JPH02504192A - 表示及び書込装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 表示及び書込装置 本発明は像を見ると同時に光ペンにより書込面に書込みを行いあるいは図を描き あるいは参照マークを付すことあるいはまず像を見た後にそのような書込みを行 うことを可能にする表示及び書込み装置に関し、すなわち「像表示」と「グラフ ィックタブレット」の再機能を結合した装置に関する。

周知のこのような装置では 一第一に、像表示機能は陰極線管を有する像発生器により行われる。像は１本以 上の電子ビームによる走査によって陰極線管の前面すなわちパネルで形成される スクリーンに形成される。

一第二に、「グラフィックタブレット」機能は光ペンと、像の形成されるスクリ ーン、詳細には電子ビームで走査される面とは反対の外面に対応する書込面とに より行われる。光ペンを持つオペレータはそれを用いて書込面の１点またはいく つかの連続する点を指定することが出来、その座標は記憶されそして他の像と重 ねて像発生器により再生されうる。光ペンはスクリーンまたは書込面からの光に 感応し、光ペンにより指定されたこの書込面上の１点の位置はスクリーンまたは 書込面の１走査が完了する間の時間に対し光ペンが光をとり出す時点をきめるこ とにより一般に得られる。

２つの機能、すなわち「像表示」と「グラフィックタブレット」機能を上記の形 成の１つの装置において組合せると多くの利点が得られる。しかしながらこの形 式の装置の欠点の１つは比較的大きいスペース、特に奥行、すなわちスクリーン の面に直角の方向が大きくなるということである。これは主としてスクリーンと 電子源すなわち電子銃との間に大きい距離を要する電子ビームによる走査による ものである。これは、与えられた電子ビームの最大偏向角（走査のための）につ いて、この奥行は像面すなわち書込面の寸法を大きくするときには大きくしなけ ればならない。その結果、装置が大型となってコスト高となるから自動化された オフィス方式で多量に用いるには適さないことになる。

本発明は上記欠点を伴うことなく像表示とグラフィックタブレットを組合せた装 置に関する。このために本発明の装置は上記したところとは全く異なり動作する 書込面および上記とは異なる形の像発生器を使用する。

本発明の装置で使用しうる像発生器は、例えば動作自体は周知のマトリクスとし て行と列に配置される電気発光ダイオードパネルからなる形式の表示装置である 。電気発光ダイオードのマトリクス構成は従来のごとくに所望の像を発生するよ うに制御される。しかしながら、この表示装置はプラズマ形、すなわち電極のマ トリクス配置により従来通りに動作するものでもよい。この表示装置はまた周知 のような電極のマトリクス構成を用いる液晶形のものでもよい。このようにこれ ら異なる表示装置すなわち像発生器はマトリクス形表示装置または像発生器形表 示装置と呼ばれる同一のカテゴリに入るのであり、これらすべてのマトリクス形 表示装置は表面形であり且つ薄いという利点を有する。

本発明によれば、像発生器、光ペンおよび書込面からなる表示及び書込装置は１ つの感光面が書込面を形成するようになった感光素子マトリクスを有すること、 および光ペンが光輻射を出し、感光マトリクスが像発生器の前に置かれてそれが 発生する像をこのマトリクスを通して見るようにしたことを特徴とする。

本発明は限定を構成するものではない例として与えられた以下の説明および添付 の図面から充分理解されるものであり且つその効果と利点も明らかとなるものが ある。

第１図は本発明による感光装置の概略且つ部分図であって特にその「像表示」機 能および「グラフィックタブレット」機能を満足させる機能を示すものである。

第２図は特に［文書読取装置２機能である第３の機能を与えるために用いられる 光源の位置に関するこの感光装置の第２の実施例を示す概略図である。

第３図は第１．２図の感光マトリクスの結線図である。

第４ａ図−第４Ｃ図は「文書読取装置」機能の場合の第３図の感光マトリクスの 動作を説明するために用いられる信号を示す図である。

第５ａ図−第５１図は「グラフィックタブレット」機能における第３図の感光マ トリクスの動作を説明するために用いられる信号を示す図である。

第６ａ図および第６ｂ図は第３図の感光マトリクスの限定を含まない例を示すた めの、直交する２つの方向における横断面図である。

第７図は感光マトリクスの第２の実施例の概略斜視図である。

第１図は本発明による表示及び書込み装置１の部分概略図である。

本発明の１つの特徴によれば表示装置１は固体感光検出器形の感光マトリクス２ を有する。この感光マトリクス２は第３図についての説明において詳述するよう に、夫々少くとも１個の感光素子を冑する複数の感光ドツトＰｉ、Ｐ２．・・・ Ｐｎを支持する基体３で表わされている。

基体３に対して感光ドツトＰ１−Ｐｎの端部が、第１図では破線５で示す１つの 面内に配置される。この面は第１図の紙面に直角の面内にある感光表面である。

感光面５はｎ個の等しい表面５ｅ１−５ｅｎに分割され、夫々の表面が感光ドツ トＰＩ−Ｐｎを含む。第１図においては説明の便宜上具なる寸法についての比は 厳密に示しておらず、従って例えば表面５ｅｌ−６ｅｎの一方の側は２００μｍ 程度の長さｇｌを有し、基体３からの感光ドツトＰ１−Ｐｎの高さｈは数μｍ程 度であり、基体３自体の厚さＥはこの基体がこの例では透明となるようにガラス 製である場合には２〜３ｍｍ程度となる。

そのため、基体の下、すなわち感光ドツトＰｉ−Ｐｎに対向してマトリクス形の 光源７が配置されており、この光源の面は図に直角の面内となる。この像発生器 ７は前述のように動作自体は周知のマトリクスの行及び列として配置された電気 発光ダイオード（図示せず）で形成される。この電気発光ダイオードのマトリク ス回路は従来のようにその内のあるもののみを照明し所望の像を発生するように 制御される。像を含む光（矢印）は、感光マトリクス２を通して像がみえるよう にこの光が部分的に交叉する感光マトリクス２に向けて放出される。

このため感光ドツトＰ　１．−　Ｐ　ｎは表示装置すなわち像発生器７からの光 がこれら条件下で投映される像に充分な量だけ効率よく感光面５を通して見るこ とが出来るに充分に小さい面積を有する活性面５ａｌ−３ａｎを有する（活性面 ５ａｌ−５ｉｎはこの図の紙面に直角の面内にあってこの図では側部長ｐ２で示 されており、これら活性面は感光素子Ｐｉ−Ｐｎを含む感光素子の部分にほぼ対 応する）。実験によれば、このようにして感光面５を通して投映された像は感光 ドツトＰ１−Ｐｎの活性面ＳａニーＳａｎが表面５ｅｎ−Ｓｅｎの約５０％に等 しいかあるいはそれより小さいとき効率よく見られることを示している。

感光面５は感光マトリクス２の感光面を形成し、そして感光ドツトＰｉ−Ｐｎが 像発生器７からの光で照明されないように不透明なスクリーン１２が基体と夫々 の感光ドツトＰｉ−Ｐｎの間に配置される。

表示装置１は更に光ベン１５を有する。本発明の一つの特徴によればこの先ベン １５は感光面５の側の感光ドツトＰｉ−Ｐｎが感応する光束１６を出すから、こ の感光面５は書込面５を表わす。

光ベン１５は光を出すから、オペレータ（図示せず）がこのベン１５を手に持っ てそれで感光面５を照明して与えられた時点で与えられた領域（１個以上の連続 する表面５ｅｌ−Ｓｅｎで形成される）を指定することが出来る。オペレータは このようにして次々に感光面５上の異なる領域を指定して例えば互いに離れた位 置に固定した基準マークを構成することが出来る。またオペレータは任意の形の 曲線を描くために感光面５または書込面５を照明することも出来る。表面５ｅｌ −Ｓｅｎの照明は、その表面に含まれて位置を示す信号を出す感光ドツトＰＩ− Ｐｎにより検ａされる。隣接する感光ドツトシーケンスの位置は光ベン１５によ り感光面５にプロットされた曲線の再構成を可能にする。

像発生器７は異なる形式のものでもよく、例えば通常のプラズマ形表示装置でも よい。

また、破線で示す方形２０により示す標準的な液晶形表示装置を用いることも出 来る。この場合には像発生装置または表示袋ｒｔ７を光源と置きかえてもよく、 すなわち、それが光源装置７を形成しうる。

そのため、プラズマ形または発光ダイオードマトリクス形の表示内は光源として の機能または像表示ユニットとしての機能のいずれかを満足することの出来る光 装置を形成すると考えることが出来る。実際に例えば発光ダイオードで形成され る光装置７が光源として動作するときはすべての発光ダイオードが作動されて光 を与える。

像表示ユニットとして動作するときは発光ダイオードマトリクス回路が所望の像 を発生（勿論像表示中に光ベン１５を用いることが出来る）するように作動され る。グラフィックタブレットモードのみでの動作についてはすべての発光ダイオ ードは消光されて光装置７は光を出さず、光ペン１５の自由な使用を可能にする 。

その結果、例えばプラズマ形または発光ダイオードパネル形の表示装置により形 成される光装置７を用いることにより、像表示機能を満足すると同時にグラフィ ックタブレットモードでの動作を可能にし、そして更に感光マトリクス２により 文書１０の読取機能からなる第３の機能を表示および書込装置１で得ることが８ 来る。この第３の機能においては光装置７は光源を形成する。この光源からの光 は感光面または書込面５に対し平らに置かれた文書１００分析されるべき面１１ を照明する。実際に第１図の例では文書１０は感光面または書込面５に対し機械 的保護の機能を主として有する例えばガラスまたはプラスチックの透明なスクリ ーン９に対し平らに置かれる。光装置７からの光は分析されるべき面１１で反射 されてマトリクス２の感光ドツトＰＩ−Ｐｎを照明する。

液晶表示装置Ｆ２０で像発生装置が形成される場合には光装置７は光源となり、 装置２０は光装置７と感光マトリクス２の間に配置される。勿論この場合には光 装置７は著しく簡単に設計出来、そして全表面８に比較的均一な光束を出すよう にそれ自体周知の完全拡散壁により形成されるその表面８でつくることが出来る 。

液晶表示装置２０は従来通りに電極（図示せず）を支持する２つの基体２１．２ ２を有する。これら基体２１゜２２間の空間２３は液晶で満たされる。表示装置 １の製造を簡単にするために感光マトリクス２の基体３が液晶表示装置２０の基 体２１をも形成するようにすることが出来る。

第２図は本発明の他の実施例を示しており、分析されるべき文書１０ａは例えば 放射線フィルムのような透明または半透明形のものとなりでいる。、この場合、 文書１０ａは遮蔽スクリーンまたはガラス９の上に、すなわち書込面５の上面に 配置される。文書１０ｇの読取は文書１０ａの上に配置された平面形光源２５に より行われる。文書１０ａは、従って感光面５とこの第２光源２５の間に配置さ れる。感光ドツトＰｉ−Ｐｎの夫々はそれらの前にある分析されるべき文書１０ ａの面から入る光を検出する。この文書の光学像はこの場合光の実施例における ように反射ではなく、透過光により形成される。

この構成において、表示装置または像発生装置が液晶表示装置２０で形成される 場合を除き光源として光装置７を有する必要はない。

しかしながら、光源としての光装置ｔ７はそのままとしてもよい。実際には第２ 光源２５は光ベン１５（第２図には示さず）へのアクセスを可能にするために分 析されるべき文書１０ａから動かすことが出来る。放射線フィルムのような文書 の場合には光ベン１５はその画像上に基準マークを置くために使用出来そしてそ のために光源のような光装置７は文書１０ｇの像を照明すると同時に感光ドツト ＰＬ−Ｐｎへの影響を非常に少くするために有効である。

第３図は本発明による感光装置１の回路の部分図であって特に感光マトリクス２ とその感光ドツトの構造とを示すものである。この構造はこのマトリクスを「文 書読取」機能および「グラフィックタブレット」機能の両方について動作させう るという点で特に有効である。

マトリクス２は行および列として配置されそして夫々互いに直列になった第１お よびｊｉｉ！２素子Ｄａ、Ｄｂで形成される複数の感光ドツトＰｉ、Ｐ２．・・ ・、Ｐ３を有し、これら２個の素子ＤａとＤｂの内の少くとも１個は感光性であ る。第３図の実施例では第１および第２素子Ｄａ。

Ｄｂの夫々はダイオードで形成されており、これら２個のダイオードＤａとＤｂ は互いに直列に且つ逆方向に、すわち逆導方向に装着される。このような感光ド ツト組立体はトムソン−〇ＳＦの１９８６年１０月９日出願のフランス特許出願 ！８６１４０５８号に示されている。

この出願は固体感光装置に関し、その感光ドツトは上記のように形成されている 。この特許出願はこの形式の感光ドツトの動作を詳細に述べており、更にこの形 式の感光ドツトからなるマトリクスの読取方法および製造方法を述べている。従 ってこのフランス特許出願第８６１４０５８号は本願の一部を形成すると考えら れるべきである。

上記の例において、感光ドツトＰＩ−Ｐ９の数は第３図を簡略にするため３Ｘ３ マトリクス組立体に従って９となっている。しかしながら、本発明においてはこ のマトリクス組立体は前述したように例えば数百刃ドツトのような非常に大きな 容量をもつことが出来る。

マトリクス２は列導体Ｌｍ−Ｌ３と行導体Ｆｌ−Ｆ３を有し、これら導体の数は 第３図では３本であり、９個の感光ドツトＰＬ−Ｐ９が設けられる。

実際には従来通りに感光ドラ）ＰＩ−Ｐ９の夫々は列導体Ｌｌ−Ｌ３と行導体Ｆ ｌ−Ｆ３の交点に形成される。

各感光ドツトＰｉ−Ｐ９の一端１０は行導体Ｌｌ−Ｌ３に、第２端１１は列導体 Ｆｌ−Ｆ３に接続する。夫々の感光ドツトＰｉ−Ｐ９につき第１ダイオードＤａ と第２ダイオードＤｂ間の接続点が領域Ａを形成し、２個のダイオードＤａ、Ｄ ｂの少くとも一方により発生する電荷がそこに蓄積される。１！荷の量は感光ド ツトの照明度、すなわちそれの含む感光素子の照明度に比例する。

実際には２個のダイオードＤａ、Ｄｂは感光素子でよいが本発明の一つの特徴に よれば２個のダイオードＤａ。

Ｄｂの内１個が感光性であればよく２つの計画された動作モード、すなわち文書 読取装置としての動作とグラフィックタブレットとしての動作を可能にすればよ い。後述する動作から明らかなように感光性であるべきダイオードＤａまたはＤ ｂは感光ドツトＰｉ−Ｐ９の照明中に逆バイアスされるダイオードである。

本発明においては各感光ドツトＰｉ−Ｐ９について、第１および第２ダイオード Ｄａ、Ｄｂはホトダイオードであり、これらはそのアノード１０と１１が行Ｌｌ −Ｌ３と列Ｆｌ−Ｆ３に夫々接続するように装看される。

しかしながら、本発明においてはホトダイオードＤａ。

Ｄｂは第３図とは逆の導電方向に装看してもよい。

また、用語「ダイオード」は半導体ダイオードばかりでなく、場合によっては例 えばベースを浮かせた、すなわち接続しないＮＩＰｉＮまたはＰＩＮＩＰ形のト ランジスタまたはホトトランジスタでもよいことに注意すべきである。

また、前記フランス特許出ａ第８６１４０５８号に示される動作モード並びに以 降の本願の説明から明らかなように、２個のダイオードＤａ、Ｄｂの内の感光性 をもつものは常に逆バイアスされて照明により常に光電荷を発生しうるようにな っていることに注意すべきである。

その結果、このような感光素子の機能はホトダイオード以外の感光素子によって も満足されうるちのとなり、そしてこの感光素子は例えばホトレジスタでもよい 。

更に、各感光ドツトＰｉ−Ｐ９の第１、第２素子Ｄａ。

ＤｂがダイオードＤａ、Ｄｂであり、第２ダイオードＤｂが斜方向に感光性をも つものであるとする（第３図参照）と、第１ダイオードＤａにより与えられる機 能はそれが順バイアスされるときオン（すなわち低抵抗を有する）し、逆バイア スされるとオフ（非常に高い抵抗を有する）するコミユテータまたはスイッチの それとなる。

「文書読取」機能についてのマトリクス２の動作は上記フランス特許第８６１４ ０５８号に示される動作に対応し、読取られるべき文書１０．１０ａからの光で これらドツトを照明する間に各感光ドツトについて２個のダイオードＤａ、Ｄｂ は逆バイアスされる必要がある。これは列導体Ｆｌ−Ｆ３に基準電圧ＶＲを与え そして更に行導体Ｌ４−Ｌ３の夫々に順次列基準電圧ＶＲに対する電圧パルスを 与えることにより得られる。このパルスは第３図の例ではダイオードＤａ、Ｄｂ の組立体の方向からみて正のパルスである。

考えられる一つの組立体（所望の動作モードを得るための他の構成も可能）を− 例として次に示す。

各列導体Ｆｌ−Ｆ３は積分器として装着される増幅器ＧＦ、１−ＧＦ３の負入力 「−」に接続する。積分コンデンサＣＦ１−ＣＦ３が増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３の負 入力「−」とこの増幅器の出力０ＦＩ−ＯＦＢとの間に接続される。各増幅器Ｇ ＦＩ−ＧＦ３の第２正入力「＋」は、第３図に示すように接地電位でもよい上記 の基準電位ＶＲに接続する。各積分増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３は更に積分コンデンサ ＣＦＩ−ＣＦ３と並列になったリセットスイッチＩＦ１−ＩＦＢを含む。リセッ トスイッチＩＦＩ−ＩＦ３はリセット信号Ｖ、ＲＡＺで制御されるＭＯＳトラン ジスタで形成される。与えられた積分増幅器ＧＦ１−ＧＦ３のリセットスイッチ ＩＦコーＩＦ３は、この増幅器に接続する感光ドツトＰＩ−Ｐ９の読取シーケン ス中を除き積分コンデンサＣＦＩ−ＣＦ３を短絡するように閉じたまま、すなわ ちオンのままとされている。

増幅器ＧＦ１−ＧＦ３の出力ＯＦ　１−ＯＦ　３は例えばＣＣＤ（［荷結合装Ｎ ）形の、並列人力ＥＦＩ−ＥＦ３と直列出力ＳＦＩを存するシフトレジスタで形 成される列取出レジスタと呼ばれるアナログデータ取出レジスタ３２に接続する 。

上述の列導体Ｆｌ−Ｆ３の接続図は標準的なものであって読取装置を表わすと共 に感光ドツトＰ１−Ｐ９の読取中これら列導体に流れる電荷の取出しを可能にす る。

他方、行Ｌｌ−Ｌ３の接続については従来より多少複雑ではあるが両方の動作形 式（文書読取装置とグラフィックタブレット）について同一の感光ドツトＰＬ− Ｐ９の構造を使用することが出来る。

上記の例において行導体Ｌｌ−Ｌ３は文書読取装置として動作させるため各行導 体Ｌｌ−Ｌ３に順次正パルスを印加しうるようにするアドレス装置（行シフトレ ジスタ４６とパルス発生器４２を有する）のみでなく各感光ドツトＰｉ−Ｐ９に ついて２個のダイオードＤａ、　Ｄｂの一方を順バイアスし他方を逆バイアスす る（グラフィックタブレット動作）手段と光ペン１５で照明された感光ドラ）Ｐ ｌ−Ｐ９の接続する行導体Ｌｌ−Ｌ３を認識しうるようにする手段にも接続する 。このように照明される感光ドツトの接続する列導体は積分増幅器ＧＦ１−ＧＦ ３により認識される。

行導体Ｌｌ−Ｌ３の夫々とは列導体Ｆｌ−Ｆ３に接続する積分増幅器と同じ形の 積分増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３の負入力「−」に接続する。云い換えると、各行導体 Ｌ１−Ｌ３の電位は増幅器ＧＬ１−ＯＬ３の第２人力または正入力「＋」の電位 に対応する。各増幅器ＧＬ１−ＧＬ３について積分コンデンサＣＬＩ−ＣＬ３が この増幅器の負入力「−」と出力０ＬＩ−ＯＬ３０間に接続する。これら積分コ ンデンサＣＬ１−ＣＬ３の夫々に並列にリセットスイッチＩＬＩ−ＪＬ３が接続 する。これらスイッチは例えば第２リセツト信号Ｖ２．ＲＡＺにより制御される ＭＯＳトランジスタによって形成される。これら第２リセツト信号Ｖ２．ＲＡＺ はグラフィックタブレットモード動作の与えられた段階において積分コンデンサ ＣＬＩ−ＣＬ３とＣＦｌ−ＣＦ３を短絡するように設計されており、これらはま た列導体Ｆｌ−Ｆ３の増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３に接続する積分コンデンサにも加え られる。このため、増幅器ＧＦ１−ＧＦ３に接続するスイッチＩＦ：ｌ−！Ｆ３ はＯＲ回路３７により第１リセツト信号Ｖ、ＲＡＺまたは第２リセツト信号Ｖ２ ．ＲＡＺによって制御される。増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３の出力０Ｌ１−ＯＬ３は例 えば並列入力、直列出力ＳＱＬを有する形式のシフトレジスタで形成される行取 出レジスタである第２取出レジスタ３３の入力ＥＬＩ−ＥＬ３に接続する。

この例においては列および行取出レジスタ３２．３３は夫々制御入力３４．３５ を有し、これらにはそれらの入力ＥＦユニーＦ３とＥＬｌ−ＥＬ３に信号を加え たいときに負荷制御信号ＳＣＩ、ＳＣ２が夫々加えられる。

取出レジスタ３２．３３に含まれる情報部分はそれ自体標準的なものである主メ モリ（図示せず）に移される。

これらの情報部分は文書読取モード（この場合には列取出レジスタ３２について のみ）またはグラフィックタブレットモードのいずれかにマトリクス２の感光面 ５に形成される像を再構成するように従来のごとくに処理される。取出レジスタ ３２．３３に含まれる信号の出力は両レジスタに夫々含まれるトランスファパル スまたはトランスファ制御入力３８．３９に加えられる信号ＳＴの制御のもとで 演算される。これらトランスファパルスＳＴは光ベン１５（第１図）により与え られる時点で感光ドツトＰＩ−Ｐ９が間に接続する行導体Ｌｌ−Ｌ３と列導体Ｆ ｌ−Ｆ３を指定するために両レジスタ３２゜３３０信号の出力における既知の位 相関係を決定するように同一のトランスファパルス発生器４０により与えられる 。

行Ｌｌ−Ｌ３の電位はこの導体の接続する増幅器ＧＬ１−ＧＬ３の正入力「＋」 に加えられる電位に対応するから、各増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３の正入力「＋」は接 地電位に対し正電圧のパルスＳＬを出す行パルス発生器４２または接地電位すな わち列Ｆｌ−Ｆ３の電位に対し正の電圧を出す直流電源４５に接続する。このた め、増幅器ＧＬ１−ＧＬ３の各正入力「＋」はまず行パルススイッチＩＬ１−Ｉ Ｌ３により行パルス発生器４２に、次に他のスイッチＩＶＩ−ＩＶ３により直流 電源４５に接続する。増幅器ＧＬ１−ＧＬ３においてはこれらスイッチの一方ま たは他方のみが同一時点でオンとされる。

スイッチＩ　Ｌ　１．−　Ｉ　Ｌ　３はＭＯＳトランジスタで形成されそして行 導体Ｌｌ、Ｌ２．Ｌ３を順次行パルス発生器４２に接続するように行シフトレジ スタ４１の出力Ｕ１、ＬＴ２．Ｕ３により夫々制御される。このシーケンスはシ フトレジスタ４６のシフト制御人力４７に加えられる行シフトレジスタＳＤＬの 制御のもとで行われる。

同じく増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３の正入力「＋」に接続する他のスイッチＩＶ１−Ｉ Ｖ３もＭＯＳトランジスタでありグラフィックタブレット機能が確立すると同時 に確定する直流電圧信号ＶＳＧにより同時に制御される。

この例においては文書読取機能が進行中であるときには行パルス発生器４２から の電圧パルスＳＬが増幅器ＧＬ１の正入力に加えられ、そしてこの正パルスがこ の増幅器の負入力「−」に、すなわち行導体Ｌ１に生じ、このパルスＳＬがこの 行導体に接続するすべての感光ドツトＰｌ−Ｐ３に加えられるようになる。文書 読取モードの動作に関連して第４図で詳述したように、この行パルスＳＬの印加 により列導体Ｆｌ−ＦＢの夫々への電荷の注入が生じる。これら電荷の夫々とは 感光ドツトＰ１−Ｐ３の領域Ａに蓄積された電荷に対応する。これら電荷を形成 する信号は増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３の出力に電圧の形で存在しそしてこれら信号は 列取出レジスタ３２に入れられる。増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３に接続する積分コンデ ンサＣＦＩ−ＣＦ３はこのとき短絡しそして行パルス発生器４２が次の行導体Ｌ ２に接続するのであり、この導体Ｌ２には感光ドツトＰ４−Ｐ６の点Ａで集めら れている電荷に対応する電荷信号の、列導体Ｆｌ−Ｆ３の夫々への注入を生じさ せる行パルスＳＬも与えられる。予め列取出レジスタ３２が空とされそしてその 電荷が前述のように主メモリに移されていれば、列取出レジスタ３２には上の例 と同様に感光ドツトＰ４．Ｐ５．Ｐ６の点Ａにある電荷が再び入る。そしてこの サイクルは第３行導体Ｌ３についても再び確定し、これがこのマトリクスのすべ ての行のすべての感光ドツトの読取まで行われる。読取られるべき文書の全像に 対応する信号が列取出レジスタ３２の出力ＳＦＩに加わるから、これらは主メモ リに記憶しうる。

グラフィックタブレットモードでの動作については行増幅器ＩＶＩ−ＩＶ３の正 入力「＋」に接続するすべてのスイッチＩＬＩ−ＩＬ３が開となり、直流電圧ス イッチＩＶＩ−ＩＶＢはすべて閉じる。すなわち行増幅器ＧＬ４−ＧＬ３のすべ ての正入力「十」が直流電源４５からの電圧の正のバイアスＶｔに接続される。

これら条件下で第１ダイオードＤａは順バイアスされ、すなわちダイオードＤａ のしきい値を除き直流電源４５からの電圧として異なる点Ａに同じ電圧が出る。

他方、各感光ドツトＰｉ−Ｐ９の第２ダイオードＤｂは逆バイアスのままであり 、そしてそれが照明されると電荷を発生し、この電荷が行および列導体に流れる 。これら導体間には光ベン１５で照明される表面５ｅｌ−Ｓｅｎにある感光ドツ トＰｉ−Ｐ９が接続している。

例えば光ペンが表面Ｓｅ６、すなわち感光ドツトＰ６を照明すると、このドツト の領域Ａは直流電源４５の電位に近い正電位となる。その結果、第２感光ダイオ ードＤｂが逆バイアスされて電荷を出し、矢印５０で示す電流が行Ｌ２と列Ｆ３ に感光ドツトＰ６を交叉して、すなわちこのドツトＰ６のダイオードＤａ、Ｄｂ を通って流れる。その結果、第３列増幅器ＧＦ３の出力ＯＦ３の電圧に変化（減 少）をもたらすと共に第２行増幅器ＧＬ２の出力ＯＬ２の電圧に変化（増加）を もたらす。これらの電圧変化は第２行導体Ｌ２と第３列導体Ｌ３を他の行および 列導体から区別することおよびそれにより表面Ｓｅ６が光ベン１５で照明または 指定されたことの決定を可能にする。光ベン１５（第１図）からの光１６が同時 に数個の隣接する表面を照明したとすると、これら行および列導体により信号が 同時に発生し、それ故照明された中央の領域を決定することが出来る。

感光面５にあるのが曲線であれば、数個の感光ドツトＰｉ−Ｐ９が次々に照明さ れるが、それらの夫々については同時に信号が存在するのは間にこの感光ドツト が接続した行導体Ｌｌ−Ｌ３と列導体Ｆｌ−Ｆ３の間のみである。これは同時に これら信号の取出しと中央処理ユニット（図示せず）の主メモリへの移転中に維 持または確認されねばならない。従ってまずすべての行増幅器ＧＬ１−ＧＬ３の 出力０Ｌｉ−ＯＬ３に含まれる値および次にすべての列増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３の 出力０ＦＩ−ＣＦ３にある値が同時に行増幅器ＧＬ１−ＧＬ３用の行取出レジス タ３３と列増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３用の列取出レジスタ３２に入れられる。この動 作が行われてしまうとすべての積分コンデンサＣＬＩ−ＣＬ３およびＣＦｌ−Ｃ Ｆ３は、第２リセツト信号Ｖ２．ＲＡＺにより制御されるリセットスイッチによ り放電すなわち短絡される。

次にすべての行および列増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３とＧＦｌ−ＣＦ３はそれらが接続 する行導体Ｌｌ−Ｌ３または列導体Ｆｌ−Ｆ３に入る電流の積分の用意を完了す る。与えられた時点で行導体Ｌｌ−Ｌ３と列導体Ｆｌ−Ｆ３を流れる電流は感光 ドツトＰｉ−Ｐ９の第２ダイオードＤｂであってこの与えられたドツトで照明さ れそしてこの行および列導体の交点にあるものにより発生される光電荷に対応し 、そして行導体Ｌ１−Ｌ３の確認により座標Ｙが、列導体の確認が座標Ｘを与え る。

行および列増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３とＧＦｌ−ＣＦ３がそれらに入る電流の積分可 能な期間に、取出レジスタ３２．３３に含まれるデータまたは信号の部分が主メ モリに移しうる。これはトランスファ信号発生器４０からの同一のトランスファ 制御パルスＳＴを両レジスタ３２゜３３に同時に加えることにより行われる。こ れらトランスファ信号ＳＴは例えば周波数Ｉ　Ｍ　Ｈｚで出される。これら条件 のもとて例えばマトリクス２が２０００本の行導体と２０００本の列導体により 形成される４百万個の感光ドツトからなるマトリクスであるとすると、行取出レ ジスタ３３に記憶されたデータの２０００個の部分と列取出レジスタ３２に記憶 されたデータの２０００個の部分の同時的トランスファは２　ｔａｓｅｃで行わ れる。表面５ｅｌ−Ｓｅ９の測長１１が例えば１００ミクロン程度であるとし、 更に感光面５上の光ペンの動作速度が３〜４ｃｍ／秒程度であるとすると、表面 ５ｅｌ−５ｅ９の照明のスタートとこの表面が完全に照明される時点との間の時 間は上記のデータトランスファ時間より著しく長くなり、それ故感光面５の全像 に関係するデータの取出しは１つの表面を横切るに必要な時間で行うことが出来 る。

第３図の例においては感光ドツトＰｉ−Ｐ９の活性面５ａｌ−８ａ９は表面５ｅ ｌ−８ｅ９よりかなり小さい。

この「かなり小さい」とはこれら活性面５ａｌ−６ａ９が実用上隣接する感光ド ツト間の短絡を防ぐために表面５ｅｌ−３ｅ９より小さいのみならず、第１図に ついてすでに述べたように分析されるべき文１Ｆ１０．１０ａを照明しあるいは 満足すべき条件下で像を投映するに充分な量の光を通させるために充分小さいこ とを意味する。

感光ドツトＰＬ−Ｐ９の活性面５ａｌ−ｓａ９はこの感光ドツトを含む感光素子 の部分に対応し、すなわちほぼ行導体Ｌ１−Ｌ３と列導体Ｆｌ−ＦＢ間の交叉部 の、これら導体の幅で与えられる面に対応する。

第４ａ−４ｃ図は第３図で述べた文書読取モードでの感光マトリクス２の動作を 示す。

第４ａ図は特に第２感光ドツトＰ２の動作を示すために列パルス発生器４２から の行パルスＳＬの第１行導体Ｌ１への印加を示している。

第４ｂ図は行導体Ｌ１と列導体Ｆ２の交点にある第２感光ドツトＰ２の領域Ａに おける電位ＶＡの変化を示している。

第４Ｃ図は感光ドツトＰ２からの電荷Ｑと行パルスＳＬの印加との間の時間的相 関性を示す。第４ｃ図は照明によって発生される電荷のみを示している。感光ド ツトに与えられる電圧変化により列導体Ｆｌ−Ｆ３に流れる電荷は示していない 。

第４ａ図において、行パルスＳＬは時刻ｔＱでスタートして振幅ｖＯになる。こ の振幅ＶＯは時刻ｔ３まで維持される。第４ｂ図はパルスＳＬのスタートにより 領域Ａの電圧ＶＡが時刻ｔｏから、時刻ｔ３の前の時刻ｔ２での値ＶＯにほぼ等 しい値になるまで増加することを示している。第４ｃ図は列Ｆ２に流れる電荷Ｑ ２の量を示す。これら電荷は時刻ｔｏとｔ２の間の時刻ｔ１で第２感光ドツトＰ ２により発生される。時刻ｔ１は第１ダイオードＤａが順バイアスとなる時刻に 対応する。時刻ｔ３において、行導体Ｌｌ（第４ａ図）に与えられるパルスＳＬ が値■０から０になり、ダイオードＤａとＤｂが逆バイアスされてコンデンサと して動作する。点Ａ（第４ｂ図）の電圧ＶａはほぼｖＯの半分である値ｖ１にな る。これはダイオードＤａとＤｂが逆バイアスされたことを意味する。かくして 時刻ｔ３から、感光ドツトＰ２の照明により発生される電荷が領域Ａに記憶され る。電荷のこの蓄積は領域Ａの電圧ＶＡを減少させる（第４ｂ図に示すように） 、時刻ｔ４において第１行導体Ｌ１に加えられる第２行パルスＳＬが電圧ＶＡの 変化を生じさせる（第４ｂ図）。電圧ＶＡは時刻ｔ５で値Ｖｄとなるように増加 する。この値Ｖｄにおいて、このダイオードは順バイアスにもどる。その結果、 第２電荷Ｑが第２列Ｆ２に注入される。このサイクルは文書の読取が終了するま でくり返される。同一の行導体に加えられる２個の行パルスＳＬ間のペリオドＴ １においてそれを行うに際し行導体Ｌｌ−Ｌ３の夫々に行パルスＳＬを次々に加 えることにより感光マトリクス２のすべての感光ドツトＰｉ−Ｐ９に対し同様の 動作が得られる。

第５ａ−５Ｎ図はグラフィックタブレッ゛トモードについての感光マトリクス２ の動作を示す。

時刻１０から１個の感光ドツトのみ、例えば第２感光ドツトＰ２のみが照明され るとすると、この照明は第５ａ図に時刻ｔｏではじまる方形パルスで示されてい る。

第５ｂ、５ｐ図は時刻ｔｏにおいて電流ｌが第１行導体Ｌ１と第２列導体Ｆ２に 流れはじめることを示す、第５ｃｓ　５ｄｓ　５ｅｓ　５ｇ図は第２感光ドツト Ｐ２のみが照明されるときには他の行および列導体には電流が流れないことを示 す。第５ｈ図は電流ＩＬＩの積分により第１行増幅器ＧＬＩの出力に生じる出力 電圧Ｖ、ＯＬ１の変化を示す。第５１図は列電流ＩＦ２により第２列増幅器ＧＦ ２の出力に生じる出力電圧Ｖ、ＯＦ２の変化を示す。

第５ｊ図は時刻ｔ２においてロード制御信号ＳＣが取出レジスタ３２．３３に加 えられてこれらレジスタに増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３とＧＦｌ−ＣＦ３の出力電圧に 対応する信号を入れるようにすることを示す。第２感光ドツトＰ２のみが照明さ れるから、第１行増幅器ＧＬ１と第２列増幅器ＧＦ２に夫々対応する出力電圧Ｖ 、ＯＬ１とＶ、０Ｆ２（第５ｂ、、５５図）のみが変更される。これら信号は時 刻ｔ２において出力電圧Ｖ、ＯＬ４とＶ。

０Ｆ２（第５ｂ、５ｘ図）が有する電圧レベルＶＳＩ。

ＶＳ２を有する。

第５に図はロード制御信号ＳＣの終了に続く時刻ｔ３におけるＮ２リセット信号 Ｖ２．ＲＡ、Ｚの印加を示している。第２リセツト信号Ｖ２．ＲＡＺは次のサイ クル中のように行および列積分増幅器ＧＬＩ−ＧＬ３．ＧＦＩ−ＣＦ３のすべて に１つの行または列の電流の積分の用意をさせるべく積分コンデンサＣＬＩ−Ｃ Ｌ３とＣＦＩ−ＣＦ３のすべてを短絡するために用いられる。次のサイクルは信 号Ｖ２．ＲＡＺの終了に対応する時刻ｔ４でスタートする。この信号からはじま って上記の動作がくり返される。この動作において、夫々行導体ＬＸ−Ｌ３に接 続する積分増幅器ＧＦＩ−ＧＦ３と夫々列導体Ｆ１−Ｆ３に接続する列導体ＧＦ Ｉ−ＧＦ３は電流検出機能を有する。

グラフィックタブレットモード動作が第１時刻ｔｏの前にスタートしたとすると 、上記の動作サイクルがそれにより行われている。これはデータ部分がすてに取 出レジスタ３２．３３に移されていることを意味する。取出レジスタ３２．３３ に含まれるデータまたは信号は第５ｊ、図に示すようにロード制御信号ＳＣの終 了時と次のロード制御信号ＳＣのスタート時との間のトランスファ時間Ｔ２にお いて主メモリに移される。レジスタ３２゜３３のこのデータトランスファはトラ ンスファ時間Ｔ２においてトランスファパルスＳＴ（第５ｐ図）をレジスタ３２ ．３３に同時に加えることで行われる。

第６ｇ、６ｂ図は本発明による感光マトリクス２の第１実施例の２つの直交する 方向における横断面図である。

感光マトリクス２は例えばガラスまたは石英からなる透明な基体３の上に形成さ れる。基体３の上には光に対して不透明であり例えばクロムまたはモリブデンで ある導電材料からなる層６〕がつけられる。この導電層６１は列導体Ｆ　１．− 　Ｆ　３を形成すべくエツチングされる。列導体は不透明であるから基体と感光 ドラ）Ｐｉ−Ｐｎの間に配置される第１図のスクリーン１２を形成する。導電層 ６１はエツチング後に上下に配置される第１および第２ダイオードＤａ、Ｄｂを 形成するようになりたいくつかの半導体層６２．６３．６４．６５．６６の積層 体６０で覆われる。これらダイオードＤａ、Ｄｂはこの例ではホトダイオードで ある。まず導電層６１の上にＰ形不純物でドーピングされた水素化非晶質シリコ ン層６２が設ｊすられる。このシリコン層６２の上に真性水素化非晶質シリコン 層６３が設けられる。このシリコン層６３の上に例えば燐であるＮ形不純物でド ーピングされた水素化非晶質シリコン層６４が設けられる。かくして、半導体層 がつくられそしてこれらにより第２ダイオードＤｂがつくられる。Ｎ形不純物で ドーピングされた第３の水素化非晶質シリコン層６４は第１ダイオードＤａにも 共通である。次にこの第３半導体層６４の上に真性水素化非晶質シリコン層６５ が、そして最後に例えばボロンであるＰ形不純物でドーピングされた水素化非晶 質シリコン層６６が設けられる。

５個の半導体層６２．６３．６４．６５．６６は次に島形パターン上にエツチン グされる。Ｐ形でドーピングされた非晶質シリコン層６６の上に例えばシリコン 窒化物である電気的に絶縁性の透明な材料層６７が与えられる。従来のごとくに 第１ダイオードＤａの上のこの絶縁層６７に開口がつくられてこれらダイオード を例えばインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）のような導電性で透明な材料からなる 層７０と接触させるようにする。この導電層７０は行導体Ｌｌ−Ｌ３をつくるべ くエツチングされる。

層７０をエツチングして行導体Ｌｌ−Ｌ３がつくられた後にその上に例えばシリ コン窒化物である透明な絶縁層７１が形成される。その役割は機械的なシールド を行うことである。層７１はかくして必要であれば感光面の上に配置される透明 シールドガラスまたはスクリーン９の代りとすることが出来る（第１図）。

更に第１図の液晶表示装置２０の、例えば第ユ壁２１のような、壁の内の１つを つくるために感光マトリクス２０基体３を使用出来る。このためにはダイオード Ｄａ。

Ｄｂに対向する基体３の面７２の上に例えばインジウム・錫酸化物ＣＩＴＯ）の 導電性透明層７３を設けるだけでよい。この透明な導電層は例えば従来のごとく に液晶表示装置からなる固体電極表面を形成する。

第７図は他の実施例における感光マトリクス２の概略的な部分図を示す斜視図で ある。この実施例は第６　ａ、。

６ｂ図の実施例と比較するとマスキングとエツチングの数が少くてよいという利 点を有する。

第７図の実施例では導電性層６１は基体３の上に設けられそしてエツチングされ て列導体Ｆｉ、Ｆ２を形成する。これら列導体の上で重畳したダイオードＤａと Ｄｂをつくるようになった積層体６０を形成する５つの半導体層６１−６５がエ ツチングされる。次にこの積層体６０の上に上記透明導電層７０が設けられる。

層７１は行導体Ｌｌ−Ｌ３を形成するためエツチングされるようになっている。

次にこの導電層７０と半導体積層体６０が同時にエツチングされて積層体６０が 、行導体Ｌｌ。

Ｌ２の下に配置されそしてＬｌ、Ｌ２と同一の形状、同一の面積を有する条片６ ０ａを形成する。この実施例では半導体積層体６０が島形にエツチングされず行 導体Ｌ１．Ｌ２と同様にエツチングされる場合には、このようにして形成される 感光ドツトＰｉ、Ｐ２．Ｐ４．Ｐ５は行導体Ｌｌ、Ｌ２と列導体Ｆ１．Ｆ２の交 点に位置することになる。感光ドツトＰｉ、Ｐ２．Ｐ４．Ｐ５の活性面Ｓａｌ、 Ｓａ２．Ｓａ４．Ｓａ５　（第７図にハツチングで示す）は行導体Ｌｌ、Ｌ２と 列導体Ｆｌ、Ｆ２の交点表面によってのみ形成される。これは、重なったダイオ ードＤａとＤｂが行および列導体の交点表面間にのみ形成されることを意味する のであり、その理由は充分な電界がつくられる活性面Ｓａｌ、Ｓａ２．Ｓａ４゜ Ｓｘ５の下となるからである。その結果、２個の隣接する感光ドツト（例えば感 光ドツトＰ１とＰ２５）間であって同一の行導体の下に位置する領域Ｚにより表 示されて低抗が大であるからこれら感光ドツトは短絡されない。

勿論この技術は活性面５ａｌ−５ａ９が表面５ｅｌ−５ｅ９の面積より「かなり 小さい」面積を有することにより可能となるものである。

ＦＩＧ−７ 国際調査報告 国際ｖ４査報告

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. １．像発生装置（７，２０）と、光ペン（１５）と、書込面（５）とを備えてい る表示及び書込装置において、感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）のマトリクス（２）を 有し、前記光ベン（１５）が光（１６）を放射し、前記像発生装置（７，２０） により発生された像が前記感光マトリクスを通して見えるように前記マトリクス
2. （２）が前記像発生装置（７，２０）の前に配置されることを特徴とする表示及 び書込装置。 ２．前記像発生装置（７，２０）はマトリクス形であることを特徴とする請求項 １記載の表示装置。
3. ３．前記感光面（５）が、夫々感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）を有する複数の表面（ Ｓｅ１−Ｓｅ９）に分割され、各感光ドットが前記表面（Ｓｅ１−Ｓｅ９）より かなり小さい活性面（Ｓａ１−Ｓａ９）を有することを特徴とする請求項１また は２記載の表示装置。
4. ４．文書（１０，１０ａ）の読取のために前記感光マトリクス（２）を用いるべ く、そのマトリクス（２）の上に配置された前記文書（１０，１０ａ）を照明す るための少くとも１個の光源（７，２５）を有することを特徴とする請求項１乃 至３のいずれかに記載の表示装置。
5. ５．前記光源（２５）は読取られるベき文書（１０ａ）に対し前記感光マトリク ス（２）の反対側に配置されることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
6. ６．前記光源（７）は前記像発生装置（２０）に対して感光マトリクス（２）の 反対側に配置されることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
7. ７．前記光源（７）は像発生装置で形成されることを特徴とする請求項４記載の 表示装置。
8. ８．前記感光面（５）は表面（Ｓｅ１−Ｓｅ９）に分割され、各表面が感光ドッ ト（Ｐ１−Ｐ９）を有し、前記マトリクス（２）が行導体系（Ｌ１−Ｌ３）と列 導体系（Ｆ１−Ｆ３）からなり、各感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）が１本の行導体（ Ｌ１−Ｌ３）と１列の列導体（Ｆ１−Ｆ３）の間に接続されており、更に、前記 書込表示装置（１）が前記光ベン（１５）により照明される１つの表面（Ｓｅ１ −Ｓｅ９）内に位置する１つの感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）を間に接続する前記導 体（Ｌ１−Ｌ３）と列導体（Ｆ１−Ｆ３）を区別するための手段（Ｄａ，Ｄｂ， ＧＬ１，ＧＦ１，４５，３２，３３）を含むことを特徴とする請求項１乃至７の いずれかに記載の表示装置。
9. ９．前記マトリクス（２）を文書続取動作モードとしうるアドレス装置（４６， ４２）と読取装置（３２）を更に含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置 。
10. １０．前記各感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）が直列となった第１および第２素子（Ｄ ａ，Ｄｂ）からなり、第１素子（Ｄａ）が整流手段を形成し、第２素子（Ｄｂ） が感光素子であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置 。
11. １１．前記第１素子（Ｄａ）はダイオードであることを特徴とする請求項１０記 載の表示装置。
12. １２．前記第１素子を形成するダイオード（Ｄａ）は感光素子であることを特徴 とする請求項１１記載の表示装置。
13. １３．前記第２素子（Ｄｂ）はダイオードであることを特徴とする請求項１０乃 至１２のいずれかに記載する表示装置。
14. １４．前記第２素子（Ｄｂ）はホトレジスタであることを特徴とする請求項１０ 乃至１２のいずれかに記載の表示装置。
15. １５．前記第１素子を形成するダイオード（Ｄａ）を順バイアスする手段（４５ ，ＩＶ１−ＩＶ３）を更に含むことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか に記載の表示装置。
16. １６．前記各感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）は逆方向に直列となった２個のダイオー ド（Ｄａ，Ｄｂ）を有し、少くともその一方（Ｄｂ）が感光性であることを特徴 とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の表示装置。
17. １７．１個の第１ダイオード（Ｄａ）が順方向にそして第２ダイオード（Ｄｂ） が逆方向にバイアスされるようにこれらダイオード（Ｄ２，Ｄｂ）をバイアスす る手段（４５，ＩＶ１−ＩＶ３）を含み、少くとも第２ダイオード（Ｄｂ）が感 光性であることを特徴とする請求項１６記載の表示装置。
18. １８．光に対し不透明なスクリーン（１２）が前記感光ドット（Ｐ１−Ｐ９）と 前記像発生装置（７，２０）との間に配置されることを特徴とする請求項１乃至 １７のいずれかに記載の表示装置。
19. １９．前記感光マトリクス（２）は、基体（３）を有し、その基体（３）に対向 する一方の面が感光面（５）を構成する構造を形成すべく、行導体（Ｌ１−Ｌ３ ）と列導体（Ｆ１−Ｆ３）との間に配置された半導体層（６２，６３，６４，６ ５，６６）の積層体（６０）を前記基体（３）が支持すること、および前記感光 面（５）の上に絶縁性透明層（７１）が設けられることを特徴とする請求項１乃 至１８のいずれかに記載の表示装置。
20. ２０．前記感光マトリクス（２）は行導体（Ｌ１−Ｌ３）と列導体（Ｆ１−Ｆ３ ）との間に配置される半導体層（６２，６３，６４，６５，６６）の積層体（６ ０）を支持する基体（３）を有し、この積層体（６０）が夫々各行導体（Ｌ１− Ｌ３）の下に配置されそしてこれら行導体（Ｌ１−Ｌ３）と前記積層体（６０） の同時エッチングにより得られる条片（６０ａ）を形成するようにエッチングさ れることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の表示装置。
21. ２１．前記像発生装置（２０）が液晶表示装置（２０）で形成されると共に前記 感光マトリクス（２）が透明の基体（３）を有し、さらにこの基体（３）が前記 表示装置（２０）の壁（２１）を形成することを特徴とする請求項１乃至２０の いずれかに記載の表示装置。