JPH02297528A - ノンリニア光学素子 - Google Patents
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は二つの類縁化合物の交互に並んだ単分子層から
なるノンリニア光学(NLO)特性を有する光学素子に
関する。
なるノンリニア光学(NLO)特性を有する光学素子に
関する。
本発明によれば、
一般式(I)
Rt−Dl−ph−cRz=cR3(−cR4=cR5
)n−cR6=c (I)(R”は非親水性Cl0
=C24脂肪族基であり、随意に脂環式基暑含みそして
随意にオキサ−またはチア−置換されたものであり; Dl は−NX−、−NH−NX−または−N(OX)
−であり、ここにXはHまたはC1〜C4アルキル基
であり; Phはバラーシエニレ/基であり; R2ないしR6はそれぞれ独立的にHまたはC1〜C4
アルキル基であり; nば1〜10の任意の整数であり; A1はNO2,CN またはC00Yであり、ここにY
はHまたはC7〜C4アルキル基であり;そして A2はHであるかまたはA1について定義されたもので
あるがA1と同一であっても相異なっていてもよい。) の第1のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
ニ 一般式(II) 0OR12 A3−(CH2)m−D2−Ph−CR7=CR8(−
CR9=CR10)CRII =CA4(II) [A3は一般式(I)におげろA1について定義された
ものであるがA1 と同一であっても相異なっていても
よい; mは1〜4の整数であり; D2は一般式(I)におけるDlについて定義されたも
のであるが、Dl と同一であっても相異なっていても
よい; Phはパラ−フェニレン基であり; R7ないしR11はそれぞれ独立的にHまたはC7〜C
4アルキル基であり; pは1〜10の任意の整数であり; A4は一般式(I)におけるA2について定義されたも
のであるが、A2 と同一であっても相異なっていても
よい; そして R12は一般式(I)におけるR1 について定義され
たものであるが、R1と同一であっても相異なっていて
もよい。〕 の第2のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
: の二つの化合物の交互に並んだ単層からなる少な(とも
部分的な表面被覆(以下、NLO被覆と称することがあ
る。)?:有する透明または反射性基板よりなるノンリ
ニア光学性を有する光学素子(以下、NLO氷子と称す
ることがある。)であって、それらの化合のそれぞれが
電子ベクトルを有し、それらの単層において二つの化合
物がそれらの電子ベクトルを同方向にして配置されて〜
・る上記光学素子が提供される。
)n−cR6=c (I)(R”は非親水性Cl0
=C24脂肪族基であり、随意に脂環式基暑含みそして
随意にオキサ−またはチア−置換されたものであり; Dl は−NX−、−NH−NX−または−N(OX)
−であり、ここにXはHまたはC1〜C4アルキル基
であり; Phはバラーシエニレ/基であり; R2ないしR6はそれぞれ独立的にHまたはC1〜C4
アルキル基であり; nば1〜10の任意の整数であり; A1はNO2,CN またはC00Yであり、ここにY
はHまたはC7〜C4アルキル基であり;そして A2はHであるかまたはA1について定義されたもので
あるがA1と同一であっても相異なっていてもよい。) の第1のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
ニ 一般式(II) 0OR12 A3−(CH2)m−D2−Ph−CR7=CR8(−
CR9=CR10)CRII =CA4(II) [A3は一般式(I)におげろA1について定義された
ものであるがA1 と同一であっても相異なっていても
よい; mは1〜4の整数であり; D2は一般式(I)におけるDlについて定義されたも
のであるが、Dl と同一であっても相異なっていても
よい; Phはパラ−フェニレン基であり; R7ないしR11はそれぞれ独立的にHまたはC7〜C
4アルキル基であり; pは1〜10の任意の整数であり; A4は一般式(I)におけるA2について定義されたも
のであるが、A2 と同一であっても相異なっていても
よい; そして R12は一般式(I)におけるR1 について定義され
たものであるが、R1と同一であっても相異なっていて
もよい。〕 の第2のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
: の二つの化合物の交互に並んだ単層からなる少な(とも
部分的な表面被覆(以下、NLO被覆と称することがあ
る。)?:有する透明または反射性基板よりなるノンリ
ニア光学性を有する光学素子(以下、NLO氷子と称す
ることがある。)であって、それらの化合のそれぞれが
電子ベクトルを有し、それらの単層において二つの化合
物がそれらの電子ベクトルを同方向にして配置されて〜
・る上記光学素子が提供される。
ここに「非親水性」とは、カルボキシレート。
スルホネート、ホスホネート及びヒドロキシルのような
親水性基で置換されていないことを意味するものとする
。
親水性基で置換されていないことを意味するものとする
。
第1のNLO化合物
第1のNLO化合物において、R1は、10〜16個、
さらに好ましくは12〜16個の炭素原子を含む長細脂
肪族基であるものが好ましく、このものは随意には脂環
式基を含むがより好ましくは脂環式基を含まない。これ
らの好ましい限定内での細長のわずかな変動は、その化
合物のノンリニア光学性にほとんど影響しないと信じら
れる。
さらに好ましくは12〜16個の炭素原子を含む長細脂
肪族基であるものが好ましく、このものは随意には脂環
式基を含むがより好ましくは脂環式基を含まない。これ
らの好ましい限定内での細長のわずかな変動は、その化
合物のノンリニア光学性にほとんど影響しないと信じら
れる。
この脂肪族鎖が分岐していないこと、あるいはせいぜ℃
・1個または2個の分岐を含み、それぞれの分岐が1個
または2個の炭素原子を含むにすぎないこと、も好まし
い。
・1個または2個の分岐を含み、それぞれの分岐が1個
または2個の炭素原子を含むにすぎないこと、も好まし
い。
R1中に含まれることがある脂環式基は適当には5〜1
2個の炭素原子、好ましくは5〜7個の炭素原子を含む
。
2個の炭素原子、好ましくは5〜7個の炭素原子を含む
。
R]は1個またはそれ以上の複素原子、殊に酸素または
硫黄で置換されていてよい。
硫黄で置換されていてよい。
もしRが1個またはそれ以上の複素原子で置換されてい
るならば、鎖中の12個の炭素原子毎に1個より多くの
複素原子が存在しないのが好ましい。R1で表わされる
基は、ノ・ロゲン原子のような非親水性置換基を有して
いてよいが、好ましくは炭化水素である。
るならば、鎖中の12個の炭素原子毎に1個より多くの
複素原子が存在しないのが好ましい。R1で表わされる
基は、ノ・ロゲン原子のような非親水性置換基を有して
いてよいが、好ましくは炭化水素である。
R1で表わされる基の例は、デシル、ヘンデシル、ドデ
シル(ラウリル)、ヘプタデシル(マルガリール)、オ
クタデシル(ステアリ/L/) 、 ノナテシル、エイ
コサニル(アラチジル)、ヘンエイコサニル、ドコサニ
ル(ベヘニル)、)IJコサニル、テトラコサニル(リ
グノセリル)等で、bろ。
シル(ラウリル)、ヘプタデシル(マルガリール)、オ
クタデシル(ステアリ/L/) 、 ノナテシル、エイ
コサニル(アラチジル)、ヘンエイコサニル、ドコサニ
ル(ベヘニル)、)IJコサニル、テトラコサニル(リ
グノセリル)等で、bろ。
R1で表わされる基のその他の例は、10−エイコセニ
ル、9.12−オクタデカジェニル(リルイル)及び6
ニへキシロキシヘキシルである。
ル、9.12−オクタデカジェニル(リルイル)及び6
ニへキシロキシヘキシルである。
好ましいDl としては、定義の如き−NX−があり
、Xは好ましくはHまたはメチルである。
、Xは好ましくはHまたはメチルである。
好ましいR1−D 1− とじては、N−メチル−N−
デシルアミノ及びN−メチ−N−ドブシアミノがある。
デシルアミノ及びN−メチ−N−ドブシアミノがある。
R2ないしR6は、独立的にHまたはメチルでちるのが
好ましい。さらに好ましくはR2及びR6のそれぞれが
メチルであり、残りのものがHである。その場合、これ
ら二つのメチル基は相互にトランス位置関係にあるのが
好ましい。
好ましい。さらに好ましくはR2及びR6のそれぞれが
メチルであり、残りのものがHである。その場合、これ
ら二つのメチル基は相互にトランス位置関係にあるのが
好ましい。
nは1〜4であるのが好ましい。
A2は好ましくばH以外である。A1 またはA2の
5’fpでそれがC00Yと定義され、Yは01〜C4
アルキルであるとき、それはメチルであるのが好ましい
が、YはHであるのが好ましい。A1及びA2として好
ましいものの例としては、カルボキシル及びCNがあり
、殊にこれら両者の組合せが好ましい。一般式(I)の
化合物の塩は、カルボキシル基の塩であってよく、金属
塩や、カチオンが四価窒素原子を含むものの塩、及び/
または塩基性窒素原子の酸付加塩等がある。
5’fpでそれがC00Yと定義され、Yは01〜C4
アルキルであるとき、それはメチルであるのが好ましい
が、YはHであるのが好ましい。A1及びA2として好
ましいものの例としては、カルボキシル及びCNがあり
、殊にこれら両者の組合せが好ましい。一般式(I)の
化合物の塩は、カルボキシル基の塩であってよく、金属
塩や、カチオンが四価窒素原子を含むものの塩、及び/
または塩基性窒素原子の酸付加塩等がある。
塩のカチオンが金属であるとき、それは二価であるのが
好ましい。好ましい金属はカドミウム。
好ましい。好ましい金属はカドミウム。
バリウム、鉛及びカルシウムである。
その他の適当な塩カチオン金属としては、マグネシウム
、亜鉛、マンガン及びストロンチウムがある。
、亜鉛、マンガン及びストロンチウムがある。
いずれかの塩カチオンが、四価の窒素原子を含むもので
あるiき、これはNH4,モノ−、ジーまたはトリー置
換アンモニウム、または四級アンモニウムのようなアン
モニウムでありうる。
あるiき、これはNH4,モノ−、ジーまたはトリー置
換アンモニウム、または四級アンモニウムのようなアン
モニウムでありうる。
四価窒素原子を含むその他の適当な塩カチオンとしては
、アルキレン−及びアルケニレン−ジアンモニウムのよ
うなビス(アンモニウム)、グアニジニウム、ビグアニ
ジニウム及びアミジニウムがある。
、アルキレン−及びアルケニレン−ジアンモニウムのよ
うなビス(アンモニウム)、グアニジニウム、ビグアニ
ジニウム及びアミジニウムがある。
そのようなカチオン中の四価窒素原子は、水素以外の置
換基を有していてよく、適当な置換基の例としては、メ
チル、エチル、ラウリル、セチル。
換基を有していてよく、適当な置換基の例としては、メ
チル、エチル、ラウリル、セチル。
ステアリルのようなアルキル;フェニルのようなアリー
ル;ベンジルのようなアルアルキル;シクロヘキシルの
ようなシクロアルキル;があり、これら自体が置換され
ていてよく、例えばc1〜c4アルキルで(例えばトリ
ル)、01〜c4アルコキシテ(例エハアニシル及びエ
トキシエチル)、ハロゲンで(例えばクロロフェニル)
及びヒドロキシで(例えばヒドロキシェチ)、置換され
ていてよい。適当な基の特定の例は、NH4,N(CH
3)4゜N(C2H40H)4.N(CH3)5(c1
8H3□)である。
ル;ベンジルのようなアルアルキル;シクロヘキシルの
ようなシクロアルキル;があり、これら自体が置換され
ていてよく、例えばc1〜c4アルキルで(例えばトリ
ル)、01〜c4アルコキシテ(例エハアニシル及びエ
トキシエチル)、ハロゲンで(例えばクロロフェニル)
及びヒドロキシで(例えばヒドロキシェチ)、置換され
ていてよい。適当な基の特定の例は、NH4,N(CH
3)4゜N(C2H40H)4.N(CH3)5(c1
8H3□)である。
塩が酸付加塩であるときには、それは、水素ハライド、
サルフェート、オルガニルスルホネートまたはホスフェ
−トチあってよい。
サルフェート、オルガニルスルホネートまたはホスフェ
−トチあってよい。
第1のNLO化合物の特定例は、1−(4−N−メチル
−N−ドデシルアミノフエニル)−3,8−ジメチル−
10−力ルボキシ−10−シアノデカ−1,3゜5.7
.9−ペンタエン及びそのカルシウム及ヒカドミウム塩
がある。
−N−ドデシルアミノフエニル)−3,8−ジメチル−
10−力ルボキシ−10−シアノデカ−1,3゜5.7
.9−ペンタエン及びそのカルシウム及ヒカドミウム塩
がある。
第1のNLO化合物のその他の特定例としては、1−(
4’−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−3
−メチル−8−カルボキシ−オクタ−1,3゜5.7−
テトラエン (2)、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−二トロデ力−1,3,3、
7゜9−ペンタエン (6)、 1−(4−N−メチル−N−デシルアミノフェニル)−
6−ジアツーヘキサー1.3.5−4リエン (4)、
1−(4−N−、、’チルーN−デシルアミノフェニル
)−6−ジアツーヘキサーL3.5−トリエン、1−(
4−N−メチル−N−テトラコサニルアミノフェニル)
−6−カルボキシ−6−ジアノへ=¥−?−1゜6.5
−トリエン、 1−(4−N−メチル−N−テトラコサニルアミノフェ
ニル)−6−カルボキシ−6−二トロヘキサー 1゜3
.5−)リエン、 1−(4−N−メチル−N−4−ドデシルシクロへキシ
ルアミノフェニル−20−力ルボキシ−20−シアノエ
イコサ−1,3,3、7,9,11,13,13、17
,19−デカエン、 1−(4−N−メチル−N−4−ドデシルシクロへキシ
ルアミノフェニ=)−6−カルポキシー6−シアノー3
.4− トランス−ジメチルへキサ−1,3,5−)リ
エン、 1−(4−N−メチル−N−6−へキシロキシへキシル
アミノフェニル)−3,8−ジメチル−10−メトキシ
カルボニルデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1
−(4−N−メチル−N−6−ヘキシロキシヘキシルア
ミノフェニル)−3,8−ジメチル−10−シアノデカ
−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−N−メ
チル−N−ドデシルアミノフエニル)−3,8−ジメチ
ル−10−メトキシカルボニルデカ−1,3、3、7,
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−3,8−ジメチル−10−カルボキシドデカ−1゜3
.3、7.9.11−へキサエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−カルボキシデカ−1,3゜
5.7.9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−力ルボキシ−10−シアノ
デカ−1,3,3、7,9−ペンタエン (5)、1−
(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−2
,9−ジメチル−10−カルボキシ−10−シアノデカ
−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−N−メ
チル−N−ドデシルアミノフエニル)−3、8−ジメチ
ル−10,10−ジカルボキシデカ−1,3,3、7,
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
、−3,8−ジメチル−10−カルボキン−10−ニト
ロデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−
N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−6−ブロ
ビルー8−メチル−10−力ルボキシー10−シアノデ
カ−1,3,3、7,9−ペンタエン、及び 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−1,3,8−トリメチル−10−力ルボキシ−10−
シアノデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、ならび
にこれらのものの塩、がある。
4’−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−3
−メチル−8−カルボキシ−オクタ−1,3゜5.7−
テトラエン (2)、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−二トロデ力−1,3,3、
7゜9−ペンタエン (6)、 1−(4−N−メチル−N−デシルアミノフェニル)−
6−ジアツーヘキサー1.3.5−4リエン (4)、
1−(4−N−、、’チルーN−デシルアミノフェニル
)−6−ジアツーヘキサーL3.5−トリエン、1−(
4−N−メチル−N−テトラコサニルアミノフェニル)
−6−カルボキシ−6−ジアノへ=¥−?−1゜6.5
−トリエン、 1−(4−N−メチル−N−テトラコサニルアミノフェ
ニル)−6−カルボキシ−6−二トロヘキサー 1゜3
.5−)リエン、 1−(4−N−メチル−N−4−ドデシルシクロへキシ
ルアミノフェニル−20−力ルボキシ−20−シアノエ
イコサ−1,3,3、7,9,11,13,13、17
,19−デカエン、 1−(4−N−メチル−N−4−ドデシルシクロへキシ
ルアミノフェニ=)−6−カルポキシー6−シアノー3
.4− トランス−ジメチルへキサ−1,3,5−)リ
エン、 1−(4−N−メチル−N−6−へキシロキシへキシル
アミノフェニル)−3,8−ジメチル−10−メトキシ
カルボニルデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1
−(4−N−メチル−N−6−ヘキシロキシヘキシルア
ミノフェニル)−3,8−ジメチル−10−シアノデカ
−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−N−メ
チル−N−ドデシルアミノフエニル)−3,8−ジメチ
ル−10−メトキシカルボニルデカ−1,3、3、7,
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−3,8−ジメチル−10−カルボキシドデカ−1゜3
.3、7.9.11−へキサエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−カルボキシデカ−1,3゜
5.7.9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−6,8−ジメチル−10−力ルボキシ−10−シアノ
デカ−1,3,3、7,9−ペンタエン (5)、1−
(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−2
,9−ジメチル−10−カルボキシ−10−シアノデカ
−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−N−メ
チル−N−ドデシルアミノフエニル)−3、8−ジメチ
ル−10,10−ジカルボキシデカ−1,3,3、7,
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
、−3,8−ジメチル−10−カルボキン−10−ニト
ロデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1−(4−
N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)−6−ブロ
ビルー8−メチル−10−力ルボキシー10−シアノデ
カ−1,3,3、7,9−ペンタエン、及び 1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニル)
−1,3,8−トリメチル−10−力ルボキシ−10−
シアノデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、ならび
にこれらのものの塩、がある。
第1 NLO化合物は、心対称でなく、A1及び場合に
よりA2基(単数または複数)がそれぞれ電子吸引性で
あり、モしてR−D 基が電子供与性であるから、そ
の長軸に沿って実質的に分極される。
よりA2基(単数または複数)がそれぞれ電子吸引性で
あり、モしてR−D 基が電子供与性であるから、そ
の長軸に沿って実質的に分極される。
従ってこの化合物の分子は、R−D 基からA1及び
場合によりA2基の方へ、その軸に沿って向けられた電
子ベクトルとして表わされる。
場合によりA2基の方へ、その軸に沿って向けられた電
子ベクトルとして表わされる。
第1のNLO化合物は、一般式(I)のR’−D’−P
h−CR2構成部の前駆体と一般式(I)のその他の部
分の前駆体との間に、例えばウイティッヒ反応またはそ
の他の任意の慣用のC−C結合形成のための反応により
、C−C結合を形成することにより製造できる。
h−CR2構成部の前駆体と一般式(I)のその他の部
分の前駆体との間に、例えばウイティッヒ反応またはそ
の他の任意の慣用のC−C結合形成のための反応により
、C−C結合を形成することにより製造できる。
当業者にとって、基D I 、 A I及びA2のうち
のあるものが望ましくない副反応を生じさせることがあ
ることは了解されよう。そのような基は、その反応中に
は、慣用の除去可能保護基によって保護することができ
、そのような保護基は目的終了後には反応生成物から慣
用法により除去される。
のあるものが望ましくない副反応を生じさせることがあ
ることは了解されよう。そのような基は、その反応中に
は、慣用の除去可能保護基によって保護することができ
、そのような保護基は目的終了後には反応生成物から慣
用法により除去される。
別法として、前駆体は、最終の所望される基の前駆基を
含んでいてよく、その前駆基を反応生成物において最終
の所望される基に転化することもできる。従って、例え
ばD’=NHは慣用のN−保護基によって保護されるこ
とができ、そしてA1 またはA2=C0OHについて
は、その対応前駆体がそのC0OH基の前駆基アルデヒ
ドを含むようにできる。
含んでいてよく、その前駆基を反応生成物において最終
の所望される基に転化することもできる。従って、例え
ばD’=NHは慣用のN−保護基によって保護されるこ
とができ、そしてA1 またはA2=C0OHについて
は、その対応前駆体がそのC0OH基の前駆基アルデヒ
ドを含むようにできる。
一般式(I)の化合物は慣用法で塩の形とするか、ある
いはいずれかのカルボキシル基ヲ慣用法でエステル化し
てもよい。
いはいずれかのカルボキシル基ヲ慣用法でエステル化し
てもよい。
第2のNLO化合物
第2のNLO化合物において、A3は、一般式(I)の
第1NLO化合物におけるA1について定義されたC0
0Yであるのが好ましい(ただし、個々の化合物におけ
るA1 とA3とは同一であっても相異なっていてもよ
い)。YがC1〜C4アルキルであるときにはメチルで
あるのが好ましいが、Yは水素であるのが好ましい。
第1NLO化合物におけるA1について定義されたC0
0Yであるのが好ましい(ただし、個々の化合物におけ
るA1 とA3とは同一であっても相異なっていてもよ
い)。YがC1〜C4アルキルであるときにはメチルで
あるのが好ましいが、Yは水素であるのが好ましい。
A3及びA4 として好ましいものは、カルボキシル及
びCN、殊にCNである。
びCN、殊にCNである。
R12は、一般式(I)におけるR1について好ましい
とされた基と同じ成分及び同じ基を含む長鎖脂肪族基で
あるのが好ましいが、R] 2及びR1は独立的に選択
されうる(すなわち同一の分子においてR12及びR1
は同一であっても相異なっていてもよい)。
とされた基と同じ成分及び同じ基を含む長鎖脂肪族基で
あるのが好ましいが、R] 2及びR1は独立的に選択
されうる(すなわち同一の分子においてR12及びR1
は同一であっても相異なっていてもよい)。
A4及びRについての上記好ましいものの組合せは、殊
に好ましい。
に好ましい。
一般式(I[)の第2のNLO化合物の塩は、カルボキ
シル基の塩であってよく、例えば金属塩;カチオンが四
価の窒素原子を含む塩;及び/または塩基性窒素原子の
付加塩;等がある。
シル基の塩であってよく、例えば金属塩;カチオンが四
価の窒素原子を含む塩;及び/または塩基性窒素原子の
付加塩;等がある。
適当であり好ましい塩は、一般式(1)の第1のNLO
化合物の塩と同様なものである。
化合物の塩と同様なものである。
第2NLO化合物の特定例としては、
1−(4−メチル−N−2−カルボキシエチルアミノフ
エニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカル
ボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7,9−ペン
タエンならびにそのカルシウム塩及びカドミウム塩があ
る。
エニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカル
ボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7,9−ペン
タエンならびにそのカルシウム塩及びカドミウム塩があ
る。
またその他の第2NLO化合物の特定例としてもま :
1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフェニル)−3−メチル−8−デシロキシカルボニル
−オクタ−1,3,3、7−テトラエン、1−(4−N
−メチル−N−2−カルボキシエチルアミノフエニル)
−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカルボニル
−10−二トロデ力−1,3,3、7゜9−ペンタエン
、 1−(4−N−メチル−N−カルボキンメチルアミノフ
ェニル)−6−ジアノヘキサ−1,3,5−トリエン、 1−(4−N−メチル・−N−4−カルボキシブチルア
ミノフェニル)−6−ドデシロキシカルボニル−6−シ
アノヘキサ−1,3,5−)リエン、1−(4−N−メ
チル−N−4−カルボキシブチルアミノフェニル)−6
−ドデシロキシカルボニル−6−ニトロヘキサ−1,+
、s−;リエン、1− (4−N−メチル−N−4−2
−シアノエチルアミノフェニル)−20−テトラコサニ
ロキシ力ルボニル−20−シアノエイコサ−1,3,3
、7,9,11゜13.15.17.1′9−デカエン
、1−(4−N−メチル−N−4−2−シアノエチルア
ミノフェニル)−6−チトラコサニロキシカルボニルー
6−シアノー3.4− )ランス−ジメチルヘキサ−1
,3,5−トリエン、 1−(4−N−メチル−N−2−ニトロエチルアミノフ
ェニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカル
ボニル−10−メトキシカルボニルデカ−1゜3.5.
7.9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−ニトロエチルアミノフ
ェニル) −3,8−ジメチル−10−)”デシロキシ
カルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7,9−
ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシ
カルボニル−10−メトキシカルボニルデカ−1,3,
3、7,9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドブシロキシ
力ルポニルドデ力−1,3,3、7,9,11−へキサ
エン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドブシロキシ
カルボニルデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1
−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミノ
フエニル)、5.8−ジメチル−10−ドデシロキシカ
ルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7゜9−ペ
ンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル5−2.9− ジメチル−10−ドデシロ
キシカルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7゜
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−、、’トキシ
カルポニルー10−ドデシロキシ力ルポニルデ力−1,
3,3、7,9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル’)−3、8−ジメチル−10−ドデシロキ
シカルボニル−10−ニドロチカー1.3.3、7゜9
−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル) −3−フロピルー8−メチル−10−ド
デシロキシカルボニル−10−シアノデカ−1゜3.5
.7.9−ペンタエン、 及び 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−1,3,8−)リフチル−10−ドデシ
ロキシカルボニル−10−シアノデカ−1,3、5゜7
.9−ペンタエン、 ならびにこれらの塩がある。
ノフェニル)−3−メチル−8−デシロキシカルボニル
−オクタ−1,3,3、7−テトラエン、1−(4−N
−メチル−N−2−カルボキシエチルアミノフエニル)
−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカルボニル
−10−二トロデ力−1,3,3、7゜9−ペンタエン
、 1−(4−N−メチル−N−カルボキンメチルアミノフ
ェニル)−6−ジアノヘキサ−1,3,5−トリエン、 1−(4−N−メチル・−N−4−カルボキシブチルア
ミノフェニル)−6−ドデシロキシカルボニル−6−シ
アノヘキサ−1,3,5−)リエン、1−(4−N−メ
チル−N−4−カルボキシブチルアミノフェニル)−6
−ドデシロキシカルボニル−6−ニトロヘキサ−1,+
、s−;リエン、1− (4−N−メチル−N−4−2
−シアノエチルアミノフェニル)−20−テトラコサニ
ロキシ力ルボニル−20−シアノエイコサ−1,3,3
、7,9,11゜13.15.17.1′9−デカエン
、1−(4−N−メチル−N−4−2−シアノエチルア
ミノフェニル)−6−チトラコサニロキシカルボニルー
6−シアノー3.4− )ランス−ジメチルヘキサ−1
,3,5−トリエン、 1−(4−N−メチル−N−2−ニトロエチルアミノフ
ェニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシカル
ボニル−10−メトキシカルボニルデカ−1゜3.5.
7.9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−ニトロエチルアミノフ
ェニル) −3,8−ジメチル−10−)”デシロキシ
カルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7,9−
ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドデシロキシ
カルボニル−10−メトキシカルボニルデカ−1,3,
3、7,9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドブシロキシ
力ルポニルドデ力−1,3,3、7,9,11−へキサ
エン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−ドブシロキシ
カルボニルデカ−1,3,3、7,9−ペンタエン、1
−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミノ
フエニル)、5.8−ジメチル−10−ドデシロキシカ
ルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7゜9−ペ
ンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル5−2.9− ジメチル−10−ドデシロ
キシカルボニル−10−シアノデカ−1,3,3、7゜
9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−3,8−ジメチル−10−、、’トキシ
カルポニルー10−ドデシロキシ力ルポニルデ力−1,
3,3、7,9−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル’)−3、8−ジメチル−10−ドデシロキ
シカルボニル−10−ニドロチカー1.3.3、7゜9
−ペンタエン、 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル) −3−フロピルー8−メチル−10−ド
デシロキシカルボニル−10−シアノデカ−1゜3.5
.7.9−ペンタエン、 及び 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチルアミ
ノフエニル)−1,3,8−)リフチル−10−ドデシ
ロキシカルボニル−10−シアノデカ−1,3、5゜7
.9−ペンタエン、 ならびにこれらの塩がある。
第2NLO化合物は、中心対称でなく、そのカルボキシ
レート基が電子吸引性でありそして置換アミン基が電子
供与性であるのでその長軸に沿って実質的に分極される
。
レート基が電子吸引性でありそして置換アミン基が電子
供与性であるのでその長軸に沿って実質的に分極される
。
第2NLO化合物は、第1のNLO化合物と全く同様に
製造することができる。
製造することができる。
NLO素
第1及び第2のNLO化合物の固有の性質によって、N
LO被覆の交互に並んだ単層において、それらが同様式
に整列するようにされる。
LO被覆の交互に並んだ単層において、それらが同様式
に整列するようにされる。
NLO被覆において、第1NLO化合物中の長鎖脂肪族
基(R1)は、第2NLO化合物中の長鎖脂肪族基(R
+2)に隣接するようになり、かくして両化合物の電子
ベクトルが同一の方向になる。全体的な効果は、NLO
被覆がその平面に対して直角な軸に沿って中心対称でな
いことである。
基(R1)は、第2NLO化合物中の長鎖脂肪族基(R
+2)に隣接するようになり、かくして両化合物の電子
ベクトルが同一の方向になる。全体的な効果は、NLO
被覆がその平面に対して直角な軸に沿って中心対称でな
いことである。
特に好ましい種類のNLO素子において、そのNLO被
覆は、1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエ
ニル)−3,8−ジメチル−10−カルボキシ−10−
シアノデカ−1,3、3、7,9−ペンタエン(化合物
■)と; 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシ
エチルアミノ−フェニル) −S、S−ジメチル−10
−シアノ−10−ドデシクロキシカルボニル−デカ−1
,3、3、7,9−ペンタエン(化合物II)と;であ
って、それぞれが独立的に遊離酸の形、そのカドミウム
もしくはカルシウム塩、またはそのメチルエステルの形
であるものの交互に並んだ層からなる被覆夕有する表面
をもつ透明または反射性基板よりなり:その被覆におけ
る化合物I及びIIの実質上すべての分子が平行な列で
それらのベクトルを同一方向にして整列されている。
覆は、1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエ
ニル)−3,8−ジメチル−10−カルボキシ−10−
シアノデカ−1,3、3、7,9−ペンタエン(化合物
■)と; 1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシ
エチルアミノ−フェニル) −S、S−ジメチル−10
−シアノ−10−ドデシクロキシカルボニル−デカ−1
,3、3、7,9−ペンタエン(化合物II)と;であ
って、それぞれが独立的に遊離酸の形、そのカドミウム
もしくはカルシウム塩、またはそのメチルエステルの形
であるものの交互に並んだ層からなる被覆夕有する表面
をもつ透明または反射性基板よりなり:その被覆におけ
る化合物I及びIIの実質上すべての分子が平行な列で
それらのベクトルを同一方向にして整列されている。
基板(すなわち支持体)が、使用される光の波長におい
て透明である場合には、それは、その外表面上に第1及
び第2のNLO化合物の交互に並んだ単層からなる被覆
を担持している光学的波ガイドの形態で使用できる。
て透明である場合には、それは、その外表面上に第1及
び第2のNLO化合物の交互に並んだ単層からなる被覆
を担持している光学的波ガイドの形態で使用できる。
この形態の光学素子では、光波ガイドに沿って通過する
光学信号は、表面NLO被覆中へ伸びる極わずかな光波
を介して表面NLO被覆と相互反応して、ノンリニア光
学効果を与える。
光学信号は、表面NLO被覆中へ伸びる極わずかな光波
を介して表面NLO被覆と相互反応して、ノンリニア光
学効果を与える。
光波ガイドの形態の基板(支持体)として適当な物質の
例は、ガラス、ニオブ酸リチウム、窒化けい素、あるい
は酸化けい素である。
例は、ガラス、ニオブ酸リチウム、窒化けい素、あるい
は酸化けい素である。
あるいは、透明基板は、平板または円板の形であってよ
く、その片面または両面上に本発明のNLO被覆を形成
しうる。この形態の素子では、基板及び被覆の横断照明
によってノンリニア光学効果が得られる。そのような光
学素子のための適当な基板の例としては、ガラス及びポ
リメチルメタクリレート(P MMA ) がある。
く、その片面または両面上に本発明のNLO被覆を形成
しうる。この形態の素子では、基板及び被覆の横断照明
によってノンリニア光学効果が得られる。そのような光
学素子のための適当な基板の例としては、ガラス及びポ
リメチルメタクリレート(P MMA ) がある。
基板(すなわち支持体)が反射性であるときには、それ
は平面状反射表面Z有し、その上に本発明NLO被覆を
形成させ、光学信号がその反射表面と接する直前及び直
後にその被覆を貫通するようにできる。反射性基板(支
持体)の例は、アルミニウム、銀、あるいはガラス、シ
リカ、石英もしくはポリメチルメタクリレートのような
支持体上に析出されたアルミニウムもしくは銀膜である
。
は平面状反射表面Z有し、その上に本発明NLO被覆を
形成させ、光学信号がその反射表面と接する直前及び直
後にその被覆を貫通するようにできる。反射性基板(支
持体)の例は、アルミニウム、銀、あるいはガラス、シ
リカ、石英もしくはポリメチルメタクリレートのような
支持体上に析出されたアルミニウムもしくは銀膜である
。
この形態の光学素子では、文献[Stegma 等、
rAppl、 Phys、 Lett、 J 4工(1
0)、906゜1982; 5ana等 「Appl、
0pticsJ 21 (22)3993.1982
) に報告されているいわゆる「サーフェイス・プラ
ズモン」モードを励起することにより効率的ノンリニア
プロセスを達成することが可能である。
rAppl、 Phys、 Lett、 J 4工(1
0)、906゜1982; 5ana等 「Appl、
0pticsJ 21 (22)3993.1982
) に報告されているいわゆる「サーフェイス・プラ
ズモン」モードを励起することにより効率的ノンリニア
プロセスを達成することが可能である。
本発明による光学素子は、ラングミュア・プロジェット
法により製造できる。
法により製造できる。
第1の光学信号は、NLO被覆中へ伸び入る微かな光波
によって、NLO被覆と相互作用する。
によって、NLO被覆と相互作用する。
この相互作用によって、第1光学信号に関して調和した
第2の振動数(周波数)の第2の光学信号が発生され、
このものは、光波ガイドを去る併合光学信号中で検出さ
れうる。
第2の振動数(周波数)の第2の光学信号が発生され、
このものは、光波ガイドを去る併合光学信号中で検出さ
れうる。
本発明による別の光学装置を添付第1及び2図を参照し
て説明する。
て説明する。
第1及び2図の光学装置において、光学素子はガラス支
持体4を有し、その上表面領域5中に二つの透明な帯状
光波ガイド6及び8がある。
持体4を有し、その上表面領域5中に二つの透明な帯状
光波ガイド6及び8がある。
これらの帯状光波ガイド6及び8は、周知のイオン交換
またはイオン撃射法により所望のパターンに形成されて
おり、それらの長さの中央部にわたって近接平行する(
すなわち数ミクロン、典型的には2〜5μm の距離だ
け分離されている)ように配置されている。
またはイオン撃射法により所望のパターンに形成されて
おり、それらの長さの中央部にわたって近接平行する(
すなわち数ミクロン、典型的には2〜5μm の距離だ
け分離されている)ように配置されている。
支持体40表面は、第1及び第2のNLO成分の相互の
単層からなるNLO被覆でカバーされている。電源(図
示せず)に接続された一対の電極10及び12は、一方
の電極1oが帯状光波ガイド乙の上に他方の電極12が
帯状光波ガイド6の下になるように配置されている。操
作の際に、ある光学信号は第1の光波ガイド6内にAか
らBへ向けて通過させ、そして電圧暑両電極間に印加す
る。この電圧印加は、d、c、電気光学(ポッケルス)
効果により、NLO被覆の屈折率を変え、かくして、第
1光波ガイド6の伝播定数を変える。
単層からなるNLO被覆でカバーされている。電源(図
示せず)に接続された一対の電極10及び12は、一方
の電極1oが帯状光波ガイド乙の上に他方の電極12が
帯状光波ガイド6の下になるように配置されている。操
作の際に、ある光学信号は第1の光波ガイド6内にAか
らBへ向けて通過させ、そして電圧暑両電極間に印加す
る。この電圧印加は、d、c、電気光学(ポッケルス)
効果により、NLO被覆の屈折率を変え、かくして、第
1光波ガイド6の伝播定数を変える。
印加電圧を適当に調節することにより、第1光波ガイド
6の伝播定数を、この光波ガイド6内を通過している光
信号が第2の光波ガイド8中にカ、プルされて、第2の
光信号を生じさせ、これがCかも装置(デバイス)を去
るように制御することができる。
6の伝播定数を、この光波ガイド6内を通過している光
信号が第2の光波ガイド8中にカ、プルされて、第2の
光信号を生じさせ、これがCかも装置(デバイス)を去
るように制御することができる。
本発明のかかる第2の態様の光学素子は、その他の公知
の形態の光学デバイスにおいて用いられているNLO被
覆、例えばニオブ酸リチウムの代りに本発明のNLO被
置装用いることにより、公知形態のデバイスで使用でき
る。
の形態の光学デバイスにおいて用いられているNLO被
覆、例えばニオブ酸リチウムの代りに本発明のNLO被
置装用いることにより、公知形態のデバイスで使用でき
る。
本発明を以下の調製例及び実施例によりさらに説明する
(これらにおいてすべての「部」や1%」は特記しない
限り重量基準である)。
(これらにおいてすべての「部」や1%」は特記しない
限り重量基準である)。
第1NLO化合物(化合物■)の製造
C1゜H25+
N−(p−C6L)−CH2PPhH3T−(a)e
l CHO
/双△\/ゝ仝、1
0HCI(b)
C1□H25
\ 1 〜′ω1
N−(p−C6H4)へX/ゝ交、/ゝ浸、/ゝ仝、/
ゝ仝、/j1 αXE/σ (I) 4(N−メチル−N−ラウリルアミノ)ペンシルトリフ
ェニルホスホニウムアイオダイン(化合物a)を、下記
のようにして作った。
ゝ仝、/j1 αXE/σ (I) 4(N−メチル−N−ラウリルアミノ)ペンシルトリフ
ェニルホスホニウムアイオダイン(化合物a)を、下記
のようにして作った。
N−メチル−N−ラウリルアニリン(110g)、40
%ホルマリン水溶液(30g)、トリフェニルホスフィ
ン(104,8g)、沃化カリウム(66,4g)、水
(E3+7り、氷酢酸(80,9)及びクロロホルム(
300ml)を−緒に20〜25°Cで5週間攪拌した
。
%ホルマリン水溶液(30g)、トリフェニルホスフィ
ン(104,8g)、沃化カリウム(66,4g)、水
(E3+7り、氷酢酸(80,9)及びクロロホルム(
300ml)を−緒に20〜25°Cで5週間攪拌した
。
次いでこの溶液を水で洗浄し、蒸発して、油状物を得て
、これ?エーテル内にスラリー化して化合物aの沈澱(
収量298F ;理論値の76.8%)を得た。
、これ?エーテル内にスラリー化して化合物aの沈澱(
収量298F ;理論値の76.8%)を得た。
オクタ−2,4,6−ドリエンー2.7−ジアル(化合
物b)は下記のようにして得た。2−オキソプロパナル
ジメチルアセタル(117mJ)及びトルエ/(300
1F)を−緒に50°Cで攪拌し、油中の80%水素化
ナトリウム(28,4g)Y30分間にわたり滴状添加
した。次いで混合物を50℃で1時間、次いで80℃で
1時間保持し、次に2N硫黄で酸性化した。
物b)は下記のようにして得た。2−オキソプロパナル
ジメチルアセタル(117mJ)及びトルエ/(300
1F)を−緒に50°Cで攪拌し、油中の80%水素化
ナトリウム(28,4g)Y30分間にわたり滴状添加
した。次いで混合物を50℃で1時間、次いで80℃で
1時間保持し、次に2N硫黄で酸性化した。
トルエン層を分離し、水で洗浄し、20℃で静置した。
このようにして化合物すの沈澱が生成した。
次いで化合物a及びb”a−ジメチルホルムアミド(1
00mj)中で20〜25℃で一緒に攪拌し、それと同
時に、ナトリウムメトキシド(1501dのメタノール
中0.5gのナトリウム)を滴状に添加し、出発物質:
生成物の比が低減することのないようにした。この混合
物をさらに1時間攪拌後、水(200rILl)で金沢
し、トルエンで抽出した。
00mj)中で20〜25℃で一緒に攪拌し、それと同
時に、ナトリウムメトキシド(1501dのメタノール
中0.5gのナトリウム)を滴状に添加し、出発物質:
生成物の比が低減することのないようにした。この混合
物をさらに1時間攪拌後、水(200rILl)で金沢
し、トルエンで抽出した。
有機抽出物を乾燥し、クロロホルムに溶解させ、トルエ
ンを用いてシリカゲルで溶離して、化合物Cを得た。次
いで化合物cY、アセトアミド、酢酸アンモニウム、シ
アン酢酸、氷酢酸及びヘキサンと共に、還流条件下で6
0〜65°Cにおいて4時間攪拌した。20℃に冷却後
、固体?ろ過し、熱クロロホルムで抽出し、水で洗浄し
、乾燥した。
ンを用いてシリカゲルで溶離して、化合物Cを得た。次
いで化合物cY、アセトアミド、酢酸アンモニウム、シ
アン酢酸、氷酢酸及びヘキサンと共に、還流条件下で6
0〜65°Cにおいて4時間攪拌した。20℃に冷却後
、固体?ろ過し、熱クロロホルムで抽出し、水で洗浄し
、乾燥した。
生成物をトルエンを用いてシリカゲルで溶離した。
カラムから遅く流出する部分を取り、これをエタノール
で抽出した。溶剤の蒸発により0.229の化合物I(
収率22%)が得られた。
で抽出した。溶剤の蒸発により0.229の化合物I(
収率22%)が得られた。
前記の化合物(2)〜(5)も同様にして作りた。
前記のその他の例示第1NLO化合物も同様に製造でき
る。
る。
(n)
4− (N−2−カルボキシエチル)−N−メチルアミ
ノ)ベンシルトリフェニルホスホニウムアイオダイド(
化合物d)を下記のようにして作った。
ノ)ベンシルトリフェニルホスホニウムアイオダイド(
化合物d)を下記のようにして作った。
N−(2−カルボキシエチル)−N−メfルアニリン(
23、069:0.14m )、40%ホ/l/ ム7
A/デヒド水溶液(10,5& ; 0.14m )
、トリフェニルホスフィン(36,68g:0.14m
)、沃化カリウム(23,24g;0.14m)、酢酸
(2751/)及びクロロホ# ム(100fi/)の
混合物を室温で15日間攪拌した。この混合物をエーテ
ルに投入し、油状残留物を得て、これを゛エーテルで処
理して白色固体を得た。
23、069:0.14m )、40%ホ/l/ ム7
A/デヒド水溶液(10,5& ; 0.14m )
、トリフェニルホスフィン(36,68g:0.14m
)、沃化カリウム(23,24g;0.14m)、酢酸
(2751/)及びクロロホ# ム(100fi/)の
混合物を室温で15日間攪拌した。この混合物をエーテ
ルに投入し、油状残留物を得て、これを゛エーテルで処
理して白色固体を得た。
アルデヒド(化合物e)は下記のようにして作った。オ
クタ−2,4,6−ドリエンー2.7−ジアル(化合物
す、 1.13、9;0.007M)及び化合物d(
4,1F ; 0.007M)の身メチルホルムアミド
(50ゴ)の攪拌懸濁液に、1Mのエタノール性ナトリ
クムエトキシド溶液(14ml”、 0.014M)を
添加した。反応により直ちにオレンジ色の溶液が生じた
。これ暑室温で1時間攪拌した。溶液を水(200mj
)中に投入し、塩酸で酸性化した。
クタ−2,4,6−ドリエンー2.7−ジアル(化合物
す、 1.13、9;0.007M)及び化合物d(
4,1F ; 0.007M)の身メチルホルムアミド
(50ゴ)の攪拌懸濁液に、1Mのエタノール性ナトリ
クムエトキシド溶液(14ml”、 0.014M)を
添加した。反応により直ちにオレンジ色の溶液が生じた
。これ暑室温で1時間攪拌した。溶液を水(200mj
)中に投入し、塩酸で酸性化した。
酸性化により、オレンジ色のタール状沈澱物が生じた。
これffニジクロルメタンで抽出し、抽出物を水で洗浄
し、乾燥しく硫酸マグネシウム上で)、減圧下で蒸発乾
固し、次いでフラ、シクロマドグラフィ(シリカ/ジク
ロルメタン)で精製した。
し、乾燥しく硫酸マグネシウム上で)、減圧下で蒸発乾
固し、次いでフラ、シクロマドグラフィ(シリカ/ジク
ロルメタン)で精製した。
ピペリジンC2m1La’、n−ドデシルシアノアセテ
ート(1,27g; 0.005M)及び化合物e(1
,7,!i’:0.005M)の混合物に加えたところ
、その混合物は暗オレンジ色から紫色に変化した。
ート(1,27g; 0.005M)及び化合物e(1
,7,!i’:0.005M)の混合物に加えたところ
、その混合物は暗オレンジ色から紫色に変化した。
この混合物を水に投入し、塩酸で酸性化し、ジクロルメ
タンで抽出し、抽出物を水で洗浄し、硫酸マグネ7ウム
上で乾燥した。減圧下で蒸発乾固した後、油状生成物を
フラッシュクロマトグラフィ〔シリカ/エーテル(4)
:エタノール(1)〕で精製し、暗紫色固体(化合物■
、0.62.9;理論値7%)を得た。
タンで抽出し、抽出物を水で洗浄し、硫酸マグネ7ウム
上で乾燥した。減圧下で蒸発乾固した後、油状生成物を
フラッシュクロマトグラフィ〔シリカ/エーテル(4)
:エタノール(1)〕で精製し、暗紫色固体(化合物■
、0.62.9;理論値7%)を得た。
融点は109〜111°C
(エタノール):525nm
ラムダ(最大)(エタノール):525nm質全スペク
トル:M/Z 574 (M+)前記の特定の第2
NLO化合物も上記と同じ方法で製造できる。
トル:M/Z 574 (M+)前記の特定の第2
NLO化合物も上記と同じ方法で製造できる。
、実施例1
NLO層の析出及び同定
ラングミュア・トラフ中のpH6,5の水中の酢酸カル
シウムの1.0 mM溶液からなる水性の下相(サブ相
)を板バネ弁を有する可撓性PTFE浮バリヤーによっ
て分割した。
シウムの1.0 mM溶液からなる水性の下相(サブ相
)を板バネ弁を有する可撓性PTFE浮バリヤーによっ
て分割した。
板バネ弁は、サブ相に部分的に浸された平板ガラスを浮
バリヤーを貫通して移動可能とし、浮バリヤーの両側の
表面層を接触させないようにした。
バリヤーを貫通して移動可能とし、浮バリヤーの両側の
表面層を接触させないようにした。
このようにして、板はバリヤーの一方の側のサブ相中へ
入り込み、バリヤーの他方の側のサブ相から引き出すこ
とができた。
入り込み、バリヤーの他方の側のサブ相から引き出すこ
とができた。
浮バリヤーの可撓性により浮バリヤーの両側に同一の表
面張力を維持できた。
面張力を維持できた。
第1NLO化合物(上記化合物■)の表面層を、クロロ
ホルム中の化合物Iの1.0M溶液をマイクロ注射器か
ら浮バリヤーの第1の側(側1)のサブ相の表面上にゆ
っくり滴流下させて作った。同じようにして、浮バリヤ
ーの第2の側(側2)に第2のN L O化合物(上記
化合物II)の表面層を作った。
ホルム中の化合物Iの1.0M溶液をマイクロ注射器か
ら浮バリヤーの第1の側(側1)のサブ相の表面上にゆ
っくり滴流下させて作った。同じようにして、浮バリヤ
ーの第2の側(側2)に第2のN L O化合物(上記
化合物II)の表面層を作った。
各溶液からの溶剤は蒸発させ、浮バリヤーの両側の表面
圧力は、トラフ中の調節可能バリヤーの移動によって2
6 mN、/ m に調節し、浸漬工程中26mN/
m に保った。
圧力は、トラフ中の調節可能バリヤーの移動によって2
6 mN、/ m に調節し、浸漬工程中26mN/
m に保った。
クロロホルム及びメタノール中での超音波洗浄により予
め洗浄した薄いガラス板を水酸化ナトリウム液中に24
時間浸け、乾燥し、24時間ヘキサメチルジシラザン蒸
気にさらすことにより疎水性とした。
め洗浄した薄いガラス板を水酸化ナトリウム液中に24
時間浸け、乾燥し、24時間ヘキサメチルジシラザン蒸
気にさらすことにより疎水性とした。
次いでこのガラス板をトラフの側1のサブ相中へ1cr
rLZ分の速度で浸けた。その間は、化合物Iの単分子
層が疎水性モードで析出された。次(・でガラス板を板
バネ弁を介して浮バリヤーの側1から側2へ移行させた
。
rLZ分の速度で浸けた。その間は、化合物Iの単分子
層が疎水性モードで析出された。次(・でガラス板を板
バネ弁を介して浮バリヤーの側1から側2へ移行させた
。
このスライドはトラフの側2から1.0cm/分の速度
で引き出された。その間に化合物Hの単分子層が、化合
物■の層の表面上に親水性モードで析出された。
で引き出された。その間に化合物Hの単分子層が、化合
物■の層の表面上に親水性モードで析出された。
側1への挿入、板バネ弁を介しての移動、及び側2から
の取り出しの操作サイクルを繰り返した。
の取り出しの操作サイクルを繰り返した。
この繰り返し操作により化合物■とIIの相互の単層の
より厚い被覆が、サブ相を通過したガラス板の丁べての
表面上に蓄積された。
より厚い被覆が、サブ相を通過したガラス板の丁べての
表面上に蓄積された。
被覆内の化合物I及びHの実質上すべての分子は、平行
列で並び、同方向にそれぞれのベクトルを有し、それら
のノンIJ ニア光学係数が加算された。
列で並び、同方向にそれぞれのベクトルを有し、それら
のノンIJ ニア光学係数が加算された。
得られた光学素子(OAl及び0A2)は、化合物■及
びHのそれぞれの相互単層2.8からなるNLO被覆で
両平面表面をカバーされたガラス板からなるものであっ
た。
びHのそれぞれの相互単層2.8からなるNLO被覆で
両平面表面をカバーされたガラス板からなるものであっ
た。
実施例2
実施例1の光学素子を下記の様に用いてそれらのNLO
特性を示した。
特性を示した。
Nd:YAGパルスレーザ−からの光線ヒ−ム(波長1
.Q4(5nm 、パルス時間10n秒、10ヘルツ)
をガラス板及びNLO被覆を横切って通過させた。
.Q4(5nm 、パルス時間10n秒、10ヘルツ)
をガラス板及びNLO被覆を横切って通過させた。
素子内を通過中に発生した、第2ハーモニ、り波長(5
32nm)における光の強さを、基本波長(1,064
nm)の透過光のフィルター後に、光増巾器で測定した
。2關石英参照板によって発生された第2ハーモニ、り
に対して較正した後に、第2オーダーNLO係数の計算
値、Khi(2)は、OAlについては1.5 X 1
0−” C3J−2であり、OA2については4.4X
10 CJ であった。
32nm)における光の強さを、基本波長(1,064
nm)の透過光のフィルター後に、光増巾器で測定した
。2關石英参照板によって発生された第2ハーモニ、り
に対して較正した後に、第2オーダーNLO係数の計算
値、Khi(2)は、OAlについては1.5 X 1
0−” C3J−2であり、OA2については4.4X
10 CJ であった。
波長1.064μm における平均分子二次電子分極は
、Khi(2)から推定するとOAlについては5.6
X10−48C3Ju 2u−”rr+3(1,5X
10−27cm5/esu’lであり、OA2について
は、1.7 X 10−”CJ m (4,5X10
cm /esu であッfc。これらの値の差異
は、厚い方の膜における分子の整列度の低減に大きく依
存するものであろう。
、Khi(2)から推定するとOAlについては5.6
X10−48C3Ju 2u−”rr+3(1,5X
10−27cm5/esu’lであり、OA2について
は、1.7 X 10−”CJ m (4,5X10
cm /esu であッfc。これらの値の差異
は、厚い方の膜における分子の整列度の低減に大きく依
存するものであろう。
第1図は本発明による光学デバイスの一列の平面図であ
り、 第2図は第1図のX−Y線における断面図である。 4:基板(支持体) 9:NLO被覆 10、12 :電′極対 6.8:光波ガイド t″□′1 手続補正書 平成1年特許願第211192号 2、発明の名称 ノンリニア光学素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 インペリアル・ケミカル・インダストリーズ
・ピーエルシー 4、代理人 住所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビ
ル 206区 5、補正の対象
り、 第2図は第1図のX−Y線における断面図である。 4:基板(支持体) 9:NLO被覆 10、12 :電′極対 6.8:光波ガイド t″□′1 手続補正書 平成1年特許願第211192号 2、発明の名称 ノンリニア光学素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 インペリアル・ケミカル・インダストリーズ
・ピーエルシー 4、代理人 住所 東京都千代田区大手町二丁目2番1号新大手町ビ
ル 206区 5、補正の対象
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (R^1は非親水性C_1_0〜C_2_4脂肪族基で
あり、随意に脂環式基を含みそして随意にオキサ−また
はチア−置換されたものであり; D^1は−NX−、−NH−NX−または−N(OX)
−であり、ここにXはHまたはC_1〜C_4アルキル
基であり; Phはパラ−フェニレン基であり; R^2ないしR^6はそれぞれ独立的にHまたはC_1
〜C_4アルキル基であり; nは1〜10の任意の整数であり; A^1はNO_2、CNまたはCOOYであり、ここに
YはHまたはC_1〜C_4アルキル基であり;そして A^2はHであるかまたはA^1について定義されたも
のであるがA^1と同一であっても相異なっていてもよ
い。) の第1のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
; 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔A^3は一般式( I )におけるA^1について定義
されたものであるがA^1と同一であっても相異なって
いてもよい; mは1〜4の整数であり; D^2は一般式( I )におけるD^1について定義さ
れたものであるが、D^1と同一であっても相異なって
いてもよい; Phはパラ−フェニレン基であり; R^7ないしR^1^1はそれぞれ独立的にHまたはC
_1〜C_4アルキル基であり;pは1〜10の任意の
整数であり; A^4は一般式( I )におけるA^2について定義さ
れたものであるが、A^2と同一であっても相異なって
いてもよい; そして R^1^2は一般式( I )におけるR^1について定
義されたものであるが、R^1と同一であっても相異な
っていてもよい。〕 の第2のノンリニア光学(NLO)化合物またはその塩
; の二つの化合物の交互に並んだ単層からなる少なくとも
部分的な表面被覆を有する透明または反射性基板よりな
るノンリニア光学性を有する光学素子であって、それら
の化合のそれぞれが電子ベクトルを有し、それらの単層
において二つの化合物がそれらの電子ベクトルを同方向
にして配置されている上記光学素子。 2、1−(4−N−メチル−N−ドデシルアミノフエニ
ル)−3、8−ジメチル−10−カルボキシ−10−シ
アノデカ−1、3、5、7、9−ペンタエン(化合物
I )と;1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエ
チルアミノ−フェニル)−3、8−ジメチル−10−シ
アノ−10−ドデシクロキシカルボニル−デカ−1、3
、5、7、9−ペンタエン(化合物II)と;であって、
それぞれが独立的に遊離酸の形、そのカドミウムもしく
はカルシウム塩、またはそのメチルエステルの形である
ものの交互に並んだ層からなる被覆を有する表面をもつ
透明または反射性基板よりなり;その被覆における化合
物 I 及びIIの実質上すべての分子が平行な列でそれら
のベクトルを同一方向にして整列されている、請求項1
記載の光学素子。 3、透明基板からなり、各層が単層である請求項2記載
の光学素子。 4、反射性基板からなり、層が単層よりも厚い請求項2
記載の光学素子。 5、請求項1記載の光学素子を製造する方法であって;
透明または反射性基板の一つの表面を、液体のサブ相中
へ、第1のNLO化合物の表面単分子層を担持したその
液体の第1の表面を通して、次いでその液体から外向き
に、第2のNLO化合物の表面層を担持したその液体の
第2の表面を通して、通過させるか、またはその逆の順
序で通過させることからなる、上記製造方法。 6、液体サブ相がラングミュア・トラフ中の水性媒質で
あり、単数または複数の単分子層を可動ダムにより表面
積を調節することにより得る請求項5記載の方法。 7、請求項1記載のノンリニア光学素子を含む光学デバ
イス。 8、光学素子が請求項2記載の素子である請求項7記載
の光学デバイス。 9、請求項1記載の一般式(II)の化合物。 10、1−(4−N−メチル−N−2−カルボキシエチ
ルアミノフエニル)−3、8−ジエチル−10−ドデシ
ロキシカルボニル−10−シアノデカ−1、3、5、7
、9−ペンタエノンまたはそのカルシウムもしくはカド
ミウム塩である請求項9記載の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8819414.7 | 1988-08-16 | ||
GB888819414A GB8819414D0 (en) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Non-linear optical element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02297528A true JPH02297528A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=10642178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1211192A Pending JPH02297528A (ja) | 1988-08-16 | 1989-08-16 | ノンリニア光学素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0356041A3 (ja) |
JP (1) | JPH02297528A (ja) |
GB (1) | GB8819414D0 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5501821A (en) * | 1992-11-16 | 1996-03-26 | Eastman Kodak Company | Optical article exhibiting a large first hyperpolarizability |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8602707D0 (en) * | 1986-02-04 | 1986-03-12 | Ici Plc | Non-linear optics |
GB8602705D0 (en) * | 1986-02-04 | 1986-03-12 | Ici Plc | Non-linear optical device |
-
1988
- 1988-08-16 GB GB888819414A patent/GB8819414D0/en active Pending
-
1989
- 1989-08-02 EP EP19890307868 patent/EP0356041A3/en not_active Withdrawn
- 1989-08-16 JP JP1211192A patent/JPH02297528A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0356041A3 (en) | 1991-11-27 |
GB8819414D0 (en) | 1988-09-21 |
EP0356041A2 (en) | 1990-02-28 |
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