JPH0234151B2 - - Google Patents
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- JPH0234151B2 JPH0234151B2 JP56015018A JP1501881A JPH0234151B2 JP H0234151 B2 JPH0234151 B2 JP H0234151B2 JP 56015018 A JP56015018 A JP 56015018A JP 1501881 A JP1501881 A JP 1501881A JP H0234151 B2 JPH0234151 B2 JP H0234151B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSI等半導体装置の製造ラインの自動
化に必要な全自動イオン注入装置に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a fully automatic ion implantation device necessary for automating the manufacturing line of semiconductor devices such as LSIs.
イオン注入法は半導体装置の製造ラインの不純
物導入工程において広く用いられている。しか
し、従来のイオン注入装置では、イオンビーム引
出をはじめその操作は作業者が手動で行うように
なつていた。この為、熟練作業者の確保が重要な
問題であつた。更に、半導体装置製造ラインを構
成するリングラフイ装置、電気炉、洗浄装置、ド
ライエツチング装置、スパツタリング装置等は自
動化され、その製造条件の設定及び装置のモニタ
リングについては製造ラインの集中管理を行う計
算機により自動化されつつあり、装置間のウエハ
移送も移送装置に連結され自動化される。このよ
うな半導体装置製造ラインの自動化は半導体装置
の微細化、高密度化及び需要の増大に対処するた
め不可欠である。 Ion implantation is widely used in impurity introduction steps in semiconductor device manufacturing lines. However, in conventional ion implanters, operations such as ion beam extraction must be performed manually by an operator. For this reason, securing skilled workers was an important issue. Furthermore, the ring graphing equipment, electric furnace, cleaning equipment, dry etching equipment, sputtering equipment, etc. that make up the semiconductor device manufacturing line are automated, and the setting of manufacturing conditions and equipment monitoring are automated by computers that centrally manage the manufacturing line. The transfer of wafers between devices is also connected to transfer devices and automated. Automation of such semiconductor device manufacturing lines is essential to cope with the miniaturization, higher density, and increased demand for semiconductor devices.
このため、計算機により製造条件の設定とモニ
タリングの行える自動イオン注入装置の出現が待
たれるところであつたが、イオン注入装置は高電
圧装置であるため、例えばイオンソース部等は
25kV〜200kVと云つた高電圧になりアース電位
にある計算機でこのような高電圧部にある機器を
制御する有効な手段がなかつた。 For this reason, the emergence of an automatic ion implanter that can set and monitor manufacturing conditions using a computer has been awaited, but since ion implanters are high-voltage devices, for example, the ion source section, etc.
There was no effective means of controlling equipment at such high voltage levels using a computer that was at ground potential and was at a high voltage of 25kV to 200kV.
本発明は、上記問題点を解消し、プラズマの発
生、イオンビームの引出し、イオンの質量分析お
よび加速、ビーム電流の調整、試料へのイオン注
入等が全て計算機により自動的に行える全自動イ
オン注入装置を提供することを目的とするもので
ある。さらに詳しくは、
高電圧が印加されるイオンソース部電源とそ
のガス系および質量分析磁石電源等の制御値設
定およびその動作状態のモニタを、アース電位
に設置された計算機により安定に行わせる。 The present invention solves the above problems and provides fully automatic ion implantation in which plasma generation, ion beam extraction, ion mass analysis and acceleration, beam current adjustment, ion implantation into a sample, etc. can all be performed automatically using a computer. The purpose is to provide a device. More specifically, a computer installed at ground potential stably performs control value setting and monitoring of the operating status of the ion source power supply to which high voltage is applied, its gas system, mass spectrometer magnet power supply, etc.
イオンソース部の真空度を計算機制御で一定
に保つことにより常に安定なプラズマを発生さ
せる。 By keeping the degree of vacuum in the ion source constant by computer control, stable plasma is generated at all times.
計算機に、ビーム電流読取り手段からの信号
を入力し、その読み取り値に応じビーム電流を
一定に保つ制御機能を持たせる。 The computer has a control function that inputs the signal from the beam current reading means and keeps the beam current constant according to the read value.
このような機能を有する全自動イオン注入装置
を提供することを目的とするものである。 The object of the present invention is to provide a fully automatic ion implantation device having such functions.
上記の目的を達成するために、本発明の装置で
は、イオン注入装置にアース電位に設置した計算
機を付加し、イオンソース部電源とそのガス系及
び質量分析磁石電源の各動作状態を示す信号、イ
オンソース部の真空度、イオンビーム電源をそれ
ぞれ一定時間ごとにモニタする手段を有し、この
モニタ結果に応じて、イオンソース部の真空度を
一定値に帰還制御することによりプラズマを安定
発生させる機能と、イオン加速電圧を一定値に帰
還制御する機能と、引出されたイオンビームの電
流を一定値に帰還制御する機能とを上記計算機に
持たせ、上記各手段が出力する動作状態を示す信
号を入力し上記各帰還制御用信号を出力する上記
計算機の信号入出力伝達手段を具備せしめる構成
とする。 In order to achieve the above object, in the apparatus of the present invention, a computer installed at ground potential is added to the ion implantation apparatus, and signals indicating the operating status of the ion source power supply, its gas system, and mass spectrometer magnet power supply, It has means to monitor the degree of vacuum in the ion source section and the ion beam power supply at regular intervals, and according to the monitoring results, the degree of vacuum in the ion source section is feedback-controlled to a constant value to generate stable plasma. The computer is provided with a function to feedback control the ion accelerating voltage to a constant value, and a function to feedback control the current of the extracted ion beam to a constant value, and a signal indicating the operating state output by each of the above means. The computer is configured to include signal input/output transmission means for the computer which inputs the signals and outputs the respective feedback control signals.
さらに、本発明の装置では、イオン注入装置の
高電圧部機器とアース電位にある計算機間の信号
伝送手段として、例えば光フアイバを用い電気的
に絶縁するように構成した。 Furthermore, in the apparatus of the present invention, an optical fiber is used as a signal transmission means between the high-voltage equipment of the ion implantation apparatus and the computer at ground potential to electrically insulate them.
以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.
第１図は、本発明の自動制御機能を備えたホツ
トフイラメント型イオンソース部の一実施例を示
す要部構成図である。図において、１はシールド
ケース、２は高電圧ケース、３はイオンソースガ
スボンベ（例えば、３-1はAs用、３-2はＰ用、
３-3はＢ用イオンソースガスボンベ）、４（４-1，
４-2，４-3）はイオンソースガスのリークバルブ
（バリアブルリークバルブ）、５はアークチエン
バ、６はイオンソースレンズ電極、７はイオン引
出し電極、８はフイラメント、９はガス導入管、
１０はプラズマ発生用のソレノイド磁極、１１は
フイラメントの電流切替リレー、１２はフイラメ
ント電源、１３はソレノイド用電源、１４は電圧
または電流の設定手段（例えば回転抵抗）で１４
-1はフイラメント電流設定用回転抵抗、１４-2は
フイラメント電圧設定用回転抵抗、１４-3はソレ
ノイド電流設定用回転抵抗、１５はアクチユエー
タ（例えばモータ）で１５-1，１５-2，１５-3は
それぞれリークバルブ設定モータ、１５-4はフイ
ラメント電流設定モータ、１５-5はフイラメント
電圧設定モータ、１５-6はソレノイド電流設定モ
ータ、１６（１６-1，１６-2）はデコーダ、１７
（１７-1，１７-2）は光−電変換器、１８は光フ
アイバ、１９（１９-1，１９-2）は電−光変換
器、２０は計算機（制御計算機）である。 FIG. 1 is a diagram showing the configuration of essential parts of an embodiment of a hot filament type ion source section equipped with an automatic control function according to the present invention. In the figure, 1 is a shield case, 2 is a high voltage case, 3 is an ion source gas cylinder (for example, 3 -1 is for As, 3 -2 is for P,
3 -3 is the ion source gas cylinder for B), 4 (4 -1 ,
4-2 , 4-3 ) is an ion source gas leak valve (variable leak valve), 5 is an arc chamber, 6 is an ion source lens electrode, 7 is an ion extraction electrode, 8 is a filament, 9 is a gas introduction tube,
10 is a solenoid magnetic pole for plasma generation, 11 is a filament current switching relay, 12 is a filament power source, 13 is a solenoid power source, and 14 is a voltage or current setting means (for example, a rotating resistor).
-1 is a rotating resistor for setting filament current, 14 -2 is a rotating resistor for setting filament voltage, 14 -3 is a rotating resistor for setting solenoid current, and 15 is an actuator (e.g. motor) 15 -1 , 15 -2 , 15 - 3 are leak valve setting motors, 15-4 are filament current setting motors, 15-5 are filament voltage setting motors, 15-6 are solenoid current setting motors, 16 ( 16-1 , 16-2 ) are decoders, 17
(17 -1 , 17 -2 ) are photo-electrical converters, 18 is an optical fiber, 19 (19 -1 , 19 -2 ) is an electro-optic converter, and 20 is a computer (control computer).
高電圧ケース２はイオンビーム加速のため高電
圧が印加されるが、制御計算機２０からの制御信
号は電−光変換器１９、光フアイバ１８、光−電
変換器１７により、電気的に絶縁され信号だけが
デコーダ１６に伝えられる。デコーダ１６にはモ
ータの選択、回転及び停止、回転方向、回転速度
及びリレー切替方向がシリアル信号として伝えら
れ、これに基づいて目的のモータ又はリレーが制
御計算機２０の命令通りに動くようになつてい
る。 In the high voltage case 2, a high voltage is applied to accelerate the ion beam, but the control signal from the control computer 20 is electrically isolated by the electro-optic converter 19, the optical fiber 18, and the photo-electric converter 17. Only the signal is passed to decoder 16. Motor selection, rotation and stop, rotation direction, rotation speed, and relay switching direction are transmitted to the decoder 16 as serial signals, and based on this, the target motor or relay moves according to the commands from the control computer 20. There is.
第２図は、第１図に示した本発明のイオンソー
ス部の自動モニタの一実施例を示す構成図であ
る。図において、前出のものと同一符号のものは
同一または均等部分を示すものとする。２１は電
圧−周波数変換器（以下、Ｖ／Ｆ変換器と記す）
で、２１-1はソレノイド電流モニタ用、２１-2は
アーク電圧モニタ用、２１-3はアーク電流モニタ
用、２１-4はフイラメント電流モニタ用、２１-5
はレンズ電極電圧モニタ用、２１-6は引出し電極
電圧モニタ用、２１-7は引出し電極電流モニタ用
のＶ／Ｆ変換器である。２２はマルチプレクサ、
２３は周波数計、２４は真空計、２５は真空球、
２６は真空ポンプ、２７はイオン引出電源、２８
はレンズ電源、２９はアーク電源、３０はイオン
ソースハウジングである。イオンソースガス系の
設定は真空ポンプ２６に取付けた真空球２５と真
空計２６により一定時間ごとに、例えば30秒ごと
に測定し、その測定値情報を制御計算機２０で読
みとり、リークバルブの設定を調節する。ソレノ
イド電流、アーク電圧、アーク電流、フイラメン
ト電流、レンズ電圧、引出電圧、引出電流は各々
電圧信号として取り出し、個々に設けられたＶ／
Ｆ変換機２１-1〜２-7により、周波数信号に変換
し、電−光変換機１９、光フアイバ１８、光−電
変換機１７によりマルチプレクサ２２に伝えら
れ、制御計算機２０で選ばれた信号が周波数計２
３に入り制御計算機２０で読みとられる。このよ
うにしてソレノイド電流、アーク電流、電圧等イ
オンソース部の制御に必要な値を全てモニタでき
る。従つて、イオンソース部でのプラズマ発生お
よびイオンビームの引出し等を、計算機により全
て自動的に行うことができ、自動的に常に最適条
件に保つことが可能となる。 FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of automatic monitoring of the ion source section of the present invention shown in FIG. 1. In the figures, the same reference numerals as those mentioned above indicate the same or equivalent parts. 21 is a voltage-frequency converter (hereinafter referred to as a V/F converter)
So, 21-1 is for solenoid current monitor, 21-2 is for arc voltage monitor, 21-3 is for arc current monitor, 21-4 is for filament current monitor, 21-5
21-6 is a V/F converter for monitoring the voltage of the lens electrode, 21-6 is a V/F converter for monitoring the voltage of the extraction electrode, and 21-7 is a V/F converter for monitoring the current of the extraction electrode. 22 is a multiplexer,
23 is a frequency meter, 24 is a vacuum gauge, 25 is a vacuum bulb,
26 is a vacuum pump, 27 is an ion extraction power source, 28
29 is an arc power source, and 30 is an ion source housing. The settings for the ion source gas system are determined by measuring at regular intervals, for example every 30 seconds, using the vacuum bulb 25 and vacuum gauge 26 attached to the vacuum pump 26, reading the measured value information using the control computer 20, and setting the leak valve. Adjust. The solenoid current, arc voltage, arc current, filament current, lens voltage, extraction voltage, and extraction current are each taken out as voltage signals and individually provided V/
The signal is converted into a frequency signal by the F converters 21 -1 to 2 -7 , transmitted to the multiplexer 22 by the electro-optic converter 19, the optical fiber 18, and the photo-electric converter 17, and the signal selected by the control computer 20. is frequency meter 2
3 and is read by the control computer 20. In this way, all values necessary for controlling the ion source section, such as solenoid current, arc current, and voltage, can be monitored. Therefore, plasma generation in the ion source section, extraction of the ion beam, etc. can all be automatically performed by a computer, and it is possible to automatically maintain optimal conditions at all times.
第３図は、同じく本発明の装置における質量分
析およびスリツトの設定とモニタの一実施例を示
す説明図であり、１５-7はスリツト設定モータ、
１５-8は質量分析磁場電流粗調設定モータ、１５
-9は同じく微調設定モータ、１６-3，１６-4はデ
コーダ、２１-8はスリツト開度モニタ用Ｖ／Ｆ変
換器、２１-9は磁場モニタ用Ｖ／Ｆ変換器、３１
は例えばホール効果素子を用いた磁場測定器、３
２はスリツト開度計、３３はスリツト、３４は質
量分析磁石、３５は磁石電源、３６は磁石電流設
定回転抵抗である。磁石電流設定回転抵抗３６
は、二つの回転抵抗の直列回路であり一方は粗
調、他方は微調である。これまでの説明と同じく
制御計算機２０からの設定信号は光フアイバを通
つて、デコーダ１６-3又は１６-4に伝えられ各モ
ータを動かして設定する。その設定値は磁場測定
器３１又はスリツト開度計３２のモニタ信号を
Ｖ／Ｆ変換し、周波数計で制御計算機に読みと
る。 FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of mass spectrometry and slit setting and monitoring in the apparatus of the present invention, and 15-7 is a slit setting motor;
15 -8 is the mass spectrometry magnetic field current coarse adjustment motor, 15
-9 is also a fine adjustment setting motor, 16 -3 and 16 -4 are decoders, 21 -8 is a V/F converter for slit opening monitor, 21 -9 is a V/F converter for magnetic field monitor, 31
For example, a magnetic field measuring device using a Hall effect element, 3
2 is a slit opening gauge, 33 is a slit, 34 is a mass spectrometry magnet, 35 is a magnet power supply, and 36 is a magnet current setting rotating resistor. Magnet current setting rotational resistance 36
is a series circuit of two rotating resistors, one for coarse adjustment and the other for fine adjustment. As in the previous explanation, a setting signal from the control computer 20 is transmitted to the decoder 16-3 or 16-4 through an optical fiber, and each motor is operated and set. The set value is obtained by converting the monitor signal from the magnetic field measuring device 31 or the slit opening degree meter 32 into V/F and reading it into the control computer using a frequency meter.
このようにして、イオンソース部から引出され
たイオンビームの内から、所定のイオンを自動的
に選択することができ、かつ、スリツトを計算機
で制御できるので、ビーム電流値の自動制御に用
いることができる。 In this way, predetermined ions can be automatically selected from the ion beam extracted from the ion source, and the slit can be controlled by a computer, so it can be used for automatic control of the beam current value. Can be done.
第４図は、本発明の自動イオン注入の一実施例
を示す説明図で、４０はビームライン部、４１は
レンズ電極、４２はスキヤナ、４３はビームライ
ン制御器、４４は試料（イオン注入加工するウエ
ハ）設置部（以下、エンドステーシヨンと言う）、
４５はフアラデーカツプ、４６は試料、４７はエ
ンドステーシヨン制御器、４８はドーズメータ、
４９は加速管、５０は加速電源である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing an embodiment of automatic ion implantation of the present invention, in which 40 is a beam line section, 41 is a lens electrode, 42 is a scanner, 43 is a beam line controller, and 44 is a sample (ion implantation processing wafer) installation section (hereinafter referred to as the end station),
45 is a Faraday cup, 46 is a sample, 47 is an end station controller, 48 is a dose meter,
49 is an acceleration tube, and 50 is an acceleration power source.
ビームライン制御器４３を通して制御計算機２
０により加速電源５０を所定の値に設定する。質
量分析されたイオンビームは加速管４９により所
定の値に加速されビームライン部４０に入射す
る。所定のエネルギーでビームライン部に入射し
たイオンビームは、ビームライン制御器４３を通
して制御計算機２０により制御されたレンズ電極
４１により最適な状態に絞られる。そして、ビー
ムライン制御器４３を通して制御計算機２０によ
り制御されたスキヤナ４２によりイオンビームは
静電的にスキヤンされる。エンドステーシヨン４
４に入射したイオンビームは注入試料４６に照射
され、フアラデーカツプ４５を通してドーズメー
タ４８でビーム電流値を測定すると同時に電流値
の積分を行い、所定の注入量になるまでイオン注
入が行われる。ドーズメータ４８は制御計算機２
０により制御されており、注入量の設定、ビーム
電流値のモニタが制御計算機２０により可能とな
る。イオン注入時に、一定時間例えば１秒ごとに
ビーム電流をモニタし、その値に応じてアーク電
流およびスリツトを制御計算機２０により調節す
ることにより、常に所定のビーム電流値でイオン
注入が可能となる。 Control computer 2 through beamline controller 43
0 sets the acceleration power source 50 to a predetermined value. The mass-analyzed ion beam is accelerated to a predetermined value by an acceleration tube 49 and enters the beam line section 40 . An ion beam that has entered the beam line section with a predetermined energy is focused into an optimal state by a lens electrode 41 that is controlled by a control computer 20 through a beam line controller 43. The ion beam is then electrostatically scanned by a scanner 42 controlled by a control computer 20 through a beam line controller 43. End station 4
The ion beam incident on the sample 46 is irradiated onto the implantation sample 46, and the beam current value is measured by the dose meter 48 through the Faraday cup 45. At the same time, the current value is integrated, and ion implantation is performed until a predetermined implantation amount is reached. Dose meter 48 is control computer 2
0, and the control computer 20 can set the implantation amount and monitor the beam current value. During ion implantation, by monitoring the beam current at regular intervals, for example every second, and adjusting the arc current and slit using the control computer 20 according to the monitored values, ion implantation can always be performed at a predetermined beam current value.
イオンソース部の真空度、イオン加速電圧を一
定時間ごとにモニタしたモニタ結果に応じて、ア
ース電位にある制御計算機で設定値に一致するよ
う帰還制御する構成であるので安定したプラズマ
発生の自動化が可能となり、またイオンビーム電
流読取り手段で一定時間ごとにモニタされるビー
ム電流も上記制御計算機に入力されて所定のビー
ム電流値となるよう帰還制御する構成であること
から、常に所定のビーム電流値でのイオン注入が
加能となり、これにより、イオン注入装置の安定
した全自動化が実現できる。半導体製造の自動化
ラインに本発明装置を用いれば、イオン注入ビー
ムが安定し、打込み所要時間が一定し、ルーチン
ワークが容易となり、熟練作業者が不要である
等、多くの利点がある。さらに、制御計算機の信
号入出力伝達手段の一部に光信号を用いる構成と
すれば、イオン注入装置の高電圧機器部と、アー
ス電位にある制御計算機間を光信号部で電気的に
絶縁することができ、信号伝達が安定に行われる
利点がある。 The degree of vacuum in the ion source and the ion acceleration voltage are monitored at regular intervals, and feedback control is performed using a control computer located at ground potential to match the set values according to the monitoring results, allowing stable automation of plasma generation. In addition, the beam current monitored by the ion beam current reading means at regular intervals is also input to the control computer and feedback control is performed to maintain the predetermined beam current value, so that the predetermined beam current value is always maintained. This enables stable and fully automated ion implantation equipment. If the apparatus of the present invention is used in an automated line for semiconductor manufacturing, there are many advantages such as stable ion implantation beam, constant implantation time, easy routine work, and no need for skilled workers. Furthermore, if an optical signal is used as part of the signal input/output transmission means of the control computer, the optical signal section will electrically isolate the high voltage equipment section of the ion implanter and the control computer at ground potential. This has the advantage that signal transmission can be carried out stably.
図はいずれも本発明の実施例を示すもので、第
１図はホツトフイラメント型イオンソース部の要
部構成図、第２図は第１図に示したイオンソース
部の自動モニタの構成図、第３図は本発明の装置
における質量分析およびスリツトの設定とモニタ
の説明図、第４図は本発明の自動イオン注入の説
明図である。
１……シールドケース、２……高電圧ケース、
３……イオンソースガスボンベ、４……リークバ
ルブ、５……アークチエンバ、６……イオンソー
スレンズ電極、７……イオン引出し電極、８……
フイラメント、９……ガス導入管、１０……ソレ
ノイド磁極、１１……電流切替リレー、１２……
フイラメント電源、１３……ソレノイド用電源、
１４……電圧または電流の設定手段（回転抵抗）、
１５……アクチユエータ（モータ）、１６……デ
コーダ、１７……光−電変換器、１８……光フア
イバ、１９……電−光変換器、２０……計算機
（制御計算機）、２１……電圧−周波数変換器
（Ｖ／Ｆ変換器）、２２……マルチプレクサ、２３
……周波数計、２７……イオン引出電源、２８…
…レンズ電源、２９……アーク電源、３０……イ
オンソースハウジング、３１……磁場測定器、３
２……スリツト開度計、３３……スリツト、３４
……質量分析磁石、３５……磁石電源、３６……
磁石電流設定回転抵抗、４０……ビームライン
部、４２……スキヤナ、４３……ビームライン制
御器、４４……試料設置部（エンドステーシヨ
ン）、４５……フアラデーカツプ、４６……試料、
４７……エンドステーシヨン制御器、４８……ド
ーズメータ、４９……加速管、５０……加速電
源。
The figures all show embodiments of the present invention; FIG. 1 is a block diagram of the main parts of a hot filament type ion source section, FIG. 2 is a block diagram of the automatic monitor of the ion source section shown in FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram of mass spectrometry and slit setting and monitoring in the apparatus of the present invention, and FIG. 4 is an explanatory diagram of automatic ion implantation of the present invention. 1... Shield case, 2... High voltage case,
3... Ion source gas cylinder, 4... Leak valve, 5... Arc chamber, 6... Ion source lens electrode, 7... Ion extraction electrode, 8...
Filament, 9...Gas introduction pipe, 10...Solenoid magnetic pole, 11...Current switching relay, 12...
Filament power supply, 13...Solenoid power supply,
14... Voltage or current setting means (rotating resistance),
15... Actuator (motor), 16... Decoder, 17... Optical to electrical converter, 18... Optical fiber, 19... Electric to optical converter, 20... Computer (control computer), 21... Voltage -Frequency converter (V/F converter), 22...Multiplexer, 23
...Frequency meter, 27...Ion extraction power supply, 28...
... Lens power supply, 29 ... Arc power supply, 30 ... Ion source housing, 31 ... Magnetic field measuring device, 3
2...Slit opening gauge, 33...Slit, 34
... Mass spectrometry magnet, 35 ... Magnet power supply, 36 ...
Magnet current setting rotational resistance, 40... Beam line section, 42... Scanner, 43... Beam line controller, 44... Sample installation section (end station), 45... Faraday cup, 46... Sample,
47...End station controller, 48...Dose meter, 49...Acceleration tube, 50...Acceleration power source.
Claims (1)
と、質量分析部と、イオン加速部と、試料設置部
と、上記各部への電源を供給する電源部を備えて
なるイオン注入装置において、アース電位に設置
した計算機を設け、イオンソース部電源とそのガ
ス系及び質量分析磁石電源の各動作状態を示す信
号、イオンソース部の真空度、イオンビーム電流
をそれぞれ一定時間ごとにモニタする手段を有
し、このモニタ結果に応じて、イオンソース部の
真空度を一定値に帰還制御することによりプラズ
マを安定発生させる機能と、イオン加速電圧を一
定値に帰還制御する機能と、引出されたイオンビ
ームの電流を一定値に帰還制御する機能とを上記
計算機に持たせ、上記各手段が出力する動作状態
を示す信号を入力し上記各帰還制御用信号を出力
する上記計算機の信号入出力伝達手段を具備せし
めて構成したことを特徴とする全自動イオン注入
装置。 ２ 前記計算機の信号入出力伝達手段として、ア
ース電位に設置した計算機からの制御用電気信号
を光信号に変換して伝える手段と、前記各手段の
動作状態を示す電気信号を光信号に変換して伝え
る手段とを備えたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の全自動イオン注入装置。[Claims] 1. An ion implantation device comprising an ion source section, an ion beam extraction section, a mass spectrometry section, an ion acceleration section, a sample installation section, and a power supply section that supplies power to each of the above sections. A computer is installed at ground potential and monitors the signals indicating the operating status of the ion source power supply, its gas system, and the mass spectrometer magnet power supply, the degree of vacuum in the ion source, and the ion beam current at regular intervals. It has a function to generate stable plasma by feedback controlling the degree of vacuum in the ion source section to a constant value according to the monitoring result, a function to feedback control the ion acceleration voltage to a constant value, and a function to feedback control the ion acceleration voltage to a constant value. The computer has a function of feedback controlling the current of the ion beam to a constant value, inputting signals indicating the operating state output by each of the above means, and outputting signals for each feedback control. A fully automatic ion implantation device comprising a transmission means. 2. The signal input/output transmission means for the computer includes means for converting control electrical signals from the computer installed at ground potential into optical signals and transmitting the same, and converting electrical signals indicating the operating status of each of the means into optical signals. The fully automatic ion implantation apparatus according to claim 1, further comprising means for transmitting information.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1501881A JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1501881A JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130358A JPS57130358A (en) | 1982-08-12 |
| JPH0234151B2 true JPH0234151B2 (en) | 1990-08-01 |
Family
ID=11877118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1501881A Granted JPS57130358A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | Full automatic ion implantation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130358A (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719560B2 (en) * | 1983-08-15 | 1995-03-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | Ion implanting apparatus and method |
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| JPH0652651B2 (en) * | 1985-11-06 | 1994-07-06 | 株式会社日立製作所 | Micro processing equipment |
| JPH0740479B2 (en) * | 1985-11-18 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | Ion implantation method |
| JPH0731497Y2 (en) * | 1986-03-03 | 1995-07-19 | 日新電機株式会社 | Ion mass spectrometer |
| JPS63146337A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | Ion beam device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507797U (en) * | 1973-05-21 | 1975-01-27 | ||
| JPS5021673A (en) * | 1973-05-23 | 1975-03-07 | ||
| JPS5569950A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | Control method of analytical magnet and its device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569370U (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-13 |
-
1981
- 1981-02-05 JP JP1501881A patent/JPS57130358A/en active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507797U (en) * | 1973-05-21 | 1975-01-27 | ||
| JPS5021673A (en) * | 1973-05-23 | 1975-03-07 | ||
| JPS5569950A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | Control method of analytical magnet and its device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130358A (en) | 1982-08-12 |
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