JPH025352A - エレクトロンフラッド - Google Patents

エレクトロンフラッド

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Publication number
JPH025352A
JPH025352A JP63143020A JP14302088A JPH025352A JP H025352 A JPH025352 A JP H025352A JP 63143020 A JP63143020 A JP 63143020A JP 14302088 A JP14302088 A JP 14302088A JP H025352 A JPH025352 A JP H025352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filament
rods
insulator
electron flood
filaments
Prior art date
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Pending
Application number
JP63143020A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Daiho
大穂 喜幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
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Publication of JPH025352A publication Critical patent/JPH025352A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板にイオン注入する際に、半導体基板
の帯電を解消するためにイオン注入装置に設けるエレク
トロンフラッド(エレクトロンシャワー)に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のイオン注入装置のエレクトロンフラッド
は、第4図に示すように、フィラメントから出た熱電子
(1次電子)がターゲットに当たり2次電子を放出する
。この2次電子により、注入されるイオンビームによっ
て正に帯電したウェハーを中和して帯電を解消する。そ
して、熱電子を放出する為のフィラメントはIg 3 
図(a) 、 (b)に示されているように一本だけと
いう構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のエレクトロンフラッドは、熱電子を放出
する為のフィラメントが1本しかない構造となっている
ので、フィラメントが熱電子を放出して、最終的に断線
してしまった場合は、その都度フィラメントを交換しな
ければならないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のエレクトロンフラッドは、半導体基板イオン注
入装置に組込まれて、注入処理時の半導体基板の帯電を
解消する為のエレクトロンフラッドにおいて、熱電子を
発生するためのフィラメントを複数有していることを特
徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、 (b)は、それぞれ本発明の一実施例
のエレクトロンフラッドのロッド付きフィラメントとロ
ッドを支持する絶縁物を示した正面図及び右側面図であ
る。直方体の絶縁物の長手方向にそって、絶縁物の対向
する上下の面の貫くロッドを設ける。ロッドは長手方向
の両端に電極用のロッドがあり、中間に固定用のロッド
がある。そして各ロッドの同じ側の端面に接続される1
本のフィラメントが設けられる。本実施例では前記フィ
ラメントに並行して同一の形状、構造のフィラメントが
さらに1本設けられている。これら2本のフィラメント
の各ロッドは同じ絶縁物によって支持されており、どち
らのフィラメントを使用するかは自由に切り換えること
のできるような構造及び回路を有している。
第2図(a)、 (b)はそれぞれ本発明の他の実施例
の正面図及び右側面図である。フィラメントが2重構造
となっており、固定用ロッドは共通で、電極用ロッドの
み増設している。上部のフィラメントが断線した場合、
下部のフィラメントを使用する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、エレクトロンフラッドの
フィラメントを複数にしたことによって、1本のフィラ
メントが断線した場合は、そのままスイッチの切り換え
だけで他のフィラメントを使用することができるので、
フィラメントの交換頻度はかなり減少する。これは結果
としてイオン注入装置の稼働率を向上させる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (b)は、それぞれ本発明の一実施例
の正面図及び右側面図、第2図(a)、 (b)は、そ
れぞれ本発明の他の実施例の正面図及び右側面図、第3
図(a)、 (b)は、それぞれ従来のフィラメントの
正面図及び右側面図、第4図はエレクトロンフラッドの
概略構成図である。 1・・・・・・フィラメント本体、2・・・・・・固定
用ロッド、3・・・・・・電極用ロッド、4・・・・・
・絶縁物。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板イオン注入装置に組込まれて、注入処理時の
    半導体基板の帯電を解消する為のエレクトロンフラッド
    において、熱電子を発生するフィラメントを複数有して
    いることを特徴とするエレクトロンフラッド。
JP63143020A 1988-06-09 1988-06-09 エレクトロンフラッド Pending JPH025352A (ja)

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JP63143020A JPH025352A (ja) 1988-06-09 1988-06-09 エレクトロンフラッド

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JPH025352A true JPH025352A (ja) 1990-01-10

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53136798A (en) * 1977-05-05 1978-11-29 Ibm Ion beam bombardment device
JPS63119151A (ja) * 1986-11-06 1988-05-23 Fujitsu Ltd イオン注入方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53136798A (en) * 1977-05-05 1978-11-29 Ibm Ion beam bombardment device
JPS63119151A (ja) * 1986-11-06 1988-05-23 Fujitsu Ltd イオン注入方法

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