JPH025339A - 表面測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は走査型トンネル電子顕微鏡（ＳＴＭ）またはそ
の類似装置に係り、特に被測定試料に傾き、そり、厚さ
ムラなどが存在する場合に微小表面の観測ならびに測定
を行うのに好適な表面測定装置に関する。

〔従来の技術〕

固体表面の結晶構造などをオングストローム（人＝１０
−”ｍ）以下の分解能で１ｉｉｌ！測する有効な方式と
して、走査型トンネル電子顕微鏡（ＳＴＭ：Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇ　Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
が知られている。

従来のＳＴＭ装置は、米国特許第４３４３９９３に記載
のように、Ｘｔ　ｙ＋　Ｚの３軸微動機構の先端に探針
を固定し、Ｚ方向の粗動用インチワーム機構を用いて試
料−探針間の距離をオンゲスロームオーダにまで接近さ
せたのち１インチワーム機構を固定しＸおよびｙ方向に
掃引しながら、探針に流れるトンネル電流を１１１１１
ｔｌＩシ表示する方式となっていた。

なお、定直型トンネル電子顕微鏡については、サイエン
ス誌（ＳＣｉＥＮＴｉＦｉＣＡ肚ＲｉＣＡＮ日本版）１
９８５年１０月１日号、第１０頁から第１７頁などにそ
の原理などが記されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

一上記従来技術は、試料の傾き、そりなどに起因する試
料と探針間の相対位置変動が、探針の２方向微動アクチ
ユエータの可動範囲または、データの量子化範囲を越え
てしまった場合への配慮がなされておらず、試料と探針
の衝突ならびにデータ収集の中断、無効化などの問題が
あった。

本発明の目的は第１に広範囲な試料観察においても試料
と探針が衝突しないような表面測定装置を提供すること
、第２にはデータ収集の中断、無効化なしに広範囲な試
料観察を可能とする表面測定装置を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

上記第１の目的は、２方向微動アクチユエータを動かす
ことによってトンネル電流を一定に保つサーボループと
、上記微動アクチュエータへの印加電圧の低周波成分が
一定となるようにＺ方向粗動用アクチュエータを制御す
るサーボループとの２爪サーボループ構造とし、データ
採集中室に２方向微動アクチユエータが可動範囲内にあ
るように制御することで達成される。

上記第２の目的は、データ量子化回路のオフセット電圧
として、上記微動アクチュエータへの印加電圧の低周波
成分を与えるように構成することで達成される。

〔作用〕

Ｚ方向微動アクチュエータへの低周波成分印加電圧は、
試料の傾きまたは熱的要因などによる試料と探針間の相
対位置変動を検出する。それによって、可動範囲の大き
いＺ方向粗動アクチュエータを有するサーボループは、
試料と探針間の平均的間隔が一定となるように作動し、
広範囲な試料面を容易に観測し測定することが可能とな
る。

また、データ量子化回路のオフセット電圧として、上記
微動アクチュエータへの印加電圧の低周波成分を与えて
量子化範囲をシフトさせることで試料の傾斜等に起因す
る信号値の変動があっても。

該信号値か常に量子化エリアにあるように動作させるこ
とができる。

〔実施例〕

実施例１ 以下１本発明の第１の実施例を第１図〜第６図を用いて
説明する。

第２図は走査型トンネル電子顕微鏡（ＳＴＭ）の走査機
構系の概念図であり、３次元微動用トライポット機構と
粗動用インチワーム機構とで構成され、それぞれのアク
チュエータはセラミック素材などを用いた圧電素子（ピ
エゾ）を使用している。試料３と探針２との間隔を一定
に保つように微動する２方向微動アクチュエータ１．ｘ
方向掃引用アクチュエータ２０＊３’方向掃引用アクチ
ュエータ２１とで３次元トライポット機構を構成し、該
トライポットの２方向の先端には先端を鋭く加工した探
針２が固定されている。−力測定すべき試料３は粗動用
インチワーム機構のＺ方向粗動（進行用）アクチュエー
タ４の先端に固定さ才している。上記アクチュエータ４
の両端近傍には、インチワーム動作（尺取り土様移動）
を行なわしめるための保持（ロック）用Ａアクチュエー
タ５と進行用アクチュエータ４の片側を保持せしめるた
めのロック金具２２およびその反対側を保持せしめるた
めのＢアクチュエータ６とロック金具２３でＺ方向粗動
用インチワーム動作は構成されている。図示の例ではＢ
アクチュエータ６が縮み、金具２３は進行用アクチュエ
ータ４の試料取付サイ眉、 ドを動かない様に寺持し、一方のＡアクチュエータ５は
伸びその金具２２は進行用アクチュエータ４から離れた
状態、すなわち該アクチュエータ４の試料取付面と反対
側は動きが自由な状態となっていることを示している。

なお、実際のＳＴＭ機構は、ＸおよびＹ方向の粗動機構
を有し、Ｚ方向粗動機構との組合せで試料面の任意座標
面へ探針２を移動し接近させ得る構造となっている。

第３図は２方向微動アクチユエータの動きを説明する図
である。一般に微動用アクチュエータは高分解能を得る
ためにも最大可動（微動）ストロークＱｚは小さいもの
が選定され、本実施例においては１００人〜４００人（
１０ナノメータ〜４０ナノメータ）のピエゾを使用した
。探針２と試料３の間隔は約１０人に保たれ、その状態
で探針を掃引すると、試料３の表面凹凸に倣うような軌
跡２４を描きなから探針２は掃引される。

第１図は回路ブロック図である。試料３は接地電位であ
り、トンネル印加電圧Ｖｃは検出抵抗Ｒ７を経て探針２
に接続されている。この状態でインチワームコントロー
ラ１４のシーケンス（第５図を用い、後で説明する）に
従い、Ｚ粗動用（進行用）アクチュエータ４．保持用ア
クチュエータ５および６をピエゾドライバアンプ１６゜
１７．１８で伸び縮みさせながら、探針２と試料３を接
近させてゆき、１０人程度に近ずくと探針と試料間にト
ンネル電流Ｉｔ　が流れる。このトンネル電流Ｉｔは検
出抵抗Ｒｔによって電圧に変換され、計測用アンプ７で
増幅し、目標トンネル電流値Ｖ、どの差をとり、電流／
間隙変換回路８を経て探針２と試料３との目標間隔誤差
信号Δ２となる（米国特許第４，３４３，９９３で述べ
られているように、トンネル電流と間隙との関係が非線
形であるため、上記変換回路８を用いて線形信吟に戻す
必要が生じる）。この目標誤差Δ２がゼロとなるように
即ち試料３と探針２との間隙が一定となるように、Δ２
用ピエゾドライバアンプ９で増幅し、２方向微動用アク
チユエータを駆動する。一方、上記ピエゾドライバアン
プ９の出力信号、即ち２方向微動用アクチユエータ１の
伸び縮み情報は。

アッテネータ１０で所定の値に減衰させたものをモニタ
ＴＶ１９にて明暗表示させるとともに、ローパスフィル
タ１１で掃引時の高周波成分（試料而の微、細な凹凸情
報成分）を除去したＺ方向微動用アクチュエータ１への
印加電圧増加値（該アクチュエータ１の可動範囲におけ
る平約長さ）と上記アクチュエータ１への目慄印加電圧
値（目標伸び寸法）Ｖｃとの差分信号（２アクチユエー
タへの目標印加電圧誤差成分ΔＶ）は、増幅ｆ＋１２゜
切換スイッチ１３を経て、インチワームコントローラ１
４から指令に基づきＺ方向粗動用アクチュエータ４を伸
び縮みさせるためのＤＡコンバータ１５の出力信号と合
成され、ピエゾドライバアンプ１６人力し２方向粗動用
アクチユエータ４を駆動しくこのとき、保持機構はＡが
ロック状態でＢは解放状態でなければならない）、ｚ方
向微動用アクチュエータ１への印加電圧が低周波領域で
一定となるようにサーボされる。

第４図は、第３図で説明した２重サーボ構造に対する補
足説明をするための微動用アクチュエーりの可動範囲Ｑ
　ｚと粗動用アクチュエータＱ４との関係を示したもの
である。微動用アクチュエータ１の可動範囲ＱＺは第３
図の説明でも述べたように検出分解能を向上させるため
に小さな値（１００人〜４００人）となっている。一方
、粗動用のＺ方向アクチュエータ（インチワーム機構の
進行用アクチュエータ）は、試料と探針とを素早く接近
させるために大きな可動範囲（実施例ではＱ−＆＝　１
０　μｍ　〜２０　μｍ）を有している。ここで試料３
が角度Ｏなる値でホルダに固定されている場合を想定す
ると、探針２が掃引されたとき、Ｚ方向微動用アクチュ
エータ１の可動範囲Ｑｚではサーボの限界を越えてしま
い、測定不可能になるかもしくは試料３と探針２とが衝
突してしまうことになるため、可動範囲の大きい粗動用
アクチュエータを用いて前記θ成分をキャンセルさせる
べく作用するサーボループが必要となる。

第５図は、試料と探針とを２重す−ボループ系動作をさ
せるに当って最適な状態へ自動接近させるための流れ図
であり、第１図を１部参照しながら以五に説明する。先
ず自動接近シーケンスを作動させる前に付加したループ
系を開放状態にする３１（第１図の切換スイッチ１３を
ＯＦＦ側にする）。インチワームのＡ側保持機構用アク
チュエータ（第１図の５）への印加電圧をゼロにするこ
とによってＡ側を保持状態にし３２、Ｂ側保持機構用ア
クチュエータ（第１図の６）へ電圧（〜１００ｖ）を印
加することによりＢ側の保持状態を解除しておき３３、
Ｚ方向粗動（進行）用アクチュエータ（第１図の４）へ
ステップ状に電圧（〜１００Ｖ）を印加せしめることに
よって該アクチュエータを素早く伸長させ３４、トンネ
ル電流Ｉｔが流れ始めたか否かを判定し３５、未だ流れ
ていなければＢ側保持機構用アクチュエータへの印加電
圧をゼロにすることによりＢ側を保持状態にし３６、Ａ
側保持機構用アクチュエータへ電圧（二１００Ｖ）を印
加しＡ側保持を解除しておき３７、ｚｍ動用アクチュエ
ータに印加していた電圧を急速にゼロにすることによっ
て該アクチュエータを速やかに短縮せしめ３８、その後
Ａ側を保持状態にする作業３２へ戻るループを形成する
。この３２から３８のループを１回流る毎にＺ方向粗動
用アクチュエータが印加され電圧によって伸びた量（実
施例では約１０〜２０μｍ）だけ探針（第１図の２）方
向へ進むことになり、試料と探針は急速に接近してゆき
、トンネル電流Ｉ。

が流れ出す間隔（〜１０人〜２０人）にまで近づいたと
き前記３２〜３８のループを判定作業３５のところで脱
出し、同時にＺ粗動用アクチュエータを速やかに短縮さ
せ３９．その後、微小ステップ階段波電圧を２粗動用ア
クチユエータに印加させることによって１ステツプ相当
の微小変位ずつ該アクチュエータを伸し始め（実施例で
は１ステップ当り約１．５　人相当）４０、トンネル電
流丁。

が流れ出すまで上記アクチュエータへの印加電圧増加を
続け４１、トンネル電流Ｉｔが流れ始めた時点で該アク
チュエータへの印加電圧増加作業を中断し、Ｚ粗動用ア
クチュエータの可動範囲の中心値もしくは目標値から中
断時点における該アクチュエータへ印加されている電圧
値との差分ΔＺを計算しておき４２．その後Ｚ粗動用ア
クチュエータを短縮しておく４３゜先に計算しておいた
ΔＺが正であるか負であるかを判定し４４、もし正であ
ればＺ粗動用アクチュエータの伸びが該アクチュエータ
の可動範囲の中心値（目標値）よりも短かいことを示し
ており、そのｔ（ΔＺ）だけ後退させることにより上記
粗動用アクチュエータの可動中心に自動接近させること
が可能となり、このΔＺだけ後退させるフローを４５〜
５０で示す。

即ちＢ保持機構を保持し４５、Ａ保持機構を解除４６す
ることにより持ち替えを行い、２粗動用アクチユエータ
にΔＺ該当の電圧を印加し４７．Ａの保持４８、Ｂの解
除４９を行って元の保持状態に戻したのち、上記Ｚ粗動
用アクチュエータへの印加電圧をゼロにする。また、判
定作業４４によってΔＺが負と判定した場合は、トンネ
ル電流Ｉｔが流れ始めた時点の２粗動用アクチユエータ
の伸びは該アクチュエータの可動範囲の中心値（目標値
）よりも長くなっていたことを示しており、前記４５〜
５０のフローと逆の動作、即ちΔ２相当だけ該アクチュ
エータを伸ばしておく必を一′。

要が生じていることを示しており、Δｚ　ｉ　ｉｔ　ｚ
粗動用アクチュエータを伸し５１．Ｂ保持５２、Ａ解除
５３の実行で保持機構をつかみ替えた後、Ｆ記粗動用ア
クチュエータの伸びをゼロに戻し５４、今度はＡ保持５
５、Ｂ解除５６で再び試料サイドがフリーとなる状態に
戻しておく、この様にインヂワーム機構をノーマライズ
（作業４２〜作業５６のフロー）しだ機構を用いて、Ｚ
粗動用アクチュエータをゆっくりと伸し始め５７、トン
ネル電流１．が流れ出したことを確認し５８．さらに２
方向微動用アクチユエータの伸びが該アクチュエータ可
動範囲の中心（もしくは設定目標点）になるまで上記ア
クチュエータを伸し続け、上記可動範囲の中心に達した
ときに５９．そのままの印加電圧を保持させ６０．２重
ループ系を作動させる６１　（第１図のスイッチ１３を
ＯＮの位置にする）。もちろん該フロー図において、試
料と探針とを自動接近させるだけで良い場合、即ち２粗
動用アクチユエータの動作点を該アクチュエータの可動
範囲の中心ヘセツテインする必要のない場合は作業４２
から作業５６のフローを除去すれば良いことになる。

第６図は第１図のブロック図における検出電流（または
他の物理量、例えば圧力、静電容量、温度、光など）を
増幅する計測用アンプ７を具体化した回路図である。試
料３の表面構造によって、トンネル印加電圧Ｖ、が正電
位の方が良い場合と負電位の方が良い場合どがあり、該
印加電圧Ｖｉはボリューム２５によって正および負の値
を任意に設定することが可能となっており、オペアンプ
２８および２９は上記極性切換えに対処するための絶対
値化回路を構成している。試料３と探針２との間には検
出抵抗Ｒｔ　を介してトンネル電圧Ｖ、が印加され、Ｒ
ｏと探針２との交点は、Ｒ７の近くに配置したダミー抵
抗Ｒ１’のリード線と共に、２芯シールド線２６を用い
て差動型アンプ２７の■入力およびＯ入力に接続し、電
源誘導等のコモンモード雑音が除去された信号成分が該
アンプ２７から出力され、ＤＪ、、Ｄ！の作用で検波し
、オペアンプ２９によって給体値出力（本図では正方向
出力のみ）となる。ここでＲ１−Ｒｌは同じ値となって
いる。なお、トンネル電圧Ｖｔが片極性のときには上記
したオペアンプ２８．２９による絶対値回路部は省略可
能である。

なお、第１図で示す第１の実施例のブロック図において
、スイッチ１３のＯＮ側接点に、事前に測定しておいた
試料傾きなどに対する補正値を挿入することによって、
該ループをフィードフォワード系として使用することに
よって探針掃引速度−向上を計ることも可能である。

実施例２ 第７図は第２の実施例であり、第１の実施例における２
方向微動用アクチユエータ（第１図の１）ｋ省略し、Ｚ
方向粗動用アクチュエータ４に微動機能をも兼用させた
方式となっている。第１図との相異点は微動用アクチュ
エータ１を使用せず、電流／間隙変換回路８の出力信号
Δ２をアッテネータ回路３０で減すいさせ、スイッチ１
３の出力信号とＤＡコンバータ１５の出力信号との加算
点へ更に加算し、ピエゾドライバ１６を駆動せしめてい
る。この第２の実施例においては、可動範囲の大きいＺ
粗動用アクチュエータを微動用とじても兼用した、周波
数帯域の異なる２重サーボ系を構成することになり、ピ
エゾアクチュエータ固有のヒステリシス特性等により分
解能は悪くなるものの簡憤な機構構成で試料３と探針２
とが衝突したり離れすぎたりというトラブルを回避する
ができる。また、ヒステリシス補正回路をループ内に更
に付加せしめることによって分解能の低下もある程度防
ぐことも可能である。

実施例３ 第３の実施例を第８図、第９図に示す。−膜内に走査型
トンネル電子顕Ｗｉ鏡（ＳＴＭ）などの装置で、探針の
上下方向軌跡を明暗像・鳥かん像または等高線像などと
して表示するに当っては、第１図実施例の記述では省略
したが、実際には、上記探針の上下方向軌跡信号をディ
ジタル化（量子化）し、メモリに蓄え、必要に応じて計
算機処理などを行なったのち、アナログ信号に戻しモニ
タ表示している。

第８図は第３の実施例の原理を示すものである。

たて軸は２方向微動用アクチユエータの微動量（ΔＱｚ
）を示し、横軸はＸ（またはｙ）方向への掃引量を示し
ており、掃引にともなって探針のＺ方向軌跡２４がどう
なるかを示したものであり。

小さなサイン波形状の上下動が測定すべき試料面の凹凸
状態を示し、軌跡波形２４が全体として右下りとなって
いるのは資料の傾きまたは歪などが存在していることを
、極端な状態で例示している。

上記軌跡波形２４の小さな山と谷の関係を調べる（観測
する）ことが主な目的となるため、最も分解能を上げる
にはその山を上限とし、谷を下限とするような量子化範
囲に設定すれば良い（例えば８ビツトに量子化する際に
その範囲を１００人としたときには０．３９人、１０人
を量子化範囲に設定したときには０．０３９人がそれぞ
れの量子化最小単位となる）が、図示の波形２４のよう
に全体的にシフトしてゆく場合には、その設定範囲を広
くしておかなければならず１分解能の低下を余儀なくさ
れてしまう。そこで波形２４のシフト量を検出し、量子
化範囲を自動的にシフトさせることよって分解能の低下
を防止することが可能となる。

第９図は上記に説明した第３の実施例のブロック図であ
る。探針２と試料３との間にトンネル電圧■、を検出抵
抗Ｒ７を介して印加し、トンネル電流工、成分は計測用
アンプ７で増幅し、目Ｊｓ電流値ｖｌで減算し、電流／
間隙変換回路８で間隙情報に変換し、ピエゾドライバ９
を経て２方向微動用アクチユエータ１を電流工、が一定
となるように駆動する。一方、上記変換回路８の間隙信
号出力は、オフセット電圧Ｖｔ　を差し引き、クリッパ
増幅器７０を経てＡＤコンバータ７１の入力信号となる
が、低周波のシフト成分をキャンセルさせるため、前記
ピエゾドライバ９の出力をアッテネータ１０で減すいさ
せ、ローパスフィルタ１１で観測すべき信号成分周波数
を除去し、２アクチユエータの目標伸び値電圧ｖｃを差
し引いた成分。

即ち初期値からのシフト成分を前記クリッパアンプ７０
への入力信号から差し引くことによって量子化範囲が自
動シフトされる。なお、ＡＤコンバータ７１で変換した
ディジタルデータは２次元メモリ７２へ順次記憶してゆ
き、必要に応じて計算機７３で画像処理などを行い、Ｄ
Ａコンバータ７４を用いてアナログ信号に戻し、モニタ
テレビまたはＸＹプロッタなどへ出力する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、シリコンウェハなどの比較的大面積で
かつ表面精度の余り良くない試料についても、オングス
トローム（人＝１０−１０メートル）以下の分解能でそ
の表面状態を観測し測定することが容易にできる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の実施例の回路ブロック図、第２図はＳＴ
Ｍ走査機構系の概念図、第３図は２アクチユエータの可
動範囲説明図、第４図は微動用と粗動用のアクチュエー
タの可動範囲関係図、第５図は自動接近のための流れ図
、第６図はトンネル電検出回路図、第７図は第２の実施
例を示す回路ブロック図、第８図は第３の実施例の原理
図、第９図は第３の実施例を示す回路ブロック図である
。 １・・・２方向微動用アクチユエータ、２・・・探針、
３・・試料、４・・・Ｚ方向粗動用アクチュエータ、７
・・・計測１■アンプ、８・・・電流／間隙変換回路、
９・・・Ｚ用ピエゾドライバ、１１・・・ローパスフィ
ルタ、１３・・・切換スイッチ、１５・・・２用ＤＡコ
ンバータ。 ？電友同脩夛捩可各 第 図 Ｌ−一射Ｕ勤用イ４７−＆桟機ニ 軌跡 第 図 不 図 Ｉ５ ４θρモ〈イｎｈＭアス≠ユＬ−タＱ町ａｔ匣ｌρｔ／
Ａ ＺＯθＡ 図 芳 図 ２を 華 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、水平方向掃引手段、垂直方向掃引手段及び高さ方向
   微動手段を有し試料と探針の相対位置を変化させる三次
   元駆動機構と、上記探針と試料との間に電圧を印加する
   手段と、上記探針に流れる電流を一定とするように上記
   高さ方向微動手段を制御する手段と、上記高さ方向微動
   手段の上下方向微動量に基づき上記試料表面の状態を表
   示する手段とを有する表面測定装置において、上記試料
   と探針間の距離を粗く調節する高さ方向粗動手段と、上
   記高さ方向微動手段の駆動信号の低周波成分を抽出する
   手段と、該低周波成分を上記高さ方向粗動手段の駆動信
   号とする手段を有することを特徴とする表面測定装置。 ２、水平方向掃引手段、垂直方向掃引手段及び高さ方向
   微動手段を有し、試料と探針の相対位置を変化させる三
   次元駆動手段と、上記探針と試料との間に電圧を引加す
   る手段と、上記探針に流れる電流を一定とならしめるよ
   うに上記高さ方向微動手段を制御する手段と、上記探針
   の上下方向微動量に基づき上記試料表面の状態を表示す
   る手段を有する表面測定装置において、上記試料と探針
   間の距離を粗く調節する高さ方向粗動手段と、上記探針
   と試料間の距離の変動または予測変動量計算値を記憶す
   る２次元メモリと、該メモリからの出力に基づき上記高
   さ方向粗動手段をフオワード制御する手段とを有するこ
   とを特徴とする表面測定装置。 ３、水平方向掃引手段、垂直方向掃引手段及び高さ方向
   駆動手段を有し試料と探針の相対位置を変化させる三次
   元駆動手段と、上記探針と試料との間に電圧を引加する
   手段と、上記探針に流れる電流を一定とならしめるよう
   に上記高さ方向駆動手段を制御する手段と、上記探針の
   上下方向微動量を量子化回路で量子化してデータ処理し
   、試料表面の物理情報を得る手段を有する表面測定装置
   において、上記高さ方向駆動手段の上下方向微動量のう
   ち時間軸に対してゆるやかに変動する成分を上記量子化
   回路のオフセット印加電圧として印加する手段を有する
   ことを特徴とする表面測定装置。 ４、請求項１又は２記載の表面測定装置において上記高
   さ方向粗動手段を用いて上記探針先端と試料とを上記微
   動手段の可動範囲内に接近させる自動接近手段は、上記
   探針の位置が上記可動範囲の一定点となるように動作す
   ることを特徴とする表面測定装置。 ５、請求項１及至４のうちいずれかに記載の表面測定装
   置において、前記探針に流れる電流を絶体値化する回路
   を有することを特徴とする表面測定装置。 ６、水平方向掃引手段、垂直方向掃引手段及び高さ方向
   駆動手段とを有し試料と探針の相対位置を変化させる三
   次元駆動手段と、上記探針により検出される物理量が一
   定となるように駆動信号を与えて上記高さ方向駆動手段
   を制御する制御手段と、上記高さ方向駆動手段の駆動信
   号に基づき上記試料表面の情報を得る表面測定装置にお
   いて、上記高さ方向駆動手段は粗動手段と微動手段とに
   より構成され、上記制御手段は、上記駆動信号を高周波
   数成分と低周波数成分に二分する手段と、上記低周波数
   成分に基づき上記粗動作手段を駆動する手段と、上記高
   周波数成分に基づき上記微動手段を駆動する手段とを有
   することを特徴とする表面測定装置。