能な不揮発性記憶素子を含む不揮発性メモリブロッ
クを備え、この不揮発性メモリブロックに、データ処理
システムに要求される機能に応じ上記論理動作制御ブロ
ックのためのソフトウェアプログラムを書き込むステッ
プを含む請求項1乃至3の何れか1項に記載のデータ処
理システムの開発方法。 5、データ処理システムの機能変更に応じた情報を上記
不揮発性メモリブロックに含まれる不揮発性記憶素子に
書き込む前に、不揮発性記憶素子の情報を消去するステ
ップを有する請求項4記載のデータ処理システムの開発
方法。 6、データ処理システムの機能変更に応じてデータ処理
用半導体集積回路を、その機能変更に応じたソフトウェ
アプログラムを不揮発性メモリブロックの不揮発性記憶
素子に書き込んだ新たなデータ処理用半導体集積回路に
交換するステップを含む請求項3記載のデータ処理シス
テムの開発方法。
[Claims] 1. A logic function block that can realize a required logic function depending on the state of writing to an electrically writable nonvolatile memory element, and a logic that uses this logic function block to execute a logic operation. A data processing system is developed using a data processing semiconductor integrated circuit formed by forming an operation control block on one semiconductor substrate, and one or more controlled circuit blocks controlled by the data processing semiconductor integrated circuit. A method for developing a data processing system, comprising writing required data into a nonvolatile memory element included in the logical function block according to a function required of the system. 2. Development of the data processing system according to claim 1, further comprising the step of erasing information in the nonvolatile memory element before writing data corresponding to a change in the function of the data processing system to the nonvolatile memory element included in the logical function block. Method. 3. Replacing the data processing semiconductor integrated circuit in accordance with the functional change of the data processing system with a new data processing semiconductor integrated circuit in which data corresponding to the functional change is written into the nonvolatile memory element of the logical function block. The method for developing a data processing system according to claim 1, comprising: 4. The data processing semiconductor integrated circuit includes a nonvolatile memory block including an electrically writable nonvolatile memory element, and the nonvolatile memory block is provided with the above logic operation control according to the functions required of the data processing system. A method for developing a data processing system according to any one of claims 1 to 3, comprising the step of writing a software program for the block. 5. The data processing system according to claim 4, further comprising the step of erasing information in the nonvolatile memory element before writing information corresponding to a functional change of the data processing system into the nonvolatile memory element included in the nonvolatile memory block. development method. 6. In response to a change in the functionality of the data processing system, the data processing semiconductor integrated circuit is replaced with a new data processing semiconductor integrated circuit in which a software program corresponding to the function change is written into the nonvolatile storage element of the nonvolatile memory block. 4. The method for developing a data processing system according to claim 3, further comprising the step of:
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DE68928074T DE68928074T2 (en) 1988-09-20 1989-09-18 Development process for a data processing system
EP89117257A EP0364743B1 (en) 1988-09-20 1989-09-18 Development method of data processing system
US08/102,156 US5511211A (en) 1988-08-31 1993-08-04 Method for flexibly developing a data processing system comprising rewriting instructions in non-volatile memory elements after function check indicates failure of required functions
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063414A (en) * 1992-01-24 1994-01-11 Fujitsu Ltd Dummy lsi device and debugging device using that device
JP2011049761A (en) * 2009-08-26 2011-03-10 Fuji Xerox Co Ltd Image processor and image processing system
JP2013045453A (en) * 2011-08-20 2013-03-04 Freescale Semiconductor Inc Semiconductor device with wake-up unit

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