JPH025352A - エレクトロンフラッド - Google Patents
エレクトロンフラッドInfo
- Publication number
- JPH025352A JPH025352A JP63143020A JP14302088A JPH025352A JP H025352 A JPH025352 A JP H025352A JP 63143020 A JP63143020 A JP 63143020A JP 14302088 A JP14302088 A JP 14302088A JP H025352 A JPH025352 A JP H025352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- rods
- insulator
- electron flood
- filaments
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板にイオン注入する際に、半導体基板
の帯電を解消するためにイオン注入装置に設けるエレク
トロンフラッド(エレクトロンシャワー)に関する。
の帯電を解消するためにイオン注入装置に設けるエレク
トロンフラッド(エレクトロンシャワー)に関する。
従来、この種のイオン注入装置のエレクトロンフラッド
は、第4図に示すように、フィラメントから出た熱電子
(1次電子)がターゲットに当たり2次電子を放出する
。この2次電子により、注入されるイオンビームによっ
て正に帯電したウェハーを中和して帯電を解消する。そ
して、熱電子を放出する為のフィラメントはIg 3
図(a) 、 (b)に示されているように一本だけと
いう構造となっていた。
は、第4図に示すように、フィラメントから出た熱電子
(1次電子)がターゲットに当たり2次電子を放出する
。この2次電子により、注入されるイオンビームによっ
て正に帯電したウェハーを中和して帯電を解消する。そ
して、熱電子を放出する為のフィラメントはIg 3
図(a) 、 (b)に示されているように一本だけと
いう構造となっていた。
上述した従来のエレクトロンフラッドは、熱電子を放出
する為のフィラメントが1本しかない構造となっている
ので、フィラメントが熱電子を放出して、最終的に断線
してしまった場合は、その都度フィラメントを交換しな
ければならないという欠点がある。
する為のフィラメントが1本しかない構造となっている
ので、フィラメントが熱電子を放出して、最終的に断線
してしまった場合は、その都度フィラメントを交換しな
ければならないという欠点がある。
本発明のエレクトロンフラッドは、半導体基板イオン注
入装置に組込まれて、注入処理時の半導体基板の帯電を
解消する為のエレクトロンフラッドにおいて、熱電子を
発生するためのフィラメントを複数有していることを特
徴とする。
入装置に組込まれて、注入処理時の半導体基板の帯電を
解消する為のエレクトロンフラッドにおいて、熱電子を
発生するためのフィラメントを複数有していることを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、 (b)は、それぞれ本発明の一実施例
のエレクトロンフラッドのロッド付きフィラメントとロ
ッドを支持する絶縁物を示した正面図及び右側面図であ
る。直方体の絶縁物の長手方向にそって、絶縁物の対向
する上下の面の貫くロッドを設ける。ロッドは長手方向
の両端に電極用のロッドがあり、中間に固定用のロッド
がある。そして各ロッドの同じ側の端面に接続される1
本のフィラメントが設けられる。本実施例では前記フィ
ラメントに並行して同一の形状、構造のフィラメントが
さらに1本設けられている。これら2本のフィラメント
の各ロッドは同じ絶縁物によって支持されており、どち
らのフィラメントを使用するかは自由に切り換えること
のできるような構造及び回路を有している。
のエレクトロンフラッドのロッド付きフィラメントとロ
ッドを支持する絶縁物を示した正面図及び右側面図であ
る。直方体の絶縁物の長手方向にそって、絶縁物の対向
する上下の面の貫くロッドを設ける。ロッドは長手方向
の両端に電極用のロッドがあり、中間に固定用のロッド
がある。そして各ロッドの同じ側の端面に接続される1
本のフィラメントが設けられる。本実施例では前記フィ
ラメントに並行して同一の形状、構造のフィラメントが
さらに1本設けられている。これら2本のフィラメント
の各ロッドは同じ絶縁物によって支持されており、どち
らのフィラメントを使用するかは自由に切り換えること
のできるような構造及び回路を有している。
第2図(a)、 (b)はそれぞれ本発明の他の実施例
の正面図及び右側面図である。フィラメントが2重構造
となっており、固定用ロッドは共通で、電極用ロッドの
み増設している。上部のフィラメントが断線した場合、
下部のフィラメントを使用する。
の正面図及び右側面図である。フィラメントが2重構造
となっており、固定用ロッドは共通で、電極用ロッドの
み増設している。上部のフィラメントが断線した場合、
下部のフィラメントを使用する。
以上説明したように本発明は、エレクトロンフラッドの
フィラメントを複数にしたことによって、1本のフィラ
メントが断線した場合は、そのままスイッチの切り換え
だけで他のフィラメントを使用することができるので、
フィラメントの交換頻度はかなり減少する。これは結果
としてイオン注入装置の稼働率を向上させる効果がある
。
フィラメントを複数にしたことによって、1本のフィラ
メントが断線した場合は、そのままスイッチの切り換え
だけで他のフィラメントを使用することができるので、
フィラメントの交換頻度はかなり減少する。これは結果
としてイオン注入装置の稼働率を向上させる効果がある
。
第1図(a)、 (b)は、それぞれ本発明の一実施例
の正面図及び右側面図、第2図(a)、 (b)は、そ
れぞれ本発明の他の実施例の正面図及び右側面図、第3
図(a)、 (b)は、それぞれ従来のフィラメントの
正面図及び右側面図、第4図はエレクトロンフラッドの
概略構成図である。 1・・・・・・フィラメント本体、2・・・・・・固定
用ロッド、3・・・・・・電極用ロッド、4・・・・・
・絶縁物。
の正面図及び右側面図、第2図(a)、 (b)は、そ
れぞれ本発明の他の実施例の正面図及び右側面図、第3
図(a)、 (b)は、それぞれ従来のフィラメントの
正面図及び右側面図、第4図はエレクトロンフラッドの
概略構成図である。 1・・・・・・フィラメント本体、2・・・・・・固定
用ロッド、3・・・・・・電極用ロッド、4・・・・・
・絶縁物。
Claims (1)
- 半導体基板イオン注入装置に組込まれて、注入処理時の
半導体基板の帯電を解消する為のエレクトロンフラッド
において、熱電子を発生するフィラメントを複数有して
いることを特徴とするエレクトロンフラッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143020A JPH025352A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | エレクトロンフラッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143020A JPH025352A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | エレクトロンフラッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH025352A true JPH025352A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15329060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63143020A Pending JPH025352A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | エレクトロンフラッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH025352A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53136798A (en) * | 1977-05-05 | 1978-11-29 | Ibm | Ion beam bombardment device |
JPS63119151A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | イオン注入方法 |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP63143020A patent/JPH025352A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53136798A (en) * | 1977-05-05 | 1978-11-29 | Ibm | Ion beam bombardment device |
JPS63119151A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | イオン注入方法 |
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