JPH0240966A - Optical image sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光イメージセンサに関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to an optical image sensor.
［従来の技術］
近年、ファクシミリ、イメージリーダ等の画像読取装置
の小型化、薄型化が進んでおり、光イメージセンサの使
用用途が増えつつある。[Background Art] In recent years, image reading devices such as facsimile machines and image readers have become smaller and thinner, and optical image sensors are being used in an increasing number of applications.
第４図及び第５図は、従来の１次元光イメージセンサを
示す図である。4 and 5 are diagrams showing a conventional one-dimensional optical image sensor.
この光イメージセンサ（４）では、ガラス製の矩形基板
（８）上に、金属膜からなる複数のセグメント電極（ｌ
Ｏ）が互いに平行にパターン形成されている。各セグメ
ント電極（１０）は、約１００μｍ角の画素部（１２）
と、この画素部（１２）から図面において下方に延出す
る短面形の配線部（１４）とからなる。This optical image sensor (4) has a plurality of segment electrodes (l) made of a metal film on a rectangular glass substrate (8).
O) are patterned in parallel to each other. Each segment electrode (10) has a pixel portion (12) approximately 100 μm square.
and a short wiring section (14) extending downward in the drawing from the pixel section (12).
これらのセグメント電極（１０）上には、矩形の感光層
（２０）が設けられる。ただし、感光層（２ｏ）は、各
セグメント電極（ｌＯ）の配線部（１４）の先端部のみ
が露出するように全てのセグメント電極（ｌＯ）を覆う
。この感光層（２０）は、ｐ型、ｉ型及びｎ型のアモル
ファス半導体を順次接合してなる光起電力型の１つのフ
ォトセンサからなる。A rectangular photosensitive layer (20) is provided on these segment electrodes (10). However, the photosensitive layer (2o) covers all the segment electrodes (lO) so that only the tip of the wiring part (14) of each segment electrode (lO) is exposed. This photosensitive layer (20) consists of one photovoltaic type photosensor made by sequentially bonding p-type, i-type, and n-type amorphous semiconductors.
感光層（２０）上のコモン電極（３０）は、ＩＴＯ（イ
ンジウム−スズ−酸化物）等の透明導電膜からなる。矩
形のコモン電極（３０）は、感光層（２０）のほぼ全面
を覆い、左右の短辺において感光層（２０）上から小さ
く突出した配線部（３２，３４）を有する。ただし、コ
モン電極（３０）は、セグメント電極（１０）の配線部
（１４）側において感光層（２０）の長辺からはみ出る
ことがない。したがって、セグメント電極（１０）とコ
モン電極り３０）との間の短絡は生じない。The common electrode (30) on the photosensitive layer (20) is made of a transparent conductive film such as ITO (indium-tin-oxide). The rectangular common electrode (30) covers almost the entire surface of the photosensitive layer (20) and has wiring portions (32, 34) that protrude slightly from above the photosensitive layer (20) on the left and right short sides. However, the common electrode (30) does not protrude from the long side of the photosensitive layer (20) on the wiring part (14) side of the segment electrode (10). Therefore, no short circuit occurs between the segment electrode (10) and the common electrode (30).
光が原稿に照射されると、この原稿の明暗により変化し
た反射光が、不図示のセルフォックレンズで１次元に集
光されて、コモン電極（３０）側から光イメージセンサ
（４）に入射する。光イメージセンサ（４）への入射光
（５０）は、コモン電極（３０）を透過して感光層（２
０）に達する。このとき、セグメント電極（１０）の画
素部（１２）に接触する感光層（２０）の各部中にそれ
ぞれの光量に応じた量の電子−正孔対が同時に発生する
。すなわち、感光層（２０）中には、各セグメント電極
（１０）の画素部（１２）に接触する矩形部分に画素（
２２）が形成されている。各画素（２２）で発生した電
子−正孔対は、各セグメント電極（１０）の配線部（１
４）とコモン電極（３０）の配線部（３２，３４）とを
通じて外部光電流として取出される。したがって、原稿
上の１次元配列点の明暗が一度に電流の大小に変換され
る。When the original is irradiated with light, the reflected light that changes depending on the brightness of the original is one-dimensionally focused by a selfoc lens (not shown) and enters the optical image sensor (4) from the common electrode (30) side. do. The incident light (50) to the optical image sensor (4) passes through the common electrode (30) and passes through the photosensitive layer (2).
0) is reached. At this time, electron-hole pairs are simultaneously generated in each part of the photosensitive layer (20) in contact with the pixel part (12) of the segment electrode (10) in an amount corresponding to the respective amount of light. That is, in the photosensitive layer (20), pixels (
22) is formed. The electron-hole pairs generated in each pixel (22) are transferred to the wiring section (1) of each segment electrode (10).
4) and the wiring portion (32, 34) of the common electrode (30), the photocurrent is taken out as an external photocurrent. Therefore, the brightness of the one-dimensionally arranged points on the document is converted into the magnitude of the current at once.
各画素（２２）から取出された電荷は、画素（２２）と
同数の不図示のコンデンサにそれぞれ一時蓄えられた後
、コンデンサと同数の同様に不図示の増幅器を通して時
系列的に読出される。The charge taken out from each pixel (22) is temporarily stored in the same number of capacitors (not shown) as the number of pixels (22), and then read out in time series through the same number of amplifiers (not shown) as the capacitors.
［発明が解決しようとする課題］
以上に説明した従来の光イメージセンサでは、感光層（
２０）中の画素（２２）ごとにセグメント電極（１０）
が設けられているものの、その裏側の透光性を有する電
極（３０）が共通であったため、隣りの画素（２２）で
生ずる光電流の拾い込みがあり、画素間クロストークを
生じていた。この結果、従来の光イメージセンサでは解
像度すなわちＭＴＦが低かった。[Problem to be solved by the invention] In the conventional optical image sensor described above, the photosensitive layer (
20) segment electrodes (10) for each pixel (22) in
However, since the light-transmitting electrode (30) on the back side was common, the photocurrent generated in the adjacent pixel (22) was picked up, resulting in inter-pixel crosstalk. As a result, conventional optical image sensors have low resolution, or MTF.
本発明は、画素間のクロストークがなく、高１、ＳＭＴ
Ｐを有する光イメージセンサを提供することを目的とす
る。The present invention has no crosstalk between pixels, high 1, SMT
An object of the present invention is to provide an optical image sensor having P.
［課題を解決するための手段］
本発明に係る光イメージセンサは、感光層（２０）の一
方の面にこれに接触する互いに分離した複数のセグメン
ト電極（１０）を形成する一方、感光層（２０）の他面
側において、この感光層（２０）に接触するように連続
した透光性を有するコモン電極（３０）を形成するとと
もに、裏側のセグメント電極（１０）の間の領域に対応
する箇所をそれぞれ横切る遮光層（４０）を形成したも
のである。[Means for Solving the Problems] The optical image sensor according to the present invention has a plurality of segment electrodes (10) separated from each other formed in contact with one surface of the photosensitive layer (20), 20) On the other side, form a continuous common electrode (30) having a light-transmitting property so as to be in contact with this photosensitive layer (20), and correspond to the area between the segment electrodes (10) on the back side. A light shielding layer (40) is formed across each location.
感光層（２０）の遮光のためには、遮光層（４０）の可
視光透過率が１０％以下であることが好ましい。遮光層
（４０）の幅は２μｍ以上であることが好ましい。ただ
し、感光層（２０）は、光導電性を利用したものでも良
いし、光起電力を利用したものであっても良い。In order to shield the photosensitive layer (20) from light, it is preferable that the visible light transmittance of the light shielding layer (40) is 10% or less. The width of the light shielding layer (40) is preferably 2 μm or more. However, the photosensitive layer (20) may be one that utilizes photoconductivity or may utilize photovoltaic force.
［作 用］
本発明に係る光イメージセンサは、遮光層（４０）側か
ら入射光を受ける。この際、入射光は、遮光層（４０）
の間を通過し、更にコモン電極（３０）を透過して感光
層（２０）に達する。[Function] The optical image sensor according to the present invention receives incident light from the light shielding layer (40) side. At this time, the incident light passes through the light shielding layer (40)
The light passes through the common electrode (30) and reaches the photosensitive layer (20).
このとき、例えばｐ型、ｉ型及びｎ型のアモルファス半
導体を順次接合してなる光起電力型の１つのフォトセン
サを構成する感光層（２０）内では、各セグメント電極
（１０）に接触する感光層（２０）の部分すなわち各画
素中に、それぞれの光量に応じた量の電子−正孔対が同
時に発生する。At this time, for example, in the photosensitive layer (20) constituting one photovoltaic photosensor formed by sequentially bonding p-type, i-type, and n-type amorphous semiconductors, each segment electrode (10) is contacted. Electron-hole pairs are simultaneously generated in a portion of the photosensitive layer (20), that is, in each pixel, in an amount corresponding to the respective amount of light.
各画素で発生した電子−正孔対は、各セグメント電極（
１０）とコモン電極（３０）とを通じて外部光電流とし
て取出される。したがって、原稿上の各点の明暗が一度
に電流の大小に変換される。Electron-hole pairs generated in each pixel are transferred to each segment electrode (
10) and the common electrode (30), it is taken out as an external photocurrent. Therefore, the brightness and darkness of each point on the document is converted into the magnitude of the current at once.
しかも、感光層（２０）のセグメント電極形成面とは反
対側において、セグメント電極（ｌＯ）の間の領域に対
応する箇所をそれぞれ横切る遮光層（４０）を形成して
いるため、感光層（２０）の画素間領域が遮光される。Moreover, on the side of the photosensitive layer (20) opposite to the segment electrode formation surface, a light shielding layer (40) is formed that crosses the areas corresponding to the areas between the segment electrodes (lO). ) is shielded from light.
つまり、入射光が感光層（２０）の各画素にのみ達し、
各画素が隔絶されるから、隣りの画素で生ずる光電流の
拾い込みがない。In other words, the incident light reaches only each pixel of the photosensitive layer (20),
Since each pixel is isolated, there is no pickup of photocurrent generated in neighboring pixels.
［実施例］
第１図〜第３図を用いて、本発明の実施例に係る光イメ
ージセンサを詳細に説明する。[Example] An optical image sensor according to an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
この１次元光イメージセンサ（２）は、ガラス製の矩形
基板（６）上に互いに平行にパターン形成された膜厚の
大きい金属膜からなる複数のセグメント電極（ｌＯ）を
有する。各セグメント電極（１０）は、約１００μｍ角
の画素部（１２）と、画素部（１２）から延出する短冊
形の配線部（１４）とからなる。これらのセグメント電
極（１０）は、クロム、アルミニウム、モリブデン等の
反射率の高い金属膜からなることが望ましい。なぜなら
ば、次に形成される感光層（２０）の光変換効率を向上
させることができるからである。セグメント電極（１０
）は、蒸着やスパッタリング等の方法で形成することが
でき、フォトリソグラフィー等の方法でのパターン化が
可能である。なお、基板（６）は、例えば不透明なセラ
ミックス製であっても良い。This one-dimensional optical image sensor (2) has a plurality of segment electrodes (lO) made of a thick metal film patterned in parallel to each other on a rectangular glass substrate (6). Each segment electrode (10) consists of a pixel portion (12) approximately 100 μm square and a rectangular wiring portion (14) extending from the pixel portion (12). These segment electrodes (10) are preferably made of a highly reflective metal film such as chromium, aluminum, or molybdenum. This is because the light conversion efficiency of the photosensitive layer (20) to be formed next can be improved. Segment electrode (10
) can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering, and can be patterned by a method such as photolithography. Note that the substrate (6) may be made of, for example, opaque ceramics.
これらのセグメント電極（１０）上には、矩形の感光層
（２０）が設けられる。ただし、感光層（２０）は、各
セグメント電極（１０）の配線部（１４）の先端部のみ
が露出するように全てのセグメント電極（ｌＯ）を覆い
、これに接触する。A rectangular photosensitive layer (20) is provided on these segment electrodes (10). However, the photosensitive layer (20) covers and contacts all the segment electrodes (lO) so that only the tip of the wiring part (14) of each segment electrode (10) is exposed.
感光層（２０）を構成する材料としては、ｃ−５ｉ （
クリスタルシリコン）、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン） 、ａ Ｓ ｅ ＳＣｄ Ｓ Ｎ Ｃｄ ５ｅＳ
Ａｓ Ｓｅ ５ａ−８ｅＧｅ、ａ−ＳｉＣｓａ−３
ｉＮ、 ａ−Ｓ ｉ Ｓｎ、 ａ−Ｇｅ又はａ−８ｉＦ
等を使用することができる。有機光導電材料としては、
ポリビニルカルバゾール、フタロシアニン系化合物、ト
リフェニルアミン、ポリアセチレン、ポリカーボネイト
又はポリフッ化ビニリデン等が利用可能である。これら
の材料は、単独の形で用いて光導電性を利用した感光層
（２０）を構成することができる。あるいは、ドーピン
グによってｐ−１−ｎ型又はｐ−ｉ型の接合ダイオード
とし、光起電力を利用した感光層（２０）を構成しても
良い。例えば、光起電力を利用したｐ−１−ｎ型アモル
ファス半導体とする場合には、ｐ型、ｉ型及びｎ型の層
の膜厚は、それぞれ約１００〜５００人、０．３〜３μ
ｍ及び５０〜５００人が適当である。感光層（２０）の
形成は、直流、中間周波数若しくは高周波によるプラズ
マＣＶＤ、光励起ＣＶＤ、熱ＣＶＤ又はスパッター等の
いずれの方法でもよい。The material constituting the photosensitive layer (20) is c-5i (
crystal silicon), a-Si (amorphous silicon), a S e SCd S N Cd 5eS
As Se 5a-8eGe, a-SiCsa-3
iN, a-S i Sn, a-Ge or a-8iF
etc. can be used. As organic photoconductive materials,
Polyvinylcarbazole, phthalocyanine compounds, triphenylamine, polyacetylene, polycarbonate, polyvinylidene fluoride, etc. can be used. These materials can be used alone to constitute a photosensitive layer (20) utilizing photoconductivity. Alternatively, a p-1-n type or p-i type junction diode may be formed by doping, and the photosensitive layer (20) using photovoltaic force may be configured. For example, in the case of a p-1-n type amorphous semiconductor using photovoltaic force, the thicknesses of the p-type, i-type, and n-type layers are approximately 100 to 500 layers and 0.3 to 3μ, respectively.
m and 50 to 500 people is appropriate. The photosensitive layer (20) may be formed by any method such as direct current, plasma CVD using intermediate frequency or high frequency, photoexcitation CVD, thermal CVD, or sputtering.
例えばＣＶＤ法によってａ−Ｓｉの感光層（２０）を形
成する場合にはシラン（Ｓ ｉＨ４）ガスを用い、不純
物ガスとしてジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス及びホスフィン
（ＰＨ３）ガスを使用すればよい。なお、ｐ−１−ｎ型
の半導体層は、ｐ型、ｉ型、ｎ型の順あるいはｎ型、ｉ
型、ｐ型の順のいずれの順序で形成してもよい。ｐ−ｉ
型の場合も形成順序は任意である。For example, when forming the a-Si photosensitive layer (20) by the CVD method, silane (SiH4) gas may be used, and diborane (B2H6) gas and phosphine (PH3) gas may be used as impurity gases. Note that the p-1-n type semiconductor layer is formed in the order of p-type, i-type, and n-type, or n-type, i-type, and so on.
They may be formed in any order of type and p type. p-i
In the case of molds as well, the order of formation is arbitrary.
感光層（２０）上には、透明導電膜からなるコモン電極
（３０）が形成される。矩形のコモン電極（３０）は、
感光層（２０）のほぼ全面を覆い、左右の短辺において
感光層（２０）上から小さく突出した配線部（３２，３
４）を有する。ただし、コモン電極（３０）はセグメン
ト電極（１０）の配線部（１４）側において感光層（２
０）の長辺からはみ出ることがなく、セグメント電極（
１０）との間の短絡は生じない。A common electrode (30) made of a transparent conductive film is formed on the photosensitive layer (20). The rectangular common electrode (30) is
Wiring portions (32, 3) cover almost the entire surface of the photosensitive layer (20) and protrude slightly from above the photosensitive layer (20) on the left and right short sides.
4). However, the common electrode (30) is connected to the photosensitive layer (2) on the wiring part (14) side of the segment electrode (10).
The segment electrode (0) does not protrude from the long side.
10) No short circuit occurs between the two.
コモン電極（３０）は、例えばＩＴＯ，酸化インジウム
、酸化スズ、酸化亜鉛等の金属酸化物薄膜からなる透明
導電体で構成することができる。The common electrode (30) can be made of a transparent conductor made of a metal oxide thin film such as ITO, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or the like.
これらの透明導電体を使用する場合には、この電極層の
厚さは１００人〜２０００人程庇上好ましい。１００人
程庇上り薄いと膜厚の局部的ばらつきを生じやすくなる
。また、コモン電極（３０）として、例えばアルミニウ
ム、クロム、ニッケル、モリブデン、ニッケルークロム
等の金属薄膜であって５０人程度の膜厚のものを使用す
ることもできる。これらの金属薄膜は、この程度の厚さ
までは透明な導電体であり、抵抗分布の均一化が容易で
ある。コモン電極（３０）は、蒸着等の方法によって形
成することができる゛。When using these transparent conductors, the thickness of this electrode layer is preferably about 100 to 2000 people. If the eaves are thin by about 100 people, local variations in film thickness are likely to occur. Further, as the common electrode (30), for example, a metal thin film of aluminum, chromium, nickel, molybdenum, nickel-chromium, etc., and having a film thickness of about 50 mm, can also be used. These metal thin films are transparent conductors up to this level of thickness, and it is easy to make the resistance distribution uniform. The common electrode (30) can be formed by a method such as vapor deposition.
コモン電極（３０）上には、複数の透孔（４２）を有す
る遮光層（４０）が更に形成される。透孔（４２〉は、
図面に示すように各セグメント電極（１０）の画素部（
１２）の真上に、この画素部（１２）と同一形状・同一
寸法で設けられる。ただし、高いＭＴＦを得るためには
、隣接する２つの透孔（４２）の側縁どおしの間隔すな
わち裏側のセグメント電極（１０）の画素部（１２）間
の領域に対応する箇所をそれぞれ横切る遮光層部分の幅
は、２μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であ
ることが更に望ましい。第１図中に示すセグメント電極
（１０）の配線部（１４）とは反対側における透孔（４
２）の側縁から遮光層（４０）の端部までの寸法Ｌ１と
、この配線部（１４）側における透孔（４２）の側縁か
ら遮光層（４０）の端部までの寸法Ｌ２とについても、
２μｍ以上あるいは５μｍ以上とすることが好ましい。A light shielding layer (40) having a plurality of through holes (42) is further formed on the common electrode (30). The through hole (42) is
As shown in the drawing, the pixel portion (
12) with the same shape and dimensions as this pixel portion (12). However, in order to obtain a high MTF, the distance between the side edges of two adjacent through holes (42), that is, the area corresponding to the area between the pixel parts (12) of the segment electrode (10) on the back side, must be adjusted. The width of the transverse light-shielding layer portion is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more. The through hole (4) on the side opposite to the wiring part (14) of the segment electrode (10) shown in FIG.
2) dimension L1 from the side edge of the light shielding layer (40) to the end of the light shielding layer (40), and dimension L2 from the side edge of the through hole (42) on the wiring part (14) side to the end of the light shielding layer (40). Regarding,
The thickness is preferably 2 μm or more or 5 μm or more.
透孔（４２）は、各セグメント電極（１０）の画素部（
１２）の真上に、この画素部（１２）より大きい形状寸
法で設けても良い。この場合であっても、隣接する２つ
の透孔（４２）の側縁どおしの間隔すなわちこの部分の
遮光層（４０）の幅は、２μｍ以上であることが好まし
く、５μｍ以上であることが更に望ましい。また、セグ
メント電極（１０）の配線部（１４）とは反対側におけ
る透孔（４２）の側縁から遮光層（４０）の端部までの
寸法と、この配線部（１４）側における透孔（４２）の
側縁から遮光層（４０）の端部までの寸法とについても
、２μｍ以上あるいは５μｍ以上とすることが好ましい
。The through hole (42) is located in the pixel portion (
The pixel portion (12) may be provided directly above the pixel portion (12) with a larger shape and dimension. Even in this case, the distance between the side edges of two adjacent through holes (42), that is, the width of the light shielding layer (40) in this part, is preferably 2 μm or more, and preferably 5 μm or more. is even more desirable. Also, the dimension from the side edge of the through hole (42) on the side opposite to the wiring part (14) of the segment electrode (10) to the end of the light shielding layer (40), and the through hole on this wiring part (14) side. The dimension from the side edge of (42) to the end of the light shielding layer (40) is also preferably 2 μm or more, or 5 μm or more.
遮光層（４０〉は、可視光透過率が１０％以下の不透明
体で構成すれば良く、この透過率が５％以下であれば更
に望ましい。例えば、絶縁性の不透明高分子樹脂で遮光
層（４０）を構成することができる。また、この層（４
０）が導電性を有しても良く、アルミニウム、クロム等
の不透明金属膜を用いることもできる。ただし、導電性
を有する場合には、コモン電極（３０）と同様にセグメ
ント電極（１０）の配線部（１４）と短絡しないように
形成される。以上の遮光層（４０）は、フォトリソグラ
フィー等の方法でパターン化して各透孔（４２）を形成
することができる。The light-shielding layer (40) may be composed of an opaque material with a visible light transmittance of 10% or less, and it is more desirable if this transmittance is 5% or less.For example, the light-shielding layer (40) is made of an insulating opaque polymer resin. 40).Also, this layer (40) can be configured.
0) may have conductivity, and an opaque metal film such as aluminum or chromium may also be used. However, if it has conductivity, it is formed so as not to short-circuit with the wiring part (14) of the segment electrode (10), similarly to the common electrode (30). The light shielding layer (40) described above can be patterned by a method such as photolithography to form each through hole (42).
以上に説明した光イメージセンサ（２）は、遮光層（４
０）側から入射光（５０）を受ける。この際、入射光（
５０）は、遮光層（４０）のうち透孔（４２）のみを通
過し、更にコモン電極（３０）を透過して感光層（２０
）に達する。The optical image sensor (2) described above has a light shielding layer (4).
0) side receives incident light (50). At this time, the incident light (
50) passes only through the through hole (42) of the light shielding layer (40), and further passes through the common electrode (30) to reach the photosensitive layer (20).
).
このとき、例えば光起電力型のフォトセンサを構成する
感光層（２０）内では、各セグメント電極（ｌＯ）の画
素部（１２）に接触する感光層（２０）の部分すなわち
画素（２２）中に、それぞれの光量に応じた量の電子−
正孔対が同時に発生する。各画素（２２）で発生した電
子−正孔対は、各セグメント電極（１０）の配線部（１
４）とコモン電極（３０）の配線部（３２，３４）とを
通じて外部光電流として取出される。したがって、原稿
上の各点の明暗が一度に電流の大小に変換される。At this time, for example, in the photosensitive layer (20) constituting a photovoltaic photosensor, the portion of the photosensitive layer (20) that contacts the pixel portion (12) of each segment electrode (lO), that is, the portion of the pixel (22). , the amount of electrons corresponding to each amount of light -
Hole pairs are generated simultaneously. The electron-hole pairs generated in each pixel (22) are transferred to the wiring section (1) of each segment electrode (10).
4) and the wiring portion (32, 34) of the common electrode (30), the photocurrent is taken out as an external photocurrent. Therefore, the brightness and darkness of each point on the document is converted into the magnitude of the current at once.
しかも、入射光（５０）が透孔（４２）のみを通過して
感光層（２０）の各画素（２２）にのみ達し、各画素（
２２）が隔絶されるから、隣りの画素（２２）で生ずる
光電流の拾い込みがない。前記のように遮光層（４０）
の寸法Ｌ 、Ｌ２を２μｍ以上あるいは５μｍ以上とす
れば、これに対応する画素周辺領域からの光電流の拾い
込みをも防止することができる。ただし、前記のように
画素（２２）の全周にわたって感光層（３０）を遮光層
（４０）で完全に覆う必要はなく、裏側のセグメント電
極間領域に対応する箇所の一部をそれぞれ横切るように
遮光すれば、隣りの画素（２２）で生ずる光電流の拾い
込み防止を実現することができる。Moreover, the incident light (50) passes only through the through hole (42) and reaches only each pixel (22) of the photosensitive layer (20), and each pixel (
Since the pixel 22) is isolated, there is no pickup of photocurrent generated in the adjacent pixel (22). A light shielding layer (40) as described above.
If the dimensions L and L2 are set to 2 μm or more or 5 μm or more, it is also possible to prevent photocurrent from being picked up from the corresponding pixel peripheral area. However, as described above, it is not necessary to completely cover the photosensitive layer (30) with the light shielding layer (40) over the entire circumference of the pixel (22). By shielding the pixel from light, it is possible to prevent the photocurrent generated in the adjacent pixel (22) from being picked up.
光イメージセンサ（２）の分解能は、画素（２２）の形
成密度に依存する。この画素形成密度は、特に限定され
るものではないが、文字の読取を目的とする場合には１
ｗ＋ｓ当り８〜１６個が適当である。この密度は、所
要の分解能に応じて適宜変更可能である。The resolution of the optical image sensor (2) depends on the formation density of pixels (22). This pixel formation density is not particularly limited, but when the purpose is to read characters, 1
8 to 16 pieces per w+s is suitable. This density can be changed as appropriate depending on the required resolution.
なお、セグメント電極（１ｏ）の画素部（１２）と透孔
（４２）との形状は、円形、楕円形、菱形、三角形ある
いは六角形等であっても良い。また、以上に説明した実
施例では基板（６）上にセグメント電極（ｌＯ）、感光
層（２０）、コモン電極（３ｏ）及び遮光層（４０）を
順次積層した構造としていたが、基板（６）上に遮光層
（４０）、コモン電極（３０）、感光層（２０）及びセ
グメント電極（ｌＯ）の順に積層しても良い。コモン電
極（３０）と遮光層（４０）との積層順序を入れ替えて
も良い。また、コモン電極（３０）の内部に遮光層（４
０）を埋設しても良い。Note that the shapes of the pixel portion (12) and the through hole (42) of the segment electrode (1o) may be circular, elliptical, rhombic, triangular, hexagonal, or the like. In addition, in the embodiment described above, the segment electrode (lO), the photosensitive layer (20), the common electrode (3o), and the light shielding layer (40) were sequentially laminated on the substrate (6), but the substrate (6) ), a light shielding layer (40), a common electrode (30), a photosensitive layer (20), and a segment electrode (lO) may be laminated in this order. The stacking order of the common electrode (30) and the light shielding layer (40) may be changed. Further, a light shielding layer (4) is provided inside the common electrode (30).
0) may be buried.
［発明の効果］
以上に説明したように、本発明に係る光イメージセンサ
は、感光層（２０）の一方の面にこれに接触する互いに
分離した複数のセグメント電極（１０）を形成する一方
、感光層（２０）の他面側において、この感光層（２０
）に接触するように連続した透光性を有するコモン電極
（３０）を形成するとともに、裏側のセグメント電極（
１０）の間の領域に対応する箇所をそれぞれ横切る遮光
層（４０）を形成したものであるから、感光層（２０）
内において各セグメント電極（１０）に接触する位置に
それぞれ形成される各画素が遮光層（４０）によって隔
絶され、隣りの画素で生ずる光電流の拾い込みがない。[Effects of the Invention] As described above, the optical image sensor according to the present invention includes a plurality of segment electrodes (10) separated from each other formed on one surface of the photosensitive layer (20) and in contact with the same, On the other side of the photosensitive layer (20), this photosensitive layer (20
A continuous common electrode (30) having translucency is formed so as to be in contact with the segment electrode (30) on the back side.
Since the light-shielding layer (40) is formed to cross the areas corresponding to the areas between 10) and 10), the photosensitive layer (20)
Each pixel formed at a position in contact with each segment electrode (10) is isolated by a light-shielding layer (40), and photocurrent generated in an adjacent pixel is not picked up.
したがって、本発明によれば、画素間のクロストークが
なく、高いＭＴＦを有する光イメージセンサが得られる
。Therefore, according to the present invention, an optical image sensor without crosstalk between pixels and having a high MTF can be obtained.
第１図は、本発明の実施例に係る光イメージセンサの平
面図、
第２図は、前図の光イメージセンサの■−■拡大断面図
、
第３図は、前図の光イメージセンサの■−■一部拡大部
面大断
面図図は、従来の光イメージセンサの平面図、第５図は
、前図の光イメージセンサの■−■拡大断面図である。
符号の説明
２．４・・・先イメージセンサ、６・・・基板、１０・
・・セグメント電極、２０・・・感光層、３０・・・コ
モン電極、４０・・・遮光層、４２・・・遮光層透孔、
５０・・・入射光。
特許出願人 鐘淵化学工業株式会社FIG. 1 is a plan view of an optical image sensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the optical image sensor shown in the previous figure, and FIG. 3 is a plan view of the optical image sensor shown in the previous figure. (1)--(2) Partially enlarged large sectional view The figure is a plan view of a conventional optical image sensor, and FIG. Explanation of symbols 2.4... destination image sensor, 6... board, 10...
... Segment electrode, 20... Photosensitive layer, 30... Common electrode, 40... Light shielding layer, 42... Light shielding layer through hole,
50...Incoming light. Patent applicant Kanebuchi Chemical Industry Co., Ltd.
Claims (1)
複数のセグメント電極を形成する一方、感光層の他面側
において、この感光層に接触するように連続した透光性
を有するコモン電極を形成するとともに、裏側のセグメ
ント電極間領域に対応する箇所をそれぞれ横切る遮光層
を形成したことを特徴とする光イメージセンサ。 ２、遮光層の可視光透過率が１０％以下であることを特
徴とする請求項１記載の光イメージセンサ。 ３、遮光層の幅が２μｍ以上であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の光イメージセンサ。[Claims] 1. A plurality of segment electrodes are formed on one side of the photosensitive layer and are separated from each other, and a continuous transparent segment electrode is formed on the other side of the photosensitive layer so as to be in contact with the photosensitive layer. An optical image sensor comprising: a common electrode having optical properties; and a light-shielding layer extending across portions corresponding to regions between segment electrodes on the back side. 2. The optical image sensor according to claim 1, wherein the light shielding layer has a visible light transmittance of 10% or less. 3. The optical image sensor according to claim 1 or 2, wherein the width of the light shielding layer is 2 μm or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191889A JPH0240966A (en) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Optical image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191889A JPH0240966A (en) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Optical image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240966A true JPH0240966A (en) | 1990-02-09 |
Family
ID=16282136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191889A Pending JPH0240966A (en) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Optical image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240966A (en) |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP63191889A patent/JPH0240966A/en active Pending
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