JPH0243429B2 - - Google Patents
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- JPH0243429B2 JPH0243429B2 JP57210885A JP21088582A JPH0243429B2 JP H0243429 B2 JPH0243429 B2 JP H0243429B2 JP 57210885 A JP57210885 A JP 57210885A JP 21088582 A JP21088582 A JP 21088582A JP H0243429 B2 JPH0243429 B2 JP H0243429B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08126—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transitor switches
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電力変換装置等でスイツチング素子
として使用されるトランジスタの過電流保護回路
に関するものである
〔従来の技術〕
かかるトランジスタが過電流となる要因は大別
して２種類あり、その一つは過負荷によるもので
この場合は電流の時間的変化（di／dt）は小さく
保護は比較的容易である。他の一つはブリツジ形
インバータ回路のごとく直流電源に２つのトラン
ジスタを直列接続した回路構成で、一つのトラン
ジスタに短絡故障が生じたときの他のトランジス
タにおける電源短絡による過電流で、この場合は
電流の時間的変化は非常に大きく保護は困難であ
る。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an overcurrent protection circuit for a transistor used as a switching element in a power conversion device, etc. [Prior Art] There are two main reasons for this, one of which is overload, and in this case, the temporal change in current (di/dt) is small and protection is relatively easy. The other type is a circuit configuration in which two transistors are connected in series to a DC power source, such as a bridge type inverter circuit, and when a short-circuit failure occurs in one transistor, an overcurrent occurs due to a short-circuit in the other transistor. The temporal change in current is very large and protection is difficult.
一方、トランジスタは従来から変換装置に使用
されているサイリスタに比べると過電流耐量が小
さくヒユーズによる保護は期待できない。 On the other hand, transistors have a smaller overcurrent capability than thyristors conventionally used in conversion devices, and cannot be expected to be protected by fuses.
まず、従来の過電流保護回路につい説明し、よ
つて本発明の目的を明らかにする。 First, a conventional overcurrent protection circuit will be explained, thereby clarifying the purpose of the present invention.
第１図に示すように、オン・オフ信号回路１の
オン信号出力端子に制限抵抗２を介して主トラン
ジスタ４のベース・エミツタ間が接続され、主ト
ランジスタ４のベース・エミツタ間に流される順
バイアス電流I1によつて主トランジスタ４がオン
され、I1＝０の状態でオフ信号出力端子を介して
供給される逆バイアス電流I2によつて主トランジ
スタ４はオフされる。 As shown in FIG. 1, the base and emitter of a main transistor 4 are connected to the on-signal output terminal of the on-off signal circuit 1 via a limiting resistor 2, and the order in which the current flows between the base and emitter of the main transistor 4 is The main transistor 4 is turned on by the bias current I 1 and is turned off by the reverse bias current I 2 supplied via the off signal output terminal when I 1 =0.
主トランジスタ４のベース・エミツタ間に並列
接続されているダイオード３は保護ダイオードで
ある。オン・オフ信号回路１としては、例えば特
開昭57―151278号公報に示されているベース駆動
回路を使用することができる。 A diode 3 connected in parallel between the base and emitter of the main transistor 4 is a protection diode. As the on/off signal circuit 1, for example, a base drive circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 151278/1988 can be used.
従来例の一つはかかる回路において、主トラン
ジスタ４のコレクタに絶縁形電流検出器１９を直
列接続し、該検出器１９に接続した過電流検出回
路２０で過電流を検出してオン・オフ信号回路１
を介して主トランジスタ４をオフさせるものであ
る。 One conventional example is such a circuit, in which an insulated current detector 19 is connected in series to the collector of the main transistor 4, and an overcurrent detection circuit 20 connected to the detector 19 detects overcurrent and generates an on/off signal. circuit 1
The main transistor 4 is turned off via the main transistor 4.
しかし、この場合は電流検出器１９として直流
変流器を使用する非常に高値なものとなり、また
交流電流器を使用するには回路構成が複雑になり
信頼性及びコストの面で問題を生じる。 However, in this case, a direct current transformer is used as the current detector 19, which is very expensive, and using an alternating current transformer complicates the circuit configuration, causing problems in terms of reliability and cost.
また、ノズルによる誤動作を避けるための過電
流検出回路の中にはフイルタ回路が必要となり、
その結果高速性が失なわれ、急峻な電流上昇に対
する過電流保護は難しいものとなる。 In addition, a filter circuit is required in the overcurrent detection circuit to avoid malfunction caused by the nozzle.
As a result, high speed performance is lost, and overcurrent protection against steep current increases becomes difficult.
従来例の他の方法は、第２図に示すように主ト
ランジスタ４のエミツタに抵抗２１を直列接続し
てエミツタ電流に比例した電圧を取り出し、過電
流検出回路２２で判断して過電流を検出し、オ
ン・オフ信号回路１を介して主トランジスタ４を
オフさせるものである。 Another conventional method is to connect a resistor 21 in series to the emitter of the main transistor 4, extract a voltage proportional to the emitter current, and use an overcurrent detection circuit 22 to detect overcurrent, as shown in FIG. Then, the main transistor 4 is turned off via the on/off signal circuit 1.
しかし、この場合は主回路に抵抗２１が挿入さ
せるので損失が大きく、またスイツチング動作で
使用するので無誘導形の抵抗が必要となる。
However, in this case, since the resistor 21 is inserted into the main circuit, the loss is large, and since it is used for switching operation, a non-inductive type resistor is required.
さらに、制御回路との絶縁が取れないなどの欠
点があり、特に大容量の装置への適用は難しい。 Furthermore, it has the disadvantage that it cannot be insulated from the control circuit, making it particularly difficult to apply to large-capacity devices.
本発明の目的は前記従来例の欠点を解消し、主
回路の損失を増加させることなく、電流の時間変
化（di／dt）の急峻な過電流に対するトランジス
タの保護を簡単かつ安価な回路構成により確実に
行なわせることができる回路を提供することにあ
る。 An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the conventional example, and to protect transistors against overcurrents with a steep time change (di/dt) of the current by using a simple and inexpensive circuit configuration without increasing loss in the main circuit. The object of the present invention is to provide a circuit that can perform the operation reliably.
この目的は本発明によれば、スイツチング素子
たる主トランジスタのベース・エミツタ間とその
主トランジスタを制御するオン・オフ信号回路と
の間に介在し、主トランジスタのベース順バイア
ス電流の遮断を可能にすべく、主トランジスタの
ベース・エミツタ間を直接的に橋絡するかもしく
は主トランジスタにベース順バイアス電流を導く
補助トランジスタのベース・エミツタ間を橋絡す
る制御トランジスタを、そのコレクタを主トラン
ジスタのベース側に、エミツタを主トランジスタ
のエミツタ側に接続するとともに、この制御トラ
ンジスタの制御のために、抵抗とコンデンサから
なり、前記オン・オフ信号の出力を導かれるべ
く、その入力側はオン・オフ信号回路に、出力側
は制御トランジスタのベースに接続する遅延回路
と、この遅延回路と制御トランジスタのベース間
に接続されるもので、抵抗を介して印加される電
圧が所定の限界値以上にあるとき導通して制御ト
ランジスタへのベース電流を通す定電圧ダイオー
ドによる限界値応動素子と、前記抵抗と限界値素
子との接続点と主トランジスタのコレクタとの間
に接続され、主トランジスタのコレクタ・エミツ
タ間電圧上昇時にのみ遅延回路の出力電圧により
限界値応動素子が導通するのを許可するダイオー
ドとを設けることにより達成される。
According to the present invention, this purpose is to interpose between the base and emitter of the main transistor, which is a switching element, and the on/off signal circuit that controls the main transistor, and to make it possible to cut off the base forward bias current of the main transistor. In order to increase On the side, the emitter is connected to the emitter side of the main transistor, and in order to control this control transistor, it consists of a resistor and a capacitor, and its input side is connected to the on/off signal in order to receive the output of the on/off signal. The circuit includes a delay circuit whose output side is connected to the base of the control transistor, and which is connected between this delay circuit and the base of the control transistor, when the voltage applied through the resistor is above a predetermined limit value. A limit value sensitive element made of a constant voltage diode that conducts and passes the base current to the control transistor, and a connection point between the resistor and the limit value element and the collector of the main transistor, and is connected between the collector and emitter of the main transistor. This is achieved by providing a diode which allows the limit value sensitive element to conduct by the output voltage of the delay circuit only when the voltage rises.
以下、図面について本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第３図は本発明の第１実施例を示す回路図であ
る。オン・オフ信号回路１の出力端Ａは抵抗２を
介して主トランジスタ４のベース・エミツタ区間
に接続されていて、主トランジスタ４をオンする
ための順バイアス電流I1を供給する。 FIG. 3 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. An output terminal A of the on/off signal circuit 1 is connected to the base-emitter section of the main transistor 4 via a resistor 2, and supplies a forward bias current I1 for turning on the main transistor 4.
さらに出力端Ａには抵抗１０とコンデンサ１１
で構成する遅延回路が並列接続され、この遅延回
路の出力端子即ち抵抗１０とコンデンサ１１との
接続点は抵抗９を介して一つはダイオード６を介
して主トランジスタ４のコレクタに、他の一つは
定電圧ダイオード８を介して制御トランジスタの
ベースにそれぞれ接続されている。制御トランジ
スタ５はコレクタを主トランジスタ４のベース
に、エミツタを主トランジスタ４のエミツタに接
続されている。制御トランジスタ５のベース・エ
ミツタ間には抵抗７が並列接続されている。また
主トランジスタ４のベース・エミツタ間には保護
ダイオード３が並列接続されている。 Furthermore, a resistor 10 and a capacitor 11 are connected to the output terminal A.
The output terminals of the delay circuits, that is, the connection points between the resistor 10 and the capacitor 11 are connected to the collector of the main transistor 4 via the resistor 9, one via the diode 6, and the other to the collector of the main transistor 4 via the diode 6. One is connected to the base of the control transistor via a constant voltage diode 8, respectively. The control transistor 5 has a collector connected to the base of the main transistor 4 and an emitter connected to the emitter of the main transistor 4. A resistor 7 is connected in parallel between the base and emitter of the control transistor 5. Further, a protection diode 3 is connected in parallel between the base and emitter of the main transistor 4.
一方、オン・オフ信号回路１の出力端Ｂには主
トランジスタ４のベース・エミツタ間が並列接続
されており、これにより主トランジスタ４のター
ンオフ時間を短縮するためのベース逆バイアス電
流I2を流すことができる。 On the other hand, the base and emitter of the main transistor 4 are connected in parallel to the output terminal B of the on/off signal circuit 1, and thereby a base reverse bias current I2 is caused to flow in order to shorten the turn-off time of the main transistor 4. be able to.
次に動作について説明すると、今オン・オフ信
号回路１の出力端Ａにオン信号が出ると、主トラ
ンジスタ４のベースからエミツタに順バイアス電
流I1が流れ、主トランジスタ４はオン状態とな
る。 Next, the operation will be explained. When an on signal is now output to the output terminal A of the on/off signal circuit 1, a forward bias current I1 flows from the base to the emitter of the main transistor 4, and the main transistor 4 is turned on.
この時、主トランジスタ４のコレクタ電流が規
定値以下の場合は、主トランジスタ４のコレク
タ・エミツタ間の電圧VCE(4)は十分小さな値とな
る。この電圧を飽和電圧VCE（sat）と称する。 At this time, if the collector current of the main transistor 4 is below the specified value, the voltage V CE (4) between the collector and emitter of the main transistor 4 will be a sufficiently small value. This voltage is called the saturation voltage V CE (sat).
一方、数マイクロ秒の時定数を有する抵抗１０
とコンデンサ１１により構成された遅延回路にお
いて、コンデンサ１１の両端電圧は数マイクロ秒
後にオン・オフ信号回路１の出力端Ａの電圧に近
い値まで充電される。この時、ダイオード６の順
方向電圧VF(6)、定電圧ダイオード８のツエナー
圧VZ(8)、制御トランジスタ５のベース・エミツ
タ間電圧電圧VBE(5)、およびVCE（sat）の関係を
VCE（sat）＋VF(6)＜Z(8)＋VBE(5)に選定すれば、抵
抗９を流れる電流は全てダイオード６を通つて主
トランジスタ４のコレクタに流れ込み、制御トラ
ンジスタ５のベースには電流が流れないので、制
御トランジスタ５はオフ状態となつている。 On the other hand, a resistor 10 with a time constant of a few microseconds
In the delay circuit constituted by the capacitor 11 and the capacitor 11, the voltage across the capacitor 11 is charged to a value close to the voltage at the output terminal A of the on/off signal circuit 1 after several microseconds. At this time, the forward voltage V F (6) of the diode 6, the Zener pressure V Z (8) of the voltage regulator diode 8, the base-emitter voltage V BE (5) of the control transistor 5, and V CE (sat) the relationship of
If V CE (sat) + V F (6) < Z (8) + V BE (5) is selected, all the current flowing through the resistor 9 flows into the collector of the main transistor 4 through the diode 6, and the base of the control transistor 5. Since no current flows through , the control transistor 5 is in an off state.
主トランジスタ４のコレクタ電流が規定値以上
すなわち過電流になると、主トランジスタ４のコ
レクタ・エミツタ間の電圧VCE(4)は飽和電圧VCE
（sat）よりも大きな値となり、この電圧の大きさ
はコレクタ電流に依存して変化する。この状態を
活性状態と称する。 When the collector current of the main transistor 4 exceeds the specified value, that is, becomes an overcurrent, the voltage V CE (4) between the collector and emitter of the main transistor 4 becomes the saturation voltage V CE
(sat), and the magnitude of this voltage changes depending on the collector current. This state is called an active state.
このような過電流になると、VCE＋VF(6)＞VZ(8)
＋VBE(5)となり、制御トランジスタ５はスイツチ
オンの状態となる。 When such an overcurrent occurs, V CE +V F (6) > V Z (8)
+V BE (5), and the control transistor 5 is switched on.
その結果、主トランジスタ４のベースからエミ
ツタに流れていた電流I1は制御トランジスタ５に
転流し、主トランジスタ４はオフとなる。この
時、主トランジスタ４は活性状態からオフ状態へ
と移行するので、ほとんど時間的遅れは生じな
い。 As a result, the current I1 flowing from the base to the emitter of the main transistor 4 is commutated to the control transistor 5, and the main transistor 4 is turned off. At this time, the main transistor 4 shifts from the active state to the off state, so there is almost no time delay.
次に、オン・オフ信号回路１の出力端Ａのオン
信号がなくなり、出力端Ｂにオフ信号が出ると、
トランジスタのオン・オフ間はダイオード構造で
あるため、このダイオードが逆回復するまで、エ
ミツタからベース電流I2が流れ、逆回復後主トラ
ンジスタ４のベース・エミツタ間はベース電位が
負、エミツタ電位が正の状態となる。 Next, when the ON signal at the output terminal A of the ON/OFF signal circuit 1 disappears and the OFF signal appears at the output terminal B,
Since the transistor has a diode structure between on and off, a current I2 flows from the emitter to the base until this diode recovers, and after the reverse recovery, the base potential is negative and the emitter potential is negative between the base and emitter of the main transistor 4. It becomes a positive state.
ダイオード３はこの時、エミツタ・ベース間が
過電圧になるのを防止する働きをする。この状態
をベース逆バイアス状態と称する。 At this time, the diode 3 functions to prevent an overvoltage between the emitter and the base. This state is called a base reverse bias state.
この、延回路を構成しているコンデンサ１１の
電荷は抵抗１０、抵抗２を通つて放電状態とな
り、次のオン・オフ信号回路１の出力端Ａのオン
信号の時に必要な遅延時間が確保でき、主トラン
ジスタ４の確実なオン動作は保証される。すなわ
ち、この遅延がなければ、主トランジスタ４がオ
ンする以前に先に制御トランジスタ５がオンし、
これがため主トランジスタ４がオンすることがで
きなくなるが、これを回避できるのである。 The charge in the capacitor 11 forming the extension circuit becomes discharged through the resistor 10 and the resistor 2, and the delay time required for the next ON signal at the output terminal A of the ON/OFF signal circuit 1 can be secured. , reliable on-operation of the main transistor 4 is guaranteed. That is, without this delay, the control transistor 5 would turn on before the main transistor 4 turns on.
This makes it impossible for the main transistor 4 to turn on, but this can be avoided.
なお、制御トランジスタ５のベース・エミツタ
間に並列接続した抵抗７は、定電圧ダイオード８
のツエナー電圧補償用である。 Note that the resistor 7 connected in parallel between the base and emitter of the control transistor 5 is a constant voltage diode 8.
This is for Zener voltage compensation.
また、ここに使用している定電圧ダイオード８
は、整流用ダイオードの直列接続に、制御トラン
ジスタ５はサイリスタやFETなど他の半導体に
置換えることも可能である。 Also, the constant voltage diode 8 used here
It is also possible to replace the control transistor 5 with a series connection of rectifying diodes, and with another semiconductor such as a thyristor or FET.
第４図は本発明の第２実施例を示す回路図で、
前記第３図と異なる点は、オン・オフ信号回路１
内に設けられてているパルス電圧平滑回路を遅延
回路として流用したものである。既に述べたよう
に、オン・オフ信号回路として使用することので
きる特開昭57―151278号記載のベース駆動回路に
よれば、ベース順バイアス電流供給のための回路
部分はオン指令期間中間断なく連続するパルス電
圧を発生する必要があり、このために絶縁トラン
スを大形化するという問題を解決している。 FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention,
The difference from the above FIG. 3 is that the on/off signal circuit 1
The pulse voltage smoothing circuit provided therein is used as a delay circuit. As already mentioned, according to the base drive circuit described in JP-A-57-151278, which can be used as an on/off signal circuit, the circuit portion for supplying base forward bias current is continuously operated during the ON command period. It is necessary to generate a continuous pulse voltage, and this solves the problem of increasing the size of the isolation transformer.
第５図は本発明の第３実施例を示す回路図で、
主トランジスタ４へのベース電流供給用直電源１
２をオン・オフ信号回路１とは別に準備したもの
である。制御トランジスタ５の他にオン用トラン
ジスタ１５とオフ用トランジスタ１６とを相互に
接続して主トランジスタ４のベース駆動回路に挿
入した。 FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention,
Direct power supply 1 for supplying base current to main transistor 4
2 is prepared separately from the on/off signal circuit 1. In addition to the control transistor 5, an ON transistor 15 and an OFF transistor 16 are connected to each other and inserted into the base drive circuit of the main transistor 4.
１３，１４は、それぞれ電源１２とトランジス
タ１５，１６のエミツタ間に挿入された抵抗を示
す。 Reference numerals 13 and 14 indicate resistors inserted between the power supply 12 and the emitters of the transistors 15 and 16, respectively.
このように回路構成した場合、オン・オフ信号
回路１の出力信号が高いレベル（直流電源１２の
Ｐの電位）の時、トランジスタ１５がオン、トラ
ンジスタ１６がオフとなり、主トランジスタ４は
オンとなる。一方、オン・オフ信号回路１の出力
信号が低レベル（直流電源１２のＮの電位）の
時、トランジスタ１５がオフ、トランジスタ１６
がオンとなり、主トランジスタ４はオフとなる。 When the circuit is configured in this way, when the output signal of the on-off signal circuit 1 is at a high level (the potential of P of the DC power supply 12), the transistor 15 is turned on, the transistor 16 is turned off, and the main transistor 4 is turned on. . On the other hand, when the output signal of the on-off signal circuit 1 is at a low level (the potential of N of the DC power supply 12), the transistor 15 is turned off and the transistor 16 is turned off.
is turned on, and the main transistor 4 is turned off.
過電流時の動作は前記第３図と第１実施例と同
様であるが、制御トランジスタ５は直接主トラン
ジスタ４のベース電流を制御しないので電流容量
の小さなものですみ、回路全体が小形で低価格な
ものとなる。 The operation at the time of overcurrent is the same as that shown in FIG. 3 and the first embodiment, but since the control transistor 5 does not directly control the base current of the main transistor 4, it only needs to have a small current capacity, and the entire circuit is small and low-cost. It will be worth the price.
第６図は本発明の第４実施例を示す回路図で、
主回路がダーリントン接続した主トランジスタ４
と前段のトランジスタ１７とで構成された場合で
ある。図中１８はトランジスタ１７の保護ダイオ
ードを示す。 FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention,
Main transistor 4 whose main circuit is Darlington connected
This is the case where the transistor 17 is configured in the previous stage. In the figure, 18 indicates a protection diode for the transistor 17.
この場合、オン状態での主トランジスタ４のコ
レクタ・エミツタ間電圧VCE(4)、前段トランジス
タ１７のコレクタ・エミツタ間電圧をVCE（17）
とすると、VCE(2)＝VBE(2)＋VCE（17）となる。 In this case, the voltage between the collector and emitter of the main transistor 4 in the on state is V CE (4), and the voltage between the collector and emitter of the front stage transistor 17 is V CE (17).
Then, V CE (2)=V BE (2)+V CE (17).
過電流時、主トランジスタ４のベース・エミツ
タ間電圧VBE(4)の変化はVCE(2)、VCE（17）の変化
に比べて非常に小さいものとなる。このため、本
実施例では前段トランジスタ１７のコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCE（17）を監視し、規定値以上に
この電圧が大きくなつた場合に制御トランジスタ
５をオンさせ、主トランジスタ４を遮断するよう
にすればよい。このようにすれば、前段トランジ
スタ１７だけをオン・オフ信号回路１で駆動する
ので駆動容量が少なくてすむ。 At the time of overcurrent, the change in the base-emitter voltage V BE (4) of the main transistor 4 is very small compared to the changes in V CE (2) and V CE (17). Therefore, in this embodiment, the collector-emitter voltage V CE (17) of the front-stage transistor 17 is monitored, and when this voltage becomes larger than a specified value, the control transistor 5 is turned on and the main transistor 4 is turned off. Just do it like this. In this way, only the front-stage transistor 17 is driven by the on/off signal circuit 1, so that the driving capacity can be reduced.
以上述べたように本発明のトランジスタの過電
流保護回路は、スイツチング素子たる主トランジ
スタのコレクタ・エミツタ間の電圧が過電流時に
大きくなることを利用して、この電圧が規定値以
上に増加したときに瞬時に主トランジスタのベー
ス電流を遮断する回路を付加したので、従来のよ
うに主回路に電流検出器や直流検出用抵抗を用い
る必要がなくなり安価な回路構成でしかも主回路
の損失の少ないものとなり、また電流の時間的変
化が急峻なトランジスタの過電流を確実に保護で
きる信頼性の高いものが得られる。
As described above, the transistor overcurrent protection circuit of the present invention takes advantage of the fact that the voltage between the collector and emitter of the main transistor, which is a switching element, increases during an overcurrent. Since we added a circuit that instantaneously cuts off the base current of the main transistor, there is no need to use a current detector or DC detection resistor in the main circuit as in the past, resulting in an inexpensive circuit configuration and less loss in the main circuit. Therefore, a highly reliable device that can reliably protect against overcurrent of a transistor whose current changes rapidly over time can be obtained.
第１図、第２図はそれぞれ従来例を示す回路
図、第３図は本発明の第１実施例を示す回路図、
第４図は同上第２実施例を示す回路図、第５図は
同上第３実施例を示す回路図、第６図は同上第４
実施例を示す回路図である。
１……オン・オフ信号回路、１ａ……遅延回
路、２……電流制御抵抗、３……保護ダイオー
ド、４……主トランジスタ、５……制御トランジ
スタ、６……ダイオード、７……抵抗、８……定
電圧ダイオード、９，１０……抵抗、１１……コ
ンデンサ、１２……直流電源、１３，１４……抵
抗、１５，１６……トランジスタ、１７……前段
トランジスタ、１８……ダイオード。
1 and 2 are circuit diagrams showing conventional examples, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention,
FIG. 4 is a circuit diagram showing the second embodiment of the above, FIG. 5 is a circuit diagram of the third embodiment of the same, and FIG. 6 is a circuit diagram of the fourth embodiment of the same.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... ON/OFF signal circuit, 1a... Delay circuit, 2... Current control resistor, 3... Protection diode, 4... Main transistor, 5... Control transistor, 6... Diode, 7... Resistor, 8... Constant voltage diode, 9, 10... Resistor, 11... Capacitor, 12... DC power supply, 13, 14... Resistor, 15, 16... Transistor, 17... Pre-stage transistor, 18... Diode.
Claims (1)
ス・エミツタ間とその主トランジスタを制御する
オン・オフ信号回路との間に介在し、主トランジ
スタのベース順バイアス電流の遮断を可能にすべ
く、主トランジスタのベース・エミツタ間を直接
的に橋絡するかもしくは主トランジスタにベース
順バイアス電流を導く補助トランジスタのベー
ス・エミツタ間を橋絡する制御トランジスタを、
そのコレクタを主トランジスタのベース側に、エ
ミツタを主トランジスタのエミツタ側に接続する
とともに、この制御トランジスタの制御のため
に、抵抗とコンデンサからなり、前記オン・オフ
信号回路の出力信号を導かれるべく、その入力側
はオン・オフ信号回路に、出力側は制御トランジ
スタのベースに接続する遅延回路と、この遅延回
路と制御トランジスタのベース間に接続されるも
ので、抵抗を介して印加される電圧が所定の限界
値以上にあるとき導通して制御トランジスタへの
ベース電流を通す定電圧ダイオードによる限界値
応動素子と、前記抵抗と限界値素子との接続点と
主トランジスタのコレクタとの間に接続され、主
トランジスタのコレクタ・エミツタ間電圧上昇時
にのみ遅延回路の出力電圧により限界値応動素子
が導通するのを許可するダイオードとを設けたこ
とを特徴とするトランジスタの過電流保護回路。1 Interposed between the base and emitter of the main transistor, which is a switching element, and the on/off signal circuit that controls the main transistor, in order to cut off the base forward bias current of the main transistor. A control transistor that directly bridges the emitter or bridges the base and emitter of the auxiliary transistor that leads the base forward bias current to the main transistor.
The collector is connected to the base side of the main transistor, and the emitter is connected to the emitter side of the main transistor, and in order to control this control transistor, it is composed of a resistor and a capacitor, and the output signal of the on/off signal circuit is guided. , its input side is connected to the on/off signal circuit, its output side is a delay circuit connected to the base of the control transistor, and the voltage applied through the resistor is connected between this delay circuit and the base of the control transistor. a limit value responsive element consisting of a constant voltage diode that conducts when the current is greater than a predetermined limit value and passes the base current to the control transistor; and a connection point between the resistor and the limit value element and the collector of the main transistor. An overcurrent protection circuit for a transistor, characterized in that it is provided with a diode that allows the limit value responsive element to conduct by the output voltage of the delay circuit only when the voltage between the collector and emitter of the main transistor increases.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210885A JPS59103567A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | Overcurrent protecting circuit for transistor |
| DE19833343201 DE3343201A1 (en) | 1982-12-01 | 1983-11-29 | Overcurrent protection circuit for a transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210885A JPS59103567A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | Overcurrent protecting circuit for transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103567A JPS59103567A (en) | 1984-06-15 |
| JPH0243429B2 true JPH0243429B2 (en) | 1990-09-28 |
Family
ID=16596699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57210885A Granted JPS59103567A (en) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | Overcurrent protecting circuit for transistor |
Country Status (2)
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| JP (1) | JPS59103567A (en) |
| DE (1) | DE3343201A1 (en) |
Cited By (1)
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Family Cites Families (1)
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| DE3104015C2 (en) * | 1981-02-05 | 1984-10-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Overcurrent protection arrangement for a semiconductor switch |
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1982
- 1982-12-01 JP JP57210885A patent/JPS59103567A/en active Granted
-
1983
- 1983-11-29 DE DE19833343201 patent/DE3343201A1/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4834115B2 (en) * | 2006-02-21 | 2011-12-14 | オスラム アクチエンゲゼルシャフト | Step-up driver with minimum switching frequency |
Also Published As
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|---|---|
| JPS59103567A (en) | 1984-06-15 |
| DE3343201A1 (en) | 1984-06-07 |
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