JPH0241009A - Hyb reflecting type phase device - Google Patents

Hyb reflecting type phase device

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Publication number
JPH0241009A
JPH0241009A JP18962288A JP18962288A JPH0241009A JP H0241009 A JPH0241009 A JP H0241009A JP 18962288 A JP18962288 A JP 18962288A JP 18962288 A JP18962288 A JP 18962288A JP H0241009 A JPH0241009 A JP H0241009A
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JP
Japan
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port
hybrid
hyb
phase
diodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP18962288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Ogata
尾形 仁志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0241009A publication Critical patent/JPH0241009A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the variable phase quantity by applying a reverse bias voltage to a varactor element so as to vary the junction capacitance. CONSTITUTION:A high frequency signal inputted from an input port 1 is divided into a coupling port 3 and a passing port 4 by a 90.3dB hybrid 8. Then the signals are reflected in varactor diodes (D) 7a, 7b respectively and combined by the 90.3dB hybrid 8 again and outputted from an isolation port 2. In this case, a reverse bias voltage is applied to the diodes D 7a, 7b to change the capacitance of the D 7a, 7b thereby shifting the phase. Moreover, inductances 6a, 6b are placed in series to increase the phase change.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、分布定数回路を用いたHYB反射型位相器に
関し、特に、可変容量素子に逆バイアス電圧をかけるこ
とにより、前記可変容量素子の接合容量が変化すること
を利用したHYB反射型位相器に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a HYB reflection type phase shifter using a distributed constant circuit, and in particular, by applying a reverse bias voltage to the variable capacitance element, This invention relates to a HYB reflective phase shifter that utilizes changes in junction capacitance.

[従来の技術] 従来のHYB反射型位相器としては、第4図に示すよう
なものがある0図中8が分布定数回路で構成した90 
@3dBハイブリッドで、この90°3dBハイブリッ
ド8は、入力ポート1、アイソレーションポート2、カ
ー2プリングポート3、通過ポート4からなる。カップ
リングポート3及び通過ポート4には、一端がグランド
9に接続された小容量のバラクタダイオード7a、7b
が取付けである0図中5は抵抗からなるバイアス回路で
ある。
[Prior Art] As a conventional HYB reflection type phase shifter, there is one as shown in Fig. 4. 8 in Fig.
@3dB hybrid, this 90°3dB hybrid 8 consists of an input port 1, an isolation port 2, a car 2 pulling port 3, and a passing port 4. The coupling port 3 and the passage port 4 are connected to small capacitance varactor diodes 7a and 7b, one end of which is connected to the ground 9.
5 in the figure is a bias circuit consisting of a resistor.

90°3dBハイブリッド8のカップリングポート3及
び通過ポート4のそれぞれの一端と、接地されたそれぞ
れの可変容量素子となるパラクタダイオード7a、7b
とは、インダクタンスが無視できる極めて短いワイヤで
接続しである。なお、可変容量素子としてビームタイプ
を使う場合は、ワイヤは不要でカップリングポート3及
び通過ポート4のそれぞれの一端にビームリードのアン
ード側と取付け、他方のカソード側は接地面に取付けて
いる。バラクタダイオード7a、7bのインピーダンス
変化を、第2図に示すスミスチャート上で示すと、A点
及びB点がバラクタダイオード7a、7bに逆電圧を印
加し、変化させたときのバラクタダイオードのインピー
ダンスの変化範囲である。
One end of each of the coupling port 3 and passing port 4 of the 90° 3 dB hybrid 8 and paractor diodes 7a and 7b serving as respective grounded variable capacitance elements.
is connected by an extremely short wire with negligible inductance. Note that when using a beam type variable capacitance element, wires are not required and are attached to one end of each of the coupling port 3 and passage port 4 to the AND side of the beam lead, and the other cathode side is attached to the ground plane. When the impedance changes of the varactor diodes 7a and 7b are shown on the Smith chart shown in FIG. 2, points A and B show the impedance of the varactor diodes 7a and 7b when a reverse voltage is applied to the varactor diodes 7a and 7b. There is a range of variation.

A点、B点での容量をそれぞれC^、CBとすると各点
でのインピーダンスは、 この従来例の動作を説明すると、入力ポート1から入力
された高周波信号は90 ”3dBハイブリッド8によ
りカップリングポート3と通過ポート4に分割され、そ
れぞれノくラクタダイオード7a、7bで反射され、再
び90”3dBz\イブリツド8で合成されてアイソレ
ーションポート2より出力される。このとき、バラクタ
ダイオード7a、7bに逆バイアス電圧を印加し、/ヘ
ラクタダイオード7a、7bの接合容、ltC」を変化
させることにより出力で位相を動かしている。
Letting the capacitances at points A and B be C^ and CB, respectively, the impedance at each point is: To explain the operation of this conventional example, a high frequency signal input from input port 1 is coupled by a 90" 3 dB hybrid 8. It is divided into a port 3 and a pass port 4, reflected by the radiator diodes 7a and 7b, and combined again by the 90"3 dBz/bright 8 and output from the isolation port 2. At this time, a reverse bias voltage is applied to the varactor diodes 7a, 7b, and the junction capacitance, ltC, of the varactor diodes 7a, 7b is changed to change the phase of the output.

[解決すべき課題] 上述した従来のHYB反射型位相器では、バラクタダイ
オード等の可変容量素子の容置変化でしか位相を変化さ
せることができないため、可変位相量が小さいという問
題点があった。
[Problems to be solved] In the conventional HYB reflection phase shifter described above, the phase can only be changed by changing the capacitance of a variable capacitance element such as a varactor diode, so there is a problem that the variable phase amount is small. .

本発明は上述した問題点にかんがみてなされたもので、
可変容量素子に逆バイアス電圧をかけて接合容量を変化
させることにより、可変位相量を大きくしたHYB反射
型位相器の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems.
The object of the present invention is to provide a HYB reflective phase shifter that increases the amount of variable phase by applying a reverse bias voltage to a variable capacitance element to change the junction capacitance.

[課題の解決手段] 本発明は可変容量が小さいという欠点を解決するために
、入力ポート及びアイソレージ震ンポートを入力端子と
した分布定数回路で構成した90 ’3dBハイブリッ
ドと、前記90 @3dBハイブリッドのカップリング
ボート及び通過ポートのそれぞれの一端とグランドとの
間に接続した可変容量素子とで構成したHYB反射型位
相器において、前記可変容量素子の容量値の最小リアク
タンスと最大リアクタンスの相乗平均値をラインインピ
ーダンスより高くし、かつこの可変容量素子に、インダ
クタンスの値が前記容量素子の最小リアクタンスとほぼ
共振する値に選んだワイヤを直列に接続し、可変位相量
を大きくした構成としである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the drawback of small variable capacitance, the present invention provides a 90'3dB hybrid configured with a distributed constant circuit with an input port and an isolation vibration port as input terminals, and a 90'3dB hybrid as described above. In a HYB reflection type phaser configured with a variable capacitance element connected between one end of each of a coupling boat and a passage port and the ground, the geometric mean value of the minimum reactance and maximum reactance of the capacitance value of the variable capacitance element is calculated. The variable capacitance element is made higher than the line impedance, and a wire whose inductance value is selected to approximately resonate with the minimum reactance of the capacitance element is connected in series to the variable capacitance element to increase the variable phase amount.

[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

gO’3dBハイブリッド8は、入力ポート1、アイソ
レーションポート2、カップ1ノングポート3、通過ポ
ート4で構成されており、カップ1ノングポート3及び
通過ポート4には一端力(グランド9と接続された容量
の小さい/くラクタダイオード7a、7bが取付けられ
ている。/<ラクタタ゛イオード7a、7bにはそれぞ
れ直夕1にインダクタンスとなるワイヤ6a、6b (
以下、インダクタンス6a、6bという、)が接続され
てl、Nる。
The gO'3dB hybrid 8 is composed of an input port 1, an isolation port 2, a cup 1 non-port 3, and a passing port 4. Small lactator diodes 7a and 7b are attached to the lactator diodes 7a and 7b, respectively.
Hereinafter, inductances 6a and 6b) are connected.

また、抵抗器からなるバイアス回路5が設けられている
Further, a bias circuit 5 consisting of a resistor is provided.

次に、前記一実施例の動作を説明する。入カポ−)1か
ら入力された高周波信号は、903dBハイブリッド8
によりカップリングポート3と通過ポート4に分割され
、それぞれバラクタダイオード7a、7bで反射され、
再び903dBハイブリッド8で合成され、アイソレー
ジョンポート?より出力される。このとき、バラクタダ
イオード7a、7bに逆バイアス電圧を印加し、バラク
タダイオードの接合容量cjを変化させることにより出
力で位相を動かしているが。
Next, the operation of the above embodiment will be explained. The high frequency signal input from input capo) 1 is 903dB hybrid 8
is divided into a coupling port 3 and a passing port 4, and is reflected by varactor diodes 7a and 7b, respectively.
Combined again with 903dB hybrid 8, isolation port? It is output from At this time, by applying a reverse bias voltage to the varactor diodes 7a and 7b and changing the junction capacitance cj of the varactor diodes, the phase is shifted by the output.

ここで容量変化に対するバラクタダイオードのみのイン
ピーダンス変化を、インダクタンスLを入れた場合とそ
うでない場合とをスミスチャート上で比較すると第2図
のようになる。
If the impedance change of only the varactor diode with respect to the capacitance change is compared on a Smith chart with and without the inductance L, the results are as shown in FIG.

A点及びB点は、バラクタダイオードに逆電圧を印加し
、変化させたときのバラクタダイオードのインピーダン
スの変化範囲、C,Dは直列にインダクタンス6a、6
bを加えたときのインピーダンスの変化範囲である。A
点、B点、0点、D点での容量をそれぞれC^* CB
 + cc l coとし、インダクタンス6a、6b
の直列インダクタンスをLとすると、各点でのインピー
ダンスは、である。
Points A and B are the change range of the impedance of the varactor diode when a reverse voltage is applied to the varactor diode, and C and D are the inductances 6a and 6 in series.
This is the range of change in impedance when b is added. A
The capacitance at point, B point, 0 point, and D point are respectively C^* CB
+ cc l co, inductance 6a, 6b
If the series inductance of is L, the impedance at each point is.

よって、インダクタンス6a、6bを直列に入れると、
スミスチャート上でいえばωLだけインピーダンスが変
化するので、その分位相変化量が大きくなる。
Therefore, if inductances 6a and 6b are inserted in series,
On the Smith chart, the impedance changes by ωL, so the amount of phase change increases accordingly.

ここで第3図に示すように、バラクタダイオード単体の
容量変化範囲が使用する周波数で逆バイアス電圧Ovの
ときは領域アあるいは領域イにあり、また使用電源を最
大にした接合容NCjT4^Xのときは領域イにあるよ
うな容量の小さいバラクタダイオードを選べば、インダ
クタンスLの大きさにより、誘導性の領域までインピー
ダンスを変化させることができるので、いままでの位相
器より位相量を大きくすることが可能である。
Here, as shown in Fig. 3, when the capacitance variation range of a single varactor diode is at the frequency used and the reverse bias voltage Ov, it is in region A or region B, and the junction capacitance NCjT4^X with the maximum power supply used is In this case, if you choose a varactor diode with a small capacitance like the one in region A, you can change the impedance to the inductive region depending on the size of the inductance L, so you can make the phase amount larger than the conventional phase shifter. is possible.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、可変容量素子に直
列にインダクタンスとなるワイヤを入れることにより、
従来と同じバラクタダイオードを使用しても位相変化量
が従来のものより大きくでき、バラクタダイオードのみ
で容量変化範囲の広いバラクタダイオードは選ばなくて
も大きな位相変化のもてる位相器が構成できるという効
果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, by inserting a wire serving as an inductance in series with the variable capacitance element,
The effect is that even if the same varactor diode as before is used, the amount of phase change can be larger than that of the conventional one, and a phase shifter that can have a large phase change can be constructed using only varactor diodes without having to choose a varactor diode that has a wide capacitance change range. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図はバラクタ
ダイオードのインピーダンス変化範囲を示すスミスチャ
ート図、第3図は本発明に使用できる容量の小さい可変
容量素子の接合容量Cjo及びCJM^Xの時の条件を
示すスミスチャート図、第4図は従来のHYB反射型位
相器の回路図である。 !:入力ポート 2:フイソレーシ璽ンボート 3:カップリングポート 4:通過ポート 5:バイアス回路 6a、6b:インダクタンス 7a、7b:バラクタダイオード 8:90”3dBハイブリッド 9ニゲランド
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a Smith chart showing the impedance change range of a varactor diode, and FIG. 3 is a diagram showing the junction capacitance Cjo and A Smith chart diagram showing the conditions for CJM^X, and FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional HYB reflective phase shifter. ! : Input port 2: Input port 3: Coupling port 4: Passing port 5: Bias circuit 6a, 6b: Inductance 7a, 7b: Varactor diode 8: 90" 3dB hybrid 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  入力ポート及びアイソレーションポートを入力端子と
した分布定数回路で構成した90゜3dBハイブリッド
と前記90゜3dBハイブリッドのカップリングポート
及び通過ポートのそれぞれの一端とグランドとの間に接
続した可変容量素子とで構成したHYB反射型位相器に
おいて、前記可変容量素子に、インダクタンスの値が前
記可変容量素子の最小リアクタンスとほぼ共振する値の
ワイヤを直列に接続したことを特徴としたHYB反射型
位相器。
a 90° 3 dB hybrid configured with a distributed constant circuit with input ports and isolation ports as input terminals, and a variable capacitance element connected between one end of each of the coupling port and the passing port of the 90° 3 dB hybrid and the ground; A HYB reflection type phase shifter comprising: a wire having an inductance value that approximately resonates with a minimum reactance of the variable capacitance element is connected in series to the variable capacitance element.
JP18962288A 1988-07-30 1988-07-30 Hyb reflecting type phase device Pending JPH0241009A (en)

Priority Applications (1)

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JP (1) JPH0241009A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851157A (en) * 1994-11-30 1998-12-22 Bmga Co., Ltd. Iron club for golf
JP2016127452A (en) * 2015-01-05 2016-07-11 三菱電機特機システム株式会社 Phase conversion apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851157A (en) * 1994-11-30 1998-12-22 Bmga Co., Ltd. Iron club for golf
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