JPH0241434U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241434U JPH0241434U JP11795688U JP11795688U JPH0241434U JP H0241434 U JPH0241434 U JP H0241434U JP 11795688 U JP11795688 U JP 11795688U JP 11795688 U JP11795688 U JP 11795688U JP H0241434 U JPH0241434 U JP H0241434U
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- JP
- Japan
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- laser
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- laser marking
- optical system
- Prior art date
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- Pending
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- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例のレーザマーキング
光学系の出射部の断面図、第２図のａ，ｂは上記
の本考案における光学系及び従来技術の光学系に
よる集光位置でのレーザ光の強度分布をそれぞれ
示す図、第３図は従来のレーザマーキング光学系
の出射部の断面図、第４図はレーザマーキング装
置全体の概要図である。 記号の説明：１はテスタ、２は半導体集積回路
チツプ、３はレーザ電源、４はレーザヘツド、５
はフアイバ、６は出射部、７はレーザ集束光、１
０は出射部、１１はレーザ光、１２はフアイバ、
１３はコリメートレンズ、１４は円すいミラー、
１５は穴あき凹面ミラー。
光学系の出射部の断面図、第２図のａ，ｂは上記
の本考案における光学系及び従来技術の光学系に
よる集光位置でのレーザ光の強度分布をそれぞれ
示す図、第３図は従来のレーザマーキング光学系
の出射部の断面図、第４図はレーザマーキング装
置全体の概要図である。 記号の説明：１はテスタ、２は半導体集積回路
チツプ、３はレーザ電源、４はレーザヘツド、５
はフアイバ、６は出射部、７はレーザ集束光、１
０は出射部、１１はレーザ光、１２はフアイバ、
１３はコリメートレンズ、１４は円すいミラー、
１５は穴あき凹面ミラー。
Claims (1)
- 半導体ウエハ上に形成された半導体集積回路チ
ツプについて、それらの良否判定を行うためのテ
スタと組み合せ、レーザ発振器より出射されたレ
ーザ光を集光し、前記半導体集積回路上にマーキ
ングを行うレーザマーキング装置において、レー
ザ光出射部での集光手段が、同軸に配置した円す
いミラーと穴あき凹面ミラーとを具備している事
を特徴とするレーザマーキング光学系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795688U JPH0241434U (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795688U JPH0241434U (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0241434U true JPH0241434U (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=31361883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11795688U Pending JPH0241434U (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241434U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013008683A (ja) * | 2008-11-04 | 2013-01-10 | Asml Netherlands Bv | 放射源およびリソグラフィ装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP11795688U patent/JPH0241434U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013008683A (ja) * | 2008-11-04 | 2013-01-10 | Asml Netherlands Bv | 放射源およびリソグラフィ装置 |