JPH0236179A - 導電性化合物の製造方法 - Google Patents
導電性化合物の製造方法Info
- Publication number
- JPH0236179A JPH0236179A JP18464688A JP18464688A JPH0236179A JP H0236179 A JPH0236179 A JP H0236179A JP 18464688 A JP18464688 A JP 18464688A JP 18464688 A JP18464688 A JP 18464688A JP H0236179 A JPH0236179 A JP H0236179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron donor
- halogen element
- crystal
- charge transfer
- skeleton
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- XEOSBIMHSUFHQH-UHFFFAOYSA-N fulvalene Chemical group C1=CC=CC1=C1C=CC=C1 XEOSBIMHSUFHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- BTQDPOVTMFCMKB-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-dithiol-2-ylidene)-4,5-dimethyl-1,3-dithiole Chemical compound S1C(C)=C(C)SC1=C1SC=CS1 BTQDPOVTMFCMKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 9
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 6
- HGOTVGUTJPNVDR-UHFFFAOYSA-N 2-(4,5-dimethyl-1,3-dithiol-2-ylidene)-4,5-dimethyl-1,3-dithiole Chemical compound S1C(C)=C(C)SC1=C1SC(C)=C(C)S1 HGOTVGUTJPNVDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- -1 tetrabutylammonium halide salt Chemical class 0.000 description 3
- UFPVYWYEZPMUQL-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-diselenol-2-ylidene)-1,3-diselenole Chemical group [Se]1C=C[Se]C1=C1[Se]C=C[Se]1 UFPVYWYEZPMUQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- VRSXBMGXAHSMFB-UHFFFAOYSA-N 2-(5,6-dihydro-4h-cyclopenta[d][1,3]diselenol-2-ylidene)-5,6-dihydro-4h-cyclopenta[d][1,3]diselenole Chemical compound C1CCC([Se]2)=C1[Se]C2=C([Se]1)[Se]C2=C1CCC2 VRSXBMGXAHSMFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTJPUCUJANTIIU-UHFFFAOYSA-N 2-(5,6-dihydro-4h-cyclopenta[d][1,3]dithiol-2-ylidene)-5,6-dihydro-4h-cyclopenta[d][1,3]dithiole Chemical compound C1CCC(S2)=C1SC2=C(S1)SC2=C1CCC2 DTJPUCUJANTIIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000005408 paramagnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は導電性電荷移動錯体結晶から成る導電性化合物
の新規な製造方法に関するものである。
の新規な製造方法に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は、電子材料やレジスト材
料などとして有用な導電性に優れる電荷移動錯体結晶か
ら成る導電性化合物を短時間で効率よく製造しうる、量
産性に優れた導電性化合物の工業的製造方法に関するも
のである。
料などとして有用な導電性に優れる電荷移動錯体結晶か
ら成る導電性化合物を短時間で効率よく製造しうる、量
産性に優れた導電性化合物の工業的製造方法に関するも
のである。
［従来の技術］
近年、電子供与体と電子受容体間の電子移動力によって
２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や常磁性
、あるいは電子ビームなどに対する感応性などの特性を
有し、電子材料やレジスト材料などとしての応用が可能
であることから注目され、積極的な研究がなされている
。
２種の分子が結合した電荷移動錯体は、導電性や常磁性
、あるいは電子ビームなどに対する感応性などの特性を
有し、電子材料やレジスト材料などとしての応用が可能
であることから注目され、積極的な研究がなされている
。
このような電荷移動錯体の１つとして、テトラチアフル
バレン骨格やテトラセレナフルバレン骨格などのフルバ
レン骨格を有する電子供与体とハロゲン元素との導電性
電荷移動錯体が知られており、またその製造方法として
、種々の方法が提案されている。例えば（１）クロロベ
ンゼンなどの溶媒に、電子供与体とテトラブチルアンモ
ニウムハロゲン塩を溶解し、その中に白金電極を入れて
１μＡ程度の電流を流して結晶を成長させる電解結晶成
長法、（２）容器内に仕切り板を設け、溶媒に電子供与
体を溶解させた溶液を一方の室に、溶媒にテトラブチル
アンモニウムハロゲン塩ヲ溶解した溶液を他方の室に入
れたのち、該仕切り板を取り除いて、両者の拡散により
結晶を得る拡散法、（３）溶媒に電子供与体とテトラブ
チルアンモニウムハロゲン塩を少量溶かし、該溶媒を徐
々に蒸発させて結晶を生成させる徐冷法などが提案され
ている。
バレン骨格やテトラセレナフルバレン骨格などのフルバ
レン骨格を有する電子供与体とハロゲン元素との導電性
電荷移動錯体が知られており、またその製造方法として
、種々の方法が提案されている。例えば（１）クロロベ
ンゼンなどの溶媒に、電子供与体とテトラブチルアンモ
ニウムハロゲン塩を溶解し、その中に白金電極を入れて
１μＡ程度の電流を流して結晶を成長させる電解結晶成
長法、（２）容器内に仕切り板を設け、溶媒に電子供与
体を溶解させた溶液を一方の室に、溶媒にテトラブチル
アンモニウムハロゲン塩ヲ溶解した溶液を他方の室に入
れたのち、該仕切り板を取り除いて、両者の拡散により
結晶を得る拡散法、（３）溶媒に電子供与体とテトラブ
チルアンモニウムハロゲン塩を少量溶かし、該溶媒を徐
々に蒸発させて結晶を生成させる徐冷法などが提案され
ている。
しかしながら、これらの方法は、いずれも操作が煩雑で
ある上、結晶を形成させるのに、例えば数日ないし数カ
月間かかるなど、極めて長時間を要するといった欠点を
有しており、工業的製法としては、必ずしも満足しうる
ものではない。
ある上、結晶を形成させるのに、例えば数日ないし数カ
月間かかるなど、極めて長時間を要するといった欠点を
有しており、工業的製法としては、必ずしも満足しうる
ものではない。
他方、電子供与体と光分解性塩類との混合物又は積層体
に光を照射して、電荷移動錯体を形成させる方法が提案
されているが（特開昭６１−１４８４４１号公報）、こ
の方法では導電性に優れた電荷移動錯体を得ることがで
きない。
に光を照射して、電荷移動錯体を形成させる方法が提案
されているが（特開昭６１−１４８４４１号公報）、こ
の方法では導電性に優れた電荷移動錯体を得ることがで
きない。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
本発明は、このような従来の導電性電荷移動錯体の製造
方法における欠点を克服し、導電性に優れる電荷移動錯
体結晶から成る導電性化合物を、簡単な操作で短時間に
製造しうる、量産性に優れた導電性化合物の工業的製造
方法を提供することを目的としてなされＩこものである
。
方法における欠点を克服し、導電性に優れる電荷移動錯
体結晶から成る導電性化合物を、簡単な操作で短時間に
製造しうる、量産性に優れた導電性化合物の工業的製造
方法を提供することを目的としてなされＩこものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、導電性に優れた電荷移動錯体結晶から成
る導電性化合物の工業的製造方法について鋭意研究を重
ねた結果、フルバレン骨格を有する電気供与体とハロゲ
ン元素との反応物を昇華させて導電性電荷移動錯体の結
晶を形成させることにより、前記目的を達成しうろこと
を見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
る導電性化合物の工業的製造方法について鋭意研究を重
ねた結果、フルバレン骨格を有する電気供与体とハロゲ
ン元素との反応物を昇華させて導電性電荷移動錯体の結
晶を形成させることにより、前記目的を達成しうろこと
を見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
すなわち、本発明は、フルバレン骨格を有する電子供与
体とハロゲン元素とを気相又は液相で反応させたのち、
この反応物を昇華させて、導電性電荷移動錯体の結晶を
形成させることを特徴とする導電性化合物の製造方法を
提供するものである。
体とハロゲン元素とを気相又は液相で反応させたのち、
この反応物を昇華させて、導電性電荷移動錯体の結晶を
形成させることを特徴とする導電性化合物の製造方法を
提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において用いられるフルバレン骨格を有する電子
供与体は、一般式 で表すことができる。式中のｙ ｌ、 Ｍ ２、Ｍ！、
Ｍ４Ｍ Ｓ、、Ｍ ＠、Ｍ ７及びＭ８は、それぞれイ
オウ原子又はセレンやテルルなどのカルコゲン元素であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよい。Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水
素原子又はアルキル基であり、それらは同一であっても
よいし、たがいに異なっていてもよく、また、Ｒ１とＲ
２及びＲ１とＲ６はたがいに結合していてもよい。
供与体は、一般式 で表すことができる。式中のｙ ｌ、 Ｍ ２、Ｍ！、
Ｍ４Ｍ Ｓ、、Ｍ ＠、Ｍ ７及びＭ８は、それぞれイ
オウ原子又はセレンやテルルなどのカルコゲン元素であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよい。Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水
素原子又はアルキル基であり、それらは同一であっても
よいし、たがいに異なっていてもよく、また、Ｒ１とＲ
２及びＲ１とＲ６はたがいに結合していてもよい。
このようなフルバレン骨格を有する電子供与体の具体例
としては、テトラチアフルバレン、ジメチルテトラチア
フルバレン、テトラメチルテトラチアフルバレン、ヘキ
サメチレンテトラチアフルバレン、ビスエチレンジチオ
テトラチアフルバレンなどのテトラチアフルバレン類、
ジセレナジチアフルパレン、ジメチルジセレナジチアフ
ルバレン、テトラメチルジセレナジチアフルバレン、ヘ
キサメチレンジセレナジチアフルバレンなどのジセレナ
ジチアフルバレン類、テトラセレナフルバレン、ジメチ
ルテトラセレナフルバレン、テトラメチルテトラセレナ
フルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレンな
どのテトラセレナフルバレン類、ビスエチレンジチオテ
トラセレナフルバレン類などが挙げられる。これらの化
合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み
合わせて用いてもよい。
としては、テトラチアフルバレン、ジメチルテトラチア
フルバレン、テトラメチルテトラチアフルバレン、ヘキ
サメチレンテトラチアフルバレン、ビスエチレンジチオ
テトラチアフルバレンなどのテトラチアフルバレン類、
ジセレナジチアフルパレン、ジメチルジセレナジチアフ
ルバレン、テトラメチルジセレナジチアフルバレン、ヘ
キサメチレンジセレナジチアフルバレンなどのジセレナ
ジチアフルバレン類、テトラセレナフルバレン、ジメチ
ルテトラセレナフルバレン、テトラメチルテトラセレナ
フルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレンな
どのテトラセレナフルバレン類、ビスエチレンジチオテ
トラセレナフルバレン類などが挙げられる。これらの化
合物はそれぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み
合わせて用いてもよい。
これらのフルバレン骨格を有する電子供与体と反応させ
るハロゲン元素としては、ヨウ素、臭素、塩素が好まし
く挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
るハロゲン元素としては、ヨウ素、臭素、塩素が好まし
く挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明における前記電子供与体とハロゲン元素との使用
割合については、ハロゲン元素に対する電子供与体の割
合がモル比で、通常５０以下、好ましくはｌＯ以下にな
るように用いられる。また、該電子供与体とハロゲン元
素との反応は、減圧下、常圧下、加圧下のいずれで行っ
てもよいし、空気中や不活性ガス雰囲気下のいずれで行
ってもよいが、通常は空気中において常圧下で行われる
。また、反応温度は通常０〜１００℃の範囲で選ばれ、
反応時間は数十秒ないし数時間程度で十分である。
割合については、ハロゲン元素に対する電子供与体の割
合がモル比で、通常５０以下、好ましくはｌＯ以下にな
るように用いられる。また、該電子供与体とハロゲン元
素との反応は、減圧下、常圧下、加圧下のいずれで行っ
てもよいし、空気中や不活性ガス雰囲気下のいずれで行
ってもよいが、通常は空気中において常圧下で行われる
。また、反応温度は通常０〜１００℃の範囲で選ばれ、
反応時間は数十秒ないし数時間程度で十分である。
この際、反応速度を速めて、反応時間を短縮するために
、電子供与体を微粉状に粉砕して用いることが望ましい
。
、電子供与体を微粉状に粉砕して用いることが望ましい
。
このようにして得られた電子供与体とハロゲン元素との
反応物は、種々の組成の混合物であって、導電性が低い
ので、本発明においては、該反応物をさらに昇華させて
導電性電荷移動錯体の結晶を形成させる。この昇華の方
法については特に制限はなく、通常化合物の昇華精製に
慣用されている方法を用いることができる。例えば、昇
華した電荷移動錯体の結晶を形成させるための水冷など
により冷却された基板を備えた昇華装置内に、前記反応
物を入れ、装置内を１０Ｐａ以下程度に減圧にし、該反
応物を加熱することにより、前記基板上に導電性電荷移
動錯体の結晶を形成させ、次いでこの結晶が付着した基
板を取り出し、該結晶を回収することにより、所望の導
電性化合物を得ることができる。
反応物は、種々の組成の混合物であって、導電性が低い
ので、本発明においては、該反応物をさらに昇華させて
導電性電荷移動錯体の結晶を形成させる。この昇華の方
法については特に制限はなく、通常化合物の昇華精製に
慣用されている方法を用いることができる。例えば、昇
華した電荷移動錯体の結晶を形成させるための水冷など
により冷却された基板を備えた昇華装置内に、前記反応
物を入れ、装置内を１０Ｐａ以下程度に減圧にし、該反
応物を加熱することにより、前記基板上に導電性電荷移
動錯体の結晶を形成させ、次いでこの結晶が付着した基
板を取り出し、該結晶を回収することにより、所望の導
電性化合物を得ることができる。
このような方法によると、導電性電荷移動錯体の結晶を
短時間で得ることができるし、まＩ；、得られた該錯体
結晶の電気伝導度は極めて高いものである。例えば電気
伝導度１シ一メンス／ＣＩｗ程度のヨウ化テトラチアフ
ルバレン［（Ｔ Ｔ Ｆ ） Ｉ ０．７２）錯体結晶
を約３０分間で、電気伝導度０．１シ一メンス／ｃｍ程
度のヨウ化テトラメチルテトラチアフルバレン［（ＴＭ
ＴＴＦ）２１］ 錯体結晶を約４０分間で、電気伝導度
１シ一メンス／ｃｍ程度のヨウ化ビスエチレンジチオテ
トラチアフルバレン［（ＢＥＤＴＴＴＦ）２１ｓ］錯体
結晶を約４０分間で得ることができる。
短時間で得ることができるし、まＩ；、得られた該錯体
結晶の電気伝導度は極めて高いものである。例えば電気
伝導度１シ一メンス／ＣＩｗ程度のヨウ化テトラチアフ
ルバレン［（Ｔ Ｔ Ｆ ） Ｉ ０．７２）錯体結晶
を約３０分間で、電気伝導度０．１シ一メンス／ｃｍ程
度のヨウ化テトラメチルテトラチアフルバレン［（ＴＭ
ＴＴＦ）２１］ 錯体結晶を約４０分間で、電気伝導度
１シ一メンス／ｃｍ程度のヨウ化ビスエチレンジチオテ
トラチアフルバレン［（ＢＥＤＴＴＴＦ）２１ｓ］錯体
結晶を約４０分間で得ることができる。
［実施例］
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例１
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）１０ｍｇを乳鉢でよく
すりつぶしてびんの中に入れ、さらにヨウ素１０ｍｇを
入れて、室温、空気中で数分間以上撹拌を行うと、ＴＴ
Ｆはヨウ素と反応して黄色から黒色に変色した。この反
応物の電気伝導度は１０−３シ一メンス／ｃｍであった
。またそのＸ線回折チャートを第１図に示す。
すりつぶしてびんの中に入れ、さらにヨウ素１０ｍｇを
入れて、室温、空気中で数分間以上撹拌を行うと、ＴＴ
Ｆはヨウ素と反応して黄色から黒色に変色した。この反
応物の電気伝導度は１０−３シ一メンス／ｃｍであった
。またそのＸ線回折チャートを第１図に示す。
次に、水冷された基板を備えた昇華装置に、前記反応物
を入れ、装置内をｌＰａまで減圧にしたのち、該反応物
をヒーターにより１８０℃に加熱して、約５分間昇華さ
せ、該基板上に結晶を形成させた。この結晶について、
粉末法Ｘ線回折により組成構造を調べた。このＸ線回折
チャートを第２図に示す。その結果、該結晶は、Ｂ、Ａ
、Ｓ ｃ ｏ ｔ ｔらの報告によるヨウ化テトラチア
フルバレン［（Ｔ Ｔ Ｆ ）Ｉ。ア２］の結晶構造と
一致した。
を入れ、装置内をｌＰａまで減圧にしたのち、該反応物
をヒーターにより１８０℃に加熱して、約５分間昇華さ
せ、該基板上に結晶を形成させた。この結晶について、
粉末法Ｘ線回折により組成構造を調べた。このＸ線回折
チャートを第２図に示す。その結果、該結晶は、Ｂ、Ａ
、Ｓ ｃ ｏ ｔ ｔらの報告によるヨウ化テトラチア
フルバレン［（Ｔ Ｔ Ｆ ）Ｉ。ア２］の結晶構造と
一致した。
次に、該結晶を室温で１０００気圧の圧力をかけて直径
１ ｍｍ、長さ５ｍｍの円柱に成形し、第３図に示すよ
うに、この試料１に、金ペーストで４つの電極２．３．
４及び５をつけ、直径２０μｍの金線を用いてそれぞれ
の電極からリード線２′３′ ４′及び５′を出し、２
″から５′へ０．１μＡの直流電流Ｉを流して、電極３
及び４間の電圧Ｖを測定し、電気伝導度を求めた。その
結果核結晶は、電気伝導度が１シ一メンス／ｃｍ程度と
いう高い導電性を有するものであった。
１ ｍｍ、長さ５ｍｍの円柱に成形し、第３図に示すよ
うに、この試料１に、金ペーストで４つの電極２．３．
４及び５をつけ、直径２０μｍの金線を用いてそれぞれ
の電極からリード線２′３′ ４′及び５′を出し、２
″から５′へ０．１μＡの直流電流Ｉを流して、電極３
及び４間の電圧Ｖを測定し、電気伝導度を求めた。その
結果核結晶は、電気伝導度が１シ一メンス／ｃｍ程度と
いう高い導電性を有するものであった。
なお、原料の混合から結晶の回収までに要した時間は３
０分であった。
０分であった。
実施例２
テトラメチルテトラチアフルバレン（ＴＭＴＴＦ）５０
ｒｔｒｇとヨウ素２５ｍｇを用いた以外は、実施例１と
同様に実施した。反応物の電気伝導度は１０−６ジ一メ
ンス／ｃｍであり、また昇華により得られた錯体結晶は
、Ｘ線回折結果からヨウ化テトラメチルテトラチアフル
バレン［（Ｔ Ｍ Ｔ Ｔ Ｆ ）ｚ Ｉ ］であるこ
とが確認された。このものの電気伝導度は０．１シ一メ
ンス／ｃｍであった。なお、錯体結晶の製造に要した時
間は４０分であった。
ｒｔｒｇとヨウ素２５ｍｇを用いた以外は、実施例１と
同様に実施した。反応物の電気伝導度は１０−６ジ一メ
ンス／ｃｍであり、また昇華により得られた錯体結晶は
、Ｘ線回折結果からヨウ化テトラメチルテトラチアフル
バレン［（Ｔ Ｍ Ｔ Ｔ Ｆ ）ｚ Ｉ ］であるこ
とが確認された。このものの電気伝導度は０．１シ一メ
ンス／ｃｍであった。なお、錯体結晶の製造に要した時
間は４０分であった。
実施例３
ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴ
ＴＦ）１０ｍｙとヨウ素１ｍｇを用いた以外は、実施例
１と同様に実施した。反応物の電気伝導度は１０−’シ
ーメツ１フｃｍであり、まｔ；昇華により得られた錯体
結晶は、Ｘ線回折結果から、ヨウ化ビスエチレンジチオ
テトラチアフルバレン［（Ｂ Ｅ Ｄ Ｔ Ｔ Ｔ Ｆ
）ｚ Ｉ ３］であることが確認されｔこ 。
ＴＦ）１０ｍｙとヨウ素１ｍｇを用いた以外は、実施例
１と同様に実施した。反応物の電気伝導度は１０−’シ
ーメツ１フｃｍであり、まｔ；昇華により得られた錯体
結晶は、Ｘ線回折結果から、ヨウ化ビスエチレンジチオ
テトラチアフルバレン［（Ｂ Ｅ Ｄ Ｔ Ｔ Ｔ Ｆ
）ｚ Ｉ ３］であることが確認されｔこ 。
このものの電気伝導度は１シ一メンス／ｃｍであった。
なお、錯体結晶の製造に要した時間は４０分であった。
［発明の効果］
本発明方法によると、従来の方法に比べて、極めて短時
間で、かつ簡単な操作により、導電性に優れた電荷移動
錯体結晶から成る導電性化合物を製造しうるので、該導
電性化合物を低コストで量産することができる。
間で、かつ簡単な操作により、導電性に優れた電荷移動
錯体結晶から成る導電性化合物を製造しうるので、該導
電性化合物を低コストで量産することができる。
本発明方法によって得られた導電性化合物は、電子材料
やレジスト材料などとして好適に用いられる。
やレジスト材料などとして好適に用いられる。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明方法におけるテト
ラチアフルバレンとヨウ素との反応物の１例のＸ線回折
チャート及び該反応物を昇華させて得られた結晶の１例
のＸ線回折チャートである。 第３図は本発明方法により得られた電荷移動錯体結晶の
電気伝導度を測定する方法を示す説明図であり、図中符
号１は試料、２．３．４及び５は電極、２’ ３’
４’及び５′はリード線である。
ラチアフルバレンとヨウ素との反応物の１例のＸ線回折
チャート及び該反応物を昇華させて得られた結晶の１例
のＸ線回折チャートである。 第３図は本発明方法により得られた電荷移動錯体結晶の
電気伝導度を測定する方法を示す説明図であり、図中符
号１は試料、２．３．４及び５は電極、２’ ３’
４’及び５′はリード線である。
Claims (1)
- １ フルバレン骨格を有する電子供与体とハロゲン元素
とを気相又は液相で反応させたのち、この反応物を昇華
させて、導電性電荷移動錯体の結晶を形成させることを
特徴とする導電性化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18464688A JPH0236179A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 導電性化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18464688A JPH0236179A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 導電性化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236179A true JPH0236179A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16156875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18464688A Pending JPH0236179A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 導電性化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0236179A (ja) |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP18464688A patent/JPH0236179A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2648289B2 (ja) | 重合物品の製造法 | |
| Mootz et al. | Crystal Structure of the Menshutkin Complex Benzene· 2SbCl3 | |
| Chakravarty et al. | A new diruthenium (II, III) compound, Ru2 (C CPh)(PhNpy) 4· 2CH2Cl2, with an axial η1-acetylide ligand | |
| Bhuin et al. | Efficient and reversible acidofluorochromic features on a solid platform for reusable security writing: A structure-property relationship study on anthracenyl π-conjugates | |
| JPS59181284A (ja) | 金属の様に導電する（２−フルオロ−５，６，１１，１２−テトラセレノテトラセン）↓２−臭化物、その製造方法および利用 | |
| Hisatome et al. | [45](1, 2, 3, 4, 5) Ferrocenophane: superferrocenophane | |
| US5324495A (en) | Method of making metal fulleride | |
| JP2680990B2 (ja) | チントル相固体の電解製造方法 | |
| Donovan et al. | Rate of the Reaction of S (3p4ID2) with OCS | |
| Neumayr et al. | The Radical Decomposition of Peroxysulfuryl Difluoride, FSO2OOF, and Related Compounds by Chemical and Electron Paramagnetic Resonance Methods | |
| JPH0236179A (ja) | 導電性化合物の製造方法 | |
| Neilands et al. | Dioxo‐and aminooxopyrimidotetrathiafulvalenes: π‐Electron donors for design of conducting materials containing intramolecular hydrogen bonds of nucleic acid base pair type | |
| Livant et al. | Anchimerically accelerated bond homolysis. 8. Direct observation of a sulfurane intermediate in the neighboring-sulfide-assisted thermolysis of a perester | |
| Sudharsana et al. | Experimental and theoretical investigations of non-centrosymmetric 8-hydroxyquinolinium dibenzoyl-(L)-tartrate methanol monohydrate single crystal | |
| Bentiss et al. | Thermal evolution and crystal structure of a polymeric complex: Pb3 (3, 5-dicarboxylatopyrazole) 2 (NO3) 2· 4H2O | |
| Tanaka et al. | First TOF Donors: Synthesis and Characterization of Dibenzo‐and Dinaphthotetraoxafulvalenes | |
| Iyoda et al. | Synthesis and Electroconductive Properties of Radical Salts Derived from Tetrathiafulvalene Dimers | |
| Apblett et al. | Preparation of thiazyl tetrachloroaluminate and trifluoromethanesulfonate and reactions of the thiazyl cation with thiadiazoles and organoselenium halides: X-ray crystal structure of [N2S2SeCl][AlCl4] | |
| Freijee et al. | The dimerization of some magnesacycloalkanes and benzomagnesacycloalkenes; the relation between ring size, ring strain and degree of association | |
| Daniels et al. | The electrochromic behaviour of lanthanide bisphthalocyanines: The acid-base nature of the mechanism | |
| Detty et al. | Electron-accepting molecules containing telluropyranyl groups. The effect of tellurium oxidation state on reduction potentials | |
| Berdibay et al. | Structure and physical properties of new lithium-and iodine-containing adducts | |
| JPS62111984A (ja) | アルキルシアノフタロシアニン化合物 | |
| SU738338A1 (ru) | 3,3, 5,5 -Тетрагало-п-дифенохинонидыТЕТРАцЕНО-(5,6- , : 11,12- )-биС-1,2-диТиОли КАК ОРгАНичЕСКиЕ пОлупРОВОдНиКи | |
| US4462938A (en) | Process for producing chalcogen containing compounds |