JPH0272627A - Processor - Google Patents

Processor

Info

Publication number
JPH0272627A
JPH0272627A JP22412088A JP22412088A JPH0272627A JP H0272627 A JPH0272627 A JP H0272627A JP 22412088 A JP22412088 A JP 22412088A JP 22412088 A JP22412088 A JP 22412088A JP H0272627 A JPH0272627 A JP H0272627A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
hydrogen
hydrogen detector
reaction tube
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22412088A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2619699B2 (en
Inventor
Shingo Watanabe
伸吾 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority to JP22412088A priority Critical patent/JP2619699B2/en
Publication of JPH0272627A publication Critical patent/JPH0272627A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2619699B2 publication Critical patent/JP2619699B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable breakdown prevention of a means which detects unreacted gas and maintenance of safety by providing a means which sets an unreacted gas detection means in noncontact with gas according to the kind of gas to be used in a treatment room. CONSTITUTION:Steam generated in an outside combustion mechanism 9 is supplied into a reaction tube 1 through a gas introduction tube 8, and an exhaust tube 10 is connected to the lower part of the reaction tube 1. And in an exhaust tube 9 is provided a means which detects specified unreacted gas, for example, a hydrogen detector 11. Further, a means which puts the hydrogen detector 11 in noncontact with gas according to the kind of gas used in a treatment part 2, for example, a protective mechanism 12 which isolates the hydrogen detector 11 from the space in which gas is flowing so as to protect the hydrogen detector 11 is provided. Hereby, breakdown of the hydrogen detector 11 can be prevented, and the operation of the device can be performed in the condition that the safety is maintained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing device.

(従来の技術) 被処理体例えば半導体ウェハの熱処理例えば酸化工程で
は、処理室即ち反応管を備えた熱処理装置が用いられて
いる。この熱処理装置は、発熱自在なヒーター線を巻回
した石英製の反応管内に、複数枚のウェハを配列搭載し
たボートを上記反応管の開口端から挿入し、反応管内の
予め定められた位置に設定した後、上記開口端を蓋体に
より封止し、上記ヒーター線の発熱により上記ウェハを
加熱した状態で水蒸気等を導入して酸化処理を行なうも
のである。このような酸化処理技術としては、例えば特
公昭58−182号、特公昭62−6342号。
(Prior Art) In heat treatment of objects to be processed, such as semiconductor wafers, such as oxidation processes, heat treatment apparatuses equipped with processing chambers, that is, reaction tubes are used. This heat treatment equipment involves inserting a boat carrying multiple wafers in an array into a quartz reaction tube wrapped with a heater wire that can generate heat from the open end of the reaction tube, and placing it at a predetermined position inside the reaction tube. After setting, the opening end is sealed with a lid, and while the wafer is heated by heat generated by the heater wire, water vapor or the like is introduced to perform oxidation treatment. Examples of such oxidation treatment techniques include Japanese Patent Publications No. 58-182 and Japanese Patent Publication No. 62-6342.

特公昭63−28496号、特開昭55−90405号
公報等に開示されている。
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 63-28496, Japanese Unexamined Patent Publication No. 55-90405, etc.

このような酸化処理においては、酸素ガス及び水素ガス
を燃焼させて生成した水蒸気により、ウェハ表面に酸化
膜を生成するが、上記水素ガスが反応即ち燃焼せずに反
応管内を流れると、爆発する危険性が有るため、未反応
ガスを検知する手段例えば上記水素ガスの検知器を排気
部に設けることで水素ガスの不完全燃焼を監視している
In this type of oxidation treatment, an oxide film is formed on the wafer surface by water vapor generated by burning oxygen gas and hydrogen gas, but if the hydrogen gas flows through the reaction tube without reacting or burning, it will explode. Because of the danger, incomplete combustion of hydrogen gas is monitored by providing means for detecting unreacted gas, such as the hydrogen gas detector described above, in the exhaust section.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記従来の技術では、定期的に行なう反応
管の洗浄、或いは酸化処理ガスである水素ガス+酸素ガ
スの代用として塩化水素(H(Jり +酸素ガスを使用
する場合、上記排気部で使用している水素検知器のセン
ス部が上記H(14により酸化。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in the above-mentioned conventional technology, the reaction tube is cleaned periodically, or hydrogen chloride (H(J) + oxygen gas is used as a substitute for hydrogen gas + oxygen gas, which is the oxidation processing gas). When used, the sensing part of the hydrogen detector used in the exhaust part is oxidized by the above H(14).

腐蝕してしまい、上記水素検知器が破損してしまう問題
があった。この水素検知器が破損した状態で上記水素ガ
ス+酸素ガスによる酸化処理を実行し、上記水素ガスが
不完全燃焼しても、これを検知することができず、上記
した爆発が起こる危険性が生じ、安全性及び正常な装置
稼働を保つことができない問題があった。
There was a problem in that the hydrogen detector was damaged due to corrosion. If this hydrogen detector is damaged and the hydrogen gas + oxygen gas oxidation process is performed and the hydrogen gas is incompletely combusted, it will not be able to detect this and there is a risk that the above explosion will occur. There was a problem in that safety and normal operation of the equipment could not be maintained.

本発明は上記点に対処してなされたもので、未反応ガス
を検知する手段の破損防止、及び安全性の維持を可能と
する処理装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a processing device that can prevent damage to the means for detecting unreacted gas and maintain safety.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、所定の未反応ガスを検知する手段が備えられ
た処理室内で、被処理体の処理を行なう処理装置におい
て、上記処理室内で使用されるガスの種類に応じて、上
記未反応ガス検知手段を上記ガスと非接触に設定する手
段を設けたことを特徴とする処理装置を得るものである
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a processing apparatus for processing an object to be processed in a processing chamber equipped with a means for detecting a predetermined unreacted gas. The present invention provides a processing apparatus characterized in that means is provided for setting the unreacted gas detection means to be in non-contact with the gas depending on the type.

(作用効果) 即ち、本発明は、処理室内で使用されるガスの種類に応
じて、未反応ガス検知手段を上記ガスと非接触にする手
段を設けたことにより、上記未反応ガス検知手段の破損
を防止でき、安全性を維持した状態で装置の稼働を行な
うことができる。
(Operation and Effect) That is, the present invention provides means for making the unreacted gas detection means non-contact with the gas, depending on the type of gas used in the processing chamber, so that the unreacted gas detection means can be Damage can be prevented and the device can be operated while maintaining safety.

(実施例) 以下、本発明装置を半導体製造工程における酸化工程に
適用した一実施例につき、図面を参照して説明する。
(Example) Hereinafter, an example in which the apparatus of the present invention is applied to an oxidation step in a semiconductor manufacturing process will be described with reference to the drawings.

まず、酸化装置の構成を説明する。First, the configuration of the oxidizer will be explained.

この装置は、例えば第1図に示すように縦型反応炉で、
軸方向を垂直にした反応管0)から成る処理部■と、こ
の処理部■に搬入・搬出される被処理体例えば半導体ウ
ェハ(3)を上記垂直方向に複数枚例えば100〜15
0枚程度所定の間隔を設けて積載した支持体例えばボー
ト0)と、このボート(イ)を、上記反応管■下方の予
め定められたボート受は渡し位置0から上記反応管(υ
にロード・アンロードする搬送機構(0とから構成され
ている。
This device is, for example, a vertical reactor as shown in Figure 1.
A processing section (2) consisting of a reaction tube (0) whose axis is vertical, and a plurality of objects to be processed, such as semiconductor wafers (3), to be carried in and out of this processing section (2) in the vertical direction, for example, 100 to 15
Supports loaded at a predetermined interval of about 0 sheets, for example, boat 0), and this boat (a) are transported from the transfer position 0 to the reaction tube (υ
It consists of a transport mechanism (0) that loads and unloads the machine.

上記処理部■の上記反応管ωは、耐熱性で処理ガスに対
して反応しにくい材質例えば石英から成り、上面が封止
されている。この反応管■を同軸的に囲繞する如く筒状
加熱機構例えばコイル状に巻回されたヒーターωが設け
られ、このヒーター■は上記ウェハ(3)の載置される
領域内部を所望する温度例えば600〜1400℃に均
一加熱する如く設けられている。
The reaction tube ω of the processing section (2) is made of a material that is heat resistant and does not easily react with the processing gas, such as quartz, and has its upper surface sealed. A cylindrical heating mechanism, for example, a heater ω wound in a coil shape, is provided so as to coaxially surround this reaction tube (2), and this heater (2) maintains the inside of the area where the wafer (3) is placed at a desired temperature, for example. It is provided so as to uniformly heat the temperature to 600-1400°C.

また、上記反応管ωの上部には、反応管ω内部に所定の
処理ガス例えば水蒸気を導入するためのガス導入管(8
)が接続されており、このガス導入管(8)は外部燃焼
機構0に連設している。この外部燃焼機構0は、図示は
しないが酸素ガス及び水素ガスを所定量で夫々独立して
導入し、これを発火点以上の温度まで加熱する加熱手段
と、上記酸素ガス及び水素ガスを燃焼化合して水蒸気を
生成する燃焼室とを有しており、この外部燃焼機構0)
で生成した水蒸気を、上記ガス導入管(8)を介して反
応管ω内に供給可能とされている。そして、上記反応管
■の下部には、排気管(10)が接続されている。
Further, at the upper part of the reaction tube ω, a gas introduction tube (8
) is connected, and this gas introduction pipe (8) is connected to the external combustion mechanism 0. Although not shown, the external combustion mechanism 0 includes a heating means that independently introduces predetermined amounts of oxygen gas and hydrogen gas and heats them to a temperature above the ignition point, and a combustion combination of the oxygen gas and hydrogen gas. This external combustion mechanism 0)
The water vapor generated can be supplied into the reaction tube ω via the gas introduction pipe (8). An exhaust pipe (10) is connected to the lower part of the reaction tube (2).

上記排気管(9)には、所定の未反応ガスを検知する手
段例えば第2図に示す水素検知器(11)が備えられて
おり、更に上記処理部■で使用されるガスの種類に応じ
て、上記水素検知器(11)を上記ガスと非接触にする
手段、例えば上記ガスが流れる空間から上記水素検知器
(11)を隔離して上記水素検知器(11)を保護する
保護機構(12)が設けられている。
The exhaust pipe (9) is equipped with a means for detecting a predetermined unreacted gas, such as a hydrogen detector (11) shown in FIG. means for making the hydrogen detector (11) non-contact with the gas, such as a protection mechanism that protects the hydrogen detector (11) by isolating the hydrogen detector (11) from a space in which the gas flows; 12) is provided.

この保護機構(12)には、−軸駆動機構例えばエアシ
リンダー(13)に接続して移動可能な蓋体(14)が
設けられている。この蓋体(14)は例えば半円球状で
、内部に上記水素検知器(11)が挿入された状態で上
記蓋体(14)開口端が保護機構(12)内壁面と当接
することにより上記水素検知器(11)を保護する如く
構成されている。この時、上記蓋体(14)の開口端に
はOリング(15)が設けられており、これにより上記
保護機構(12)内壁面との当接時における上記蓋体(
14)内部を、気密に設定可能としている。
This protection mechanism (12) is provided with a lid (14) that is movable by being connected to a -axis drive mechanism, such as an air cylinder (13). The lid body (14) has a semicircular shape, for example, and when the hydrogen detector (11) is inserted therein, the opening end of the lid body (14) comes into contact with the inner wall surface of the protection mechanism (12). It is configured to protect the hydrogen detector (11). At this time, an O-ring (15) is provided at the open end of the lid (14), so that when the lid (14) comes into contact with the inner wall surface of the protection mechanism (12),
14) The interior can be made airtight.

上記のように構成された反応管ω内を気密に設定する如
く蓋体(16)が着脱自在に設けられている。
A lid (16) is detachably provided so as to keep the inside of the reaction tube ω configured as described above airtight.

この蓋体(16)上方には、上記ウェハ(3)を積載し
たボート(イ)が設けられている。このボート(イ)は
、耐熱性に優れた材質例えば石英により構成されており
、このボート(イ)を上記反応管■内の予め定められた
高さ位置に設定し、更に上記反応管(1)内の保温効果
を有する保温筒(17)が、上記ボート(イ)と蓋体(
16)との間に設けられている。
A boat (A) loaded with the wafers (3) is provided above the lid (16). This boat (A) is made of a material with excellent heat resistance, such as quartz, and is set at a predetermined height position within the reaction tube (1). ) inside the boat (a) and the lid body (
16).

そして、上記蓋体(16)は、例えばボールネジとモー
タ等からなる搬送機構(6)に支持されており、縦軸方
向に上記ボー1−Kが移動可能となっている。
The lid body (16) is supported by a conveyance mechanism (6) consisting of, for example, a ball screw and a motor, so that the bow 1-K can be moved in the vertical axis direction.

上述した構成の酸化装置は、図示しない制御部で動作制
御される。このようにして酸化装置が構成されている。
The operation of the oxidizing device having the above-described configuration is controlled by a control section (not shown). The oxidizing device is configured in this way.

次に、上述した酸化装置の動作作用を説明する。Next, the operation of the above-mentioned oxidation device will be explained.

まず、図示しない移替え装置によりウェハ(3)が積載
されたボート(イ)を、受は渡し位置■に設定した保温
筒(17)上に、ハンドラ(18)により把持搬送し載
置する。そして、上記ボート(イ)を、搬送機構(0に
より所定量上昇させ、上記反応管■内の予め定められた
位置に反応管(])内壁に接触させることなく搬入する
。この時、上記反応管(υ下端部と上記蓋体(16)を
当接させることにより、自動的にウェハ(3)を位置決
めすると共に上記反応管■内部を気密にする。この反応
管(υ内で上記ウェハ■を、予め所定温度に加熱状態と
されたヒーター■により加熱される。上記ヒーターωの
加熱は、例えば熱電対により温度コントロールしながら
、所定温度例えば850℃程度に加熱している。この加
熱状態で、上記反応管(1)内に水蒸気を導入して上記
ウェハ■の酸化処理を行なう。この導入する水蒸気は、
上記外部燃焼機構(9)内で生成される。即ち、上記外
部燃焼機構(9)の燃焼室内に、水素ガス及び酸素ガス
を所定の供給量比で供給する。尚、水蒸気発生のための
燃焼に要する水素ガス、酸素ガスの割合は所定比である
が、酸素ガスを多く供給することで、燃焼に供されない
酸素ガスを、上記反応管(1)内へ水蒸気を供給する際
のキャリアガスとして用いることができる。また、この
酸素ガスは酸化膜の形成にも供されることは言うまでも
ない。
First, a boat (A) loaded with wafers (3) is gripped by a handler (18) and placed on a heat-insulating cylinder (17) set at the transfer position (2) by a transfer device (not shown). Then, the boat (A) is raised by a predetermined amount using the transport mechanism (0) and carried to a predetermined position in the reaction tube (2) without contacting the inner wall of the reaction tube (2). By bringing the lower end of the tube (υ) into contact with the lid (16), the wafer (3) is automatically positioned and the inside of the reaction tube ■ is made airtight. is heated by the heater (1), which has been heated to a predetermined temperature in advance.The heater ω is heated to a predetermined temperature, for example, about 850°C, while controlling the temperature using, for example, a thermocouple.In this heating state, , water vapor is introduced into the reaction tube (1) to oxidize the wafer (2).The introduced water vapor is
It is generated within the external combustion mechanism (9). That is, hydrogen gas and oxygen gas are supplied into the combustion chamber of the external combustion mechanism (9) at a predetermined supply ratio. Note that the ratio of hydrogen gas and oxygen gas required for combustion to generate steam is a predetermined ratio, but by supplying a large amount of oxygen gas, oxygen gas that is not used for combustion is transferred to steam into the reaction tube (1). It can be used as a carrier gas when supplying. It goes without saying that this oxygen gas is also used to form an oxide film.

ここで、上記燃焼室内に供給される直前の水素ガス及び
酸素ガスは、加熱手段(図示せず)にょって例えば水素
ガスの発火点以上の温度に加熱され、燃焼に必要なエネ
ルギーが与えられる。そして、この水素ガスが上記燃焼
室に供給された瞬間に、この水素ガスが酸素ガスと接触
して着火し、燃焼を開始する。尚、上記水素ガスが燃焼
室に供給される以前には、酸素ガス或いは空気が存在し
ないため、上記水素ガスの流感される途中で上記水素ガ
スが着火する恐れがないことは言うまでもない。
Here, the hydrogen gas and oxygen gas just before being supplied into the combustion chamber are heated by a heating means (not shown) to a temperature higher than the ignition point of the hydrogen gas, for example, to provide the energy necessary for combustion. . Then, at the moment this hydrogen gas is supplied to the combustion chamber, this hydrogen gas comes into contact with oxygen gas, ignites, and starts combustion. Note that since there is no oxygen gas or air before the hydrogen gas is supplied to the combustion chamber, it goes without saying that there is no risk of the hydrogen gas igniting during the flow of the hydrogen gas.

このようにして水素ガス及び酸素ガスが燃焼すると水蒸
気が発生し、この水蒸気はガス導入管(8)を介して反
応管(υ内に入り、上記ウェハ■の酸化処理が行なわれ
る。また、この酸化処理中及び上記反応管(υ内の気密
解除時等には、上記反応管(1)内の排気が排気管(1
0)を介して適宜行なわれる。
When the hydrogen gas and oxygen gas are burned in this way, water vapor is generated, and this water vapor enters the reaction tube (υ) through the gas introduction pipe (8), where the oxidation treatment of the wafer (2) is performed. During the oxidation treatment and when the airtightness inside the reaction tube (υ
0) as appropriate.

このような酸化処理中に、上記燃焼室内で水蒸気を発生
するために使用する水素ガスが燃焼せず、不完全燃焼し
て上記水素ガスが上記反応管(υ内に供給されると、爆
発する危険性がある。そのため、未反応ガスを検知する
手段例えば上記不完全燃焼した水素ガスを検知する水素
検知器(11)を、排気管(10)の途中に介在させる
ことで安全対策がなされている。この水素検知器(11
)は汎用されているものを使用するが、通常、この水素
検知器(11)のセンス部は、主に酸化・腐蝕し易い材
質で構成されている。そのため、上記水素ガス+酸素ガ
スによる酸化処理に変えて、塩化水素(HCR)十酸素
ガスを使用する場合や、定期的に行なう上記反応管(ト
)内の洗浄にHCQを使用する場合、当然上記排気管(
10)にもH(4が流れることになる。すると、このH
CQにより上記水素検知器(11)のセンス部が酸化・
腐蝕されてしまい、上記水素検知器(11)が破損し、
正常な動作が行なわれなくなる。そのため、上記水素検
知器(11)のセンス部が破損しない対策即ち酸化・腐
蝕しない対策を施す必要がある。この対策には2通り有
り、1つは上記水素検知器(11)のセンス部を耐酸化
・腐蝕対策を行なうものである。また、もう1つは上記
水素検知器(11)の少なくとも上記センス部を上記O
CRと非接触状態とするものである。前者の手段では、
水素検知器(11)のセンス部を、耐酸化・腐蝕性を有
し、更に上記水素検知能力を有する材質で構成する必要
があり、高価なものとなってしまう。そのため、後者の
手段を適用することで、安価で容易な構成とし、安全性
及び耐久性の良いものとする。即ち、上記水素検知器(
11)を排気されるガスと非接触にする手段、例えば上
記ガスが流れる空間から上記水素検知器(11)を隔離
して上記水素検知器(11)のセンス部を保護する保護
機構(12)によって行なわれる。これは、所定の酸化
・腐蝕性ガス例えばHCRを検知するセンサーを、例え
ば排気管(10)の上記保護機構(12)の上流側に設
け、このセンサーが上記HCRを検知した場合、エアシ
リンダー(13)を駆動させて、このエアシリンダー(
13)に連設した蓋体(14)により上記水素検知器(
11)を覆い、この水素検知器(11)を上記HCQと
非接触にする。すると、上記HCRは上記保護機構(1
2)内を通過しても上記水素検知器(11)と接触する
ことはなく、水素検知器(11)を破損させることを防
止できる。
During such oxidation treatment, the hydrogen gas used to generate water vapor in the combustion chamber does not combust, and if it is incompletely combusted and the hydrogen gas is supplied into the reaction tube (υ), it will explode. Therefore, safety measures are taken by interposing a means for detecting unreacted gas, such as a hydrogen detector (11) for detecting the incompletely combusted hydrogen gas, in the middle of the exhaust pipe (10). This hydrogen detector (11
) is used, but the sensing part of this hydrogen detector (11) is usually made of a material that is easily oxidized and corroded. Therefore, when using hydrogen chloride (HCR) decaoxygen gas instead of the above-mentioned oxidation treatment using hydrogen gas + oxygen gas, or when using HCQ for periodically cleaning the inside of the reaction tube (g), it is natural that The above exhaust pipe (
10) also flows H(4. Then, this H
Due to CQ, the sensing part of the hydrogen detector (11) is oxidized.
Due to corrosion, the hydrogen detector (11) was damaged.
Normal operation will no longer occur. Therefore, it is necessary to take measures to prevent the sensing portion of the hydrogen detector (11) from being damaged, that is, from oxidation and corrosion. There are two ways to take this measure; one is to take measures against oxidation and corrosion of the sensing portion of the hydrogen detector (11). The other is to connect at least the sense part of the hydrogen detector (11) to the O
It is intended to be in a non-contact state with CR. In the former method,
The sensing portion of the hydrogen detector (11) needs to be made of a material that is oxidation-resistant, corrosion-resistant, and has the above-mentioned hydrogen detection ability, making it expensive. Therefore, by applying the latter means, it is possible to obtain an inexpensive and easy structure, and to have good safety and durability. That is, the above hydrogen detector (
11) out of contact with the exhausted gas, such as a protection mechanism (12) that isolates the hydrogen detector (11) from the space through which the gas flows and protects the sensing portion of the hydrogen detector (11); It is carried out by A sensor for detecting a predetermined oxidizing/corrosive gas, such as HCR, is provided, for example, on the upstream side of the protection mechanism (12) of the exhaust pipe (10), and when this sensor detects the HCR, the air cylinder ( 13) to drive this air cylinder (
The above-mentioned hydrogen detector (
11) to make this hydrogen detector (11) non-contact with the HCQ. Then, the HCR has the protection mechanism (1
2) Even if it passes through the inside, it does not come into contact with the hydrogen detector (11), and damage to the hydrogen detector (11) can be prevented.

上記実施例では、水素検知器(11)を酸化・腐蝕性ガ
スと非接触にする保護機構(12)を、排気管(10)
に設けたセンサーの出力により動作させる例について説
明したが、これに限定するものではなく、例えばHCR
による洗浄や)ICR+ Oによる酸化処理等を実行す
る際に上記保護機構(12)を動作させるように、適宜
動作させる構成にしても同様な効果が得られる。
In the above embodiment, the protection mechanism (12) that makes the hydrogen detector (11) non-contact with oxidizing and corrosive gas is connected to the exhaust pipe (10).
Although we have described an example in which the operation is performed based on the output of a sensor installed in the
A similar effect can be obtained by configuring the protection mechanism (12) to be operated as appropriate, such as when performing cleaning with ICR+O, oxidation treatment with ICR+O, or the like.

また、上記実施例では被処理体として半導体ウェハを例
に上げて説明したが、これに限定するものではなく、例
えば液晶TVなどの画面表示装置等に用いられるLCD
基板や、プリント基板等に適用しても同様な効果が得ら
れる。
Furthermore, in the above embodiments, semiconductor wafers were used as an example of the object to be processed, but the object is not limited to this; for example, LCDs used in screen display devices such as liquid crystal TVs, etc.
Similar effects can be obtained when applied to substrates, printed circuit boards, etc.

以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内で使用
されるガスの種類に応じて未反応ガス検知手段例えば水
素検知手段を上記ガスと非接触にする手段を設けたこと
により、上記未反応ガス検知手段の破損を防止でき、安
全性を維持した状態で装置の稼働を行なうことができる
As described above, according to this embodiment, the unreacted gas detection means, for example, the hydrogen detection means, is provided with means for making it non-contact with the gas, depending on the type of gas used in the processing chamber. Damage to the reactive gas detection means can be prevented, and the device can be operated while maintaining safety.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するための酸化装
置の構成図、第2図は第1図の保護機構説明図である。 1・・・反応管、    lO・・・排気管、11・・
水素検知器、  12・・・保護機構、13・・・エア
シリンダー、14・・・蓋体。
FIG. 1 is a block diagram of an oxidizing device for explaining one embodiment of the device of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of the protection mechanism of FIG. 1. 1... Reaction tube, lO... Exhaust pipe, 11...
Hydrogen detector, 12...protection mechanism, 13...air cylinder, 14...lid body.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 所定の未反応ガスを検知する手段が備えられた処理室内
で、被処理体の処理を行なう処理装置において、上記処
理室内で使用されるガスの種類に応じて、上記未反応ガ
ス検知手段を上記ガスと非接触に設定する手段を設けた
ことを特徴とする処理装置。
In a processing apparatus that processes an object to be processed in a processing chamber equipped with a means for detecting a predetermined unreacted gas, the unreacted gas detection means may be used in accordance with the type of gas used in the processing chamber. 1. A processing device characterized by being provided with means for setting the device in a non-contact manner with a gas.
JP22412088A 1988-09-07 1988-09-07 Oxidation equipment Expired - Lifetime JP2619699B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22412088A JP2619699B2 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Oxidation equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22412088A JP2619699B2 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Oxidation equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0272627A true JPH0272627A (en) 1990-03-12
JP2619699B2 JP2619699B2 (en) 1997-06-11

Family

ID=16808854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22412088A Expired - Lifetime JP2619699B2 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Oxidation equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2619699B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2619699B2 (en) 1997-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3186262B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR100814594B1 (en) System and method for heat treating semiconductor
US5288364A (en) Silicon epitaxial reactor and control method
JP3468577B2 (en) Heat treatment equipment
US20090064765A1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device
JP2003045867A (en) Heat treatment system
JPH0272627A (en) Processor
JP3449630B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPS6224630A (en) Formation of thermal oxidation film and device therefor
JP2585962B2 (en) High pressure oxidation furnace
JPH01293120A (en) Treatment of waste gas
JPS626342B2 (en)
JP2678184B2 (en) Oxidation furnace
JP2009129925A (en) Device and method for treating substrate
JP3075173B2 (en) Vertical heat treatment equipment
KR20070041204A (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR970007113B1 (en) Oxdation apparatus
JP3680497B2 (en) Semiconductor substrate processing equipment
JP3271680B2 (en) Oxidation treatment equipment
KR100735744B1 (en) wafer transfer method for semiconductor device manufacture
JP3080398B2 (en) Vertical heat treatment equipment
JPH098015A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
JP2002329717A (en) Heat treatment method of object and batch heat processing apparatus
JP2002319579A (en) Method for heat treating article and batch heat treating system
JP2001351910A (en) Substrate-processing device