JPH0254263U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0254263U JPH0254263U JP13312688U JP13312688U JPH0254263U JP H0254263 U JPH0254263 U JP H0254263U JP 13312688 U JP13312688 U JP 13312688U JP 13312688 U JP13312688 U JP 13312688U JP H0254263 U JPH0254263 U JP H0254263U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat dissipation
- lead frame
- position setting
- dissipation fin
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
Description
第１図は本考案による樹脂モールド型半導体レ
ーザ装置の一例の略線的拡大斜視図、第２図はそ
の半導体チツプの構成を示す略線的断面図、第３
図は本考案装置の他の例の略線的斜視図である。 １は半導体レーザー、２はリードフレーム、３
は位置設定兼放熱フイン、４は樹脂モールドであ
る。
ーザ装置の一例の略線的拡大斜視図、第２図はそ
の半導体チツプの構成を示す略線的断面図、第３
図は本考案装置の他の例の略線的斜視図である。 １は半導体レーザー、２はリードフレーム、３
は位置設定兼放熱フイン、４は樹脂モールドであ
る。
Claims (1)
- 半導体レーザーが配置されるリードフレームに
、半導体レーザーと所定の位置関係に設定された
位置設定兼放熱フインが設けられ、該位置設定兼
放熱フインの少くとも一部が上記リードフレーム
上の半導体レーザーに対して施された樹脂モール
ドの側壁から突出するようになされた樹脂モール
ド型半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13312688U JPH0254263U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13312688U JPH0254263U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254263U true JPH0254263U (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=31390711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13312688U Pending JPH0254263U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254263U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP13312688U patent/JPH0254263U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |