JPH02312288A - エキシマレーザ装置 - Google Patents
エキシマレーザ装置Info
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- JPH02312288A JPH02312288A JP13343789A JP13343789A JPH02312288A JP H02312288 A JPH02312288 A JP H02312288A JP 13343789 A JP13343789 A JP 13343789A JP 13343789 A JP13343789 A JP 13343789A JP H02312288 A JPH02312288 A JP H02312288A
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- Japan
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- light
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- Pending
Links
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/082—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors defining a plurality of resonators, e.g. for mode selection or suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体リソグラフィー等に用いられるエキシマ
レーザ装置に関するものでるる。
レーザ装置に関するものでるる。
従来の技術
従来、エキシマレーザ装置において、レーザ光の発振ス
ペクトル幅を所定の発振波長を中心として狭帯域化する
ため、共振器中に回折格子やエタロンを挿入設置する方
法が用いられている。特に、エタロンを用いる方法は回
折格子に比べ元口の損失が少ないことから、特に高エネ
ルギー出力を必要とする半導体リソグラフィー用光源等
として用いられるエキシマレーザ装置において有用であ
る。
ペクトル幅を所定の発振波長を中心として狭帯域化する
ため、共振器中に回折格子やエタロンを挿入設置する方
法が用いられている。特に、エタロンを用いる方法は回
折格子に比べ元口の損失が少ないことから、特に高エネ
ルギー出力を必要とする半導体リソグラフィー用光源等
として用いられるエキシマレーザ装置において有用であ
る。
この−例として、例えば特開昭６３−４５８７５号公報
記載の構成が知られている。
記載の構成が知られている。
以下、図面を参照しながら従来例について説明する。
第２図（ａｔは従来の共振器内にエタロンを挿入したエ
キシマレーザ装置の概略図である。第２図（ａｔにおい
て、４はレーザチャンバー、５はレーザチャンバー４の
窓、７は全反射鏡、８は出力結合鏡、Ｉａ、Ｉｂは共振
器内に挿入されたエタロン、９はレーザ光である。以上
のような構成において、レーザチャンバー４より発光し
た光は、平行に配置された全反射鏡７、出力結合鏡８を
注復する間にレーザチャンバー４の内部で増幅され、レ
ーザ光９を出力結合鏡８から発振する。ここで、レーザ
チャンバー４と全反射鏡７との間に２個の組合せからな
るエタロンｌａ、ｌｂを挿入することにより、発振スペ
クトル線幅の狭いレーザ光の発振が可能となる。この際
、レーザチャンバー４内に戻り光が入るとエキシマレー
ザはゲインが高いため発振してしまうので、通常、戻り
光がないようにレーザチャンバー４の窓５やエタロン１
ａ、１ｂをレーザ光９に対して傾けて使用している。
キシマレーザ装置の概略図である。第２図（ａｔにおい
て、４はレーザチャンバー、５はレーザチャンバー４の
窓、７は全反射鏡、８は出力結合鏡、Ｉａ、Ｉｂは共振
器内に挿入されたエタロン、９はレーザ光である。以上
のような構成において、レーザチャンバー４より発光し
た光は、平行に配置された全反射鏡７、出力結合鏡８を
注復する間にレーザチャンバー４の内部で増幅され、レ
ーザ光９を出力結合鏡８から発振する。ここで、レーザ
チャンバー４と全反射鏡７との間に２個の組合せからな
るエタロンｌａ、ｌｂを挿入することにより、発振スペ
クトル線幅の狭いレーザ光の発振が可能となる。この際
、レーザチャンバー４内に戻り光が入るとエキシマレー
ザはゲインが高いため発振してしまうので、通常、戻り
光がないようにレーザチャンバー４の窓５やエタロン１
ａ、１ｂをレーザ光９に対して傾けて使用している。
第２図（ｂｌは第２図（ａｔの破線で囲まれた部分の拡
大図である。第２図（ｂｌにおいて、３ａ、３ｂは各々
エタロンＩａ、ｌｂで反射、散乱されたレーザ光、６は
レーザチャンバー４の窓５で反射、散乱されたレーザ光
である。以上のような構成において、エタロンｌａで反
射、散乱されたレーザ光３ａ１およびレーザチャンバー
４の窓５から反射、散乱されたレーザ光６等は、エタロ
ン１ｂに入射する。このため、エタロン１ｂに熱負荷が
加わり、劣化を早めることになる。また、エタロン１ａ
にもエタロン１ｂから反射、散乱されたレーザ光３ｂ等
が入射し、同様の現象が起こる。
大図である。第２図（ｂｌにおいて、３ａ、３ｂは各々
エタロンＩａ、ｌｂで反射、散乱されたレーザ光、６は
レーザチャンバー４の窓５で反射、散乱されたレーザ光
である。以上のような構成において、エタロンｌａで反
射、散乱されたレーザ光３ａ１およびレーザチャンバー
４の窓５から反射、散乱されたレーザ光６等は、エタロ
ン１ｂに入射する。このため、エタロン１ｂに熱負荷が
加わり、劣化を早めることになる。また、エタロン１ａ
にもエタロン１ｂから反射、散乱されたレーザ光３ｂ等
が入射し、同様の現象が起こる。
発明が解決しようとする課題
以上のように、従来のエタロンを用いたエキシマレーザ
装置においては、共振器内の光学部品をレーザ光に対し
て傾けて設置しているため、その反射光、散乱光等によ
りエタロンに余計な熱負荷が加わるため、エタロンの光
学特性等が変化し、安定した発振スペクトル線幅やレー
ザ出力等が得られなくなる。また、エタロンを構成する
透明基板および膜が損傷を受けて劣化し、エタロンの寿
命が短くなるという課題があった。
装置においては、共振器内の光学部品をレーザ光に対し
て傾けて設置しているため、その反射光、散乱光等によ
りエタロンに余計な熱負荷が加わるため、エタロンの光
学特性等が変化し、安定した発振スペクトル線幅やレー
ザ出力等が得られなくなる。また、エタロンを構成する
透明基板および膜が損傷を受けて劣化し、エタロンの寿
命が短くなるという課題があった。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされた
もので、エタロンを安定かつ有効に使用するようにした
エキシマレーザ装置を提供することを目的とする。
もので、エタロンを安定かつ有効に使用するようにした
エキシマレーザ装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明では、エタロンの前後
またはその一方に遮光板を設置し、共振器内の光学部品
からの反射光、散乱光によシエタロンに熱負荷が加わら
ないようにしている。さらに、この遮光板として、エキ
シマレーザに対する耐光力に優れ、熱伝導性に優れた例
えば、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属、もしく
は絶縁物を用いることにより、その効果は増加する。
またはその一方に遮光板を設置し、共振器内の光学部品
からの反射光、散乱光によシエタロンに熱負荷が加わら
ないようにしている。さらに、この遮光板として、エキ
シマレーザに対する耐光力に優れ、熱伝導性に優れた例
えば、銅、アルミニウム、ステンレス等の金属、もしく
は絶縁物を用いることにより、その効果は増加する。
作 用
本発明はエタロンに余計な熱負荷を与えないようにする
ことにより、安定したエタロンの光学特性を得ることが
できる。また、エタロンの劣化を抑えることができるた
め、エタロンの寿命が伸び、ランニングコストが安くな
る。
ことにより、安定したエタロンの光学特性を得ることが
できる。また、エタロンの劣化を抑えることができるた
め、エタロンの寿命が伸び、ランニングコストが安くな
る。
実施例
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例について
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における共振器内に挿入した
２個の組合せからなるエタロンの側面図である。第１図
において、ｌａ、ｌｂはエタロン、２１ｄエタロン１ａ
、１ｂの前後に設置した遮光板、３ａ、３ｂは各々エタ
ロンｌａ、ｌｂで反射、散乱されたレーザ光、４はレー
ザチャンバー、５はレーザチャンバー４の窓、６はレー
ザチャンバー４の窓５で反射、散乱されたレーザ光、７
は全反射鏡である。以上のような構成において、エタロ
ンｌａ、ｌｂの前後に、中心部にレーザ光の通過孔をも
つ遮光板２を挿入し、エタロン１ａ、１ｂで反射、散乱
されたレーザ光３ａ、３ｂや、レーザチャンバー４の窓
５で反射、散乱されたレーザ光６等がエタロンｌａ、Ｉ
ｂに入射して熱負荷を与えることがないようにする。こ
こで、遮光板２はエタロンＩａ、ｌｂのそれぞれの前後
に設けて説明したが、前後一方のみでも本発明は適用で
きる。
２個の組合せからなるエタロンの側面図である。第１図
において、ｌａ、ｌｂはエタロン、２１ｄエタロン１ａ
、１ｂの前後に設置した遮光板、３ａ、３ｂは各々エタ
ロンｌａ、ｌｂで反射、散乱されたレーザ光、４はレー
ザチャンバー、５はレーザチャンバー４の窓、６はレー
ザチャンバー４の窓５で反射、散乱されたレーザ光、７
は全反射鏡である。以上のような構成において、エタロ
ンｌａ、ｌｂの前後に、中心部にレーザ光の通過孔をも
つ遮光板２を挿入し、エタロン１ａ、１ｂで反射、散乱
されたレーザ光３ａ、３ｂや、レーザチャンバー４の窓
５で反射、散乱されたレーザ光６等がエタロンｌａ、Ｉ
ｂに入射して熱負荷を与えることがないようにする。こ
こで、遮光板２はエタロンＩａ、ｌｂのそれぞれの前後
に設けて説明したが、前後一方のみでも本発明は適用で
きる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、エタロンを用いたエキ
シマレーザ装置において、エタロンが不要な熱負荷によ
って変化するのを長期にわたり防止でき、その結果、安
定な動作を長期にわたシ維持することができる。
シマレーザ装置において、エタロンが不要な熱負荷によ
って変化するのを長期にわたり防止でき、その結果、安
定な動作を長期にわたシ維持することができる。
第１図は本発明の一実施例における共振器内に設置した
２個の組合せからなるエタロン並びに遮元板の側面図、
第２図（ａｌは従来のエタロンを用いたエキシマレーザ
装置の概略図、第２図（ｂ）は第２図ｆａｔの破線部分
の拡大図である。 ｌａ、ｌｂ・・・エタロン、２・・・遮光板、３ａ、３
ｂ・・・エタロンで反射、散乱されたレーザ光、４・・
・レーザチャンバー、５・・・レーザチャンバーの窓、
６・・・レーザチャンバーの窓で反射、散乱されたレー
ザ光、７・・・全反射鏡、８・・・出力結合鏡、９・・
・レーザ光。
２個の組合せからなるエタロン並びに遮元板の側面図、
第２図（ａｌは従来のエタロンを用いたエキシマレーザ
装置の概略図、第２図（ｂ）は第２図ｆａｔの破線部分
の拡大図である。 ｌａ、ｌｂ・・・エタロン、２・・・遮光板、３ａ、３
ｂ・・・エタロンで反射、散乱されたレーザ光、４・・
・レーザチャンバー、５・・・レーザチャンバーの窓、
６・・・レーザチャンバーの窓で反射、散乱されたレー
ザ光、７・・・全反射鏡、８・・・出力結合鏡、９・・
・レーザ光。
Claims (2)
- （１）共振器内に挿入したエタロンの前後またはその一
方に遮光板を設置し、共振器内の光学部品からの反射光
、散乱光等によりエタロンに余分な熱負荷が加わらない
ようにしたことを特徴とするエキシマレーザ装置。 - （２）遮光板は、エキシマレーザに対する耐光力に優れ
、熱伝導が良い。例えば、銅、アルミニウム、ステンレ
ス等の金属、もしくは絶縁物からなることを特徴とする
請求項１記載のエキシマレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13343789A JPH02312288A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | エキシマレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13343789A JPH02312288A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | エキシマレーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312288A true JPH02312288A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15104752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13343789A Pending JPH02312288A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | エキシマレーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02312288A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094161A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fanuc Ltd | アパーチャを備えたレーザ発振器 |
| WO2014045889A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | ギガフォトン株式会社 | スラブ型増幅器、それを含むレーザ装置および極短紫外光生成装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231385A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ用分光素子 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13343789A patent/JPH02312288A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01231385A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ用分光素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094161A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Fanuc Ltd | アパーチャを備えたレーザ発振器 |
| WO2014045889A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | ギガフォトン株式会社 | スラブ型増幅器、それを含むレーザ装置および極短紫外光生成装置 |
| JPWO2014045889A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2016-08-18 | ギガフォトン株式会社 | スラブ型増幅器、それを含むレーザ装置および極短紫外光生成装置 |
| US9680277B2 (en) | 2012-09-18 | 2017-06-13 | Gigaphoton Inc. | Slab amplifier, and laser apparatus and extreme ultraviolet light generation apparatus including slab amplifier |
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