JPH0244059B2 - - Google Patents
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- JPH0244059B2 JPH0244059B2 JP58116071A JP11607183A JPH0244059B2 JP H0244059 B2 JPH0244059 B2 JP H0244059B2 JP 58116071 A JP58116071 A JP 58116071A JP 11607183 A JP11607183 A JP 11607183A JP H0244059 B2 JPH0244059 B2 JP H0244059B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビームによるレジスト加工方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a resist processing method using an electron beam.
従来より、電子ビームによるレジスト加工を適
用してマイクロフレネルレンズを製造する方法が
知られている。この方法によれば、まず第１図に
示すように、スピンコートによるガラス基板１上
に透明な電子ビームレジスト２を適当な膜厚に塗
布し、ベーキングにより溶剤を除去した後、該電
子ビームレジスト２上に導電性薄膜３を蒸着、ス
パツタリング等の手段により形成する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a method of manufacturing a micro Fresnel lens by applying resist processing using an electron beam has been known. According to this method, as shown in FIG. 1, a transparent electron beam resist 2 is first applied to a suitable thickness on a glass substrate 1 by spin coating, and after removing the solvent by baking, the electron beam resist 2 is A conductive thin film 3 is formed on the conductive film 2 by means such as vapor deposition or sputtering.
次いで、上記ガラス基板１を第２図に示すよう
に基板ホルダ４にセツトして、電子ビームレジス
ト２に電子ビーム６を輪帯パターンにならつて照
射する。このとき、照射された電子がガラス基板
１や電子ビームレジスト２に蓄積（帯電）して露
光パターンを乱すのを阻止するために、導電性薄
膜３から基板ホルダ４に設けたアースピン５を介
して照射された電子を外部に逃がしている。 Next, the glass substrate 1 is set on the substrate holder 4 as shown in FIG. 2, and the electron beam resist 2 is irradiated with an electron beam 6 in a ring pattern. At this time, in order to prevent the irradiated electrons from accumulating (charging) the glass substrate 1 or the electron beam resist 2 and disturbing the exposure pattern, the conductive thin film 3 is connected to the ground pin 5 provided on the substrate holder 4. The irradiated electrons are released to the outside.
電子ビーム露光後、導電性薄膜３をエツチング
により除去し（第３図参照）、次いで電子ビーム
レジスト２を現像処理する。これにより、第４図
ａ，ｂに示すようなレジストパターン、すなわち
輪帯２ａを形成する。 After electron beam exposure, the conductive thin film 3 is removed by etching (see FIG. 3), and then the electron beam resist 2 is developed. This forms a resist pattern as shown in FIGS. 4a and 4b, that is, an annular zone 2a.
上記方法によれば、電子ビーム６を照射して行
うため、微細な輪帯パターンでも容易に形成でき
る。しかしながら、電子ビーム６は導電性薄膜３
を通つて電子ビームレジスト２に到達するため、
実際に電子ビームレジスト２に照射される照射量
は減少する。この減少をカバーするためには、電
子ビーム照射源においてより多くの電子ビームを
発生させなければならず、電子ビーム照射源の負
担が増加して、該電子ビーム照射源の寿命に影響
を与える問題があつた。 According to the above method, since the electron beam 6 is irradiated, even a fine annular pattern can be easily formed. However, the electron beam 6
In order to reach the electron beam resist 2 through
The amount of radiation actually applied to the electron beam resist 2 decreases. In order to compensate for this decrease, more electron beams must be generated in the electron beam irradiation source, which increases the burden on the electron beam irradiation source, causing problems that affect the lifespan of the electron beam irradiation source. It was hot.
また、電子ビーム露光後に、導電性薄膜３をエ
ツチングにより除去する際、下地である電子ビー
ムレジスト２の表面をあらわす問題があつた。こ
の電子ビームレジスト２表面のあれは現像処理後
にも残り、レンズとして使用する際、回折光を散
乱させて、レンズ収差を発生させる原因となる。 Further, when removing the conductive thin film 3 by etching after electron beam exposure, there was a problem in that the surface of the underlying electron beam resist 2 was exposed. This roughness on the surface of the electron beam resist 2 remains even after the development process, and when used as a lens, it scatters diffracted light and causes lens aberration.
さらに、最終的に不要となる導電性薄膜３を電
子ビームレジスト２上に形成し、かつ露光後に除
去することは、レンズ製造工程を複雑にしコスト
アツプの原因となる。 Furthermore, forming an ultimately unnecessary conductive thin film 3 on the electron beam resist 2 and removing it after exposure complicates the lens manufacturing process and increases costs.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、電子ビーム露光に際し照
射量が減少したり、あるいは露光後の電子ビーム
レジスト表面があれたりすることがなく、さらに
工程を簡略化してコストダウンを図ることができ
る電子ビームによるレジスト加工方法を提供する
ことである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to prevent the irradiation dose from decreasing during electron beam exposure or the surface of the electron beam resist after exposure to become rough, and to further improve the process. An object of the present invention is to provide a resist processing method using an electron beam that can be simplified and reduce costs.
本発明はガラス基板上に導電性薄膜を形成し、
次いで該導電性薄膜上に電子ビームレジストを塗
布して、該電子ビームレジストに電子ビーム露光
し、現像処理することを特徴としている。 The present invention forms a conductive thin film on a glass substrate,
Next, an electron beam resist is applied onto the conductive thin film, and the electron beam resist is exposed to electron beam and developed.
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第５図〜第６図は本発明をマイクロフレネルレ
ンズの製造に適用した一例を示す。本実施例で
は、まず第５図に示すように、ガラス基板１０上
に透明な導電性薄膜１１を蒸着、スパツタリン
グ、CVD等の手段により形成した後、スピンコ
ートにより該導電性薄膜１１上に電子ビームレジ
スト１２（例えばPMMA）を適当な膜厚に塗布
してベーキングにより溶剤を除去する。 5 and 6 show an example in which the present invention is applied to the manufacture of a micro Fresnel lens. In this example, as shown in FIG. 5, a transparent conductive thin film 11 is first formed on a glass substrate 10 by means such as vapor deposition, sputtering, or CVD, and then electrons are deposited on the conductive thin film 11 by spin coating. A beam resist 12 (for example, PMMA) is applied to an appropriate thickness and the solvent is removed by baking.
透明な導電性薄膜１１としては、In2O3（酸化イ
ンジウム）、SnO2（酸化スズ）、ITO（Indium−
Tin−Oxide）等がある。ITOの場合、シート抵
抗は膜厚1000Åで20Ω／□以下である。 As the transparent conductive thin film 11, In 2 O 3 (indium oxide), SnO 2 (tin oxide), ITO (Indium-
Tin-Oxide), etc. In the case of ITO, the sheet resistance is 20Ω/□ or less at a film thickness of 1000Å.
本発明では、上述のように導電性薄膜１１上に
電子ビームレジスト１２を塗布する点に第一の特
徴があり、従来の場合とは反対となつている。従
つて、次の電子ビーム露光工程において、電子ビ
ーム１３は直接電子ビームレジスト１２に照射さ
れ、導電性薄膜１１により照射量が減少すること
はない。 The first feature of the present invention is that the electron beam resist 12 is coated on the conductive thin film 11 as described above, which is the opposite of the conventional case. Therefore, in the next electron beam exposure step, the electron beam 13 is directly irradiated onto the electron beam resist 12, and the amount of irradiation is not reduced by the conductive thin film 11.
次いで、第６図に示すように、ガラス基板１０
を基板ホルダ１４にセツトして、電子ビーム１３
を輪帯パターンにならつて電子ビームレジスト１
２に照射する。このとき、基板ホルダ１４のアー
スピン１５は電子ビームレジスト１２を突き破り
導電性薄膜１１に接触して、照射された電子がガ
ラス基板１０、電子ビームレジスト１２に蓄積す
ることがないように外部に逃がしている。 Next, as shown in FIG.
is set on the substrate holder 14, and the electron beam 13 is
Electron beam resist 1 following the annular pattern
2. At this time, the ground pin 15 of the substrate holder 14 breaks through the electron beam resist 12 and contacts the conductive thin film 11, allowing the irradiated electrons to escape to the outside so that they do not accumulate on the glass substrate 10 and the electron beam resist 12. There is.
この後、導電性薄膜１１を除去することなく直
ちに電子ビームレジスト１２を現像処理する。こ
れにより前述の第４図ａ，ｂに示すものと同様の
輪帯１２ａが形成される。電子ビームレジスト１
２が例えばPMMA（ポリメタクリル酸メチル）の
ようにポジ型の場合、電子ビーム１３の照射部分
が溶解除去される。 Thereafter, the electron beam resist 12 is immediately developed without removing the conductive thin film 11. As a result, an annular zone 12a similar to that shown in FIGS. 4a and 4b is formed. Electron beam resist 1
If 2 is of positive type, such as PMMA (polymethyl methacrylate), the portion irradiated with the electron beam 13 is dissolved and removed.
本発明では、上述のように導電性薄膜１１をそ
のまま残しておく点に第二の特徴がある。本実施
例では、導電性薄膜１１はレンズの一部となる。
従つて、導電性薄膜１１を除去するエツチング工
程を省略でき、また電子ビームレジスト１２の表
面があらされるようなこともない。 The second feature of the present invention is that the conductive thin film 11 is left as is as described above. In this embodiment, the conductive thin film 11 becomes a part of the lens.
Therefore, the etching process for removing the conductive thin film 11 can be omitted, and the surface of the electron beam resist 12 will not be exposed.
第７図は上述のように製造されたマイクロフレ
ネルレンズの使用状態を示している。同図によれ
ば、入射レーザ平行光束１６はガラス基板１０、
導電性薄膜１２を通過し、電子ビームレジスト１
２で形成された輪帯１２ａにより回折されてマイ
クロフレネルレンズの光軸上の点Ａに収束する。 FIG. 7 shows the state in which the micro Fresnel lens manufactured as described above is used. According to the figure, the incident laser collimated beam 16 includes a glass substrate 10,
The electron beam resist 1 passes through the conductive thin film 12.
It is diffracted by the annular zone 12a formed by 2 and converged on a point A on the optical axis of the micro Fresnel lens.
なお、マイクロフレネルレンズ製造用原型を製
造する場合にも上述の実施例と同様にして行う。
この場合、導電性薄膜１２は透明である必要がな
いので、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、アルミ
ニウム（Al）等を使用することができる。 In addition, when manufacturing a prototype for manufacturing a micro Fresnel lens, it is carried out in the same manner as in the above-mentioned embodiment.
In this case, the conductive thin film 12 does not need to be transparent, so gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), etc. can be used.
また、マイクロフレネルレンズやその製造用原
型以外の製造にも広く適用できる。 Moreover, it can be widely applied to manufacturing other than micro Fresnel lenses and their manufacturing prototypes.
以上説明したように本発明によれば、ガラス基
板上に導電性薄膜を形成し、次いで該導電性薄膜
上に電子ビームレジストを塗布して、該電子ビー
ムレジストに電子ビーム露光し、現像処理するの
で、従来のように導電性薄膜により電子ビームが
遮断されず、電子ビームは直接電子ビームレジス
トに照射されて照射量が減少することなく、この
ため従来よりも電子ビーム照射源の負担を軽減す
ることができる。 As explained above, according to the present invention, a conductive thin film is formed on a glass substrate, an electron beam resist is then applied on the conductive thin film, and the electron beam resist is exposed to electron beam and developed. Therefore, unlike conventional methods, the electron beam is not blocked by a conductive thin film, and the electron beam is directly irradiated onto the electron beam resist, so the irradiation amount does not decrease, which reduces the burden on the electron beam irradiation source compared to conventional methods. be able to.
また、電子ビーム露光後に直ちに現像処理が行
なえ、従来のようにレジスト上の導電性薄膜を除
去する工程が不要となり、工程が簡略化されてコ
ストダウンを図ることができ、また導電性薄膜の
除去にともなうレジスト表面のあれの発生もな
い。 In addition, development processing can be performed immediately after electron beam exposure, eliminating the need for the conventional process of removing the conductive thin film on the resist, simplifying the process and reducing costs. There is no occurrence of roughness on the resist surface caused by the process.
従つて、本発明によりマイクロフレネルレンズ
やその製造用の原型を製造すると、レンズ収差の
少ないものが得られ、また製造コストを下げるこ
とができる。 Therefore, by manufacturing a micro Fresnel lens or a prototype for its manufacture according to the present invention, a lens with less aberration can be obtained, and manufacturing costs can be reduced.
第１図〜第３図は従来の方法を適用してマイク
ロフレネルレンズを製造する工程の説明図、第４
図ａは同方法によつて製造されたマイクロフレネ
ルレンズの断面図、同図ｂは同平面図、第５図〜
第６図は本発明の方法を適用してマイクロフレネ
ルレンズを製造する工程の説明図、第７図は同方
法によつて製造されたマイクロフレネルレンズの
作用の説明図である。
１０……ガラス基板、１１……導電性薄膜、１
２……電子ビームレジスト、１２ａ……輪帯。
Figures 1 to 3 are explanatory diagrams of the process of manufacturing a micro Fresnel lens by applying the conventional method, and Figure 4
Figure a is a cross-sectional view of a micro Fresnel lens manufactured by the same method, Figure b is a plan view of the same, and Figures 5 to 5.
FIG. 6 is an explanatory diagram of the process of manufacturing a micro Fresnel lens by applying the method of the present invention, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the operation of the micro Fresnel lens manufactured by the same method. 10... Glass substrate, 11... Conductive thin film, 1
2...electron beam resist, 12a...ring zone.
Claims (1)
該導電性薄膜上に電子ビームレジストを塗布し
て、該電子ビームレジストに電子ビーム露光し、
現像処理することを特徴とする電子ビームによる
レジスト加工方法。 ２ 前記ガラス基板がフレネルレンズを構成する
ガラス基板で、また前記導電性薄膜が透明な導電
性薄膜で、かつ前記電子ビームレジストが透明な
電子ビームレジストであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子ビームによるレジス
ト加工方法。 ３ 前記ガラス基板がフレネルレンズ製造用原型
を構成する基板であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子ビームによるレジスト加
工方法。[Scope of Claims] 1. Forming a conductive thin film on a glass substrate, then coating an electron beam resist on the conductive thin film, and exposing the electron beam resist to an electron beam,
A resist processing method using an electron beam characterized by development processing. 2. Claim 2, wherein the glass substrate is a glass substrate constituting a Fresnel lens, the conductive thin film is a transparent conductive thin film, and the electron beam resist is a transparent electron beam resist. The resist processing method using an electron beam according to item 1. 3. A resist processing method using an electron beam according to claim 1, wherein the glass substrate is a substrate constituting a prototype for Fresnel lens manufacturing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116071A JPS608843A (en) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Photoetching method with electron beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116071A JPS608843A (en) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Photoetching method with electron beams |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608843A JPS608843A (en) | 1985-01-17 |
| JPH0244059B2 true JPH0244059B2 (en) | 1990-10-02 |
Family
ID=14677989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116071A Granted JPS608843A (en) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | Photoetching method with electron beams |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608843A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261601A (en) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Omron Tateisi Electron Co | Nonspherical micro-lens and its manufacture and optical fiber coupler, condensing optical system, optical element, semiconductor laser light source and image device utilizing nonspherical micro-lens |
| JP2586584B2 (en) * | 1988-06-29 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | Fine pattern forming method |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58116071A patent/JPS608843A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS608843A (en) | 1985-01-17 |
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