JPH0238932B2 - - Google Patents
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- JPH0238932B2 JPH0238932B2 JP58224880A JP22488083A JPH0238932B2 JP H0238932 B2 JPH0238932 B2 JP H0238932B2 JP 58224880 A JP58224880 A JP 58224880A JP 22488083 A JP22488083 A JP 22488083A JP H0238932 B2 JPH0238932 B2 JP H0238932B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0333—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect addressed by a beam of charged particles
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Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野の説明)
本発明は画像の否定論理を求める否定論理演算
装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Description of Technical Field) The present invention relates to a negation logic operation device for calculating negation logic of an image.
(発明の背景)
一つの画像に対する論理演算、または画像間の
論理演算は、電子計算機を用いた画像処理技術を
利用することにより可能である。(Background of the Invention) Logical operations on one image or between images are possible by using image processing technology using an electronic computer.
単一の画像の情報に対して論理演算、例えば否
定をしたいときは、前記画像の情報を画素に分解
して、各画素に対して論理演算、例えば否定の演
算等を施すことにより、画像に対する論理演算を
施すことができる。 When you want to perform a logical operation, such as negation, on the information of a single image, you can divide the image information into pixels and perform a logical operation, such as negation, on each pixel. Logical operations can be performed.
また2つの画像間の論理演算を施したいとき
は、例えば論理和を求めたいときは、同様に各画
像を画素に分解して、対応する画素同志での論理
和を求めて画像を再構成すれば、画像間の論理演
算の結果を求めることができる。 Also, if you want to perform a logical operation between two images, for example to calculate a logical sum, you must similarly decompose each image into pixels and calculate the logical sum of the corresponding pixels to reconstruct the image. For example, it is possible to obtain the results of logical operations between images.
このような演算を行うために、通常テレビジヨ
ン撮像装置と、画像情報を画素単位で蓄積するフ
レームメモリ、演算結果を同様に画素単位で蓄積
するフレームメモリ、論理演算のための演算回路
が必要となる。 To perform such calculations, a television imaging device, a frame memory that stores image information pixel by pixel, a frame memory that stores calculation results pixel by pixel, and an arithmetic circuit for logical operations are usually required. Become.
このような演算の過程は多くの直列処理が含ま
れ、画素が多くなるに従つて大形の演算処理装置
が必要となる。 Such a calculation process involves many serial processes, and as the number of pixels increases, a larger arithmetic processing device is required.
(発明の目的)
本発明の目的は、前述のような画像処理技術と
は全く異なる新規な構成の論理を求める否定論理
演算装置を提供することにある。(Objective of the Invention) An object of the present invention is to provide a negative logic operation device that obtains logic with a novel configuration that is completely different from the image processing technology described above.
(発明の構成)
前記目的を達成するために本発明による画像の
否定論理を求める第1の否定論理演算装置は、光
電面、第1の面が前記光電面に対向させられてお
り第2の面に透明電極が設けられている電気光学
結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間に設け
られた網目状電極から成る空間光変調管と、前記
空間光変調管の外から前記電気光学結晶の前記第
2の面側から直線偏光されたレーザ光で照射する
レーザ光源装置と、前記空間光変調管の光電面、
網目状電極、前記透明電極に動作電圧を供給する
電圧発生回路と、演算対象である画像の像を前記
空間光変調管の光電面に形成する画像光学装置
と、前記空間光変調管の光電面を一様に照射する
照射光学装置と、前記電気光学結晶の第1の面で
反射した光が入射させられる偏光子とを含み、前
記電圧発生回路により、前記網目状電極、前記透
明電極間に半波長電圧の奇数倍またはそれに近い
電圧を印加し、前記光電面に書込み電圧を印加し
て、前記照射光学装置により前記光電面を一様に
照射することによつて前記電気光学結晶の第1の
面に一様な電荷を形成し、前記電圧発生回路によ
り、前記網目状電極、前記透明電極間に半波長電
圧の偶数倍またはそれに近い電圧を印加し、前記
光電面に書込み電圧を印加して、前記光学装置に
より演算対象である画像の像を前記光電面に形成
することによつて、前記画像に対応する電荷像を
前記電気光学結晶の第1の面に形成し、前記レー
ザ光源装置により前記電気光学結晶を照射し前記
偏光子を透過した光に前記画像の否定論理を得る
ように構成されている。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, a first negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention includes a photocathode, a first surface facing the photocathode, and a second surface facing the photocathode. an electro-optic crystal having a transparent electrode on its surface; a spatial light modulation tube comprising a mesh electrode provided between the photocathode and the electro-optic crystal plate; a laser light source device that irradiates with linearly polarized laser light from the second surface side of the crystal; a photocathode of the spatial light modulation tube;
a mesh electrode, a voltage generation circuit that supplies an operating voltage to the transparent electrode, an image optical device that forms an image to be calculated on a photocathode of the spatial light modulation tube, and a photocathode of the spatial light modulation tube. includes an irradiation optical device that uniformly irradiates light, and a polarizer into which light reflected by the first surface of the electro-optic crystal is incident; By applying a voltage equal to or close to an odd multiple of a half-wavelength voltage, applying a writing voltage to the photocathode, and uniformly irradiating the photocathode with the irradiation optical device, the first part of the electro-optic crystal is A uniform charge is formed on the surface of the photocathode, and the voltage generating circuit applies a voltage that is an even multiple of a half-wavelength voltage or close to it between the mesh electrode and the transparent electrode, and a writing voltage is applied to the photocathode. By forming an image of an image to be calculated on the photocathode using the optical device, a charge image corresponding to the image is formed on the first surface of the electro-optic crystal, and the laser light source device Accordingly, the electro-optic crystal is irradiated and the light transmitted through the polarizer is configured to obtain the negative logic of the image.
前記目的を達成するために本発明による画像の
否定論理を求める第2の否定論理演算装置は、光
電面、第1の面が前記光電面に対向させられてお
り第2の面に透明電極が設けられている電気光学
結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間に設け
られた網目状電極から成る空間光変調管と、前記
空間光変調管の外から前記電気光学結晶の前記第
2の面側から直線偏光されたレーザ光で照射する
レーザ光源装置と、前記空間光変調管の光電面、
網目状電極、前記透明電極に動作電圧を供給する
書込み電圧発生回路と、演算対象である画像の像
を前記空間光変調管の光電面に形成する画像光学
装置と、前記空間光変調管の電気光学結晶と前記
レーザ光源装置との間に第1および第2の面に透
明電極をもつ前記空間光変調管の電気光学結晶と
同じ特性の読み出し用の電気光学結晶と、前記読
み出し用の電気光学結晶に電圧を印加する読み出
し電圧発生回路と、前記空間光変調管の電気光学
結晶の第1の面で反射し前記読み出し用の電気光
学結晶を透過した光が入射させられる偏光子とを
含み、前記書込み電圧発生回路により、前記網目
状電極と前記透明電極間に半波長電圧の奇数倍ま
たはそれに近い電圧を印加し、書込み電圧を印加
して、前記画像光学装置により演算対象である画
像の像を前記光電面に形成することによつて前記
電気光学結晶の第1の面に前記画像に対応する電
荷像を形成し、前記レーザ光源装置により前記電
気光学結晶を照射し前記偏光子を透過した光に前
記画像の否定論理を得るように構成されている。 In order to achieve the above object, the second negative logic operation device for calculating the negative logic of an image according to the present invention includes a photocathode, a first surface facing the photocathode, and a transparent electrode on the second surface. an electro-optic crystal provided, a spatial light modulation tube consisting of a mesh electrode provided between the photocathode and the electro-optic crystal plate; a laser light source device that irradiates with linearly polarized laser light from the surface side of the spatial light modulation tube; and a photocathode of the spatial light modulation tube;
a mesh electrode, a write voltage generation circuit that supplies an operating voltage to the transparent electrode, an image optical device that forms an image of an image to be calculated on the photocathode of the spatial light modulation tube, and an electric current of the spatial light modulation tube. an electro-optic crystal for readout having the same characteristics as the electro-optic crystal of the spatial light modulation tube having transparent electrodes on first and second surfaces between the optical crystal and the laser light source device; and an electro-optic crystal for readout; a readout voltage generation circuit that applies a voltage to the crystal; and a polarizer into which light that is reflected by a first surface of the electro-optic crystal of the spatial light modulation tube and transmitted through the read-out electro-optic crystal is incident; The write voltage generation circuit applies a voltage that is or is an odd multiple of the half-wave voltage between the mesh electrode and the transparent electrode, and by applying the write voltage, the image optical device generates an image of the image to be calculated. was formed on the photocathode to form a charge image corresponding to the image on the first surface of the electro-optic crystal, and the electro-optic crystal was irradiated with the laser light source device and transmitted through the polarizer. The light is configured to obtain the negative logic of the image.
(実施例の説明)
第1図は本発明による画像間の否定論理を求め
る否定論理演算装置の基本となる部分の構成を示
すブロツク図である。(Description of Embodiments) FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a basic part of a negation logic operation device for calculating negation logic between images according to the present invention.
空間光変調管3の真空容器34の入射窓の内面
に光電面31が形成されている。 A photocathode 31 is formed on the inner surface of the entrance window of the vacuum vessel 34 of the spatial light modulation tube 3 .
LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いた電気光学結
晶33の第1の面33aは前記光電面に対向させ
られており第2の面に透明電極33bが形成され
ている。 A first surface 33a of an electro-optic crystal 33 made of a 55° cut crystal of LiNbO 3 is opposed to the photocathode, and a transparent electrode 33b is formed on the second surface.
前記電気光学結晶33の第1の面33aの前面
に網目状電極32が配置されている。 A mesh electrode 32 is arranged in front of the first surface 33 a of the electro-optic crystal 33 .
前記光電面31、網目状電極32、電気光学結
晶33の第2の面の透明電極33bはそれぞれ接
続端子31c,32c,33cから動作電圧が接
続される。 The photocathode 31, the mesh electrode 32, and the transparent electrode 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33 are connected to operating voltages from connection terminals 31c, 32c, and 33c, respectively.
画像Iは画像配置台22に支持されインコヒー
レントな光源1で照明されており画像Iの像はレ
ンズ2で前記空間光変調管3の光電面31上に形
成させられている。 The image I is supported on an image arrangement table 22 and illuminated by an incoherent light source 1, and the image of the image I is formed on the photocathode 31 of the spatial light modulation tube 3 by a lens 2.
端子31c,32c,33cから動作電圧を供
給し、光電面31の電圧を網目状電極32、電気
光学結晶33の第2の面の透明電極33bの電圧
よりも低い電圧(書込み電圧)にし、さらに上記
電圧の範囲内で網目状電極32、電気光学結晶3
3の第2の面の透明電極33b間に電圧を与え
て、光電面31の放出する電子の像に対応する正
または負の電荷像を電気光学結晶33の第1の面
に形成する。ここに電気光学結晶33の二次電子
放出特性は、多くの物質と同様に第8図に示すよ
うに、結晶(材料)特有の電圧E1以下で放出比
δが1より小さく、上記E1と同じく結晶特有の
電圧E2との間で放出比δが1より大きく、上記
E2より大きいとき再び放出比δが1より小さく
なるという特性をもつ。 The operating voltage is supplied from the terminals 31c, 32c, and 33c, and the voltage of the photocathode 31 is set to a lower voltage (writing voltage) than the voltage of the mesh electrode 32 and the transparent electrode 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33. Within the above voltage range, the mesh electrode 32, the electro-optic crystal 3
By applying a voltage between the transparent electrodes 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33, a positive or negative charge image corresponding to the image of electrons emitted by the photocathode 31 is formed on the first surface of the electro-optic crystal 33. Here, the secondary electron emission characteristics of the electro-optic crystal 33, as shown in FIG. 8 like many substances, are such that the emission ratio δ is smaller than 1 at a voltage E 1 or less specific to the crystal (material), and the above E 1 Similarly, the emission ratio δ is larger than 1 between the crystal-specific voltage E 2 and the above
When E is larger than 2 , the emission ratio δ becomes smaller than 1 again.
網目状電極32の電圧をほぼE2に設定して光
電面31の電圧と電気光学結晶33の第2の面の
透明電極33bの電圧との差が、第8図に示す
E2より大きくなるように上記透明電極33bに
電圧を与えたときは、電気光学結晶33の第1の
面33aが網目状電極32の電圧と等しい電圧に
なるまでは電子が付着して(δ<1)負電荷像が
形成される。負電荷による電位が前記網目状電極
32の電位E2と等しくなつたときは、その後に
電子が飛来してきても電荷は変化しない。電子が
飛来して来ない部分は無電荷の状態にある。 When the voltage of the mesh electrode 32 is set to approximately E2 , the difference between the voltage of the photocathode 31 and the voltage of the transparent electrode 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33 is shown in FIG.
When a voltage is applied to the transparent electrode 33b to be greater than E 2 , electrons are attached to the first surface 33a of the electro-optic crystal 33 until the voltage becomes equal to the voltage of the mesh electrode 32 (δ <1) A negative charge image is formed. When the potential due to the negative charge becomes equal to the potential E 2 of the mesh electrode 32, the charge will not change even if electrons fly in after that. The parts to which electrons do not come are in an uncharged state.
光電面31の電圧と電気光学結晶33の第2の
面の透明電極33bの電圧との差が第8図に示す
E1とE2との間にあるように上記透明電極33b
に電圧を与えたときは電気光学結晶33の第1の
面33aに到達した電子により発生させられる二
次電子(δ>1)が前記網目状電極32に捕捉さ
れることにより当該部分に結果的に正電荷像が蓄
積される。 The difference between the voltage on the photocathode 31 and the voltage on the transparent electrode 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33 is shown in FIG.
The transparent electrode 33b is located between E 1 and E 2 .
When a voltage is applied to the area, secondary electrons (δ>1) generated by electrons that reach the first surface 33a of the electro-optic crystal 33 are captured by the mesh electrode 32, resulting in A positive charge image is accumulated in .
正電荷による電位が前記網目状電極32の電位
E2と等しくなつたときに平衡し、その後に電子
が飛来してきても電荷は変化しない。 The potential due to positive charges is the potential of the mesh electrode 32.
Equilibrium occurs when it becomes equal to E 2 , and the charge does not change even if electrons come in after that.
電子が飛来して来ない部分は無電荷の状態に保
たれる。 The parts to which electrons do not come are kept uncharged.
電子を入射させなければ、電圧を変えても電気
光学結晶33の表面の電荷は保存される。 If electrons are not incident, the charge on the surface of the electro-optic crystal 33 is preserved even if the voltage is changed.
この電気光学結晶33の状態は、レーザ光源装
置からのレーザ光により読み出される。 The state of this electro-optic crystal 33 is read out by laser light from a laser light source device.
レーザ光源装置は、レーザ発振器4、偏光子
5、レンズ6、ピンホール7、コリメーテイング
レンズ8から構成されている。 The laser light source device includes a laser oscillator 4, a polarizer 5, a lens 6, a pinhole 7, and a collimating lens 8.
レーザ発振器4からの光は偏光子5で結晶のx
軸(またはy′軸)から45゜の方向の直線偏光に変
換される。 The light from the laser oscillator 4 is polarized by the crystal x
It is converted into linearly polarized light in the direction of 45° from the axis (or y′ axis).
そしてレンズ6で拡大されピンホール7で余分
な回折光が除去される。 The light is then magnified by a lens 6 and excess diffracted light is removed by a pinhole 7.
ピンホール7を透過した光はコリメーテイング
レンズ8で平行光に変換され、ハーフミラー9を
通して電気光学結晶の第2の面から、結晶に入射
させられる。電気光学結晶(LiNbO3)は第7図
のようにウエーハ状に切り出されている。 The light transmitted through the pinhole 7 is converted into parallel light by a collimating lens 8, and is made incident on the crystal from the second surface of the electro-optic crystal through a half mirror 9. The electro-optic crystal (LiNbO 3 ) is cut into a wafer shape as shown in FIG.
LiNbO3の電気光学結晶33の表面電荷によつ
て、結晶の厚み方向に係る電界が変化し結晶のx
方向、y′方向の屈折率は次式のように変化する。 Due to the surface charge of the LiNbO 3 electro-optic crystal 33, the electric field in the thickness direction of the crystal changes and
The refractive index in the y′ direction changes as shown in the following equation.
nx=nx0−rx・E ……(1)
ny′=ny′0−ry′・E ……(2)
ここで、
nx0、ny′0:電荷の存在しない時のx方向、y′方
向の屈折率
E:電荷の存在により結晶内に生ずる電界
rx、ry′:電気光学定数
電気光学結晶33に入射した光のx方向成分、
y′方向成分の速度が異なるので(結晶のx、y′方
向の屈折率が異なるから)結晶表面で反射して戻
つてくる光のx方向成分、y′方向成分に次式のよ
うな位相差が生じ、一般には楕円偏光となつて出
力してくる。 nx=nx 0 −rx・E……(1) ny′=ny′ 0 −ry′・E……(2) Here, nx 0 , ny′ 0 : x direction when no charge exists, y′ Refractive index in the direction E: electric field generated in the crystal due to the presence of charges rx, ry': electro-optic constant x-direction component of light incident on the electro-optic crystal 33,
Since the speed of the y' direction component is different (because the refractive index of the crystal is different in the x and y' directions), the x direction component and the y' direction component of the light reflected from the crystal surface and returning have a position as shown in the following equation. A phase difference occurs, and the light is generally output as elliptically polarized light.
Γ=(2π/λ)・(El)・2(ry′−rx) ……(3)
ここで、
λ:レーザ発振器4の出力する光の波長
l:結晶33の厚さ
この出力光を偏光子10を通過させれば一つの
偏波方向成分だけが取り出され、出力として入力
像Iによつて変調されたコヒーレント光像が得ら
れる。この時出力光強度I0は次の式で与えられ
る。 Γ=(2π/λ)・(El)・2(ry'−rx) ...(3) Here, λ: Wavelength of light output from laser oscillator 4 l: Thickness of crystal 33 This output light is polarized. When the light beam passes through the element 10, only one polarization direction component is extracted, and a coherent optical image modulated by the input image I is obtained as an output. At this time, the output light intensity I 0 is given by the following formula.
I0=A sin2Γ/2=A sin2(π/2)・(V/Vπ
)……(4)
ここで、
V:電荷σに等価な電圧
Vπ:電荷σπに等価な電圧(半波長電圧)
(4)式に基づく曲線を第2図に示す。I 0 = A sin 2 Γ/2 = A sin 2 (π/2)・(V/Vπ
)...(4) Here, V: Voltage equivalent to charge σVπ: Voltage equivalent to charge σπ (half-wave voltage) Figure 2 shows a curve based on equation (4).
第2図に示されているように表面の電荷により
電気光学結晶33内の電界が変わることにより反
射光の強度が変化する。 As shown in FIG. 2, the electric field within the electro-optic crystal 33 changes due to surface charges, thereby changing the intensity of the reflected light.
第2図から次のことが理解できる。 The following can be understood from Figure 2.
電気光学結晶の表面電荷が0、つまり光電子の
入射がなかつた場合(以下aの状態と言う)は、
ハーフミラー9を介して電気光学結晶33に入り
第1の面で反射し、ハーフミラー9で反射され、
偏光子10を通過したレーザ光の強度は0であ
る。表面電荷が−σπのとき(以下bの状態)お
よび表面電荷がσπのとき(以下cの状態)では
透過した光は最大となる。 When the surface charge of the electro-optic crystal is 0, that is, when there is no incidence of photoelectrons (hereinafter referred to as state a),
It enters the electro-optic crystal 33 via the half mirror 9, is reflected by the first surface, is reflected by the half mirror 9,
The intensity of the laser beam that has passed through the polarizer 10 is zero. When the surface charge is -σπ (hereinafter referred to as state b) and when the surface charge is σπ (hereinafter referred to as state c), the transmitted light is at a maximum.
表面電荷が−σπ/2のとき(以下dの状態)
および表面電荷がσπ/2のとき(以下eの状態)
では透過した光は前記最大の光の1/2の光が得ら
れる。 When the surface charge is -σπ/2 (hereinafter referred to as d state)
and when the surface charge is σπ/2 (state e below)
Then, the transmitted light is 1/2 of the maximum light.
一般的に言つて網目状電極32と電気光学結晶
33間に前記半波長電圧の奇数倍の電圧が印加さ
れているときに、光電面31の電圧を低くする書
込み電圧が印加されると、充分な光電子の飛来が
あつた部分は−σπまたはσπの奇数倍の電荷が蓄
積される。 Generally speaking, when a voltage that is an odd multiple of the half-wave voltage is applied between the mesh electrode 32 and the electro-optic crystal 33, if a write voltage that lowers the voltage of the photocathode 31 is applied, it is sufficient to A charge of -σπ or an odd multiple of σπ is accumulated in the area where the photoelectrons have arrived.
また網目状電極32と電気光学結晶33間に前
記半波長電圧の偶数倍の電圧が印加されていると
きに、光電面31の電圧を低くする書込み電圧が
印加されると、充分な光電子の飛来があれば−
σπまたはσπの偶数倍の電荷が蓄積される。 Furthermore, when a voltage that is an even number multiple of the half-wavelength voltage is applied between the mesh electrode 32 and the electro-optic crystal 33, if a write voltage that lowers the voltage of the photocathode 31 is applied, sufficient photoelectrons will fly. If there is-
Charges of σπ or even multiples of σπ are accumulated.
第3図は本発明による画像の否定論理を求める
否定論理演算装置の第1の構成の実施例を示すブ
ロツク図である。 FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the first configuration of a negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention.
空間光変調管3およびレーザ光源装置の構成は
第1図を参照して説明した所と変わらない。 The configurations of the spatial light modulation tube 3 and the laser light source device are the same as those described with reference to FIG.
空間光変調管3の各部の電極は、電圧発生回路
11に接続されている。 Electrodes at various parts of the spatial light modulation tube 3 are connected to a voltage generation circuit 11.
電圧発生回路11の出力端子aは画像書込み電
圧Vaを発生する。Vaは通常は+3kV(書込み禁
止状態)で0のときが書込み状態である。網目状
電極32は電圧発生回路11の出力端子bから電
圧Vbが接続され、電気光学結晶33の第2の面
の透明電極33bは、電圧発生回路11の出力端
子cから電圧Vcが接続される。これらの電圧は
通常正の電圧であつて、
Vb−Vc<0のときには、電気光学結晶33の
第1の面33aに負電荷による書込み、
Vb−Vc>0のときには正電荷による書込みが
行われる。 An output terminal a of the voltage generating circuit 11 generates an image writing voltage Va. Va is normally +3kV (write prohibited state), and when it is 0, it is a write state. The mesh electrode 32 is connected to the voltage Vb from the output terminal b of the voltage generation circuit 11, and the transparent electrode 33b on the second surface of the electro-optic crystal 33 is connected to the voltage Vc from the output terminal c of the voltage generation circuit 11. . These voltages are usually positive voltages, and when Vb-Vc<0, writing is performed on the first surface 33a of the electro-optic crystal 33 using negative charges, and when Vb-Vc>0, writing is performed using positive charges. .
この実施例において前述した半波長電圧Vπは、
1.0kVである。 In this example, the half-wave voltage Vπ mentioned above is
It is 1.0kV.
否定論理を求める画像は第3図の画像配置台2
2に支持されインコヒーレント光源1によりハー
フミラー16を介して照射される。 Images for which negative logic is required are placed on image placement stand 2 in Figure 3.
2 and is irradiated by an incoherent light source 1 via a half mirror 16.
画像はハーフミラー17、レンズ2を介して空
間光変調管3の光電面31に結像される。 The image is formed on the photocathode 31 of the spatial light modulation tube 3 via the half mirror 17 and the lens 2.
インコヒーレント光源1、ハーフミラー16、
全反射鏡14、シヤツタ13、全反射鏡15およ
びハーフミラー17は空間光変調管3の光電面3
1を均一に照射する照射光学系を形成している。 incoherent light source 1, half mirror 16,
The total reflection mirror 14, the shutter 13, the total reflection mirror 15, and the half mirror 17 are the photocathode 3 of the spatial light modulation tube 3.
1 is formed as an irradiation optical system that uniformly irradiates the light.
シヤツタ13の開閉はシヤツタ駆動回路18に
より行われ、画像を画像配置台22に支持した状
態でも、シヤツタ13を開くことにより、空間光
変調管3の光電面31を均一に照射することがで
きる。 The shutter 13 is opened and closed by a shutter drive circuit 18, and even when an image is supported on the image arrangement table 22, by opening the shutter 13, the photocathode 31 of the spatial light modulation tube 3 can be uniformly irradiated.
次に、第5図Aに示す画像Ixの否定論理を求め
る例について詳しく説明する。 Next, an example of determining the negative logic of the image Ix shown in FIG. 5A will be explained in detail.
シヤツタ駆動回路18により、シヤツタ13を
開放させ、空間光変調管3の光電面を一様に照射
する。この状態で、電圧発生回路11からVb=
2kVおよびVc=3kVを供給し、網目状電極32
の電圧を電気光学結晶33の透明電極の電圧より
Vπ(Vb−Vc=−1.0kV=−Vπ)だけ低くする。 The shutter drive circuit 18 opens the shutter 13 and uniformly illuminates the photocathode of the spatial light modulation tube 3. In this state, from the voltage generation circuit 11, Vb=
2kV and Vc=3kV, mesh electrode 32
From the voltage of the transparent electrode of the electro-optic crystal 33,
Lower it by Vπ (Vb-Vc=-1.0kV=-Vπ).
そして、光電面31の電圧Vaを+3kVから0
に変化させる。電気光学結晶33の第1面には一
様に光電子が飛来するから、電気光学結晶33の
第1面は一様に−σπの電荷が蓄積される。 Then, the voltage Va of the photocathode 31 is changed from +3kV to 0.
change to Since photoelectrons uniformly fly to the first surface of the electro-optic crystal 33, charges of -σπ are uniformly accumulated on the first surface of the electro-optic crystal 33.
このとき電気光学結晶33は、第2図のb点の
状態にある。 At this time, the electro-optic crystal 33 is in the state of point b in FIG.
電圧Vaを0から+3kVに変化させて、全面の
書込みを終了する。 The voltage Va is changed from 0 to +3 kV to complete writing of the entire surface.
次に電圧発生回路11からVb=2kVおよびVc
=2kVを供給し、書込み電圧Vaを+3kVから0
に変化させる。 Next, from the voltage generation circuit 11, Vb=2kV and Vc
=2kV, and write voltage Va from +3kV to 0
change to
画像Ixの背景の部分に相当する電気光学結晶3
3の第1面には光電子が飛来しないからその部分
の電荷−σπは変化しない。 Electro-optic crystal 3 corresponding to the background part of image Ix
Since no photoelectrons fly to the first surface of 3, the charge -σπ of that part does not change.
画像Ixの白丸の部分から入射した光電子による
二次電子(δ>1)は網目状電極32で捕捉さ
れ、結果としてその部分の負電荷は減少して電荷
が0になつて平衡する。 Secondary electrons (δ>1) caused by photoelectrons incident from the white circle part of the image Ix are captured by the mesh electrode 32, and as a result, the negative charge in that part decreases and the charge becomes 0 and is balanced.
電圧Vaを0から+3kVに変化させて、画像Ix
の書込みを終了する。 Image Ix by changing voltage Va from 0 to +3kV
Finish writing.
このようにして書き込まれた電気光学結晶33
にレーザ光源装置のレーザ発振器4からの読み取
り光を与えると、電気光学結晶33の表面の電荷
−σπの部分は結晶内に半波長電圧による電界が
形成されているので、偏波面が90゜変化して、偏
光子10を通過することにより明るく観察され
る。その結果第4図Bに示すように読み出され
る。 Electro-optic crystal 33 written in this way
When reading light from the laser oscillator 4 of the laser light source device is applied to the surface of the electro-optic crystal 33, the plane of polarization changes by 90° because an electric field is formed in the crystal due to the half-wave voltage at the charge −σπ portion on the surface of the electro-optic crystal 33. When the light passes through the polarizer 10, it is observed brightly. As a result, the data is read out as shown in FIG. 4B.
第4図は本発明による画像の否定論理を求める
否定論理演算装置の第2の構成の実施例を示すブ
ロツク図である。 FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of a second configuration of a negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention.
空間光変調管3およびレーザ光源装置の構成は
第1図を参照して説明した所と変わらない。 The configurations of the spatial light modulation tube 3 and the laser light source device are the same as those described with reference to FIG.
空間光変調管3の各部の電極は、電圧発生回路
11に接続されている。 Electrodes at various parts of the spatial light modulation tube 3 are connected to a voltage generation circuit 11.
この実施例では空間光変調管3の電気光学結晶
33と前記レーザ光源装置との間に読み出し用の
電気光学結晶12を配置してある。 In this embodiment, an electro-optic crystal 12 for reading is arranged between an electro-optic crystal 33 of the spatial light modulation tube 3 and the laser light source device.
この読み出し用の電気光学結晶12はその第1
および第2の面に透明電極12a,12bが設け
られている。結晶として空間光変調管3の電気光
学結晶33と同じ特性のLiNbO3の55゜カツトの結
晶を使用している。 This readout electro-optic crystal 12 is the first
Transparent electrodes 12a and 12b are provided on the second surface. As the crystal, a 55° cut LiNbO 3 crystal having the same characteristics as the electro-optic crystal 33 of the spatial light modulation tube 3 is used.
この透明電極12a,12b間には、前記書込
み用の電圧発生回路11と一体に設けられた読み
出し電圧発生回路11の出力端dから読み出し電
圧が接続されている。 A read voltage is connected between the transparent electrodes 12a and 12b from an output terminal d of a read voltage generation circuit 11 provided integrally with the write voltage generation circuit 11.
この電気光学結晶12の透明電極間に電圧を印
加すると、前記電気光学結晶33の第1の表面に
均一な電荷が蓄積されたときと同様な電気光学特
性を示す。例えば半波長電圧Vπを与えると、表
面に一様な電荷−σπまたはσπを与えた場合と同
様な電気光学特性を示す。 When a voltage is applied between the transparent electrodes of the electro-optic crystal 12, the same electro-optic characteristics as when uniform charges are accumulated on the first surface of the electro-optic crystal 33 are exhibited. For example, when a half-wavelength voltage Vπ is applied, electro-optical characteristics similar to those obtained when a uniform charge −σπ or σπ is applied to the surface are exhibited.
次に、前記実施例装置で、第5図Aに示す画像
Ixの否定論理を求める例について詳しく説明す
る。 Next, using the embodiment apparatus, the image shown in FIG. 5A is
An example of finding the negative logic of Ix will be explained in detail.
画像Ixを画像配置台22で支持する。画像Ixは
インコヒーレント光源1で照射されており、白丸
の部分の像が空間光変調管3の光電面に形成され
る。 The image Ix is supported by the image arrangement stand 22. The image Ix is illuminated by the incoherent light source 1, and an image of the white circle portion is formed on the photocathode of the spatial light modulation tube 3.
この状態で網目状電極の端子32cにVb=
2kV、電気光学結晶33の透明電極にVc=3kV
を印加する。Vb−Vc=−1.0kVで負の半波長電
圧−Vπが印加されることになる。 In this state, Vb=
2kV, Vc = 3kV to the transparent electrode of electro-optic crystal 33
Apply. A negative half-wavelength voltage -Vπ is applied at Vb-Vc=-1.0kV.
光電面の電圧Vaを+3kVから0に変化させて、
書込み状態を形成する。 By changing the photocathode voltage Va from +3kV to 0,
Form a write state.
画像Ixの背景部分(黒地の部分)に相当する電
気光学結晶33の表面には電子が飛来しない。 Electrons do not fly to the surface of the electro-optic crystal 33, which corresponds to the background part (black part) of the image Ix.
したがつてその部分に蓄積される電荷は0で裏
面の透明電極33c間に電位差を発生させる電荷
は蓄積されない。 Therefore, the charge accumulated in that portion is 0, and the charge that causes a potential difference between the transparent electrodes 33c on the back surface is not accumulated.
その部分の特性は第2図aの位置にあたる。 The characteristics of that part correspond to the position shown in Figure 2a.
画像Ixの信号部分(白丸の部分)は飛来する電
荷を蓄積して、裏面の透明電極33cとの間に−
Vπの電位差を与える電荷−σπが蓄積される。こ
の部分の特性は第2図bに相当する。光電面の電
圧Vaを0から+3kVに変化させて画像Ixの書込
みを終了する。 The signal part (white circle part) of image Ix accumulates the incoming charge, and - between it and the transparent electrode 33c on the back side.
A charge −σπ giving a potential difference of Vπ is accumulated. The characteristics of this part correspond to FIG. 2b. The voltage Va of the photocathode is changed from 0 to +3 kV to complete writing of the image Ix.
以上のようにして書き込まれた電荷は電圧Va,
Vbを0にしても保存される。 The charges written in the above manner are the voltage Va,
It is saved even if Vb is set to 0.
次に電圧発生回路11のd端子から電圧π/2
を読み出し用の電気光学結晶12に印加する。 Next, the voltage π/2 is applied from the d terminal of the voltage generating circuit 11.
is applied to the electro-optic crystal 12 for reading.
そしてレーザ光源装置のレーザ発振器4からの
読み取り光を与えると結晶12を往復する光は一
様にVπに相当する位相変化を受ける。そのため、
偏光子10を透過した電気光学結晶33の表面の
電荷−σπの部分からの光は、第2図b点からa
点に移るため0、電荷の存在しない部分は、a点
がc点に移るため強度が大きく現れて第5図Bの
ように現れる。 When reading light from the laser oscillator 4 of the laser light source device is applied, the light traveling back and forth through the crystal 12 uniformly undergoes a phase change corresponding to Vπ. Therefore,
The light from the portion of charge −σπ on the surface of the electro-optic crystal 33 that has passed through the polarizer 10 moves from point b to a in FIG.
In the part where there is no charge, the intensity appears to be large as point a moves to point c, as shown in FIG. 5B.
以上説明した実施例では、光電面にイメージを
照射した状態で、書込み電圧Vaを変化させて書
込みを行つたが、Vaを書込み状態に保ち、光電
面へのイメージを光学シヤツタで制御して書込み
動作を行わせることができる。 In the embodiment described above, writing was performed by changing the write voltage Va with an image irradiated onto the photocathode, but writing was performed by keeping Va in the writing state and controlling the image on the photocathode with an optical shutter. can be made to perform an action.
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。 Various modifications can be made to the embodiments described in detail above within the scope of the present invention.
第6図に示すように、空間光変調管の中にマイ
クロチヤンネルプレート35を挿入しておけば、
微弱な画像の論理和を求めるときに便利である。 As shown in FIG. 6, if the microchannel plate 35 is inserted into the spatial light modulation tube,
This is useful when calculating the logical sum of weak images.
実施例として空間光変調管の電気光学結晶とし
て、LiNbO3の55゜カツトの結晶を用いる例を示し
たが、KDP、BSOなどの単結晶も同様に利用で
きる。 As an example, a 55° cut crystal of LiNbO 3 is used as the electro-optic crystal of the spatial light modulation tube, but single crystals such as KDP and BSO can be similarly used.
(効果の説明)
以上説明したように本発明による装置は電気光
学結晶表面に画像を電荷により書き込むことによ
り、画像の否定論理を求めることができる。(Description of Effects) As explained above, the device according to the present invention can obtain the negative logic of an image by writing an image on the surface of an electro-optic crystal using electric charges.
第1図は本発明による画像の否定論理を求める
否定論理演算装置の主要部の構成を示すブロツク
図である。第2図は本発明による画像の否定論理
を求める否定論理演算装置の空間光変調管の電気
光学結晶の特性および読み出し用の電気光学結晶
の特性を示すグラフである。第3図は本発明によ
る画像の否定論理を求める否定論理演算装置の第
1の構成の実施例を示すブロツク図である。第4
図は本発明による画像の否定論理を求める否定論
理演算装置の第2の構成の実施例を示すブロツク
図である。第5図は論理演算の対象である画像と
論理演算の結果を示す説明図である。第6図は空
間光変調管の他の実施例を示す断面図である。第
7図は電気光学結晶の結晶軸の方向を説明するた
めの略図である。第8図は二次電子のエネルギー
と二次電子放出比の関係を示すグラフである。
1……インコヒーレント光源、2……レンズ、
3……空間光変調管、31……光電面、32……
網目状電極、33……電気光学結晶、34……真
空容器、35……マイクロチヤンネルプレート、
4……レーザ発振器、5……偏光子、6……レン
ズ、7……ピンホール、8……コリメーテイング
レンズ、9……ハーフミラー、10……偏光子、
11……電圧発生回路、12……読み出し用電気
光学結晶、13……シヤツタ、14,15……全
反射ミラー、16,17……ハーフミラー、18
……シヤツタ駆動回路、20……再生像面、22
……画像配置台。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the main part of a negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention. FIG. 2 is a graph showing the characteristics of the electro-optic crystal of the spatial light modulation tube and the characteristics of the electro-optic crystal for readout of the negative logic operation device for calculating the negative logic of an image according to the present invention. FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the first configuration of a negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention. Fourth
The figure is a block diagram showing an embodiment of a second configuration of a negative logic operation device for calculating negative logic of an image according to the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing an image that is the object of a logical operation and the result of the logical operation. FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the spatial light modulation tube. FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the direction of the crystal axis of an electro-optic crystal. FIG. 8 is a graph showing the relationship between secondary electron energy and secondary electron emission ratio. 1...Incoherent light source, 2...Lens,
3... Spatial light modulation tube, 31... Photocathode, 32...
mesh electrode, 33...electro-optic crystal, 34...vacuum container, 35...microchannel plate,
4... Laser oscillator, 5... Polarizer, 6... Lens, 7... Pinhole, 8... Collimating lens, 9... Half mirror, 10... Polarizer,
11... Voltage generating circuit, 12... Electro-optic crystal for readout, 13... Shutter, 14, 15... Total reflection mirror, 16, 17... Half mirror, 18
... Shutter drive circuit, 20 ... Reproduction image surface, 22
...Image arrangement table.
Claims (1)
れており第2の面に透明電極が設けられている電
気光学結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間
に設けられた網目状電極から成る空間光変調管
と、前記空間光変調管の外から前記電気光学結晶
の前記第2の面側から直線偏光されたレーザ光で
照射するレーザ光源装置と、前記空間光変調管の
光電面、網目状電極、前記透明電極に動作電圧を
供給する電圧発生回路と、演算対象である画像の
像を前記空間光変調管の光電面に形成する画像光
学装置と、前記空間光変調管の光電面を一様に照
射する照射光学装置と、前記電気光学結晶の第1
の面で反射した光が入射させられる偏光子とを含
み、前記電圧発生回路により、前記網目状電極、
前記透明電極間に半波長電圧の奇数倍またはそれ
に近い電圧を印加し、前記光電面に書込み電圧を
印加して、前記照射光学装置により前記光電面を
一様に照射することによつて前記電気光学結晶の
第1の面に一様な電荷を形成し、前記電圧発生回
路により、前記網目状電極、前記透明電極間に半
波長電圧の偶数倍またはそれに近い電圧を印加
し、前記光電面に書込み電圧を印加して、前記光
学装置により演算対象である画像の像を前記光電
面に形成することによつて、前記画像に対応する
電荷像を前記電気光学結晶の第1の面に形成し、
前記レーザ光源装置により前記電気光学結晶を照
射し前記偏光子を透過した光に前記画像の否定論
理を得るように構成した画像の否定論理を求める
否定論理演算装置。 2 前記電気光学結晶は、LiNbO3の55゜カツトの
結晶である特許請求の範囲第1項記載の画像の否
定論理を求める否定論理演算装置。 3 前記空間光変調管は光電面と網目状電極との
間にマイクロチヤンネルプレートが配置されてい
る特許請求の範囲第1項記載の画像の否定論理を
求める否定論理演算装置。 4 光電面、第1の面が前記光電面に対向させら
れており第2の面に透明電極が設けられている電
気光学結晶、前記光電面と電気光学結晶板との間
に設けられた網目状電極から成る空間光変調管
と、前記空間光変調管の外から前記電気光学結晶
の前記第2の面側から直線偏光されたレーザ光で
照射するレーザ光源装置と、前記空間光変調管の
光電面、網目状電極、前記透明電極に動作電圧を
供給する書込み電圧発生回路と、演算対象である
画像の像を前記空間光変調管の光電面に形成する
画像光学装置と、前記空間光変調管の電気光学結
晶と前記レーザ光源装置との間に第1および第2
の面に透明電極をもつ前記空間光変調管の電気光
学結晶と同じ特性の読み出し用の電気光学結晶
と、前記読み出し用の電気光学結晶に電圧を印加
する読み出し電圧発生回路と、前記空間光変調管
の電気光学結晶の第1の面で反射し前記読み出し
用の電気光学結晶を透過した光が入射させられる
偏光子とを含み、前記書込み電圧発生回路によ
り、前記網目状電極と前記透明電極間に半波長電
圧の奇数倍またはそれに近い電圧を印加し、書込
み電圧を印加して、前記画像光学装置により演算
対象である画像の像を前記光電面に形成すること
によつて前記電気光学結晶の第1の面に前記画像
に対応する電荷像を形成し、前記レーザ光源装置
により前記電気光学結晶を照射し前記偏光子を透
過した光に前記画像の否定論理を得るように構成
した画像の否定論理を求める否定論理演算装置。[Claims] 1. A photocathode, an electro-optic crystal having a first surface facing the photocathode and a transparent electrode provided on a second surface, and a combination of the photocathode and the electro-optic crystal plate. a spatial light modulation tube comprising a mesh electrode provided between the spatial light modulation tubes; a laser light source device that irradiates the second surface of the electro-optic crystal with linearly polarized laser light from outside the spatial light modulation tube; a voltage generation circuit that supplies an operating voltage to the photocathode, the mesh electrode, and the transparent electrode of the spatial light modulation tube; and an image optical device that forms an image of an image to be calculated on the photocathode of the spatial light modulation tube. , an irradiation optical device that uniformly irradiates the photocathode of the spatial light modulation tube, and a first irradiation optical device of the electro-optic crystal.
a polarizer onto which the light reflected on the surface is incident, and the voltage generating circuit causes the mesh electrode to
By applying a voltage equal to or close to an odd multiple of a half-wavelength voltage between the transparent electrodes, applying a writing voltage to the photocathode, and uniformly irradiating the photocathode with the irradiation optical device, A uniform charge is formed on the first surface of the optical crystal, and a voltage that is an even multiple of the half-wavelength voltage or close to it is applied between the mesh electrode and the transparent electrode by the voltage generating circuit, and the voltage is applied to the photocathode. A charge image corresponding to the image is formed on the first surface of the electro-optic crystal by applying a write voltage and forming an image of an image to be calculated by the optical device on the photocathode. ,
A negation logic arithmetic device for obtaining negation logic of an image, configured to obtain negation logic of the image from light that is irradiated with the electro-optic crystal by the laser light source device and transmitted through the polarizer. 2. The negative logic operation device for determining the negative logic of an image according to claim 1, wherein the electro-optic crystal is a 55° cut crystal of LiNbO 3 . 3. The negative logic operation device for determining the negative logic of an image according to claim 1, wherein the spatial light modulation tube has a microchannel plate disposed between the photocathode and the mesh electrode. 4. A photocathode, an electro-optic crystal having a first surface facing the photocathode and a transparent electrode provided on a second surface, a mesh provided between the photocathode and the electro-optic crystal plate. a spatial light modulation tube including a shaped electrode; a laser light source device for irradiating linearly polarized laser light from outside the spatial light modulation tube from the second surface side of the electro-optic crystal; a photocathode, a mesh electrode, a write voltage generation circuit that supplies an operating voltage to the transparent electrode, an image optical device that forms an image of an image to be calculated on the photocathode of the spatial light modulation tube, and the spatial light modulation tube. between the electro-optic crystal of the tube and the laser light source device;
a readout electro-optic crystal having the same characteristics as the electro-optic crystal of the spatial light modulation tube having a transparent electrode on a surface thereof; a readout voltage generation circuit for applying a voltage to the readout electro-optic crystal; and the spatial light modulation tube. a polarizer on which light reflected by a first surface of the electro-optic crystal of the tube and transmitted through the read-out electro-optic crystal is incident, and the write voltage generating circuit causes a polarizer to enter the polarizer between the mesh electrode and the transparent electrode. of the electro-optic crystal by applying a voltage that is an odd multiple of the half-wavelength voltage or close to it, and applying a write voltage to form an image of the image to be calculated by the image optical device on the photocathode. Negation of the image configured to form a charge image corresponding to the image on a first surface, irradiate the electro-optic crystal with the laser light source device, and obtain negation logic of the image in light transmitted through the polarizer. Negative logic operation device for finding logic.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22488083A JPS60117223A (en) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Not logical arithmetic device for not operation between images |
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JPS50110297A (en) * | 1974-02-04 | 1975-08-30 | ||
JPS5864742A (en) * | 1981-10-09 | 1983-04-18 | Hamamatsu Tv Kk | Space modulating device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496227U (en) * | 1991-01-24 | 1992-08-20 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60117223A (en) | 1985-06-24 |
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