JPH0256917A - Semiconductor wafer - Google Patents
Semiconductor waferInfo
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- JPH0256917A JPH0256917A JP20887088A JP20887088A JPH0256917A JP H0256917 A JPH0256917 A JP H0256917A JP 20887088 A JP20887088 A JP 20887088A JP 20887088 A JP20887088 A JP 20887088A JP H0256917 A JPH0256917 A JP H0256917A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（ト）技術分野
この発明は、ＧａＡｓ １Ｓｉなど半導体ウェハの形状
に関する。特に、片方の面が完全な円である半導体ウェ
ハに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (G) Technical Field The present invention relates to the shape of semiconductor wafers such as GaAs 1Si. In particular, it relates to semiconductor wafers whose one side is a perfect circle.
半導体ウェハは、円形のものや矩形のものがある。ハン
ドリングの良さから、主に円形ウェハが使われる。Ｓｉ
の場合、５インチ、６インチウェハ或はフインチウエハ
が用いられる事が多い。ＧａＡｓの場合は、２〜３イン
チウェハがよく使われる。Semiconductor wafers can be circular or rectangular. Circular wafers are mainly used because of their ease of handling. Si
In this case, 5-inch, 6-inch wafers or finch wafers are often used. In the case of GaAs, 2 to 3 inch wafers are often used.
円形である場合は、劈開方向或は表面、裏面の別を示す
ために、ウェハの端を弓形に切欠いていた。When the wafer was circular, the edge of the wafer was notched in an arcuate shape to indicate the direction of cleavage or whether it was a front or back surface.
（イ）従来技術
このように、ウェハの結晶方位、表裏を示すための弓形
の切欠きは、オリエンテーションフラットという。これ
は襞間面のひとつであって、平面である。ウェハの両面
に直角な平面である。(a) Prior Art The arcuate notch used to indicate the crystal orientation and front and back sides of a wafer is called an orientation flat. This is one of the interfold surfaces and is a flat surface. It is a plane perpendicular to both sides of the wafer.
Ｓｉウェハの場合、オリエンテーションフラットはひと
つでよい。しかし、ＧａＡｓの場合、劈開方向といって
も、メサ方向、逆メサ方向があるので、これを区別しな
ければならない。また、表面と裏面とを区別しなければ
ならないという事がある。In the case of a Si wafer, only one orientation flat is required. However, in the case of GaAs, the cleavage direction includes the mesa direction and the reverse mesa direction, so it is necessary to distinguish between them. In addition, it may be necessary to distinguish between the front side and the back side.
このような場合、ふたつの長さの違うオリエンテーショ
ンフラットを付ける必要がある。In such cases, it is necessary to install two orientation flats of different lengths.
オリエンテーションフラットを付けて、結晶方位を示す
という事は一般的に行われている。表裏を示すためには
、ウェハの端を非対称に削った、というものがある。It is common practice to attach an orientation flat to indicate crystal orientation. In order to show the front and back sides, the edges of the wafer are shaved asymmetrically.
実公昭６３−１７２４３号（３６３，５，１６公告）こ
れは、表面と裏面のベベリングの幅を変えたり、面取り
の幅を変えたりして、表裏面の区別をつけるものである
。当然、全周にわたって付される非対称性である。Utility Model Publication No. 63-17243 (publication number 363, 5, 16) This method distinguishes between the front and back surfaces by changing the width of the beveling on the front and back sides, or by changing the width of the chamfer. Naturally, the asymmetry is applied all around the circumference.
−時的に、非対称の傾斜面を、全周にわたって付ける、
という事はよくあることである。- Occasionally, an asymmetrical slope is added around the entire circumference.
This is a common occurrence.
実公昭５０−６２９６ （Ｓ ５０．２．２２ ）特
開昭５４−２４５７１ （Ｓ ５４．２．２３ ）特開
昭５５−１５２１７ （Ｓ ５５．２．２ ）これらは
全周に付すものであるから方位を示すことができない。Utility Model Publication No. 50-6296 (S 50.2.22) JP 54-24571 (S 54.2.23) JP 55-15217 (S 55.2.2) These are attached to the entire circumference. It is not possible to indicate the direction.
表面面の側周に対称な丸みを全周にわたって付けるとい
うものもある。There is also a method in which the sides of the surface are rounded symmetrically over the entire circumference.
実開昭５８−１０３１４４ （Ｓ ５８．７．１３ ）
これは、ウェハ側周の欠けを防ぐためである。Utility Model No. 58-103144 (S 58.7.13)
This is to prevent chipping of the wafer side circumference.
（ロ） 発明が解決しようとする問題点オリエンテーシ
ョンフラットを有する半導体ウェハに液相エピタキシー
により、薄膜を形成する事がある。(b) Problems to be Solved by the Invention A thin film is sometimes formed on a semiconductor wafer having an orientation flat by liquid phase epitaxy.
液相エピタキシーは、熱平衡状態を維持しながら、液相
中で、結晶成長を行うものであり、良好な薄膜ができる
。いろいろな方法がある。In liquid phase epitaxy, crystal growth is performed in a liquid phase while maintaining a thermal equilibrium state, and a good thin film can be produced. There are various ways.
液相エピタキシーを行うと、第５図に示すようにオリエ
ンテーションフラット２の近傍に異常成長部３が生ずる
。これは、オリエンテーションフラット２が、溶液の通
路になるからであろうと考えられる。When liquid phase epitaxy is performed, an abnormal growth portion 3 is generated in the vicinity of the orientation flat 2, as shown in FIG. This is probably because the orientation flat 2 serves as a passage for the solution.
半導体ウェハの円形の部分には発生しないが、オリエン
テーションフラット２に沿って異常成長が発生しやすい
。Although abnormal growth does not occur in the circular portion of the semiconductor wafer, abnormal growth tends to occur along the orientation flat 2.
異常成長部は除去しなければならない。そこで、第６図
に示すように、襞開面にそって、幅Δの分を切欠く。Abnormal growths must be removed. Therefore, as shown in FIG. 6, a notch with a width Δ is made along the fold opening surface.
残りの部分は使用可能である。The remaining portion is available for use.
しかし、除去部４０面積が広いので、損失が大きい。However, since the area of the removed portion 40 is large, the loss is large.
なぜ除去部が広いかというと、オリエンテーションフラ
ットの長さｌばかなり長いので、幅Δが小さくても、ｌ
Δが大きくなるためである。The reason why the removal part is wide is because the orientation flat length l is quite long, so even if the width Δ is small, l
This is because Δ becomes large.
ひとつのウェハから、半導体デバイスのチップは数百〜
数万個作られる事がある。そうすると、オリエンテーシ
ョンフラットの比較的小さい部分の損失といっても無視
できないことがある。A single wafer can produce hundreds of semiconductor device chips.
Tens of thousands of pieces may be made. In this case, even if the loss is a relatively small portion of the orientation flat, it may not be negligible.
除去部をより少なくしたいものである。It is desirable to reduce the number of parts to be removed.
００ 目 的
液相エピタキシャル成長を行なった際に生ずる異常成長
部を除去する場合、除去による損失の少ない半導体ウェ
ハを提供することが本発明の目的である。00 Purpose It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer that causes less loss due to removal when abnormally grown portions that occur during liquid phase epitaxial growth are removed.
（４）構 成
本発明の半導体ウェハは、片方の面が完全な円であって
、側周から他方の面に及ぶ傾斜面を切欠いたものである
。(4) Configuration The semiconductor wafer of the present invention has one side that is a perfect circle and has an inclined surface cut out extending from the side circumference to the other side.
第１図は本発明の半導体ウェハの表面から見た斜視図で
ある。第２図は裏面からみた斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor wafer of the present invention seen from the front surface. FIG. 2 is a perspective view seen from the back side.
このウェハは、表面８からみた限りでは、完全な円板で
ある。裏面からみると、傾斜面５が切欠かれているのが
分る。This wafer, as viewed from the surface 8, is a complete disk. When viewed from the back, it can be seen that the inclined surface 5 is notched.
この傾斜面５は、側周６と裏面７との間で切欠かれたも
のである。弓形の小さい切欠きである。This inclined surface 5 is cut out between the side circumference 6 and the back surface 7. It is a small arch-shaped notch.
これは劈開方向に平行であるようにしてもよい一襞開と
ある定まった角をなすようにしてもよい。This may be parallel to the cleavage direction or may form a certain angle with the fold.
傾斜面５は、表裏を示し、かつ劈開方向を示す標識とな
る。The inclined surface 5 serves as a marker indicating the front and back sides and the cleavage direction.
標識としての機能に於ては、オリエンテーションフラッ
トと同じことである。Its function as a sign is the same as the orientation flat.
しかし、傾斜面５を付すことにより一方の面（裏面）が
真円でなくなったとしても、他方の面（表面）は真円で
あることができる。However, even if one surface (back surface) is no longer a perfect circle due to the addition of the inclined surface 5, the other surface (front surface) can remain a perfect circle.
ただし、ここで表面、裏面といっているのは、傾斜面５
の非対称である事を明らかにするためである。この表面
がエビクキシャル成長時の成長面とは限らないし、片面
鏡面ウェハの場合、この表面が鏡面とは限らない。However, what is referred to as the front and back surfaces here refers to the inclined surface 5.
This is to clarify the asymmetry of . This surface is not necessarily the growth surface during evixaxial growth, and in the case of a single-sided mirror wafer, this surface is not necessarily a mirror surface.
（９）作 用
コノような半導体ウェハに、液相エピタキシャル成長法
によって薄膜を成長させた場合、第３図に示すように、
異常成長部３が極めて狭くなる。(9) Effect When a thin film is grown on a semiconductor wafer like this by liquid phase epitaxial growth, as shown in Figure 3,
The abnormal growth area 3 becomes extremely narrow.
傾斜面５に沿ってできるが、傾斜面５が短いからである
。Although it is formed along the slope 5, this is because the slope 5 is short.
異常成長部３を幅Δにわたって除去する。この後の形状
を第４図に示す。除去部９が狭い。このため、第６図の
場合に比較して、ウェハの残りの有効部分の面積がより
広くなる。The abnormal growth part 3 is removed over a width Δ. The shape after this is shown in FIG. The removal section 9 is narrow. Therefore, compared to the case of FIG. 6, the area of the remaining effective portion of the wafer becomes larger.
また、除去は襞間に沿ってなされるのが便利である。こ
れによって、正確な劈開方向が明示される。オリエンテ
ーションフラットと同一の機能を果すことができる。It is also convenient for removal to occur along the interfolds. This reveals the exact cleavage direction. It can perform the same function as an orientation flat.
に）実施例
直径が５１ｎの円形ウェハ（ＧａＡｓ ）について、従
来例と、本発明の実施例とを比較する。B) Example: Regarding a circular wafer (GaAs) having a diameter of 51 nm, a conventional example and an example of the present invention will be compared.
（１）従来例
オリエンテーションフラットがある。この長さは３０朋
である。(1) Conventional example: There is an orientation flat. This length is 30 mm.
オリエンテーションフラットの部分を溶液の出入り部と
して液相エピタキシャル成長を行なった。オリエンテー
ションフラットに沿って異常成長部が生じた。４ｍ罵幅
で切りとって異常成長部を除・いた（第６図のように）
。残存良好面積は１８．８ ｃｆであった。Liquid phase epitaxial growth was performed using the orientation flat portion as a solution inlet and outlet. Abnormal growth occurred along the orientation flat. The abnormal growth was removed by cutting it to a width of 4 m (as shown in Figure 6).
. The remaining good area was 18.8 cf.
（１１）実施例
オリエンテーションフラトがない。裏面と側周にわたっ
て、長さ５龍の傾斜面を付けである。(11) Example: There is no orientation flat. A sloping surface with a length of 5 dragons is attached across the back and side circumference.
コレを同様に、液相エピタキシャル成長させた。表面の
液相エピタキシャル面は完全な円形である。傾斜面のあ
る近傍には異常成長部が生じた。それが第４図のように
異常成長部を、４龍幅（Δ＝４ｎ）で襞間し除去した。This was similarly grown by liquid phase epitaxial growth. The surface liquid phase epitaxial surface is perfectly circular. Abnormal growth occurred near the slope. As shown in Fig. 4, the abnormally grown area was removed by folding the area with a width of 4 dragons (Δ=4n).
残存良好面積は１９．７Ｃ％であった。The remaining good area was 19.7C%.
従来例に比べて、 ０．９ｃｄ広くなっている。約５％
の増加である。It is 0.9 cd wider than the conventional example. Approximately 5%
This is an increase in
（り） 効 果
液相エビクキシャル後の良品面積効率が向上する。オリ
エンテーションフラットにそって広く異常成長が生じる
、というような事がないからである。(ri) Effect Improves the area efficiency of good products after liquid phase eviction. This is because abnormal growth does not occur widely along the orientation flat.
また、傾斜面があるので、劈開方向が分るし、表面裏面
の区別もできる。つまり、オリエンテーションフラット
と同等又はそれ以上の機能を持っている。Furthermore, since there is an inclined surface, the cleavage direction can be determined and the front and back surfaces can be distinguished. In other words, it has the same or better functionality than an orientation flat.
さらに、液相エビタシャル成長の後、異常成長部を襞間
にそって切りとれば、新しくオリエンテーションフラッ
トが生ずるのであるから、劈開方向がわかる。Furthermore, if the abnormally grown portion is cut out along the folds after the liquid phase epitaxial growth, a new orientation flat is generated, so the cleavage direction can be determined.
第１図は本発明の半導体ウェハの表面方向の斜視図。
第２図は同じものの裏面方向の斜視図。
第３図は本発明の半導体ウニ゛ハ上に液相エピタキシャ
ル成長を行った場合に異常成長が生ずることを示す平面
図。
第４図は第３図のウェハから異常成長部を除去したウェ
ハの平面図。
第５図は従来例のウェハ上に液相エピタキシャル成長を
行った場合に異常成長が生ずることを示す平面図。
第６図は第５図のウェハから異常成長部を除去したウェ
ハの平面図。
１・・・・・・半導体ウェハ
２・・甲・オリエンテーションフラット３・・・・・・
異、常成長部
４・・・・・・除去部
５・・・・・・傾斜面
６・・・・・・側 周
７・・・・・・裏 面
８・・・・・・表 面
９・・・・・・除去部
発 明 者
大
槻
誠FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor wafer of the present invention in the surface direction. FIG. 2 is a perspective view of the same thing from the back side. FIG. 3 is a plan view showing that abnormal growth occurs when liquid phase epitaxial growth is performed on the semiconductor wafer of the present invention. FIG. 4 is a plan view of the wafer of FIG. 3 from which the abnormally grown portion has been removed. FIG. 5 is a plan view showing that abnormal growth occurs when liquid phase epitaxial growth is performed on a conventional wafer. FIG. 6 is a plan view of the wafer of FIG. 5 from which the abnormally grown portion has been removed. 1... Semiconductor wafer 2... A/Orientation flat 3...
Abnormal, normally growing part 4...removed part 5...slanted surface 6...side circumference 7...back surface 8...front surface 9...Removal part inventor Makoto Otsuki
Claims (1)
に他方の面７と側周６の一部に劈開方向と平行であるか
或は劈開方向と一定角をなすような傾斜面５を設けた事
を特徴とする半導体ウェハ。One surface 8 is completely circular, and in order to indicate the cleavage direction, the other surface 7 and a part of the side periphery 6 have inclined surfaces parallel to the cleavage direction or at a constant angle with the cleavage direction. A semiconductor wafer characterized by having 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20887088A JP2612906B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20887088A JP2612906B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256917A true JPH0256917A (en) | 1990-02-26 |
| JP2612906B2 JP2612906B2 (en) | 1997-05-21 |
Family
ID=16563483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20887088A Expired - Lifetime JP2612906B2 (en) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | Semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612906B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283693A (en) * | 1990-06-13 | 1994-02-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Compact zoom lens system |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20887088A patent/JP2612906B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283693A (en) * | 1990-06-13 | 1994-02-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Compact zoom lens system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2612906B2 (en) | 1997-05-21 |
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