JPH026961A - Photosensitive body - Google Patents

Photosensitive body

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JPH026961A
JPH026961A JP15764888A JP15764888A JPH026961A JP H026961 A JPH026961 A JP H026961A JP 15764888 A JP15764888 A JP 15764888A JP 15764888 A JP15764888 A JP 15764888A JP H026961 A JPH026961 A JP H026961A
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JP
Japan
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layer
film
photoreceptor
surface protective
organic
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Pending
Application number
JP15764888A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Ueda
秀昭 植田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH026961A publication Critical patent/JPH026961A/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14704Cover layers comprising inorganic material

Abstract

PURPOSE:To improve durability by forming a surface protective layer into two-layered constitution consisting of a thin metal compd. film layer and the extreme surface protective layer consisting of an a-C film. CONSTITUTION:This photosensitive body has the surface protective layer 4 of the two layers; the thin metal compd. film layer 1b formed by any of a vacuum vapor deposition method, sputtering method or ion plating method and the extreme surface layer 1a consisting of the amorphous hydrocarbon film (a-C film) formed by a plasma polymn. method on this thin metal compd. film layer 1b. The extreme surface layer 1a having the advantages such as adequate electrostatic chargeability, light transmittability and hardness possessed by the a-C layer 1a while maintaining the functions of a photoconductive layer is formed by providing the thin metal compd. film layer 1b between the photosensitive layer 2 and the a-C layer 1a in such a manner. The extreme surface layer 1a is formed to 0.01-5mum thickness. The durability is improved in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表面保護層を有する有機感光体に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to an organic photoreceptor having a surface protective layer.

従来技術および課題 近年、有機光導電性材料を結着樹脂に配合した電子写真
感光体が広く用いられるにいたっている。
Prior Art and Problems In recent years, electrophotographic photoreceptors in which an organic photoconductive material is blended with a binder resin have come into wide use.

この種の感光体はセレンや硫化カドミウム等を工性に優
れている点で工業的生産性に優れるという利点がある。
This type of photoreceptor has the advantage of being excellent in industrial productivity in that selenium, cadmium sulfide, etc. are easily processed.

しかし、これらの有機感光体は硬度に乏しく、繰り返し
使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤等の摩
擦により感光体が削れ、傷付きやすい。
However, these organic photoreceptors lack hardness and are easily scratched and scratched by friction from transfer paper, cleaning members, developers, etc. during repeated use.

そこで、そのような問題を解消するために有機感光体の
表面には、表面保護層を設ける技術か提案されているか
、表面保護層にとって、基本的に重要なことは、表面保
護層を設けることにより感光体特性の低下を招かないこ
とである。
Therefore, in order to solve such problems, is there any proposed technology for providing a surface protective layer on the surface of the organic photoreceptor? What is fundamentally important for the surface protective layer is the provision of a surface protective layer. The purpose is to avoid deterioration of the photoreceptor characteristics due to the above.

表面保護層の一種として、適当な有機化合物のブラスマ
重合膜が考えられているが(例えは特開昭60−320
55号公報等)を機態光層の表面上にプラズマ重合を施
した場合、有機感光層中に含有させた光電荷発生物質あ
るいは電荷輸送物質等かプラズマで劣化し、却って感光
体特性が悪くなるという問題がある。
As a type of surface protective layer, a plasma polymerized film of an appropriate organic compound is considered (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-320
When plasma polymerization is performed on the surface of the organic photosensitive layer (No. 55, etc.), the photocharge-generating substance or charge-transporting substance contained in the organic photosensitive layer is degraded by the plasma, and the photoreceptor properties deteriorate instead. There is a problem with becoming.

即ち、ブラスマ重合することにより有機感光層の表面近
傍の構造が電子あるいはイオンの衝撃により破壊され、
有機感光層の表面が電荷輸送層の場合、その表面近傍の
層の輸送性か低下し、残留電位の発生を招き、有機感光
層の表面が電荷発生層の場合、電荷発生能が低下し、殆
ど感度がなくなるくらいまで低下する。電荷発生物質と
電荷輸送物質の混在する単層型構成の場合、上記劣化が
複合して発生する。
That is, by plasma polymerization, the structure near the surface of the organic photosensitive layer is destroyed by electron or ion bombardment,
When the surface of the organic photosensitive layer is a charge transport layer, the transport property of the layer near the surface is reduced, leading to the generation of residual potential, and when the surface of the organic photosensitive layer is a charge generation layer, the charge generation ability is reduced, Sensitivity decreases to the point where it almost disappears. In the case of a single-layer structure in which a charge-generating material and a charge-transporting material coexist, the above-mentioned deterioration occurs in combination.

発明が解決I、ようとする課題 本発明は上記した問題点を解消し、耐久性に優れ、感光
体として機能するに充分満足のいく感光体特性(特に感
度、残留電位等)を有する、プラズマ重合膜を表面保護
層に有する有機感光体を提供することを目的にする。
Problems to be Solved by the Invention The present invention solves the above-mentioned problems and provides a plasma that has excellent durability and sufficiently satisfactory photoreceptor characteristics (especially sensitivity, residual potential, etc.) to function as a photoreceptor. An object of the present invention is to provide an organic photoreceptor having a polymer film as a surface protective layer.

課題を解決するための手段 本発明は導電性支持体(3)上に有機感光層(2)を有
する感光体において、該感光層の表面上に、真空蒸着法
、スパッタリング法またはイオンプレーティング法のい
ずれかで形成された金属化合物薄膜層(I b)および
該金属化合物薄膜層上にプラズマ重合法により生成され
た非晶質炭化水素膜(aC膜)からなる最表面層(l 
a)の2層からなる表面保護層(4)を有することを特
徴とする感光体に関する。
Means for Solving the Problems The present invention provides a photoreceptor having an organic photosensitive layer (2) on a conductive support (3), in which a vacuum evaporation method, a sputtering method or an ion plating method is applied on the surface of the photosensitive layer. a metal compound thin film layer (I b) formed by any of the methods described above, and an outermost surface layer (l
The present invention relates to a photoreceptor characterized in that it has a surface protective layer (4) consisting of the two layers of a).

感光層(2)は自体公知の有機系感光体を導電性基板(
3)上に設けたものであり、感光層(2)の内部構造は
、導電性基板上に光導電性材料と電荷輸送材料を結着剤
に配合した単層型構成の感光層、導電性支持体上に電荷
発生層と電荷輸送層が順次形成されている構成の感光層
、あるいは導電性支持体−ヒに電荷輸送層と電荷発生層
か順次形成されている構成いずれであってもよい。
The photosensitive layer (2) consists of a known organic photoreceptor and a conductive substrate (
3) The internal structure of the photosensitive layer (2) is a photosensitive layer with a single-layer structure in which a photoconductive material and a charge transporting material are blended as a binder on a conductive substrate; The photosensitive layer may have a structure in which a charge generation layer and a charge transport layer are sequentially formed on a support, or a structure in which a charge transport layer and a charge generation layer are sequentially formed on a conductive support. .

上記有機感光層を有する何機系感光体はよく知られてお
り(例えは、NIKKEI  NEW  MATERI
ALS  1986年12月15日号第83頁〜第98
頁)、感度、帯電能、製造コスト面で優れた感光体であ
り実用化がなされている。
Several mechanical photoreceptors having the above-mentioned organic photosensitive layer are well known (for example, NIKKEI NEW MATERI).
ALS December 15, 1986 issue, pages 83-98
It is a photoreceptor with excellent sensitivity, charging ability, and manufacturing cost, and has been put into practical use.

般に、有機系感光層の作製に用いられる材料としては、
電荷発生に寄与する光導電性材料としては、例えばフタ
ロシアニン系顔料、アゾ系顔料、ペリレン系顔料等が用
いられ、電荷輸送に寄与する電荷輸送材料としては、例
えば、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン
化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリ
ン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合
物等が用いられ、これらを分散塗布せしめるための結着
材料として、例えば、ポリエステル、ポリビニルブチラ
ール、ポリカーボネート、ボリアリレート、フェノキシ
、スチレンアクリル等の樹脂か用いられる。
In general, materials used for producing organic photosensitive layers include:
Examples of photoconductive materials that contribute to charge generation include phthalocyanine pigments, azo pigments, and perylene pigments, and examples of charge transport materials that contribute to charge transport include triphenylmethane compounds and triphenylamine. compounds, hydrazone compounds, styryl compounds, pyrazoline compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, etc. are used, and as binding materials for dispersing and coating these, for example, polyester, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyarylate, phenoxy, styrene. Resin such as acrylic is used.

導電性基板(3)は、少なくとも最表面が導電性を示す
素材であればよく、また形状も円筒形、可視性ベルト状
、平板状等任意の形態をとることができる。
The conductive substrate (3) may be any material as long as at least its outermost surface is conductive, and may have any shape such as a cylindrical shape, a visible belt shape, or a flat plate shape.

金属化合物薄膜層(I b)は、後でプラズマ重合法に
より最表面層(l a)を形成する際に、プラズマによ
り光導電層(2)が劣化し、残留電位や感度等の感光体
特性が低下することから保護する役割を担い、また有機
感光層と、後で形成する最表面層との接着性を改良する
働きをする。
When the metal compound thin film layer (I b) is later formed as the outermost surface layer (la) by plasma polymerization, the photoconductive layer (2) is deteriorated by the plasma, and the photoreceptor characteristics such as residual potential and sensitivity are deteriorated. It plays the role of protecting the organic photosensitive layer from deterioration, and also works to improve the adhesion between the organic photosensitive layer and the outermost layer that will be formed later.

金属化合物薄膜層はプラズマにより劣化を受けないこと
、光か照射されたときに光がその層を透過し感光層に達
することがでさること、さらに感光層中で発生した電荷
の注入をうけて表面電荷を中和消滅させる事に障害とな
らないことが必要である。
The metal compound thin film layer does not undergo deterioration due to plasma, and when irradiated with light, the light can pass through the layer and reach the photosensitive layer, and it also receives injection of charges generated in the photosensitive layer. It is necessary that it does not interfere with the neutralization and disappearance of surface charges.

これらの金属化合物材料としては5iO1Si02、T
iO2、S i C,MgO,MgF2、T10、Nb
2O,,5n02、ZnO,S i )N、、A203
、Z r O2、Ta2O,等か挙げられるが、好まし
いものとしてはSin、At□03、MgO。
These metal compound materials include 5iO1Si02, T
iO2, S i C, MgO, MgF2, T10, Nb
2O,,5n02,ZnO,S i )N,,A203
, Z r O2, Ta2O, etc., but preferred are Sin, At□03, and MgO.

Nb2O,等か挙げられる。Examples include Nb2O, etc.

金属化合物薄膜層は真空蒸着法、スパッタリング法また
はイオンプレーティング法を用い、公知の装置を用いて
容易にしかも均一な厚さの薄膜を作製することができる
The metal compound thin film layer can be easily formed into a thin film with a uniform thickness using a vacuum evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method using a known device.

金属化合物薄膜層は核層に本発明の目的とする機能を付
与できる限りできるだけ薄く形成することが好ましく、
3μm以下、より好ましくは0.1〜2μmの膜厚に形
成する。その膜厚か0 、 l tlmより薄いときは
均一な薄膜を形成するのが難しく、また2μmより厚い
膜を形成すると透光性の悪化、体積抵抗の上昇等の問題
が生じる。
It is preferable that the metal compound thin film layer be formed as thinly as possible to impart the function aimed at by the present invention to the core layer.
The film is formed to have a thickness of 3 μm or less, more preferably 0.1 to 2 μm. When the film thickness is less than 0.1 m, it is difficult to form a uniform thin film, and when the film is thicker than 2 μm, problems such as deterioration of light transmittance and increase in volume resistance arise.

a−C膜よりなる最表面層(1a)はそれ自体好適な帯
電能を有し、透光性に優れ、4a程度の硬度の高い傷の
付きにくい膜であるが、有機感光層上に直接設けると前
記したように、有機感光層がプラズマダメージを受け、
感度低下、残留電位上昇等の感光体特性か低下する問題
が生じるが、本発明により感光層とa−C層の間に前記
金属化合物薄膜層を設けることにより、先導7jL層の
機能を維持しなから、a−C層の有する好適な帯電能、
透光性、硬度等の長所を有する最表面層を形成すること
か可能となる。
The outermost surface layer (1a) made of the a-C film itself has suitable charging ability, has excellent translucency, and is a scratch-resistant film with a high hardness of about 4a. If provided, as mentioned above, the organic photosensitive layer will suffer plasma damage,
Problems arise in which the characteristics of the photoreceptor deteriorate, such as a decrease in sensitivity and an increase in residual potential.However, by providing the metal compound thin film layer between the photosensitive layer and the a-C layer according to the present invention, the function of the leading 7jL layer can be maintained. Therefore, the preferred charging ability of the a-C layer,
It becomes possible to form an outermost layer having advantages such as translucency and hardness.

a−C膜中に含有される水素原子の量は特に制限はない
か、表面保護層の構造およびグロー放電という製造面か
ら必然的に制約され、その量は概ね5ないし60atm
ic%(以下ratm、%」と略す)となる。
The amount of hydrogen atoms contained in the a-C film is not particularly limited, or is necessarily limited by the structure of the surface protective layer and the production aspect of glow discharge, and the amount is approximately 5 to 60 atm.
ic% (hereinafter abbreviated as "ratm").

a−C膜中に含有される炭素原子、水素原子の量は、有
機元素分析、オージェ分析、SIMS分析等の手段によ
り知ることができる。
The amount of carbon atoms and hydrogen atoms contained in the a-C film can be determined by means such as organic elemental analysis, Auger analysis, and SIMS analysis.

本発明の最表面層(1a)は、0.01ないし5μm、
好ましくは0.05ないし2μm1 より好ましくは0
.1ないしlpmの厚さに形成する。
The outermost layer (1a) of the present invention has a thickness of 0.01 to 5 μm,
Preferably 0.05 to 2 μm1, more preferably 0
.. It is formed to a thickness of 1 to lpm.

0.012mより薄いと膜強度が低下し、傷が付きやす
くなる。また、5μmより厚いと透光性が低下し、照射
光を感光層中に有効に導くことができなくなり感度低下
を招く。
If it is thinner than 0.012 m, the film strength will decrease and it will be easily scratched. Further, if the thickness is more than 5 μm, the light transmittance is reduced, and the irradiated light cannot be effectively guided into the photosensitive layer, resulting in a decrease in sensitivity.

最表面層(1a)はグロー放電プラズマ法により形成す
る。最表面層(1a)は気相状態の少なくとも炭素原子
および水素原子を含む分子を減圧下で放電し、発生した
プラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種
を基板上に拡散、電気力あるいは磁気力等により誘導し
、基板上での再結合反応により固相として堆積させる、
いわゆるプラスマ反応(以下、P−CVD反応という)
することによりa−CrI!Xとして形成することかで
きる。
The outermost layer (1a) is formed by a glow discharge plasma method. The outermost layer (1a) discharges molecules containing at least carbon atoms and hydrogen atoms in a gas phase under reduced pressure, and diffuses active neutral species or charged species contained in the generated plasma atmosphere onto the substrate, applying electric force. Alternatively, it is induced by magnetic force, etc., and deposited as a solid phase through a recombination reaction on the substrate.
So-called plasma reaction (hereinafter referred to as P-CVD reaction)
By doing a-CrI! It can be formed as X.

上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必要
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。
Each of the above-mentioned molecules does not necessarily have to be in a gas phase at normal temperature and pressure, and can be used in either a liquid phase or a solid phase as long as it can be vaporized through melting, evaporation, sublimation, etc. by heating or reduced pressure.

少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子としては
炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環
式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いることができる。
As molecules containing at least carbon atoms and hydrogen atoms, hydrocarbons such as saturated hydrocarbons, unsaturated hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, etc. can be used.

飽和炭化水素としては、例えは、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、インペンタン、ネオペンタン、インヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ンメチルベンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン等を用いることができる。
Examples of saturated hydrocarbons include methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, isobutane, impentane, neopentane, inhexane, neohexane, dimethylbutane, methylhexane, ethylpentane, and methylbentane. , tributan,
Methylhebutane, dimethylhexane, trimethylpentane, isonanone, etc. can be used.

不飽和炭化水素としては、例えは、エチレン、プロピレ
ン、インブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタンエン、オシメン、アロン
メン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メチル
アセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキンン、ヘプチン、
オクチン、ブタジイン等を用いることかできる。
Examples of unsaturated hydrocarbons include ethylene, propylene, imbutylene, butene, pentene, methylbutene,
hexene, tetramethylethylene, heptene, octene, allene, methylalene, butadiene, pentagene,
Hexadiene, cyclopentanene, ocimene, aronmene, myrcene, hexatriene, acetylene, methylacetylene, butyne, pentyne, hequinene, heptyne,
Octyne, butadiyne, etc. can be used.

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロベンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブ
テン、シクロペンテン、/クロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、リモネン、テルヒルン、フエラン
ドレン、ンルベス!・エン、ツエン、カレン、ビイ、ン
、ポルニエン、カンフエン、フエンチェン、シクロブテ
ンチエン、トリシクレン、ピサポエン、ジンギベエン、
クルクメン、フムレン、カジ不ンセスキベニヘン、セリ
不ン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホ
エン、フィロクラテン、ホトカルプレン、ミエン等を用
いることができる。
Examples of alicyclic hydrocarbons include cyclopropane, cyclobutane, cyclobentane, cyclohexane, cyclohebutane, cyclooctane, cyclopropene, cyclobutene, cyclopentene, /chlorhexene, cycloheptene, cyclooctene, limonene, terhyrune, phelandrene, and nlubes!・En, Tsuen, Caren, Bi, N, Polniene, Kanghuen, Fuenchen, cyclobutene, tricyclene, pisapoene, zingibene,
Curcumene, humulene, cadinosekibenichen, serimene, caryophyllene, santarene, cedrene, camphoene, phylloclatene, photocarprene, mien, and the like can be used.

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キンエン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メンチエ
ン、プレニテン、インジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
フロビルベンゼン、メタン、スチレン、ヒフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いること
ができる。
Examples of aromatic hydrocarbons include benzene, toluene, quinene, hemimelithene, pseudocumene, menthiene, prenitene, indulene, durene, pentamethylbenzene, hexamethylbenzene, ethylbenzene,
Flobylbenzene, methane, styrene, hiphenyl, terphenyl, diphenylmethane, triphenylmethane,
Dibenzyl, stilbene, indene, naphthalene, tetralin, anthracene, phenanthrene, etc. can be used.

とりわけ、不飽和結合を有する化合物は反応性に富むた
め、良質な膜生成の上で好ましい。中でも、成膜性、カ
スの取り扱い易さ、コストの面で、ブタン゛エン並ひに
プロピ1−ンは特に好ましい。
In particular, compounds having unsaturated bonds are highly reactive and are therefore preferred in terms of producing a high-quality film. Among these, butane and propylene are particularly preferred in terms of film-forming properties, ease of handling residue, and cost.

a−C膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装置の形態
並びに成膜時の条件により変化し水素量か低くなる場合
としては、例えは、基板は度を高くする、圧力を低くす
る、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水素量を率
の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする、交番電
界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた直流電
界強度を高くする、等の場合が挙げられる。
The amount of hydrogen atoms contained in the a-C film changes depending on the form of the film forming apparatus and the conditions during film forming.If the hydrogen amount is low, for example, the temperature of the substrate may be increased or the pressure may be lowered. , lower the dilution rate of the raw material hydrocarbon gas, use a raw material gas with a lower hydrogen content, increase the applied power, lower the frequency of the alternating electric field, increase the strength of the DC electric field superimposed on the alternating electric field. , etc. may be mentioned.

第2図および第3図は本発明の最表面層を形成するため
のグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図は
平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型1”−CV
D装置を示す。
FIGS. 2 and 3 are diagrams showing an example of a glow discharge decomposition apparatus for forming the outermost surface layer of the present invention. Figure 2 shows a parallel plate type P-CVD device, Figure 3 shows a cylindrical type 1”-CVD device.
D device is shown.

まず、第2図を用いて説明する。First, explanation will be given using FIG. 2.

第2図中(701)〜(706)は常温において気相状
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1
ないし第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調
節弁(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御
器(713)=−(718)に接続されている。
In Fig. 2, (701) to (706) are the first tubes in which the raw material compounds and carrier gas, which are in the gas phase at room temperature, are sealed.
Each tank is connected to the first to sixth control valves (707) to (712) and the first to sixth flow rate controllers (713) to (718).

キャリアガスとしては水素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等を用し゛ることかできる。
Hydrogen gas, argon gas, helium gas, etc. can be used as the carrier gas.

図中(719)〜(721)は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容
器で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、さらに
各々の容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(72
7)と第7ないし第9流量制御器(728)〜(730
)に接続されている。
In the figure, (719) to (721) are first to third containers filled with raw material compounds that are in a liquid or solid phase at room temperature, and each container is connected to a first to third heater (722) for vaporization. ) to (724), and each container can be heated by seventh to ninth control valves (725) to (72
7) and seventh to ninth flow rate controllers (728) to (730)
)It is connected to the.

これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(732)を介して反応室(733)に送り込まれる。
These gases are mixed in a mixer (731) and then sent into a reaction chamber (733) via a main pipe (732).

途中の配管は、常温において液相または固相状態であっ
た原料化合物か気化したガスで、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能とされている。
The pipes along the way can be heated by a pipe heater (734) that is appropriately placed to prevent condensation of raw material compounds or vaporized gases that are in a liquid or solid state at room temperature. .

反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(73
6)が対向(7て設置され、各々の電極は電極加熱器(
737)により与熱可能とされている。
Inside the reaction chamber, there is a ground electrode (735) and a power application electrode (73).
6) are installed facing each other (7), and each electrode is equipped with an electrode heater (7).
737), it is possible to provide heat.

電力印加電極(736)には、高周波電力用整合器(7
38)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整
合器(740)を介して低周波電源(741)、ローパ
スフィルタ(742)を介して直流電源(743)が接
続されており、接続選択スイッチ(744)により周波
数の異なる電力、例えば、周波数IKHzないし100
0Kf(Zの低周波電力、あるいは1.3.56MHz
の高周波電力等が印加可能とされている。さらに、直流
電力を重畳することも可能である。
The power application electrode (736) is equipped with a matching box for high frequency power (7
A high frequency power supply (739) is connected through a high frequency power supply (739) through a low frequency power matching box (740), a low frequency power supply (741) is connected through a low pass filter (742), and a DC power supply (743) is connected through a low pass filter (742). The selection switch (744) selects power with different frequencies, for example, frequencies from IKHz to 100KHz.
0Kf (Z low frequency power, or 1.3.56MHz
It is possible to apply high-frequency power, etc. Furthermore, it is also possible to superimpose DC power.

反応室(733)内の圧力は圧力制御弁(745)によ
り調整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排気
系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)、
油回転ポンプ(748)、あるいは、冷却除外装置t(
749)、メカニカルブースタポンプ(750)、油回
転ポンプ(748)により行なわれる。
The pressure inside the reaction chamber (733) can be adjusted by a pressure control valve (745), and the pressure inside the reaction chamber (733) can be reduced through an exhaust system selection valve (746) by a diffusion pump (747),
Oil rotary pump (748) or cooling exclusion device t (
749), a mechanical booster pump (750), and an oil rotary pump (748).

排ガスについては、さらに適当な除外装置(753)に
より安全無害化した後、大気中に排気される。
The exhaust gas is further rendered safe and harmless by an appropriate exclusion device (753) before being exhausted into the atmosphere.

これら排気系配管についても、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物か気化したカスか、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。
For these exhaust system piping, appropriately placed piping heaters (734
), it is said that heating is possible.

反応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(75
1)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板(752)が設置される。
The reaction chamber (733) is also equipped with a reaction chamber heater (75) for the same reason.
1) allows heating, and a substrate (752) is placed on an electrode arranged inside.

これらの加熱器類は、使用される原料ガスの性質に応じ
て配するか否かを選択すればよいが、特に、原料ガスと
して常圧下での沸点が一50°Cないし+15°Cの有
機化合物を用いた場合においては不要となる場合が多く
、製造装置の簡素化か可能となり好ましい。
Whether or not to install these heaters can be selected depending on the properties of the raw material gas used, but in particular organic materials with a boiling point of 150°C to +15°C under normal pressure are In the case of using a compound, it is often unnecessary, which is preferable because it allows the production equipment to be simplified.

一般に、沸点が一50°Cより低い有機化合物を原料ガ
スとして用いた場合には、反応室(733)内部での微
粉状重合物の発生を防止するために、沸点か+15°C
より高い有機化合物を原料ガスとして用いた場合には、
各種配管内での凝結防止のために、それぞれ上述の如き
各種加熱器を配することが望ましい。
Generally, when an organic compound with a boiling point lower than 150°C is used as a raw material gas, in order to prevent the generation of fine powder polymer inside the reaction chamber (733), the boiling point must be lowered to +15°C.
When higher organic compounds are used as raw material gas,
In order to prevent condensation within each type of piping, it is desirable to provide various types of heaters as described above.

第2図において基板(752)は接地電極(735)に
固定して配されているが、電力印加電極(736)に固
定して配されても良く、さらに双方に配されても良い。
In FIG. 2, the substrate (752) is fixed to the ground electrode (735), but it may be fixed to the power application electrode (736), or may be fixed to both.

第3図に示した装置も基本的には第2図に示した装置と
同様であり、反応室(733)内の形態か基板(752
)か円筒形であることに応じて変更されているものであ
る。基板(752)は接地電極(735)を兼ね、電力
印加電極(736)および電極加熱器(737)共に円
筒形をなしている。まt;基板(752)は、外部より
駆動モータ(図示せず)を用いて、自伝り能となってい
る。
The apparatus shown in FIG. 3 is basically the same as the apparatus shown in FIG.
) or cylindrical. The substrate (752) also serves as a ground electrode (735), and both the power application electrode (736) and electrode heater (737) have a cylindrical shape. Also, the board (752) is capable of self-reflection using an external drive motor (not shown).

以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予めlo−4ないしto−6Torr程
度にまで減圧し、真空度の確認ど装置内部に吸着したカ
スの脱離を行なう。
In the above configuration, the pressure in the reaction chamber used for producing the photoreceptor is previously reduced to about lo-4 to to-6 Torr by a diffusion pump, and the vacuum degree is checked and the residue adsorbed inside the apparatus is removed.

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された基板を所定の温度まで昇温する。
At the same time, the electrode and the substrate fixedly disposed on the electrode are heated to a predetermined temperature by the electrode heater.

基板としては導Tt、性基板上に自体公知の有機系感光
層に金属化合物薄膜層を設けた感光体を用いる。このと
き有機系感光層の熱変性を防止するために基板温度は約
100°C以下に設定することか好ましい。
As the substrate, a photoreceptor is used in which a thin film layer of a metal compound is provided on a known organic photosensitive layer on a Tt conductive substrate. At this time, the substrate temperature is preferably set to about 100° C. or less in order to prevent thermal denaturation of the organic photosensitive layer.

次いで、第1ないし第6タンクiりよひ第1ないし第3
容器から原料カスを第1ないし第9流量制御器を用いて
定流量化しなから反応室内に導入し、圧力調整弁により
反応室内を概ね0.05Torrないし5.0′For
r程度の減圧状態に保つ。
Next, the first to sixth tanks i are filled with the first to third tanks.
The raw material waste from the container is introduced into the reaction chamber after being made into a constant flow rate using the first to ninth flow rate controllers, and the pressure inside the reaction chamber is adjusted to approximately 0.05 Torr to 5.0'For by using the pressure regulating valve.
Maintain a reduced pressure of about r.

カス流量が安定化しj−渦、接続選択スインチにより、
例えは低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力
を投入する。
The waste flow rate is stabilized by J-vortex and connection selection switch.
For example, a low frequency power source is selected and low frequency power is applied to the power application electrode.

両電極間には放電が開始され、時間とともに基板上に固
相の有機プラズマ重合膜が形成される。
A discharge is started between the two electrodes, and over time a solid phase organic plasma polymerized film is formed on the substrate.

膜体積速度は10人/分〜3μm/分、好ましくは10
0人/分〜ltim/分、さらに好ましくは500人/
分〜500〇八/分であることが好ましい。膜堆積速度
がIO人/分より低い場合は、生産性の面で好ましくな
い。膜堆積速度が3μm/分より高い場合には膜荒れが
発生しやすく、必ずしも均質な膜か得られるとは限らな
くなり好ましくない。
The membrane volume rate is 10 persons/min to 3 μm/min, preferably 10
0 people/min to ltim/min, more preferably 500 people/min
Preferably, the speed is from 50,008 minutes to 50,008 minutes. If the film deposition rate is lower than IO people/min, it is unfavorable in terms of productivity. If the film deposition rate is higher than 3 μm/min, film roughness tends to occur, and a homogeneous film is not necessarily obtained, which is not preferable.

所定の膜厚に達したところで放電を停止し、本発明によ
るa−C膜を最表面層として仔する感光体を得る。
When a predetermined film thickness is reached, the discharge is stopped, and a photoreceptor having the a-C film according to the present invention as the outermost layer is obtained.

本発明の最表面層a−C膜中には炭素、水素以外のへテ
ロ原子、例えばフッ素、塩素、臭素あるいはヨウ素等の
7・ロゲン原子、酸素原子、窒素原子、導電性支配物質
としての周期律表第■族元素(B、AI、Ga、In、
等)、周期律表第V族元素(P、AS、sl)等)を含
有させてもよい。
The outermost layer a-C film of the present invention contains heteroatoms other than carbon and hydrogen, such as fluorine, chlorine, bromine, or iodine atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, and periodic atoms as conductivity-dominant substances. Group Ⅰ elements of the Table of Contents (B, AI, Ga, In,
etc.), Group V elements of the periodic table (P, AS, sl), etc.) may be included.

ハロゲ;、・・ニーE−の導入は、表面の滑り性を良く
し、表面保護層の耐フィルミング性を向上させることか
できる。係る効果は7ノ素原子を導入したときに特に大
きい。
Introducing halogen; . Such an effect is particularly large when seven elementary atoms are introduced.

酸素原子または窒素原子の導入は各原子が耐湿性の向上
に効果か認められる。これはウィークポンド全、反応中
に強制的に切断して、その間を補填し、窒素/炭素原子
間、酸素/炭素原子間の強固な結合を形成し、結果、水
分の付着を阻止するl二めと考えられる。
The introduction of oxygen or nitrogen atoms has been found to be effective in improving moisture resistance. This is because the weak bonds are forcibly broken during the reaction, filling in the gaps between them, forming strong bonds between nitrogen/carbon atoms and between oxygen/carbon atoms, and as a result, inhibiting the adhesion of moisture. It is thought that

V族および■族元素の添加は、相対的に表面側をN型(
■族元素)、P型(■族元素)になるように導入する3
、そうすることにより、逆7)イアス効果をもたせるこ
とかでき、帯電能の向上、暗減衰の低減および感度の向
上等が達成される。
The addition of group V and group II elements makes the surface side relatively N-type (
(group ■ element), P-type (group ■ element) 3
By doing so, the reverse 7) Iass effect can be brought about, and improvements in charging ability, reduction in dark decay, and improvement in sensitivity can be achieved.

■族元素の添加は有害短波長光のカット効果があり、光
疲労を発生しやすい有機感光体に有効である。
Addition of group (2) elements has the effect of cutting harmful short wavelength light, and is effective for organic photoreceptors that are prone to optical fatigue.

これらのへテロ原子は複数用いてもよいし、目的により
a−C最表面層内で特定の位置だけに混入してもよいし
、濃度分布等を有してもよい。
A plurality of these heteroatoms may be used, or depending on the purpose, they may be mixed only at specific positions in the a-C outermost layer, or they may have a concentration distribution.

ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、周期律表第■族元
素、周期律表第■族元素、あるいは周期律表第V族元素
等のへテロ原子をa−C膜に混入させるには、これらの
元素を含む適当なガス状化合物を炭化水素ガスと共に、
プラズマ状態にして成膜すればよい。もちろんそれらの
化合物における相状態は常温常圧において必ずしも気相
である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
In order to mix heteroatoms such as halogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, elements of group Ⅰ of the periodic table, elements of group Ⅰ of the periodic table, or elements of group V of the periodic table into the a-C film, these a suitable gaseous compound containing the elements together with a hydrocarbon gas,
The film may be formed in a plasma state. Of course, the phase state of these compounds does not necessarily have to be a gas phase at room temperature and pressure; they can be used in either a liquid or solid phase as long as they can be vaporized through melting, evaporation, sublimation, etc. by heating or reduced pressure. It is.

少なくともハロゲン原子を含む分子としては、例えは、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、7ツ化水素、塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素、フッ化メチル、塩化メチル、臭
化メチル、ヨウ化メチル、フッ化エチル、フッ化プロピ
ル、フッ化ブチル、7ノ化アミル、フルオルベンゼン、
クロルベンゼン、フルオルスチレン、フルオロホルム、
クロオホルム、四フッ化炭素、フッ化ビニリデン、パー
フルオロエチレン、パーフルオロプロパン等を用いるこ
とができる。
For molecules containing at least a halogen atom, for example,
Fluorine, chlorine, bromine, iodine, hydrogen heptadide, hydrogen chloride,
Hydrogen bromide, hydrogen iodide, methyl fluoride, methyl chloride, methyl bromide, methyl iodide, ethyl fluoride, propyl fluoride, butyl fluoride, amyl heptaconide, fluorobenzene,
Chlorbenzene, fluorostyrene, fluoroform,
Chloroform, carbon tetrafluoride, vinylidene fluoride, perfluoroethylene, perfluoropropane, etc. can be used.

少なくとも酸素原子を含む分子としては、例えば、酸素
、水蒸気、亜酸化窒素、−酸化炭素、二酸化炭素、メタ
ノーノ呟エタノーノ呟ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ギ酸、酢酸、アセトン、エチルメチルケトン、メ
チルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ビ
ニルエーテル、a化エチエン、ジオキサン、ギ酸エチル
、酢酸メチル、7ラン、オキサソール等を用いることが
できる。これらの分子は複数用いてもよい。
Examples of molecules containing at least an oxygen atom include oxygen, water vapor, nitrous oxide, carbon oxide, carbon dioxide, methanol formaldehyde, acetaldehyde, formic acid, acetic acid, acetone, ethyl methyl ketone, methyl ether, ethyl ether, Propyl ether, vinyl ether, a-ethene, dioxane, ethyl formate, methyl acetate, 7ran, oxasol, etc. can be used. A plurality of these molecules may be used.

少なくとも窒素原子を含む分子としては、例えば、窒素
、アンモニア、亜酸化窒素、−酸化窒素、二酸化窒素、
メチルアミン、エチルアミン、ヒドラジン、アニリン、
メチルアニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エチレ
ンジアミン、アセトニトリル、ピローノ呟オキサゾール
、チアゾール、イミダゾール、ピリジン、オキサジ〉・
、カルバソール、フエナントリジン、イミダゾチアゾー
ル等を用いることができる。
Examples of molecules containing at least a nitrogen atom include nitrogen, ammonia, nitrous oxide, nitrogen oxide, nitrogen dioxide,
Methylamine, ethylamine, hydrazine, aniline,
Methylaniline, toluidine, benzylamine, ethylenediamine, acetonitrile, pyrooxazole, thiazole, imidazole, pyridine, oxazi>・
, carbazole, phenanthridine, imidazothiazole, etc. can be used.

少なくとも周期律表第■族元素を含む分子としでは、例
えば、B2H6、BCi23、BBr、、BF、、B(
OC2H5)3、/1c123、A+1(CH3)II
、A12(OiC3H?)3、Ga(CzHs)3、I
 n(C2)(S)1等を用いることかできる。
Examples of molecules containing at least Group Ⅰ elements of the periodic table include B2H6, BCi23, BBr, BF, B(
OC2H5)3, /1c123, A+1(CH3)II
, A12(OiC3H?)3, Ga(CzHs)3, I
n(C2)(S)1 etc. can be used.

少なくとも周期律表第■族元素を含む化合物としては、
例えば、SiHいS1□H,、(C2H5)3SiH1
SiFい5iHzC1z、512F2H2,5iC1,
、S i(OCH3)4、S i(OC2H、)、、S
 i(OC3Hア)1、GeH,、GeC1いGeF、
、Ge、H,、Ge(QCHl)1、Ge(OC2H6
)4% Ge(C2+(S)4、(CH3)、 S n
、 S n(○CH、)イ(C2H、)4 S n、 
S nCtt等を用いることかできる。
As a compound containing at least an element of group Ⅰ of the periodic table,
For example, SiHS1□H, (C2H5)3SiH1
SiF 5iHzC1z, 512F2H2, 5iC1,
,S i(OCH3)4,S i(OC2H,),,S
i(OC3Ha)1,GeH,,GeC1GeF,
,Ge,H,,Ge(QCHl)1,Ge(OC2H6
)4% Ge(C2+(S)4, (CH3), Sn
, S n(○CH,)i(C2H,)4 S n,
It is also possible to use S nCtt or the like.

少なくとも周期律表第V族元素を含む分子としては、例
えば、PH,、PF、、PF、、P(12F。
Examples of molecules containing at least Group V elements of the periodic table include PH, PF, PF, and P (12F).

PC02F、、PCQ3、PBr3、P O(OCt(
3)3、P(C2H5)3、POCQ、、AsH,、A
sCQ3、AsBr、、AsF、、AsF 5、AsC
Q、、SbH,,5bF1.5bC12x、5b(OC
zHs)x等を用いることができる。
PC02F,, PCQ3, PBr3, P O(OCt(
3) 3,P(C2H5)3,POCQ,,AsH,,A
sCQ3, AsBr, , AsF, , AsF 5, AsC
Q,,SbH,,5bF1.5bC12x,5b(OC
zHs)x etc. can be used.

a−C膜中に含まれる上記へテロ原子の量は、プラズマ
CVD反応に用いるヘテロ原子を含む分子の量を増減す
ることにより調整することができる。a−C膜に含まれ
るヘテロ原子の量をa−C膜の深さ方向に対して不均一
に分布させるには、プラズマCVD反応中にヘテロ原子
を含む分子の量を増減することにより調整すればよい。
The amount of the heteroatoms contained in the a-C film can be adjusted by increasing or decreasing the amount of molecules containing heteroatoms used in the plasma CVD reaction. In order to make the amount of heteroatoms contained in the a-C film non-uniformly distributed in the depth direction of the a-C film, it is necessary to adjust the amount by increasing or decreasing the amount of molecules containing heteroatoms during the plasma CVD reaction. Bye.

ここで、ヘテロ原子の添加はO、l atm、%以上で
効果が現われる。上限は特に制限はなく、使用する原料
と、グIフー放電法という製法により必然的に定まる。
Here, the effect of the addition of heteroatoms appears at O, latm, % or more. The upper limit is not particularly limited and is necessarily determined by the raw materials used and the production method called the Gu I Fu discharge method.

なお、°上記へテロ原子の含有量はオージェ分析、有機
元素分析等の手段により知ることができる。
The content of the above-mentioned heteroatoms can be determined by means such as Auger analysis and organic elemental analysis.

剰■ ナタニルフタロンアニン(TiOPc)を抵抗加熱法を
用いてポート温度400°Cないし500°C1真空度
10−’ないし10−”Torrのもとて真空蒸着し、
直径80×長さ330mmの円筒状アルミニウム基板上
に、厚さ2500人のTiOPc蒸着膜を電荷発生層と
して形成した。
Residue ■ Natanylphthalonanine (TiOPc) was vacuum-deposited using a resistance heating method at a port temperature of 400°C to 500°C and a vacuum degree of 10-' to 10-'' Torr.
A TiOPc vapor-deposited film having a thickness of 2500 mm was formed as a charge generation layer on a cylindrical aluminum substrate having a diameter of 80 mm and a length of 330 mm.

次いで、p−ビスジエチルアミノテトラフェニルブタジ
ェン(特開昭62−30255号公報に記M、)1重量
部およびポリカーボネート(帝人化成社製に−1300
)1重量部をT I−(F 6重量部に溶解させ、この
溶液を電荷発生層上に乾燥膜厚が15μmnとなるよう
に塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成し、有機系感光
層を形成した。
Next, 1 part by weight of p-bisdiethylaminotetraphenylbutadiene (described in JP-A No. 62-30255) and polycarbonate (-1300 manufactured by Teijin Kasei) were added.
) is dissolved in 6 parts by weight of TI-(F), and this solution is applied onto the charge generation layer to a dry film thickness of 15 μm, dried to form a charge transport layer, and an organic photosensitive layer is formed. formed a layer.

さらに、この感光層の上にI X 10−’Torrの
真空下でSiOを蒸着し厚さ3500人の金属化合物薄
膜層を形成した。
Furthermore, SiO was deposited on this photosensitive layer under a vacuum of I.times.10-'Torr to form a metal compound thin film layer having a thickness of 3500 mm.

最後に、第3図に示したプラズマ重合装置を用いて、下
記した条件で有機プラズマ重合膜からなる表面保護層を
形成した。
Finally, a surface protective layer made of an organic plasma polymerized film was formed using the plasma polymerization apparatus shown in FIG. 3 under the conditions described below.

使用ガス: 水素     300 secmブタジェ
ン  losccm 四フッ化炭素 10105e 成膜条件: 圧力     Q、3Torr電源;低周
波電源 周波数 30KHz 電力  350W 基板温度   70°C 成膜時間   10分間 膜厚     1000八 評価 碍られた感光体の静電特性、耐刷試験および耐刷試験後
の静電特性を評価した。
Gas used: Hydrogen 300 secm Butadiene losccm Carbon tetrafluoride 10105e Film forming conditions: Pressure Q, 3 Torr power supply; Low frequency power frequency 30 KHz Power 350 W Substrate temperature 70°C Film forming time 10 minutes Film thickness 10008 rated photoreceptor The electrostatic properties, printing durability test, and electrostatic properties after the printing durability test were evaluated.

静電特性は、光源をレーザー光学系(波長780 nm
)に変えた電子複写機(EP−14702(ミノルタカ
メラ社製))を用い、得られた感光体を上記複写機E 
P −4702に搭載し、−6、2K Vでコロナ帯電
させたときの初期表面電位(V、)、その初期表面電位
全半減させるのに要した露光量E1/2(erg/ c
m2)、および色温度2200°にのハロケンランプを
60 (1ux−secl照射したときの残留電位Vr
(V)を測定した。
The electrostatic properties can be determined by using a laser optical system (wavelength 780 nm) as a light source.
) using an electronic copying machine (EP-14702 (manufactured by Minolta Camera)), and transferred the obtained photoreceptor to the above-mentioned copying machine E.
The initial surface potential (V,) when mounted on the P-4702 and corona charged at -6.2 KV, and the exposure amount E1/2 (erg/c) required to completely reduce the initial surface potential by half.
m2), and the residual potential Vr when irradiated with a Haloken lamp with a color temperature of 2200° at 60 (1ux-sec)
(V) was measured.

耐刷試験は、上記EP−4702を用い、初期、500
0枚、7000枚、10000枚、20000枚、40
000枚、50000枚、70000枚、tooooo
枚後の画質を評価した。画質は、濃度低下およびカブリ
等の発生しなかった良好な画像が得られた場合を「O」
、濃度低下あるいはカブリか発生した場合を「△」、濃
度低下が著しくあるいはカブリの発生が著しい場合を「
X」として評価した。
The printing durability test was conducted using the above EP-4702 at an initial printing speed of 500 ml.
0 pieces, 7000 pieces, 10000 pieces, 20000 pieces, 40
000 sheets, 50000 sheets, 70000 sheets, toooooo
The image quality after printing was evaluated. The image quality is "O" if a good image is obtained without any loss of density or fogging.
, "△" indicates a decrease in density or occurrence of fog, and "△" indicates a significant decrease in density or occurrence of fog.
It was evaluated as "X".

耐刷試験後、再び静電特性■。、E1/2、■「を上記
と同様にして測定した。
After the printing durability test, check the electrostatic properties again ■. , E1/2, ■'' were measured in the same manner as above.

以上の結果を表1に示した。The above results are shown in Table 1.

ス籏忽−1 長径80mmx長さ330mmの円筒状アルミニウム基
板上に、下記構造式[■]; のスチリル化合物1重量部とポリカーボネート樹脂(量
大化成社製に−1300)1重量部をジクロルメタン1
0重量部に溶解させた溶液を、乾燥後の膜厚か15μm
となるように塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成した
1 part by weight of a styryl compound of the following structural formula [■] and 1 part by weight of a polycarbonate resin (manufactured by Yondai Kasei Co., Ltd. -1300) were placed on a cylindrical aluminum substrate with a major diameter of 80 mm x a length of 330 mm, and 1 part by weight of dichloromethane.
The solution dissolved in 0 parts by weight was dried to a film thickness of 15 μm.
A charge transport layer was formed by coating and drying.

次いで、下記構造式[■1; のアンサンスロン化合物5重量部、上記構造式[11の
スチリル化合物1重量部、およびポリカーポ不−1へ樹
脂(量大化成社製:に−1300)をボールミルで24
時間分散して調製した分散溶液を上記電荷輸送層上に乾
燥後の膜厚か5μmになるようにディッピング法により
塗布し、電荷発生層を形成した。
Next, 5 parts by weight of the anthanthrone compound having the following structural formula [1], 1 part by weight the styryl compound having the above structural formula [11], and a polycarpo fu-1 resin (Ni-1300, manufactured by Yadai Kasei Co., Ltd.) were mixed in a ball mill. 24
A dispersion solution prepared by time dispersion was applied onto the charge transport layer by dipping to a dry film thickness of 5 μm to form a charge generation layer.

さらに、真空度I X l O”’Torr、イオン比
電圧IQV/mm、電子ヒーム200−300mAでA
1□0.をイオンプレーティングし厚さ2000人の金
属化合物薄膜層を形成した。
In addition, A
1□0. A metal compound thin film layer with a thickness of 2000 mm was formed by ion plating.

最後に、第3図に示したプラズマ重合装置を用いて、下
記した条件で有機ブラスマ重合膜からなる表面保護層を
形成した。
Finally, a surface protective layer made of an organic plasma polymerized film was formed using the plasma polymerization apparatus shown in FIG. 3 under the conditions described below.

使用ガス: 水素     300 secmプロピレ
ン  lQsccm パーフルオロ70ピレン 5 secm 成膜条件: 圧力     Q 、 25 Torr電
源;高周波電源 周波数 13.56MHz 電力  150W 基板温度   50°C 成膜時間   15分間 膜厚     2000A 評価 得られた感光体の静電特性、耐刷試験および耐刷試験後
の静電特性を評価した。
Gas used: Hydrogen 300 secm Propylene 1Qsccm Perfluoro 70 pyrene 5 sec Film forming conditions: Pressure Q, 25 Torr power supply; High frequency power supply frequency 13.56 MHz Power 150 W Substrate temperature 50°C Film forming time 15 minutes Film thickness 2000 A Evaluation obtained The electrostatic properties of the photoreceptor, the printing durability test, and the electrostatic properties after the printing durability test were evaluated.

静電特性は、帯電現像剤極性を反転するように改造した
電子複写機(EP−4702(ミノルタカメラ社製)を
用い、得られた感光体を上記複写機EP−4702に搭
載し、+6.5KVでコロナ帯電させたときの初期表面
電位(VO)、その初期表面電位を半減させるのに要し
た露光量E l/2(f2ux−see)、および色温
度2800°にのハロゲンランプを60 [1ux−s
ec]照射したときの残留電位Vr(V)を測定した。
The electrostatic properties were measured using an electronic copying machine (EP-4702 (manufactured by Minolta Camera)) modified to reverse the polarity of the charged developer, and the resulting photoreceptor was mounted on the above-mentioned copying machine EP-4702, and +6. The initial surface potential (VO) when charged with corona at 5 KV, the exposure amount E 1/2 (f2ux-see) required to halve the initial surface potential, and the halogen lamp with a color temperature of 2800° at 60 [ 1ux-s
ec] The residual potential Vr (V) upon irradiation was measured.

耐刷試験は、上記EP−4702を用い、初期、500
0枚、7000枚、10000枚、20000枚、40
000枚、50000枚、70000枚、100000
枚後の画質を評価した。画質は、濃度低下およびカブリ
等の発生しなかった良好な画像が得られた場合をrOJ
、濃度低下あるいはカブリが発生した場合を「△」、濃
度低下が著しくあるいはカブリの発生か著しい場合を「
×」として評価した。
The printing durability test was conducted using the above EP-4702 at an initial printing speed of 500 ml.
0 pieces, 7000 pieces, 10000 pieces, 20000 pieces, 40
000 pieces, 50000 pieces, 70000 pieces, 100000 pieces
The image quality after printing was evaluated. The image quality is determined as rOJ when a good image is obtained without any decrease in density or fogging.
, "△" indicates a decrease in density or fogging, and "△" indicates a significant decrease in density or occurrence of fogging.
It was evaluated as "x".

耐刷試験後、再び静電特性V。、El/2、V「を上記
と同様にして6111定した。
After the printing durability test, the electrostatic characteristics were checked again. , El/2, and V'' were determined 6111 in the same manner as above.

以上の結果を表1に示した。The above results are shown in Table 1.

実施例3 特殊α型銅フタロンアニン(東洋インキ社製)25重量
部、アクリルメラミン熱硬化性樹脂(犬日本インキ社製
A−405とスパーベ/カミンJ820の混合物)50
重量部、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒト9フフ25重漬部、何機溶剤(キンレン7重量
部とブタノール3重量部の混合物)500重量部の混合
液をボールミルで10時間粉砕分散した。この分散液を
直径60×長さ290mmの円筒状アルミニウム基板上
に乾燥、焼き付けの後の膜厚が15μmとなるようにス
プレー法により塗布し、+50°Cで1時間焼き付けて
、有機感光層を形成した。
Example 3 25 parts by weight of special α-type copper phthalonanine (manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.), 50 parts by weight of acrylic melamine thermosetting resin (mixture of A-405 and Superbe/Kamin J820, manufactured by Inu Nippon Ink Co., Ltd.)
A mixture of 25 parts by weight of 4-diethylaminobenzaldehyde-diphenylhydrogen 9 fufu and 500 parts by weight of a solvent (a mixture of 7 parts by weight of quince and 3 parts by weight of butanol) was pulverized and dispersed in a ball mill for 10 hours. This dispersion was applied onto a cylindrical aluminum substrate with a diameter of 60 mm and a length of 290 mm using a spray method so that the film thickness after drying and baking would be 15 μm, and baked at +50°C for 1 hour to form an organic photosensitive layer. Formed.

次いでl X l O−’Torrの真空度でMgOを
スパッタリングし、厚さ1500人の金属化合物薄膜層
を形成した。
Then, MgO was sputtered at a vacuum level of 1 x 1 O-'Torr to form a metal compound thin film layer with a thickness of 1500 mm.

最後に、第3図に示したプラズマ重合装置を用いて、下
記した条件で有機プラズマ重合膜をからなる表面保護層
形成した。
Finally, a surface protective layer consisting of an organic plasma polymerized film was formed using the plasma polymerization apparatus shown in FIG. 3 under the conditions described below.

使用ガス: 水素     250 secmブタジェ
ン  60 secm 四フッ化炭素 60secm 成膜条件: 圧力     0.4Torr電源;低周
波電源 周波数 60KHz 電力  200W 基板温度   100°C 成膜時間   6分間 膜厚     200〇人 評価 得られた感光体の静電特性、耐刷試験および耐刷試験後
の静電特性を評価した。
Gas used: Hydrogen 250 secm Butadiene 60 secm Carbon tetrafluoride 60 sec Film forming conditions: Pressure 0.4 Torr power; Low frequency power frequency 60 KHz Power 200 W Substrate temperature 100°C Film forming time 6 minutes Film thickness 200 people evaluated The electrostatic properties of the photoreceptor, the printing durability test, and the electrostatic properties after the printing durability test were evaluated.

静電特性は、電子複写機(EP〜3502(ミノルタカ
メラ社製)を用い、得られた感光体を上記複写機EP−
3502に搭載し、+6.5KVでコロナ帯電させたと
きの初期表面電位(VO)、その初期表面電位を半減さ
せるのに要した露光量E1/2(12ux−sec)、
および色温度2800°にのハロゲンランプを60 [
1ux−secl照射したときの残留電位Vr(V)を
測定した。
The electrostatic properties were measured using an electronic copying machine (EP-3502 (manufactured by Minolta Camera)), and the obtained photoreceptor was tested using the above-mentioned copying machine EP-3502.
The initial surface potential (VO) when mounted on the 3502 and corona charged at +6.5 KV, the exposure amount E1/2 (12ux-sec) required to halve the initial surface potential,
and a halogen lamp with a color temperature of 2800°.
The residual potential Vr (V) when irradiated with 1ux-sec was measured.

耐刷試験は、上記EP−3502を用い、初期、500
0枚、7000枚、10000枚、20000枚、40
000枚、50000枚、70000枚、tooooo
枚後の画質を評価した。画質は、濃度低下およびカブリ
等の発生しなかった良好な画1象か得られた場合を「○
」、濃度低下あるいよりブリが発生した場合を「△」、
濃度低下が著しくあるいはカブリの発生が著しい場合を
「×」として評価した。
The printing durability test was conducted using the above EP-3502 at an initial printing speed of 500 ml.
0 pieces, 7000 pieces, 10000 pieces, 20000 pieces, 40
000 sheets, 50000 sheets, 70000 sheets, toooooo
The image quality after printing was evaluated. The image quality is evaluated as "○" if one good image is obtained without any loss of density or fogging.
”, “△” indicates a decrease in density or blurring occurs,
Cases where there was a significant decrease in density or significant fogging were rated as "x".

耐刷試験後、再び静電特性V。、El、/2、Vrを上
記と同様にして測定した。
After the printing durability test, the electrostatic characteristics were checked again. , El, /2, and Vr were measured in the same manner as above.

以上の結果を表1に示した。The above results are shown in Table 1.

比較例I 実施例1において電荷輸送層上に金属化合物薄膜層およ
び表面保護層を形成しなかった以外は実施例1と同様に
感光体を調製した。
Comparative Example I A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal compound thin film layer and the surface protective layer were not formed on the charge transport layer.

評価は実施例1と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 1.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

比較例2 実施例2において電荷発生層上に金属化合物薄膜層およ
び表面保護層を形成しなかった以外は実施例2と同様に
感光体を調製した。
Comparative Example 2 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 2 except that the metal compound thin film layer and the surface protective layer were not formed on the charge generation layer.

評価は実施例2と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 2.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

比較例3 実施例3において感光層上に金属化合物薄膜層および表
面保護層を形成しなかった以外は実施例3と同様に感光
体を調製した。
Comparative Example 3 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 3, except that the metal compound thin film layer and the surface protective layer were not formed on the photosensitive layer.

評価は実施例3と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 3.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

比較例4 実施例1において電荷輸送層上に金属化合物薄膜層を形
成しなかった以外は実施例1と同様に感光体を調製した
Comparative Example 4 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the metal compound thin film layer was not formed on the charge transport layer in Example 1.

評価は実施例1と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 1.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

比較例5 実施例2において電荷発生層上に金属化合物薄膜層を形
成しなかった以外は実施例2と同様番こ感光体を調製し
た。
Comparative Example 5 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 2 except that the metal compound thin film layer was not formed on the charge generation layer.

評価は実施例2と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 2.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

比較例6 実施例3において感光層上に金属化合物薄膜層を形成し
なかったかった以外は実施例3と同様に感光体を調製[
7た。
Comparative Example 6 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 3, except that the metal compound thin film layer was not formed on the photoreceptor layer in Example 3.
7.

評価は実施例3と同様に行った。Evaluation was performed in the same manner as in Example 3.

結果を表1に示した。The results are shown in Table 1.

発明の効果 本発明により有機光導電層を有する有機感光体の表面保
護層の構成を金属化合物薄膜層およびa−C膜からなる
最表面保護層の2層構成とすることにより、本来有する
有機光導電性の感光体特性、特に感度、残留電位等は損
なわれずかつ耐久性に優れたものとなる。
Effects of the Invention According to the present invention, the surface protective layer of an organic photoreceptor having an organic photoconductive layer has a two-layer structure consisting of a metal compound thin film layer and an a-C film as the outermost surface protective layer. The conductive photoreceptor properties, particularly sensitivity, residual potential, etc., are not impaired and the durability is excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

m1図は感光体の模式的断面図を示す。 第2図および第3図は本発明に係わる感光体最表面層製
造用装置の一例を示す。 図中の記号は以下の通りである。 (1a)・・・最表面層 (1b)・・・金属化合物薄膜層 (2)・・・感光層 (3)・・導電性基板 (4)・・・表面保護層 (701)〜(706)・・・タンク (707)〜(712)・・・調節弁 (713)〜(718)・・・流量制御器(728)〜
(730)・・・流量制御器(719)〜(721)・
・・容器 (722)〜(724)・・・加熱器 (731)・・・混合器 (732)・・・主管 (733)・・・反応室 (734)・・・配管加熱器 (736)・・・電力印加電極 (737)・・・電極加熱器 (738)・・・高周波電力用整合器 (739)・・・高周波電源 (740)・・・低周波電力用整合器 (741)・・・低周波電源 (742)・・・ローパスフィルタ (743)・・・直流電源 (744)・・・接続選択スイッチ (745)・・・圧力調節弁 (746)・・・排気系選択弁 (747)・・・拡散ポンプ (748)・・・油回転ポンプ (749)・・・冷却除外装置 (750)・・・メカニカルブースターポンプ(751
)・・・反応室加熱器 (752)・・・基板 (753)・・・除外装置 第1図 特許出願人 ミノルタカメラ株式会社
Figure m1 shows a schematic cross-sectional view of the photoreceptor. FIGS. 2 and 3 show an example of an apparatus for producing the outermost surface layer of a photoreceptor according to the present invention. The symbols in the figure are as follows. (1a)... Outermost surface layer (1b)... Metal compound thin film layer (2)... Photosensitive layer (3)... Conductive substrate (4)... Surface protective layer (701) to (706) )... Tanks (707) to (712)... Control valves (713) to (718)... Flow rate controller (728) to
(730)...Flow rate controller (719) to (721).
... Containers (722) to (724) ... Heater (731) ... Mixer (732) ... Main pipe (733) ... Reaction chamber (734) ... Piping heater (736) ...Power application electrode (737)...Electrode heater (738)...High frequency power matching box (739)...High frequency power source (740)...Low frequency power matching box (741)... ...Low frequency power supply (742) ...Low pass filter (743) ...DC power supply (744) ...Connection selection switch (745) ...Pressure control valve (746) ...Exhaust system selection valve ( 747) Diffusion pump (748) Oil rotary pump (749) Cooling exclusion device (750) Mechanical booster pump (751
)...Reaction chamber heater (752)...Substrate (753)...Exclusion device Figure 1 Patent applicant Minolta Camera Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、導電性支持体(3)上に有機感光層(2)を有する
感光体において、該感光層の表面上に、真空蒸着法、ス
パッタリング法またはイオンプレーティング法のいずれ
かで形成された金属化合物薄膜層(1b)および該金属
化合物薄膜層上にプラズマ重合法により生成された非晶
質炭化水素膜(a−C膜)からなる最表面層(1a)の
2層からなる表面保護層(4)を有することを特徴とす
る感光体。
1. In a photoreceptor having an organic photosensitive layer (2) on a conductive support (3), a metal formed on the surface of the photosensitive layer by either a vacuum evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method. A surface protective layer consisting of two layers: a compound thin film layer (1b) and an outermost surface layer (1a) consisting of an amorphous hydrocarbon film (a-C film) produced by plasma polymerization on the metal compound thin film layer ( 4) A photoreceptor characterized by having the following.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005088400A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoreceptor
WO2005088401A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Photosensitive body for electrophotograph and method for forming photosensitive body for electrophotograph

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US7498110B2 (en) 2004-03-16 2009-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member

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