JPH0279479A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPH0279479A JPH0279479A JP63231707A JP23170788A JPH0279479A JP H0279479 A JPH0279479 A JP H0279479A JP 63231707 A JP63231707 A JP 63231707A JP 23170788 A JP23170788 A JP 23170788A JP H0279479 A JPH0279479 A JP H0279479A
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- semiconductor
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体受光素子に関し、特に１〜１．６μｍ
波長帯領域において、低雑音及び高速応答に優れたアバ
ランシ増倍盤の半導体受光素子に関するものである。
波長帯領域において、低雑音及び高速応答に優れたアバ
ランシ増倍盤の半導体受光素子に関するものである。
従来、１〜１．６μｍ帯の光通信用半導体受光素子とし
てＩｎＰ基板上に格子整合したＩｎｏ、５３Ｇａ６．４
７Ａｓ層（以下ＩｎＧａＡｓ層と略す）を光吸収層とす
るＰＩＮ型半導体受光素子（例えばエレクトロニクス−
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、） １９８４
、２０ ＋ｐｐ６ｓ３−Ｉ）ｌ）６５４）ｌアバラン
シ増倍型半導体受光素子（例えばアイイーイーイー・エ
レクトロン・デバイス・レターズ（ＩＥＥＥ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔ、）１９８６，７．
ｐｐ２５７〜ｐｐ２５８）が知られている。特にこの中
でアバランシ増倍型半導体受光素子は、アバランシ増倍
作用による内部利得効果及び高速応答を有する点で長距
離光通信用として注目されている。
てＩｎＰ基板上に格子整合したＩｎｏ、５３Ｇａ６．４
７Ａｓ層（以下ＩｎＧａＡｓ層と略す）を光吸収層とす
るＰＩＮ型半導体受光素子（例えばエレクトロニクス−
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、） １９８４
、２０ ＋ｐｐ６ｓ３−Ｉ）ｌ）６５４）ｌアバラン
シ増倍型半導体受光素子（例えばアイイーイーイー・エ
レクトロン・デバイス・レターズ（ＩＥＥＥ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔ、）１９８６，７．
ｐｐ２５７〜ｐｐ２５８）が知られている。特にこの中
でアバランシ増倍型半導体受光素子は、アバランシ増倍
作用による内部利得効果及び高速応答を有する点で長距
離光通信用として注目されている。
第５図には、通常のアバランシ増倍型受光素子の構造例
を示す。ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型■ｎＰバッファ
層１２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１３゜ｎ型ＩｎＰア
バランシ増倍層１４．ｎ型ＩｎＰキャップ層１５から成
り立っている。この様な層構造において受光部であるＰ
型領域１６．ガードリング部であるＰ−型領域１７を図
の様に形成する事によって基本構造が得られる。ここで
光吸収によって発生した正孔はＩｎＰアバランシ増倍層
１４に注入され高電界中でのイオン化衡突によって電子
・正孔対を生成する事になる（アバランシ増倍作用）。
を示す。ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型■ｎＰバッファ
層１２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１３゜ｎ型ＩｎＰア
バランシ増倍層１４．ｎ型ＩｎＰキャップ層１５から成
り立っている。この様な層構造において受光部であるＰ
型領域１６．ガードリング部であるＰ−型領域１７を図
の様に形成する事によって基本構造が得られる。ここで
光吸収によって発生した正孔はＩｎＰアバランシ増倍層
１４に注入され高電界中でのイオン化衡突によって電子
・正孔対を生成する事になる（アバランシ増倍作用）。
ところで、この種の光通信用受光素子では低雑音。
高速応答の特性が特に要求され、これに対し増倍層中で
のキャリアのラムダムなイオン化プロセスが影響を与え
る事が現象論的に知られている。
のキャリアのラムダムなイオン化プロセスが影響を与え
る事が現象論的に知られている。
具体的には、アバランシ増倍層であるＩｎＰ層の電子と
正孔のイオン化率に差がある程、純粋なキャリアでのイ
オン化衝突になるので（電子及び正孔のイオン化率をα
、βとすると、α／β〉１の時には電子、β／α〉１の
時には正孔がイオン化衝突を起す主キャリアになる）、
素子特性上望ましい。ところが、イオン化率比（β／α
）は材料的に決定されておυ、ＩｎＰでは高々β／α＝
２程度である。これは、低雑音特性を有する８ｉのα／
β＝２０と大きな違いがあシ、よシ低雑音及び高速応答
特性を実現する為に画期的な材料技術が要求されている
。
正孔のイオン化率に差がある程、純粋なキャリアでのイ
オン化衝突になるので（電子及び正孔のイオン化率をα
、βとすると、α／β〉１の時には電子、β／α〉１の
時には正孔がイオン化衝突を起す主キャリアになる）、
素子特性上望ましい。ところが、イオン化率比（β／α
）は材料的に決定されておυ、ＩｎＰでは高々β／α＝
２程度である。これは、低雑音特性を有する８ｉのα／
β＝２０と大きな違いがあシ、よシ低雑音及び高速応答
特性を実現する為に画期的な材料技術が要求されている
。
これに対し、ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂ系はスプリット・オ
フバンドを利用した共鳴イオン化現象を有する材料系と
して注目されている。そのイオン化の過程は、オージェ
効果の逆過程と等価であシ、光吸収によって発生した正
孔は、電界加速によってエネルギーを得てスプリット・
オフバンドに励起される。スプリット・オフバンド中で
は有効質量が軽いのでイオン化に必要な速度に到達しゃ
すく、イオン化を起こすとスプリット・オフバンドエネ
ルギー△ｓｏがエネルギーギャップＥｇと同程度である
場合に価電子帯から電子を励起して正孔が２個、電子が
１個生じることになる。但しこの様なイオン化は、ヘビ
ーホールバンドと２イトホールバンドでのイオン化と競
合状態にアシ、それゆえスプリット・オフバンドでのイ
オン化閾値エネルギーが他のホールバンドよシ小さい必
要がある。
フバンドを利用した共鳴イオン化現象を有する材料系と
して注目されている。そのイオン化の過程は、オージェ
効果の逆過程と等価であシ、光吸収によって発生した正
孔は、電界加速によってエネルギーを得てスプリット・
オフバンドに励起される。スプリット・オフバンド中で
は有効質量が軽いのでイオン化に必要な速度に到達しゃ
すく、イオン化を起こすとスプリット・オフバンドエネ
ルギー△ｓｏがエネルギーギャップＥｇと同程度である
場合に価電子帯から電子を励起して正孔が２個、電子が
１個生じることになる。但しこの様なイオン化は、ヘビ
ーホールバンドと２イトホールバンドでのイオン化と競
合状態にアシ、それゆえスプリット・オフバンドでのイ
オン化閾値エネルギーが他のホールバンドよシ小さい必
要がある。
ヒルデブランド（０，Ｈｉ １ｄｅｂｒａｎｄ ）等は
（アイ・イーイーイー・ジャーナル・ファンタム・エレ
クトロニクス（ＩＥＥＥ、Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ） 。
（アイ・イーイーイー・ジャーナル・ファンタム・エレ
クトロニクス（ＩＥＥＥ、Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ） 。
１９８１ 、１７． ｐＩ）２８４−ｐｐ２ｓｓ）＋正
孔のイオン化閾値エネルギーＥｉ ｔｈが次式で表わさ
れる事を示した。
孔のイオン化閾値エネルギーＥｉ ｔｈが次式で表わさ
れる事を示した。
ｈｈ
（△ｓｏ＞Ｅｇ） Ｅｉ、ｔｈ＝Ｅｇ（１＋３７３）
””” （１）これよυΔ８ｏ＝Ｅｇのとき正孔のイオ
ン化しきい値エネルギーは減少し正孔のイオン化が選択
的に生じる。ＡｌｘＧａｔ−）（Ｓｂ系では第３図に示
す様にＡ１組成比Ｘを変える事によってΔ５゜／稲が変
化し、ｘ＝Ｏ１０５近傍に△ｓｏ＝Ｅｇとなシ得る領域
がある。
””” （１）これよυΔ８ｏ＝Ｅｇのとき正孔のイオ
ン化しきい値エネルギーは減少し正孔のイオン化が選択
的に生じる。ＡｌｘＧａｔ−）（Ｓｂ系では第３図に示
す様にＡ１組成比Ｘを変える事によってΔ５゜／稲が変
化し、ｘ＝Ｏ１０５近傍に△ｓｏ＝Ｅｇとなシ得る領域
がある。
実際、Ｏ，）ｉｉ １ｄｅｂｒａｎｄ等は、第４図に示
す様な素子構造においてイオン化率比β／αの検証を行
っている。素子構造は、ｎ型Ｇａｒｂ基板１上にｎ型Ａ
７ｘＧａ１−ｘｓｂ層７．ｉ型ＡＡ’Ｘ Ｇａ １＞ｃ
Ｓ ｂ層８、ｐ型ＡＩ Ｘ Ｇａ １−ｚ Ｓ ｂ層
９をＬＰＥ法により得て電子ビーム照射によシΔ、ｏ／
Ｅ、：１近傍で増倍率Ｍ＝１０でイオン化率比β／α＝
２０．雑音指数Ｆ＝Ｚ３である事を見積った。
す様な素子構造においてイオン化率比β／αの検証を行
っている。素子構造は、ｎ型Ｇａｒｂ基板１上にｎ型Ａ
７ｘＧａ１−ｘｓｂ層７．ｉ型ＡＡ’Ｘ Ｇａ １＞ｃ
Ｓ ｂ層８、ｐ型ＡＩ Ｘ Ｇａ １−ｚ Ｓ ｂ層
９をＬＰＥ法により得て電子ビーム照射によシΔ、ｏ／
Ｅ、：１近傍で増倍率Ｍ＝１０でイオン化率比β／α＝
２０．雑音指数Ｆ＝Ｚ３である事を見積った。
前述の共鳴イオン化現象を利用したアバランシ増倍型受
光素子は、Ｏ，Ｈｉ １ｄｅｂｒａｎｄ等の報告（１９
８１年）以来、全く実証がなされていない。この主たる
原因の一つに、ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂエピタキシャル成
長においてＡ１組成比を微妙に制御する事の灘かしさか
ある。特に第３図に示す様に△５ｏ／ＥｇはＸ＝ ０．
０５近傍で１に近い値を示すが、その近傍ではＸに対し
てΔ３０ＸＥｇが敏感に変化している。これ故、 Ａ
１組成比を±０．０１内において制御する必要があるが
、ＬＰＥ法もしくは気相成長法を用いても実際上は制御
不可能である。
光素子は、Ｏ，Ｈｉ １ｄｅｂｒａｎｄ等の報告（１９
８１年）以来、全く実証がなされていない。この主たる
原因の一つに、ＡｌｘＧａ１−ｘＳｂエピタキシャル成
長においてＡ１組成比を微妙に制御する事の灘かしさか
ある。特に第３図に示す様に△５ｏ／ＥｇはＸ＝ ０．
０５近傍で１に近い値を示すが、その近傍ではＸに対し
てΔ３０ＸＥｇが敏感に変化している。これ故、 Ａ
１組成比を±０．０１内において制御する必要があるが
、ＬＰＥ法もしくは気相成長法を用いても実際上は制御
不可能である。
本発明の目的は、これらの問題点を解決して、低雑音、
高速応答特性を有するアバランシ増倍型半導体受光素子
を提供することにある。
高速応答特性を有するアバランシ増倍型半導体受光素子
を提供することにある。
本発明の半導体受光素子は、半導体基板上に、光吸収層
である第１の半導体層、アバランシ増倍層である超格子
構造、キャップ層である第２の半導体層からなる積層構
造を有し、前記超格子構造を構成する半導体層群を形成
する半導体材料のスプリット・オフ・バンド・エネルギ
ーと禁制帯・エネルギーが同じかまたは近い値を有して
いる構成になっている。
である第１の半導体層、アバランシ増倍層である超格子
構造、キャップ層である第２の半導体層からなる積層構
造を有し、前記超格子構造を構成する半導体層群を形成
する半導体材料のスプリット・オフ・バンド・エネルギ
ーと禁制帯・エネルギーが同じかまたは近い値を有して
いる構成になっている。
本発明は、上述の手段をとることにより、従来技術の問
題点を解決した。本発明では、アバ２ンシ増倍層に超格
子構造を適用する事によって、そのエネルギーギャップ
が井戸層厚によって自在に変わる事を利用している。超
格子構造中ではそのエネルギーギャップは井戸層の禁制
帯幅Ｅｇ よシも基底量子準位エネルギー６８分だけ増
加する事が知られている。この場合ΔＥは（２）式で示
される。
題点を解決した。本発明では、アバ２ンシ増倍層に超格
子構造を適用する事によって、そのエネルギーギャップ
が井戸層厚によって自在に変わる事を利用している。超
格子構造中ではそのエネルギーギャップは井戸層の禁制
帯幅Ｅｇ よシも基底量子準位エネルギー６８分だけ増
加する事が知られている。この場合ΔＥは（２）式で示
される。
ここで！は井戸層厚である。
またスプリットオフバンドエネルギーΔ、０に関しては
、Ａ、Ｆｏｒｃｈｅｌ等（アプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）、 １
９８７，５０゜ｐｐ１８２−ｐｐ１８４）によシ、井戸
層厚依存性がない事が実証されている。これ故、下記の
（３）式によってΔＢ □／Ｅｇが制御可能となシ得る
。
、Ａ、Ｆｏｒｃｈｅｌ等（アプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）、 １
９８７，５０゜ｐｐ１８２−ｐｐ１８４）によシ、井戸
層厚依存性がない事が実証されている。これ故、下記の
（３）式によってΔＢ □／Ｅｇが制御可能となシ得る
。
ここで例えばＧａＳｂ／Ａ１８ｂ超格子構造を仮定する
と、井戸層であるＧａｒｂのエネルギーギャップは０，
７２６ｅＶ、スプリット・オフ・バンド・エネルギーは
０．７５２ｅＶ、ｍ６＝０．０４７ｍ□、ｍｈｈ＝０．
４９□。である事が知られている。これよシ△ｓ ｏ
／ｈｇを計算すると第２図に示される様になる。井戸層
厚１８０Ｘで△、。／Ｅｇ＝ｌを満たすが、その近傍で
の変化は井戸層厚に対して比較的鈍感であυ、±２ＯＡ
の制御性があれば十分であると考えられる。これは、従
来技術であるＡＩＭｉ成比を制御する事よシは、成長技
術的に極めて容易である。それ故、本発明によって共鳴
イオン化現象を利用したアバランシ増倍型受光素子が容
易に実現できる。
と、井戸層であるＧａｒｂのエネルギーギャップは０，
７２６ｅＶ、スプリット・オフ・バンド・エネルギーは
０．７５２ｅＶ、ｍ６＝０．０４７ｍ□、ｍｈｈ＝０．
４９□。である事が知られている。これよシ△ｓ ｏ
／ｈｇを計算すると第２図に示される様になる。井戸層
厚１８０Ｘで△、。／Ｅｇ＝ｌを満たすが、その近傍で
の変化は井戸層厚に対して比較的鈍感であυ、±２ＯＡ
の制御性があれば十分であると考えられる。これは、従
来技術であるＡＩＭｉ成比を制御する事よシは、成長技
術的に極めて容易である。それ故、本発明によって共鳴
イオン化現象を利用したアバランシ増倍型受光素子が容
易に実現できる。
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。第１図には、本発明の一実施例により得られるア
バランシ増倍型半導体受光素子の素子構造図を示す。ｎ
型Ｇ ｔａ ８ ｂ基板１上にｎ型Ｇａｒｂ光吸収層２
．ｎ型ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超格子構造（アバ２ンシ増倍
層）３．ｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ、ｓ８ｂキャップ層４か
ら成シ立りている。この様な層構造において受光部であ
るＰ 領域を形成する事によって基本構造が得られる。
する。第１図には、本発明の一実施例により得られるア
バランシ増倍型半導体受光素子の素子構造図を示す。ｎ
型Ｇ ｔａ ８ ｂ基板１上にｎ型Ｇａｒｂ光吸収層２
．ｎ型ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超格子構造（アバ２ンシ増倍
層）３．ｎ型ＡＪｏ、５Ｇａｏ、ｓ８ｂキャップ層４か
ら成シ立りている。この様な層構造において受光部であ
るＰ 領域を形成する事によって基本構造が得られる。
ここで、ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ超格子構造において井戸層
Ｇａｒｂの層厚は、△、０／Ｅｇ＝ １を満たすＪ＝１
８ＯＡ（第２図参照）となっている。
Ｇａｒｂの層厚は、△、０／Ｅｇ＝ １を満たすＪ＝１
８ＯＡ（第２図参照）となっている。
動作原理は、Ｇａｒｂ光吸収層２で発生した光キャリア
において正孔のみが逆電界によってアバランシ増倍層で
ある超格子構造３中に注入される。
において正孔のみが逆電界によってアバランシ増倍層で
ある超格子構造３中に注入される。
ここで超格子構造はΔ、。／Ｅｇ＝１なる条件を満たし
ているため、正孔のみがスプリット・オフ・ノぐンドを
介して共鳴イオン化を起むす。この場合作用の項で述べ
た様に、本構造ではΔ、。７８ｇの変化は井戸層厚に対
して鈍感であるため、比較的容易に共鳴イオン化の状況
を得る事が可能である。それ故イオン化率比β／αが極
大化したアバランシ増倍型受光素子が容易に得られる事
になる。
ているため、正孔のみがスプリット・オフ・ノぐンドを
介して共鳴イオン化を起むす。この場合作用の項で述べ
た様に、本構造ではΔ、。７８ｇの変化は井戸層厚に対
して鈍感であるため、比較的容易に共鳴イオン化の状況
を得る事が可能である。それ故イオン化率比β／αが極
大化したアバランシ増倍型受光素子が容易に得られる事
になる。
本実施例は、ＡｌｘＧａ１−ｘ５ｂ系超格子構造におい
て適用されているが同様に共鳴イオン化現象を生じる超
格子構造、例えばＨｇｘＣｄ！−ＸＴｅ系超格子構造等
においても本発明が適用される。
て適用されているが同様に共鳴イオン化現象を生じる超
格子構造、例えばＨｇｘＣｄ！−ＸＴｅ系超格子構造等
においても本発明が適用される。
以上、説明した様に、本発明によシ得られたアバランシ
増倍型受光素子はアバ２ンシ増倍層に超格子構造を適用
する事によシ、比較的容易に共鳴イオン化現象を実現で
きる。これによシ、イオン化率比がよシ誇張され、低雑
音でかつアバランシ増倍時間が短い事により高速応答が
可能となる。
増倍型受光素子はアバ２ンシ増倍層に超格子構造を適用
する事によシ、比較的容易に共鳴イオン化現象を実現で
きる。これによシ、イオン化率比がよシ誇張され、低雑
音でかつアバランシ増倍時間が短い事により高速応答が
可能となる。
それ故、１〜１．６μｍ波長帯光通信用受光累子として
従来特性を凌駕する事が可能となる。
従来特性を凌駕する事が可能となる。
第１図は、本発明の一実施例であるＧａＳｂ／Ａ１８ｂ
超格子構造をアバランシ増倍層としたアバランシ増倍型
受光素子の素子構造を示す図、第２図は、本発明のアバ
ランシ増倍型受光素子において△、。 ／ＥｇのＧａｒｂ井戸層厚依存性を示す図、第３図は人
ムＧａｌ−２ｓｂおいてΔ、。／ＥｇのＡＩ組成比依存
性を示す図、第４図はヒルデブランド（０、Ｈｉ Ｉｄ
ｅｂｒａｎｄ）等によって実証されたＡｌｘＧａ１−ｘ
Ｓｂ系アバランシ増倍型受光素子の構造図、第５図は、
通常のＩｎＰアバランシ増倍看、ＩｎＧａＡｓ光吸収層
からなるアバランシ増倍型半導体受光素子の構造図であ
る。 １・・・ｎ型Ｇａｒｂ基板、２−ｎ型Ｇ、ａ Ｓ ｂ層
（光吸収層）、３−ｎ型ＧａＳｂ／ＡＪＳｂ超格子構造
（アバランシ増倍層）、４−＝ ｎ型ＡＪＸＧａ Ｉ、
Ｓｂ （ｘ＝０．５）層（キャップ層）、５・・・ｐ十
領域、７・・・ｎ型絢隆Ｇａ Ｈ−Ｘ Ｓｂ層、８−４
型人Ｊ、Ｇａ１−ＸＳｂ層、９−ｐ型Ａ７りＨＧａｌ−
ｘＳｂ層、１１＝ｎ型ＩｎＰ基板、１２・ ｎ型ＩｎＰ
層、ｔ ３ ・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）。 １４・・・ｎ型ＩｎＰ層（アバ２ンシ増倍／１ｍ）、１
５・・・ｎ型１ｎＰ層、１６・・・ｐ＋領領域１７・・
・ｐ−領域。 代理人 弁理士 内 原 晋 入射形 あ（因 あと囚 昂３回 入側ん あり囚
超格子構造をアバランシ増倍層としたアバランシ増倍型
受光素子の素子構造を示す図、第２図は、本発明のアバ
ランシ増倍型受光素子において△、。 ／ＥｇのＧａｒｂ井戸層厚依存性を示す図、第３図は人
ムＧａｌ−２ｓｂおいてΔ、。／ＥｇのＡＩ組成比依存
性を示す図、第４図はヒルデブランド（０、Ｈｉ Ｉｄ
ｅｂｒａｎｄ）等によって実証されたＡｌｘＧａ１−ｘ
Ｓｂ系アバランシ増倍型受光素子の構造図、第５図は、
通常のＩｎＰアバランシ増倍看、ＩｎＧａＡｓ光吸収層
からなるアバランシ増倍型半導体受光素子の構造図であ
る。 １・・・ｎ型Ｇａｒｂ基板、２−ｎ型Ｇ、ａ Ｓ ｂ層
（光吸収層）、３−ｎ型ＧａＳｂ／ＡＪＳｂ超格子構造
（アバランシ増倍層）、４−＝ ｎ型ＡＪＸＧａ Ｉ、
Ｓｂ （ｘ＝０．５）層（キャップ層）、５・・・ｐ十
領域、７・・・ｎ型絢隆Ｇａ Ｈ−Ｘ Ｓｂ層、８−４
型人Ｊ、Ｇａ１−ＸＳｂ層、９−ｐ型Ａ７りＨＧａｌ−
ｘＳｂ層、１１＝ｎ型ＩｎＰ基板、１２・ ｎ型ＩｎＰ
層、ｔ ３ ・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層（光吸収層）。 １４・・・ｎ型ＩｎＰ層（アバ２ンシ増倍／１ｍ）、１
５・・・ｎ型１ｎＰ層、１６・・・ｐ＋領領域１７・・
・ｐ−領域。 代理人 弁理士 内 原 晋 入射形 あ（因 あと囚 昂３回 入側ん あり囚
Claims (1)
- 半導体基板上に、光吸収層である第１の半導体層と、ア
バランシ増倍層である超格子構造と、キャップ層である
第２の半導体層とからなる積層構造を備え、前記超格子
構造を構成する半導体層群を形成する半導体材料のスプ
リット・オフ・バンド・エネルギーと禁制帯・エネルギ
ーが同じかまたは近い値を有している事を特徴とする半
導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231707A JP2668980B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63231707A JP2668980B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279479A true JPH0279479A (ja) | 1990-03-20 |
| JP2668980B2 JP2668980B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=16927747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63231707A Expired - Lifetime JP2668980B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668980B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232377A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63231707A patent/JP2668980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232377A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2668980B2 (ja) | 1997-10-27 |
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